專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別是涉及包括用于密封電子元件的密封樹(shù)脂的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置包括用于密封安裝在基板上的電子元件的密封樹(shù)脂，以及在該密封樹(shù)脂上用于保護(hù)該電子元件免受電磁波影響的屏蔽層。
圖42為現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的透視圖，該半導(dǎo)體裝置包括屏蔽層和用于密封電子元件的密封樹(shù)脂。在圖42中，為便于理解半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)，對(duì)屏蔽層105和密封樹(shù)脂104的一部分進(jìn)行切開(kāi)并示出。
如圖42中所示，半導(dǎo)體裝置100具有基板101、電子元件102、密封樹(shù)脂104和屏蔽層105。
電子元件102安裝在基板101上。舉例來(lái)說(shuō)，電子元件102為高頻半導(dǎo)體元件、片狀電阻器或片狀電容器。密封樹(shù)脂104保護(hù)電子元件102免受來(lái)自外部的沖擊等。并將密封樹(shù)脂104設(shè)置為覆蓋電子元件102。密封樹(shù)脂104具有良好的抗沖擊性和耐久性，并且其表面形成為光滑表面。
屏蔽層105直接布置在密封樹(shù)脂104上，以便于覆蓋密封樹(shù)脂104的上表面。通過(guò)諸如濺射法、真空蒸發(fā)法或電鍍法形成的導(dǎo)電薄膜(金屬薄膜)可以用作屏蔽層105。屏蔽層105通過(guò)屏蔽來(lái)自外部的電磁波，以保護(hù)電子元件102免受電磁波的影響(例如，見(jiàn)日本專(zhuān)利公報(bào)JP-A-2002-280468)。
然而，密封樹(shù)脂104具有良好的抗沖擊性和耐久性，因此難以使其表面變粗糙。因此，密封樹(shù)脂104與通過(guò)濺射法、真空蒸發(fā)法、電鍍法等形成的導(dǎo)電薄膜之間的附著力較差，這樣難以在密封樹(shù)脂104上直接形成由導(dǎo)電薄膜制成的圖案配線或屏蔽層105。
此外，在現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置100中，屏蔽層105并未布置在密封樹(shù)脂104的側(cè)表面，因此存在這樣的問(wèn)題，即由于電磁波從密封樹(shù)脂104的側(cè)表面侵入而使電子元件102的電氣特性降低。
此外，還存在這樣的問(wèn)題，即隨著近年來(lái)的電子設(shè)備的性能變得更高，從而必須提高半導(dǎo)體裝置100的安裝密度。

發(fā)明內(nèi)容
以下的公開(kāi)內(nèi)容說(shuō)明了能夠提高安裝密度、并高精度地阻擋電磁波的半導(dǎo)體裝置和該半導(dǎo)體裝置的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括基板；電子元件，其安裝在基板上；密封樹(shù)脂，其用于密封電子元件；樹(shù)脂層，其布置在密封樹(shù)脂上，并且樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂與導(dǎo)電薄膜的附著力；以及導(dǎo)電圖案，其布置在樹(shù)脂層上，并電連接至電子元件。
通過(guò)在難以形成導(dǎo)電薄膜的密封樹(shù)脂上布置樹(shù)脂層(該樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂與導(dǎo)電薄膜的附著力)，可以將導(dǎo)電圖案布置在樹(shù)脂層上，并且能夠提高半導(dǎo)體裝置的安裝密度。
在這里，導(dǎo)電圖案包括圖案配線或天線。
此外，在上述結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電圖案可以具有用于連接其它電子元件的連接部。通過(guò)在導(dǎo)電圖案中布置連接部，并將其它電子元件安裝在該連接部中，從而能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的安裝密度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括基板；接地端子，其在基板上形成；電子元件，其安裝在基板上；密封樹(shù)脂，其用于密封電子元件；樹(shù)脂層，其布置在密封樹(shù)脂上，并且樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂與導(dǎo)電薄膜的附著力；以及屏蔽層，其布置在樹(shù)脂層上，并電連接至接地端子。
通過(guò)在難以形成導(dǎo)電薄膜的密封樹(shù)脂上布置樹(shù)脂層(該樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂與導(dǎo)電薄膜的附著力)，可以將屏蔽層布置在樹(shù)脂層上。
此外，在上述結(jié)構(gòu)中，可以將樹(shù)脂層布置為連續(xù)地覆蓋密封樹(shù)脂的上表面和側(cè)表面，并且可以將屏蔽層布置為覆蓋樹(shù)脂層。通過(guò)將屏蔽層布置為包圍密封樹(shù)脂的上表面和側(cè)表面，從而能夠高精度地阻擋電磁波。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置包括基板；安裝在基板上的電子元件；以及用于密封電子元件的密封樹(shù)脂，所述方法包括樹(shù)脂層形成步驟，其在密封樹(shù)脂上形成樹(shù)脂層，該樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂與導(dǎo)電薄膜的附著力；以及導(dǎo)電圖案形成步驟，其在樹(shù)脂層上形成導(dǎo)電圖案。
通過(guò)設(shè)置在難以形成導(dǎo)電薄膜的密封樹(shù)脂上形成樹(shù)脂層(該樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂與導(dǎo)電薄膜的附著力)的樹(shù)脂層形成步驟，可以在樹(shù)脂層上形成導(dǎo)電圖案。
在這里，導(dǎo)電圖案包括圖案配線或天線。
根據(jù)本發(fā)明的其它方面，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該半導(dǎo)體裝置包括基板；在基板上形成的接地端子；安裝在基板上的電子元件；以及用于密封電子元件的密封樹(shù)脂，所述方法包括樹(shù)脂層形成步驟，其在密封樹(shù)脂上形成樹(shù)脂層，該樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂與導(dǎo)電薄膜的附著力；以及屏蔽層形成步驟，其在樹(shù)脂層上形成電連接至接地端子的屏蔽層。
通過(guò)設(shè)置在難以形成導(dǎo)電薄膜的密封樹(shù)脂上形成樹(shù)脂層(該樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂與導(dǎo)電薄膜的附著力)的樹(shù)脂層形成步驟，可以在樹(shù)脂層上形成屏蔽層。
下列優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)體現(xiàn)在下文的實(shí)施例中。例如，能夠提高半導(dǎo)體裝置的安裝密度、能夠高精度地阻擋電磁波等優(yōu)點(diǎn)。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖2為用于半導(dǎo)體裝置形成的基板的平面圖，在該基板中形成示例性實(shí)施例即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。
圖3為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第一)。
圖4為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第二)。
圖5為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第三)。
圖6為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第四)。
圖7為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第五)。
圖8為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第六)。
圖9為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第七)。
圖10為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第八)。
圖11為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第九)。
圖12為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第十)。
圖13為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第十一)。
圖14為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第十二)。
圖15為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第十三)。
圖16為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第十四)。
圖17為根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖18為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第一)。
圖19為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第二)。
圖20為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第三)。
圖21為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第四)。
圖22為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第五)。
圖23為根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖24為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第一)。
圖25為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第二)。
圖26為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第三)。
圖27為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第四)。
圖28為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第五)。
圖29為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第六)。
圖30為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第七)。
圖31為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第八)。
圖32為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第九)。
圖33為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第十)。
圖34為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第十一)。
圖35為根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
圖36為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第一)。
圖37為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第二)。
圖38為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第三)。
圖39為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第四)。
圖40為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第五)。
圖41為示出示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖(第六)。
圖42為現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的透視圖，該半導(dǎo)體裝置包括屏蔽層和用于密封電子元件的密封樹(shù)脂。
具體實(shí)施例方式
接下來(lái)，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
第一實(shí)施例圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。在圖1中，H1、M1和M2分別表示導(dǎo)通連接用端子12的高度(以下稱(chēng)為高度H1)、在使用基板11的上表面11A作為基準(zhǔn)的情況下的密封樹(shù)脂14的厚度(以下稱(chēng)為厚度M1)、以及樹(shù)脂層15的厚度(以下稱(chēng)為厚度M2)。
首先，參照?qǐng)D1對(duì)根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置10進(jìn)行說(shuō)明。半導(dǎo)體裝置10具有基板11、導(dǎo)通連接用端子12、電子元件13、密封樹(shù)脂14、樹(shù)脂層15、導(dǎo)通部(via)17、圖案配線18、保護(hù)膜21和防擴(kuò)散膜23。
基板11將電子元件13電連接至諸如母板等的其它基板(未示出)。舉例來(lái)說(shuō)，印刷線路板可以用作基板11。
導(dǎo)通連接用端子12布置在基板11上，并通過(guò)配線(未示出)電連接至電子元件13。此外，導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A連接至導(dǎo)通部17。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)在基板11的配線上使鍍銅薄膜沉淀為柱狀，或安裝柱狀銅材以形成導(dǎo)通連接用端子12。
此外，可以加高導(dǎo)通連接用端子12的高度H1(這里，H1＜M1)。通過(guò)加高導(dǎo)通連接用端子12的高度H1，可以減小在密封樹(shù)脂14中形成的開(kāi)口14A的深度，以便容易地形成開(kāi)口14A。
電子元件13安裝在基板11上。舉例來(lái)說(shuō)，諸如晶體振蕩器、片狀電容器、片狀電阻器或半導(dǎo)體芯片等的無(wú)源元件可以用作電子元件13。
密封樹(shù)脂14具有用于露出導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A的開(kāi)口14A，并以密封電子元件13的方式布置在基板11上。密封樹(shù)脂14保護(hù)安裝在基板11上的電子元件13免受來(lái)自外部的沖擊等。密封樹(shù)脂14具有良好的抗沖擊性和耐久性，并且其表面形成為光滑表面，這樣難以使密封樹(shù)脂14的表面變粗糙。因此，密封樹(shù)脂14與通過(guò)濺射法、真空蒸發(fā)法、電鍍法等形成的導(dǎo)電薄膜的附著力較差，這樣會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)電薄膜的剝離，從而難以在密封樹(shù)脂14上直接形成導(dǎo)電薄膜(圖案配線18)。舉例來(lái)說(shuō)，成型樹(shù)脂可以用作密封樹(shù)脂14。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)傳遞成型法形成的環(huán)氧型成型樹(shù)脂可以用作成型樹(shù)脂。更具體地說(shuō)，可以使用在環(huán)氧樹(shù)脂中包含固化劑(具有填料)的樹(shù)脂。舉例來(lái)說(shuō)，可以使用甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂作為環(huán)氧樹(shù)脂，苯酚酚醛清漆型樹(shù)脂作為固化劑，熔凝硅石或結(jié)晶二氧化硅作為填料。
此外，舉例來(lái)說(shuō)，可以將密封樹(shù)脂14的厚度M1設(shè)為1mm。
樹(shù)脂層15為這樣的樹(shù)脂層即，其與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂14與導(dǎo)電薄膜的附著力，并且可以對(duì)樹(shù)脂層15進(jìn)行粗糙化處理到這樣的程度，即能夠形成導(dǎo)電薄膜。樹(shù)脂層15具有用于露出導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A的開(kāi)口15A，并以覆蓋密封樹(shù)脂14的上表面14B的方式布置。此外，開(kāi)口15A為用于布置導(dǎo)通部17的開(kāi)口。舉例來(lái)說(shuō)，環(huán)氧型樹(shù)脂或在環(huán)氧型樹(shù)脂中分散有諸如鈀等的用作電鍍催化劑的金屬微粒的材料可以用作樹(shù)脂層15。更具體地說(shuō)，可以使用其中不包含固化劑或填料的環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚型樹(shù)脂、液晶聚合物或聚酰亞胺樹(shù)脂。由于用作樹(shù)脂層15的環(huán)氧樹(shù)脂不包含固化劑或填料，所以樹(shù)脂層15與用作密封樹(shù)脂14的具有固化劑和/或填料的環(huán)氧樹(shù)脂的附著力相比較，樹(shù)脂層15通過(guò)粗糙化處理而獲得的附著力能夠得到提高。
舉例來(lái)說(shuō)，可以將樹(shù)脂層15的厚度M2設(shè)定在30μm到60μm的范圍。
通過(guò)在具有與導(dǎo)電薄膜的附著力較差的密封樹(shù)脂14上布置樹(shù)脂層15(該樹(shù)脂層15與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂14與導(dǎo)電薄膜的附著力)，可以將圖案配線18布置在樹(shù)脂層15上，從而能夠提高半導(dǎo)體裝置10的安裝密度。
更具體地說(shuō)，由于在成型樹(shù)脂中包含的填料成分的數(shù)量通常較大(例如，重量百分比大于70％)，所以即使對(duì)成型樹(shù)脂進(jìn)行用于提高其與導(dǎo)電薄膜的附著力的粗糙化處理，但因填料的倒塌(塌縮)而使附著結(jié)構(gòu)也無(wú)法得到保持。舉例來(lái)說(shuō)，在將導(dǎo)電薄膜布置在成型樹(shù)脂上的情況下，導(dǎo)電薄膜的剝離強(qiáng)度為20～60g/cm，這會(huì)使得導(dǎo)電薄膜從成型樹(shù)脂剝落。與此相比，在將樹(shù)脂層(該樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于成型樹(shù)脂與導(dǎo)電薄膜的附著力)布置在成型樹(shù)脂上(樹(shù)脂層通過(guò)熱硬化附著于成型樹(shù)脂上)、然后將導(dǎo)電薄膜布置在樹(shù)脂層上的情況下，導(dǎo)電薄膜的剝離強(qiáng)度為600g/cm或更大，這會(huì)提高樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力。
另外，導(dǎo)電薄膜也包括種晶層(seed layer)。此外，可以形成天線代替圖案配線18。導(dǎo)電薄膜在這里是指構(gòu)成諸如圖案配線或天線或種晶層的導(dǎo)電圖案的薄膜。
導(dǎo)通部17布置在形成于樹(shù)脂層15中的開(kāi)口15A內(nèi)。導(dǎo)通部17的下端電連接至導(dǎo)通連接用端子12，上端電連接至圖案配線18。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)電鍍法形成導(dǎo)通部17。此外，舉例來(lái)說(shuō)，可以使用銅作為導(dǎo)通部17的材料。
圖案配線18布置在樹(shù)脂層15上，并且圖案配線18具有用于安裝其它電子元件25的連接部19。通過(guò)在圖案配線18中布置用于安裝其它電子元件25的連接部19，這樣能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置10的安裝密度。
可以通過(guò)在導(dǎo)電薄膜上制作布線圖案來(lái)形成圖案配線18，舉例來(lái)說(shuō)，該導(dǎo)電薄膜是通過(guò)濺射法、真空蒸發(fā)法或電鍍法形成的。在使用濺射法或真空蒸發(fā)法的情況下，舉例來(lái)說(shuō)，可以使用鋁作為圖案配線18的材料。此外，在使用電鍍法的情況下，舉例來(lái)說(shuō)，可以使用銅作為圖案配線18的材料。此外，舉例來(lái)說(shuō)，諸如晶體振蕩器、片狀電容器、片狀電阻器或半導(dǎo)體芯片等的無(wú)源元件可以用作其它電子元件25。
保護(hù)膜21為具有絕緣性能的薄膜，并布置在樹(shù)脂層15上，以便于覆蓋除了連接部19之外的圖案配線18。保護(hù)膜21為用于保護(hù)圖案配線18免受來(lái)自外部的沖擊等的薄膜。舉例來(lái)說(shuō)，阻焊膜可以用作保護(hù)膜21。
防擴(kuò)散膜23布置在連接部19上。舉例來(lái)說(shuō)，鎳/金層(布置在連接部19上的鎳層和布置在該鎳層上的金層的組合層)可以用作防擴(kuò)散膜23。
根據(jù)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，通過(guò)在具有與導(dǎo)電薄膜的附著力較差的密封樹(shù)脂14上布置樹(shù)脂層15(該樹(shù)脂層15與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂14與導(dǎo)電薄膜的附著力)，可以將圖案配線18布置在樹(shù)脂層15上，從而提高半導(dǎo)體裝置10的安裝密度。另外，通過(guò)在圖案配線18中布置用于連接其它電子元件25的連接部19，能夠進(jìn)一步提高半導(dǎo)體裝置的安裝密度。
另外，在本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例中，可以在沒(méi)有設(shè)置導(dǎo)通連接用端子12的情況下，將導(dǎo)通部17直接連接至基板11的配線。此外，可以將連接至基板11的配線的外部連接端子布置在基板11的下表面。此外，圖案配線18可以用作電子元件13之間的電連接的引線。
圖2為用于半導(dǎo)體裝置形成的基板的平面圖，在該基板中形成本示例性實(shí)施例即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置。在圖2中，A和B分別表示形成半導(dǎo)體裝置10的區(qū)域(以下稱(chēng)為半導(dǎo)體裝置形成區(qū)A)和切割刀對(duì)用于半導(dǎo)體裝置形成的基板30進(jìn)行切割的位置(以下稱(chēng)為切割位置B)。
接下來(lái)，根據(jù)圖2對(duì)用于半導(dǎo)體裝置形成的、在其中形成半導(dǎo)體裝置10的基板30進(jìn)行說(shuō)明。用于半導(dǎo)體裝置形成的基板30具有多個(gè)半導(dǎo)體裝置形成區(qū)A。在用于半導(dǎo)體裝置形成的基板30的半導(dǎo)體裝置形成區(qū)A中形成基板11。如下所述，在形成對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體裝置10的結(jié)構(gòu)之后，沿切割位置B對(duì)用于半導(dǎo)體裝置形成的基板30進(jìn)行切割。這樣，將半導(dǎo)體裝置10分成單獨(dú)的片，從而制造出半導(dǎo)體裝置10。舉例來(lái)說(shuō)，玻璃環(huán)氧樹(shù)脂可以用作用于半導(dǎo)體裝置形成的基板30的材料。
圖3至16為示出本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖。在圖3至16中，對(duì)與圖1中示出的半導(dǎo)體裝置10的元件相同的元件賦予相同的標(biāo)號(hào)。
接下來(lái)，根據(jù)圖3至16對(duì)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。如圖3中所示，首先在基板11上形成導(dǎo)通連接用端子12，所述基板11在半導(dǎo)體裝置形成區(qū)A中形成，隨后，在基板11上安裝電子元件13(電子元件安裝工藝)。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)使鍍銅薄膜沉淀為柱狀或安裝柱狀銅材，以形成導(dǎo)通連接用端子12。
然后，如圖4中所示，在基板11上形成密封樹(shù)脂14，以便于覆蓋導(dǎo)通連接用端子12和電子元件13(密封樹(shù)脂形成工藝)。舉例來(lái)說(shuō)，可以將密封樹(shù)脂14的厚度M1設(shè)為1mm。此外，舉例來(lái)說(shuō)，可以將密封樹(shù)脂14在導(dǎo)通連接用端子12上的厚度M3設(shè)為200μm。
然后，如圖5中所示，在密封樹(shù)脂14中形成用于露出導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A的開(kāi)口14A。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)激光器或鉆孔器形成開(kāi)口14A。
然后，如圖6中所示，形成樹(shù)脂層15(該樹(shù)脂層15與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂14與導(dǎo)電薄膜的附著力)，以便于填充開(kāi)口14A并覆蓋密封樹(shù)脂14的上表面14B(樹(shù)脂層形成工藝)。舉例來(lái)說(shuō)，環(huán)氧型樹(shù)脂或在環(huán)氧型樹(shù)脂中分散有諸如鈀等的用作電鍍催化劑的金屬微粒的材料可以用作樹(shù)脂層15。舉例來(lái)說(shuō)，可以將樹(shù)脂層15的厚度M2設(shè)定在30μm到60μm的范圍。
隨后，如圖7中所示，在樹(shù)脂層15中形成用于露出導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A的開(kāi)口15A，隨后，使樹(shù)脂層15的表面變粗糙。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)激光器或鉆孔器形成開(kāi)口15A。此外，舉例來(lái)說(shuō)，除污處理可以用作樹(shù)脂層15的表面的粗糙化處理。
然后，如圖8中所示，形成種晶層32，以便于覆蓋在開(kāi)口15A露出的導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A和在其中形成開(kāi)口15A的樹(shù)脂層15。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)化學(xué)電鍍法(無(wú)電解電鍍法)形成的銅層可以用作種晶層32。
然后，如圖9中所示，在種晶層32上形成具有對(duì)應(yīng)于圖案配線18的形狀的開(kāi)口33A的抗蝕層33。隨后，如圖10中所示，通過(guò)電解電鍍法在種晶層32上形成導(dǎo)電薄膜35。這樣，在開(kāi)口15A中形成由導(dǎo)電薄膜35和種晶層32構(gòu)成的導(dǎo)通部17。舉例來(lái)說(shuō)，可以使用銅膜作為導(dǎo)電薄膜35。
隨后，如圖11中所示，用抗蝕剝離劑(脫膠劑)去除抗蝕層33。然后，如圖12中所示，去除未覆蓋有導(dǎo)電薄膜35的不必要的種晶層32(圖案配線形成工藝)。因此，在樹(shù)脂層15上形成由導(dǎo)電薄膜35和種晶層32構(gòu)成的圖案配線18(包括連接部19)。
然后，如圖13中所示，形成具有開(kāi)口36A的抗蝕層36，該抗蝕層36在覆蓋圖案配線18和樹(shù)脂層15的同時(shí)使連接部19露出。
隨后，如圖14中所示，在連接部19上形成防擴(kuò)散膜23。舉例來(lái)說(shuō)，鎳/金層(布置在連接部19上的鎳層和布置在該鎳層上的金層的組合層)可以用作防擴(kuò)散膜23。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)使用連接部19作為供電層的電解電鍍法形成鎳/金層。在形成防擴(kuò)散膜23之后，用抗蝕剝離劑去除抗蝕層36。
然后，如圖15中所示，形成具有開(kāi)口21A的保護(hù)膜21(保護(hù)膜形成工藝)，該保護(hù)膜21在覆蓋圖案配線18和樹(shù)脂層15的同時(shí)使防擴(kuò)散膜23露出。保護(hù)膜21為具有絕緣性能的薄膜。舉例來(lái)說(shuō)，阻焊膜可以用作保護(hù)膜21。
然后，如圖16中所示，沿切割位置B對(duì)圖15中示出的結(jié)構(gòu)體進(jìn)行切割，并將其分成單獨(dú)的片，從而制造出半導(dǎo)體裝置10。
根據(jù)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過(guò)設(shè)置在難以形成導(dǎo)電薄膜35的密封樹(shù)脂14上形成樹(shù)脂層15(該樹(shù)脂層15與導(dǎo)電薄膜35的附著力高于密封樹(shù)脂14與導(dǎo)電薄膜35的附著力)的樹(shù)脂層形成工藝，可以在樹(shù)脂層15上形成圖案配線18。
第二實(shí)施例圖17為根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。在圖17中，M4和M5分別表示密封樹(shù)脂41的厚度(以下稱(chēng)為厚度M4)和樹(shù)脂層42的厚度(以下稱(chēng)為厚度M5)。此外，在圖17中，對(duì)與第一示例性實(shí)施例即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置10的元件相同的元件賦予相同的標(biāo)號(hào)。
首先，參照?qǐng)D17對(duì)根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置40進(jìn)行說(shuō)明。除了設(shè)置密封樹(shù)脂41、樹(shù)脂層42和導(dǎo)通部45以代替第一示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置10中的密封樹(shù)脂14、樹(shù)脂層15和導(dǎo)通部17以外，半導(dǎo)體裝置40具有與半導(dǎo)體裝置10的結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu)。
密封樹(shù)脂41為具有與第一示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的密封樹(shù)脂14的性質(zhì)相似的性質(zhì)的樹(shù)脂，并且是具有與導(dǎo)電薄膜的附著力較差的樹(shù)脂。密封樹(shù)脂41以密封電子元件13的方式布置在基板11上。此外，密封樹(shù)脂41的上表面41A形成為基本上與導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A齊平。也就是說(shuō)，密封樹(shù)脂41的厚度M4構(gòu)成為這樣即，密封樹(shù)脂41的厚度M4基本上與導(dǎo)通連接用端子12的高度H1相等。與第一示例性實(shí)施例即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的密封樹(shù)脂14相似的樹(shù)脂，可以用作密封樹(shù)脂41。
通過(guò)將密封樹(shù)脂41的上表面41A形成為基本上與導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A齊平，這樣能夠使密封樹(shù)脂41的厚度M4變薄，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置40的小型化(薄型化)。
樹(shù)脂層42為這樣的樹(shù)脂層，即其與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂41與導(dǎo)電薄膜的附著力，并且可以對(duì)樹(shù)脂層42進(jìn)行粗糙化處理以達(dá)到這樣的程度，即能夠形成導(dǎo)電薄膜。樹(shù)脂層42具有用于露出導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A的開(kāi)口42A，并以覆蓋密封樹(shù)脂41的上表面41A的方式而布置。與在第一示例性實(shí)施例即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的樹(shù)脂層15相似的樹(shù)脂，可以用作樹(shù)脂層42。另外，導(dǎo)電薄膜也包括種晶層。此外，可以形成天線代替圖案配線18。導(dǎo)電薄膜在這里是指構(gòu)成諸如圖案配線或天線或種晶層等導(dǎo)電圖案的薄膜。
導(dǎo)通部45布置在形成于樹(shù)脂層42中的開(kāi)口42A內(nèi)，并在圖案配線18和導(dǎo)通連接用端子12之間進(jìn)行電連接。
根據(jù)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，通過(guò)在密封樹(shù)脂41上布置樹(shù)脂層42(該樹(shù)脂層42與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂41與導(dǎo)電薄膜的附著力)并在樹(shù)脂層42上形成圖案配線18，能夠提高半導(dǎo)體裝置40的安裝密度，并且能夠使密封樹(shù)脂41的厚度M4變薄，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置40的小型化。
另外，連接至基板11的配線的外部連接端子可以布置在基板11的下表面。此外，圖案配線18可以用作電子元件13之間的電連接的引線。
圖18至22為示出本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖。在圖18至22中，對(duì)與在圖17中說(shuō)明的半導(dǎo)體裝置40的元件相同的元件賦予相同的標(biāo)號(hào)。此外，在圖18至22中，A1和B1分別示出形成半導(dǎo)體裝置40的區(qū)域(以下稱(chēng)為半導(dǎo)體裝置形成區(qū)A1)和切割刀進(jìn)行切割的位置(以下稱(chēng)為切割位置B1)。
接下來(lái)，參照?qǐng)D18至22對(duì)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置40的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，進(jìn)行與在第一示例性實(shí)施例即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的圖3和4相似的處理，并在其上形成導(dǎo)通連接用端子12的基板11上安裝電子元件13(電子元件安裝工藝)，然后形成密封樹(shù)脂41，以便于覆蓋導(dǎo)通連接用端子12和電子元件13(密封樹(shù)脂形成工藝)。
隨后，如圖18中所示，對(duì)密封樹(shù)脂41進(jìn)行拋光，以便使密封樹(shù)脂41的上表面41A與導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A齊平(M4＝H1)。
然后，如圖19中所示，形成樹(shù)脂層42(該樹(shù)脂層42與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂41與導(dǎo)電薄膜的附著力)，以便于覆蓋密封樹(shù)脂41上表面的41A和導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A(樹(shù)脂層形成工藝)。舉例來(lái)說(shuō)，可以將樹(shù)脂層42的厚度M5設(shè)定在30μm到60μm的范圍。
然后，如圖20中所示，在樹(shù)脂層42中形成用于露出導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A的開(kāi)口42A，此后，使在其中形成開(kāi)口42A的樹(shù)脂層42的表面變粗糙。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)激光器或鉆孔器形成開(kāi)口42A。此外，舉例來(lái)說(shuō)，去污處理可以用作樹(shù)脂層42的表面的粗糙化處理。
然后，如圖21中所示，形成種晶層32，以便于覆蓋在開(kāi)口42A露出的導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A和在其中形成開(kāi)口42A的樹(shù)脂層42。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)化學(xué)電鍍法形成的銅層可以用作種晶層32。
隨后，通過(guò)進(jìn)行與在第一示例性實(shí)施例即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的圖9至16的工藝(包括圖案配線形成工藝和保護(hù)膜形成工藝)相似的處理，從而制造出包括由導(dǎo)電薄膜35和種晶層32構(gòu)成的導(dǎo)通部45的半導(dǎo)體裝置40，這如圖22中所示。
根據(jù)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過(guò)對(duì)密封樹(shù)脂41進(jìn)行拋光，以使密封樹(shù)脂41的上表面41A與導(dǎo)通連接用端子12的上表面12A齊平，這樣能夠使密封樹(shù)脂41的厚度M4變薄，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置40的小型化。
第三實(shí)施例圖23為根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。在圖23中，M6和M7分別表示樹(shù)脂層52的厚度(以下稱(chēng)為厚度M6)和屏蔽層53的厚度(以下稱(chēng)為厚度M7)。此外，在圖23中，對(duì)與第一示例性實(shí)施例即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置10的元件相同的元件賦予相同的標(biāo)號(hào)。
參照?qǐng)D23，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置50進(jìn)行說(shuō)明。半導(dǎo)體裝置50具有基板11、電子元件13、密封樹(shù)脂14、導(dǎo)通部17、接地端子51、樹(shù)脂層52、屏蔽層53和保護(hù)膜55。
接地端子51為設(shè)定成地電位的端子，并布置在基板11上。接地端子51通過(guò)導(dǎo)通部17電連接至屏蔽層53。
樹(shù)脂層52為這樣的樹(shù)脂層，即其與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂14與導(dǎo)電薄膜的附著力，并且可以對(duì)樹(shù)脂層52進(jìn)行粗糙化處理以達(dá)到這樣的程度，即能夠形成導(dǎo)電薄膜。樹(shù)脂層52具有用于露出接地端子51的上表面51A的開(kāi)口52A，并以覆蓋密封樹(shù)脂14的上表面14B和側(cè)表面14C的方式而布置。與在第一示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的樹(shù)脂層15相似的樹(shù)脂可以用作樹(shù)脂層52。舉例來(lái)說(shuō)，可以將樹(shù)脂層52的厚度M6設(shè)定在30μm到60μm的范圍。另外，導(dǎo)電薄膜也包括種晶層。導(dǎo)電薄膜在這里是指構(gòu)成屏蔽層或種晶層的薄膜。
通過(guò)將樹(shù)脂層52(該樹(shù)脂層52與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂14與導(dǎo)電薄膜的附著力)設(shè)置為連續(xù)地覆蓋密封樹(shù)脂14的上表面14B和側(cè)表面14C，這樣，可以將屏蔽層53形成為連續(xù)地包圍密封樹(shù)脂14的上表面14B和側(cè)表面14C。
屏蔽層53以這樣的方式布置在樹(shù)脂層52上即，連續(xù)地包圍密封樹(shù)脂14的上表面14B和側(cè)表面14C。屏蔽層53電連接至導(dǎo)通部17，并通過(guò)導(dǎo)通部17電連接至接地端子51。
通過(guò)將屏蔽層53設(shè)置為包圍用于密封電子元件13的密封樹(shù)脂14的上表面14B和側(cè)表面14C，這樣，能夠阻擋從密封樹(shù)脂14的側(cè)表面14C側(cè)侵入的電磁波，并且能夠高精度地阻擋來(lái)自外部的電磁波。
可以通過(guò)由例如濺射法、真空蒸發(fā)法或電鍍法形成的導(dǎo)電薄膜來(lái)形成屏蔽層53。在使用濺射法或真空蒸發(fā)法的情況下，舉例來(lái)說(shuō)，可以使用鋁作為屏蔽層53的材料。此外，在使用電鍍法的情況下，舉例來(lái)說(shuō)，可以使用銅作為屏蔽層53的材料。舉例來(lái)說(shuō)，可以將屏蔽層53的厚度M7設(shè)定在10μm到30μm的范圍。
保護(hù)膜55為具有絕緣性能的薄膜，并以覆蓋屏蔽層53的方式布置。保護(hù)膜55為用于保護(hù)屏蔽層53的薄膜。舉例來(lái)說(shuō)，阻焊膜可以用作保護(hù)膜55。
根據(jù)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，通過(guò)將樹(shù)脂層52(該樹(shù)脂層52與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂14與導(dǎo)電薄膜的附著力)設(shè)置為覆蓋在其上難以形成導(dǎo)電薄膜(金屬薄膜)的密封樹(shù)脂14，可以對(duì)樹(shù)脂層52進(jìn)行粗糙化處理以達(dá)到這樣的程度，即能夠形成導(dǎo)電薄膜；并且在樹(shù)脂層52上以這樣的方式布置屏蔽層53即，連續(xù)地包圍密封樹(shù)脂14的上表面14B和側(cè)表面14C，從而能夠高精度地阻擋來(lái)自外部的電磁波。另外，屏蔽層53和樹(shù)脂層52可以只布置在密封樹(shù)脂14的上表面14B的一側(cè)。此外，連接至基板11的配線的外部連接端子可以布置在基板11的下表面。此外，在內(nèi)部包括屏蔽層的基板可以用作基板11。此外，在沒(méi)有設(shè)置接地端子51的情況下，導(dǎo)通部17可以直接連接至基板11的接地用配線的一部分上。
圖24至34為示出本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖。在圖24至34中，A2和B2分別示出形成半導(dǎo)體裝置50的區(qū)域(以下稱(chēng)為半導(dǎo)體裝置形成區(qū)A2)和由切割刀進(jìn)行切割的位置(以下稱(chēng)為切割位置B2)。此外，在圖24至34中，對(duì)與在圖23中示出的半導(dǎo)體裝置50的元件相同的元件賦予相同的標(biāo)號(hào)。
接下來(lái)，根據(jù)圖24至34，對(duì)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置50的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。如圖24中所示，首先在對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體裝置形成區(qū)A2的基板11上形成接地端子51(接地端子形成工藝)，隨后，在基板11上安裝電子元件13(電子元件安裝工藝)。
然后，如圖25中所示，在基板11上形成密封樹(shù)脂14，以便于覆蓋接地端子51和電子元件13(密封樹(shù)脂形成工藝)。舉例來(lái)說(shuō)，可以將密封樹(shù)脂14的厚度M8(從接地端子51的上表面51A到密封樹(shù)脂14的上表面14B的厚度)設(shè)為200μm。
然后，如圖26中所示，與切割位置B2相對(duì)應(yīng)的密封樹(shù)脂14中形成用于露出基板11的凹槽部57。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)切割刀的切割形成凹槽部57。舉例來(lái)說(shuō)，可以將凹槽部57的寬度W1設(shè)為0.5mm。
然后，如圖27中所示，形成用于露出接地端子51的上表面51A的開(kāi)口14A。然后，如圖28中所示，形成樹(shù)脂層52(樹(shù)脂層形成工藝)，該樹(shù)脂層52與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂14與導(dǎo)電薄膜的附著力，以便于在填充開(kāi)口14A和凹槽部57的同時(shí)，覆蓋密封樹(shù)脂14的上表面14B。
隨后，如圖29中所示，在用以填充凹槽部57的樹(shù)脂層52中形成用于露出基板11的上表面11A的凹槽部59。在這種情況下，凹槽部59形成這樣即，使得樹(shù)脂層52保留在密封樹(shù)脂14的側(cè)表面14C(用樹(shù)脂層52覆蓋密封樹(shù)脂14的側(cè)表面14C的狀態(tài))。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)切割刀的切割形成凹槽部59。
然后，如圖30中所示，在樹(shù)脂層52中形成用于露出接地端子51的上表面51A的開(kāi)口52A，此后，使樹(shù)脂層52的表面變粗糙。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)激光器或鉆孔器形成開(kāi)口52A。此外，舉例來(lái)說(shuō)，除污處理可以用作樹(shù)脂層52的表面的粗糙化處理。
然后，如圖31中所示，形成種晶層32，以便于覆蓋樹(shù)脂層52和在開(kāi)口52A中露出的接地端子51的上表面51A。在進(jìn)行電解電鍍的情況下，種晶層32作為供電層。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)化學(xué)電鍍法形成的銅層可以用作種晶層32。
然后，如圖32中所示，在種晶層32上形成導(dǎo)電薄膜35。因此，在開(kāi)口52A中形成導(dǎo)通部17和用于包圍密封樹(shù)脂14的上表面14B和側(cè)表面14C的屏蔽層53(屏蔽層形成工藝)。屏蔽層53和導(dǎo)通部17分別由種晶層32和導(dǎo)電薄膜35構(gòu)成。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)電解電鍍法形成的銅膜可以用作導(dǎo)電薄膜35。
隨后，如圖33中所示，形成保護(hù)膜55(保護(hù)膜形成工藝)，以便于在填充凹槽部59的同時(shí)覆蓋屏蔽層53。因此，在半導(dǎo)體裝置形成區(qū)A2中形成對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體裝置50的結(jié)構(gòu)體。保護(hù)膜55為具有絕緣性能的薄膜，并用于保護(hù)屏蔽層53。舉例來(lái)說(shuō)，阻焊膜可以用作保護(hù)膜55。
然后，如圖34中所示，沿切割位置B2對(duì)在圖33中示出的結(jié)構(gòu)體進(jìn)行切割，并將其分成單獨(dú)的片，從而制造出半導(dǎo)體裝置50。
根據(jù)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過(guò)形成樹(shù)脂層52(該樹(shù)脂層52與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂14與導(dǎo)電薄膜的附著力)，以便于覆蓋在其上難以形成導(dǎo)電薄膜的密封樹(shù)脂14，從而能夠高精度地在樹(shù)脂層52上形成屏蔽層53。
此外，通過(guò)將樹(shù)脂層52形成為覆蓋密封樹(shù)脂14的上表面14B和側(cè)表面14C，將屏蔽層53形成為包圍密封樹(shù)脂14的上表面14B和側(cè)表面14C，從而能夠高精度地阻擋電磁波。
另外，在本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，已經(jīng)將通過(guò)電鍍法形成屏蔽層53的情況作為示例進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可以通過(guò)形成由例如濺射法或真空蒸發(fā)法形成的鋁層，來(lái)形成屏蔽層53。此外，屏蔽層53可以只布置在設(shè)置于密封樹(shù)脂14的上表面14B側(cè)的樹(shù)脂層52上。
第四實(shí)施例圖35為第四示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。在圖35中，H2、M8和M9分別表示接地端子51的高度(以下稱(chēng)為高度H2)、樹(shù)脂層63的厚度(以下稱(chēng)為厚度M8)和密封樹(shù)脂61的厚度(以下稱(chēng)為厚度M9)。此外，在圖35中，對(duì)與第三示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置50的元件相同的元件，賦予相同的標(biāo)號(hào)。
首先，參照?qǐng)D35對(duì)根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置60進(jìn)行說(shuō)明。除了設(shè)置密封樹(shù)脂61、樹(shù)脂層63和導(dǎo)通部65以代替在第三示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置50中的密封樹(shù)脂14、樹(shù)脂層52和導(dǎo)通部17以外，半導(dǎo)體裝置60具有與半導(dǎo)體裝置50的結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu)。
密封樹(shù)脂61以密封電子元件13的方式布置在基板11上。密封樹(shù)脂61的上表面61A形成為基本上與接地端子51的上表面51A齊平。并且，密封樹(shù)脂61的厚度M9形成為基本上與接地端子51的高度H2相等。
通過(guò)將密封樹(shù)脂61的上表面61A形成為基本上與接地端子51的上表面51A齊平，并使密封樹(shù)脂61的厚度M9變薄，從而能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置60的小型化(薄型化)。另外，與在第一示例性實(shí)施例即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的密封樹(shù)脂14相似的樹(shù)脂，可以用作密封樹(shù)脂61。
樹(shù)脂層63具有用于露出接地端子51的上表面51A的開(kāi)口63A，并以覆蓋密封樹(shù)脂61的上表面61A和側(cè)表面61B的方式而布置。樹(shù)脂層63為這樣的樹(shù)脂層，即其與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂61與導(dǎo)電薄膜的附著力，并且可以對(duì)樹(shù)脂層63進(jìn)行粗糙化處理以達(dá)到這樣的程度，即能夠形成導(dǎo)電薄膜。與在第一示例性實(shí)施例即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的樹(shù)脂層15相似的樹(shù)脂，可以用作樹(shù)脂層63。另外，導(dǎo)電薄膜也包括種晶層。導(dǎo)電薄膜在這里是指構(gòu)成屏蔽層或種晶層的薄膜。
導(dǎo)通部65布置在開(kāi)口63A中，開(kāi)口63A在樹(shù)脂層63中形成。導(dǎo)通部65在屏蔽層53和接地端子51之間進(jìn)行電連接。
根據(jù)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置，可以高精度地阻擋來(lái)自外部的電磁波，并將密封樹(shù)脂61的上表面61A形成為基本上與接地端子51的上表面51A齊平，這樣使得密封樹(shù)脂61的厚度M9變薄，從而能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置60的小型化。另外，屏蔽層53和樹(shù)脂層63可以只布置在密封樹(shù)脂61的上表面61A的一側(cè)。此外，連接至基板11的配線的外部連接端子可以布置在基板11的下表面。此外，在內(nèi)部包括屏蔽層的基板可以用作基板11。
圖36至41為示出本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造工藝的簡(jiǎn)圖。在圖36至41中，A3和B3分別示出形成半導(dǎo)體裝置60的區(qū)域(以下稱(chēng)為半導(dǎo)體裝置形成區(qū)A3)和由切割刀進(jìn)行切割的位置(以下稱(chēng)為切割位置B3)。此外，在圖36至41中，對(duì)與在圖35中說(shuō)明的半導(dǎo)體裝置60的元件相同的元件賦予相同的標(biāo)號(hào)。
接下來(lái)，根據(jù)圖36至41，對(duì)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置60的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，進(jìn)行與在第三示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的圖24和25相似的處理，在基板11上形成接地端子51(接地端子形成工藝)，隨后在基板11上安裝電子元件13(電子元件安裝工藝)。此后，在基板11上形成密封樹(shù)脂61，以便于覆蓋接地端子51和電子元件13(密封樹(shù)脂形成工藝)。
隨后，如圖36中所示，對(duì)密封樹(shù)脂61進(jìn)行拋光，以便使密封樹(shù)脂61的上表面61A與接地端子51的上表面51A齊平。
然后，如圖37中所示，與切割位置B3相對(duì)應(yīng)的密封樹(shù)脂61中形成用于露出基板11的上表面11A的凹槽部62。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)切割刀的切割形成凹槽部62。舉例來(lái)說(shuō)，可以將凹槽部62的寬度W2設(shè)為0.5mm。
然后，如圖38中所示，形成樹(shù)脂層63(樹(shù)脂層形成工藝)，該樹(shù)脂層63與導(dǎo)電薄膜的附著力高于密封樹(shù)脂61與導(dǎo)電薄膜的附著力，以便于在填充凹槽部62的同時(shí)，覆蓋密封樹(shù)脂61的上表面61A。與在第一示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的樹(shù)脂層15相似的樹(shù)脂可以用作樹(shù)脂層63。此外，舉例來(lái)說(shuō)，可以將樹(shù)脂層63的厚度M8設(shè)定在30μm到60μm的范圍。
然后，如圖39中所示，在用以填充密封樹(shù)脂61的凹槽部62的樹(shù)脂層63中形成用于露出基板11的上表面11A的凹槽部64。在這種情況下，凹槽部64形成為這樣即，使得樹(shù)脂層63保留在密封樹(shù)脂61的側(cè)表面61B(用樹(shù)脂層63覆蓋密封樹(shù)脂61的側(cè)表面61B的狀態(tài))。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)切割刀的切割形成凹槽部64。
然后，如圖40中所示，在樹(shù)脂層63中形成用于露出接地端子51的上表面51A的開(kāi)口63A，此后，使樹(shù)脂層63的表面變粗糙。舉例來(lái)說(shuō)，可以通過(guò)激光器或鉆孔器形成開(kāi)口63A。此外，舉例來(lái)說(shuō)，除污處理可以用作樹(shù)脂層63的表面的粗糙化處理。
隨后，通過(guò)進(jìn)行在第三示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例中說(shuō)明的圖31至34的處理(包括屏蔽層形成工藝和保護(hù)膜形成工藝)，制造出半導(dǎo)體裝置60，這如圖41中所示。
根據(jù)本示例性實(shí)施例，即非限制性實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在能夠以高精度形成屏蔽層53的同時(shí)，對(duì)密封樹(shù)脂61進(jìn)行拋光，以使密封樹(shù)脂61的上表面61A與接地端子51的上表面51A齊平，這樣能夠使密封樹(shù)脂61的厚度M9變薄，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置60的小型化。
另外，屏蔽層53可以只布置在設(shè)置于密封樹(shù)脂61的上表面61A側(cè)的樹(shù)脂層63上。
以上已經(jīng)對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明并不局限于這些特定實(shí)施例，在權(quán)利要求書(shū)中描述的本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，可以做出各種修改和變化。
根據(jù)上述公開(kāi)內(nèi)容，本發(fā)明可以應(yīng)用于能夠提高安裝密度、并以高精度阻擋電磁波的半導(dǎo)體裝置和該半導(dǎo)體裝置的制造方法。
本申請(qǐng)基于2005年4月28日提出的日本專(zhuān)利申請(qǐng)No.2005-132539并要求該申請(qǐng)的外國(guó)優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)全部?jī)?nèi)容在此通過(guò)引用的方式并入本文。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括基板；電子元件，其安裝在所述基板上；密封樹(shù)脂，其用于密封所述電子元件；樹(shù)脂層，其布置在所述密封樹(shù)脂上，并且所述樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于所述密封樹(shù)脂與所述導(dǎo)電薄膜的附著力；以及導(dǎo)電圖案，其布置在所述樹(shù)脂層上，并電連接至所述電子元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述導(dǎo)電圖案具有用于連接其它電子元件的連接部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括保護(hù)膜，其在使所述連接部露出的狀態(tài)下覆蓋所述導(dǎo)電圖案。
4.一種半導(dǎo)體裝置，包括基板；接地端子，其在所述基板上形成；電子元件，其安裝在所述基板上；密封樹(shù)脂，其用于密封所述電子元件；樹(shù)脂層，其布置在所述密封樹(shù)脂上，并且所述樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于所述密封樹(shù)脂與所述導(dǎo)電薄膜的附著力；以及屏蔽層，其布置在所述樹(shù)脂層上，并電連接至所述接地端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述樹(shù)脂層布置為連續(xù)地覆蓋所述密封樹(shù)脂的上表面和側(cè)表面，并且所述屏蔽層布置為覆蓋所述樹(shù)脂層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體裝置，還包括用于覆蓋所述屏蔽層的保護(hù)膜。
7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置包括基板；安裝在所述基板上的電子元件；以及用于密封所述電子元件的密封樹(shù)脂，所述方法包括樹(shù)脂層形成步驟，其在所述密封樹(shù)脂上形成樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于所述密封樹(shù)脂與所述導(dǎo)電薄膜的附著力；以及導(dǎo)電圖案形成步驟，其在所述樹(shù)脂層上形成導(dǎo)電圖案。
8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體裝置包括基板；在所述基板上形成的接地端子；安裝在所述基板上的電子元件；以及用于密封所述電子元件的密封樹(shù)脂，所述方法包括樹(shù)脂層形成步驟，其在所述密封樹(shù)脂上形成樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于所述密封樹(shù)脂與所述導(dǎo)電薄膜的附著力；以及屏蔽層形成步驟，其在所述樹(shù)脂層上形成電連接至所述接地端子的屏蔽層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述樹(shù)脂層形成步驟將所述樹(shù)脂層形成為連續(xù)地覆蓋所述密封樹(shù)脂的上表面和側(cè)表面，并且所述屏蔽層形成步驟將所述屏蔽層形成為覆蓋所述樹(shù)脂層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括保護(hù)膜形成步驟，其形成用于覆蓋所述屏蔽層的保護(hù)膜。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，其中，在難以形成導(dǎo)電薄膜的密封樹(shù)脂上布置樹(shù)脂層，該樹(shù)脂層與導(dǎo)電薄膜的附著力高于該密封樹(shù)脂與導(dǎo)電薄膜的附著力，并且在該樹(shù)脂層上布置電連接至電子元件的圖案配線。
文檔編號(hào)H01L23/552GK1855451SQ200610076530
公開(kāi)日2006年11月1日 申請(qǐng)日期2006年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月28日
發(fā)明者小林智樹(shù), 島田紀(jì)治, 井上明宜, 加治木篤典, 加藤広幸, 清水浩 申請(qǐng)人:新光電氣工業(yè)株式會(huì)社