專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于集成電路制作，且特別是關(guān)于一種蝕刻停止層結(jié)構(gòu)，其可避免于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中形成孔洞(voids)。
背景技術(shù)：
集成電路結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)已朝向尺寸縮小化與元件集成化的目標(biāo)前進(jìn)。如此的設(shè)計(jì)已讓集成電路晶片的尺寸更為縮小。然而，因集成電路結(jié)構(gòu)的密度與集成度的增加亦造成了特定的制程問(wèn)題。舉例來(lái)說(shuō)，形成于兩緊鄰的柵極結(jié)構(gòu)上的一蝕刻停止層將不利于后續(xù)的內(nèi)連介電層形成于此蝕刻停止層之上。蝕刻停止層的作用在于部分區(qū)域內(nèi)以停止上方膜層內(nèi)的蝕刻的進(jìn)行，并使得局部區(qū)域內(nèi)的蝕刻動(dòng)作結(jié)束。如此的蝕刻停止層通常沉積于兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)之間，并于此兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)之間形成一接觸結(jié)構(gòu)之前形成。通常，形成于上述的柵極結(jié)構(gòu)表面上的蝕刻停止層的大體具有一非固定的厚度。如此，于后續(xù)的層間介電層沉積步驟中，通?？捎趦舌徑臇艠O結(jié)構(gòu)之間生成有孔洞(voids)。
一般而言，位于兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)間的空間具有極窄與深的一溝道狀外型。當(dāng)蝕刻停止層形成于上述柵極結(jié)構(gòu)之上后，此些溝道并不會(huì)為具有接近垂直與平行側(cè)壁的一單一外型。且由于蝕刻停止層為非固定的厚度，于柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上通常形成有所謂的突出部，因而于溝道上形成一頸部(neck portion)。而于后續(xù)的層間內(nèi)連介電層形成步驟中，所使用的介電材料將于其完全填入至溝道的底部前，先行于溝道的頸部處閉口。如此將于形成于層間介電層內(nèi)的上述溝道的底部處生成孔洞。
上述孔洞于不再次開(kāi)啟的狀態(tài)下并非有害的。然而，萬(wàn)一于后續(xù)的圖案蝕刻過(guò)程中突破并進(jìn)入此些孔洞內(nèi)時(shí)，便造成具有污染物的空穴的形成。當(dāng)導(dǎo)電材料穿透并進(jìn)入上述孔洞時(shí)，其亦可能接收部分的金屬沉積物。殘留的導(dǎo)電材料將無(wú)法通過(guò)已知方法而輕易地自如此形狀的孔洞空間內(nèi)移除之。接著，上述殘留的導(dǎo)電材料于鄰近的內(nèi)連導(dǎo)線中將因而形成將一電性短路的導(dǎo)線。
如此，便需要一種較佳的蝕刻停止結(jié)構(gòu)與其形成方法，以避免于上述形成于已知半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，由于具非固定厚度的蝕刻停止層的生成的孔洞情形。

發(fā)明內(nèi)容
因此，為了解決上述已知問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括一第一柵極結(jié)構(gòu)，其側(cè)壁上形成有至少一第一間隔物，位于一半導(dǎo)體基底上；一第二柵極結(jié)構(gòu)，其側(cè)壁上形成有至少一第二間隔物，位于一半導(dǎo)體基底上，該第二柵極結(jié)構(gòu)是相鄰于該第一柵極結(jié)構(gòu)；以及一含氮蝕刻停止層，形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)上以及該半導(dǎo)體基底上，其中形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)上的該含氮蝕刻停止層具有大體相同于形成于該半導(dǎo)體基底上的該含氮蝕刻停止層的一厚度，以改善后續(xù)形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)間的該含氮蝕刻停止層上的一膜層的步階覆蓋情形。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該第一與該第二柵極結(jié)構(gòu)具有不大于200納米的一間距。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該含氮蝕刻停止層的厚度不大于600埃。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該第一與該第二間隔物的厚度不大于350埃。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該含氮蝕刻停止層具有不低于1.1GPa的一拉伸應(yīng)力。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該含氮蝕刻停止層包括氮化硅或氮氧化硅。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該含氮蝕刻停止層具有不低于5的介電常數(shù)。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)更包括一含金屬膜層，該一含金屬膜層包括耐火金屬、金屬硅化物、硅化鈦、硅化鈷、硅化鎳、硅化鉑、鎢、硅化鎢、氮化鈦、鎢化鈦或氮化鉭。
本發(fā)明提供另了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括下列步驟提供一半導(dǎo)體基底，其上形成有相鄰的一第一柵極結(jié)構(gòu)與一第二柵極結(jié)構(gòu)；形成一蝕刻停止層于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)與該半導(dǎo)體基底上，其中形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)上的該蝕刻停止層與形成于該半導(dǎo)體基底上的該蝕刻停止層大體具有相同的一厚度，該蝕刻停止層是采用一低壓化學(xué)氣相沉積制程于不高于520℃的溫度下所形成；以及形成一層間介電層于該蝕刻停止層上，其中覆蓋于該第一與該第二柵極結(jié)構(gòu)間的該蝕刻停止層上的該層間介電層不具有孔洞。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，形成該蝕刻停止層的步驟為一大體無(wú)等離子的操作。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，該蝕刻停止層包括氮化硅或氮氧化硅的一含氮材料。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，該蝕刻停止層具有不高于5的一介電常數(shù)。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，該蝕刻停止層的厚度不大于600埃。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，該蝕刻停止層具有不高于1.1GPa的一拉伸應(yīng)力。
本發(fā)明所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，可避免由于具非固定厚度的蝕刻停止層而生成孔洞的情形。


圖1為一剖面圖，顯示了已知的一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其上設(shè)置有一非固定厚度的一蝕刻停止層；圖2為一剖面圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其上設(shè)置有一順應(yīng)的蝕刻停止層；圖3為一剖面圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的設(shè)置有一順應(yīng)的蝕刻停止層一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，于該蝕刻停止層上形成有一層間介電層。
具體實(shí)施例方式
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說(shuō)明如下圖1為一剖面圖，顯示了設(shè)置有一非固定厚度的蝕刻停止層105于一半導(dǎo)體基板102上的一已知半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100。半導(dǎo)體基板102，其上可設(shè)置不同的元件結(jié)構(gòu)且具有一表面104。在此，于半導(dǎo)體基板102上形成有兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)106、106’的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管。間隔物108、108’則分別形成于柵極結(jié)構(gòu)106、106’的側(cè)壁上。柵極結(jié)構(gòu)106、106’與間隔物108、108’上形成有一蝕刻停止層105。蝕刻停止層105具有一非固定的厚度，且大體位于柵極結(jié)構(gòu)106、106’的垂直與邊角表面上。蝕刻停止層105包括覆蓋于半導(dǎo)體基底102的表面104的片段110以及覆蓋于柵極結(jié)構(gòu)106、106’的頂面的片段112。此外，蝕刻停止層105亦包括片段116，其位于接近間隔物108、108’的垂直表面并具有縮減的一厚度。蝕刻停止層105亦包括片段118，其位于間隔物108、108’側(cè)壁與表面104交匯處的內(nèi)部邊角上并具有一縮減厚度。蝕刻停止層105亦包括覆蓋于間隔物108、108’之間的一極窄的垂直溝道區(qū)域128的底部處的一片段120，位于兩緊鄰的柵極結(jié)構(gòu)106、106’。因此，位于柵極結(jié)構(gòu)106、106’的表面的上述蝕刻停止層105具有輕度香菇化(mushroomed)的一外型。如圖1所示，蝕刻停止層105于其香菇狀外型的底部具有一縮減的厚度。
而于蝕刻停止層105上則形成有一層間介電層107，且該層間介電層107并覆蓋蝕刻停止層105。層間介電層107于經(jīng)如化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)程序平坦化后，便于其上形成一平坦的表面124。然而，位于兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)106、106’的間隔物108、108’間的于窄的垂直溝道128內(nèi)的層間介電層107并非均勻地沉積形成。其原因在于垂直溝道128既狹窄且深且由于鄰近的香菇狀外觀的蝕刻停止層105的底部寬于其頂部，因而不利于層間介電層完全覆蓋蝕刻停止層120之前于垂直溝道區(qū)128的底部形成足夠的層間介電層至完全填滿之。因此，于層間介電層沉積時(shí)便經(jīng)常于極窄的垂直溝道區(qū)128內(nèi)形成孔洞126。
如此，后續(xù)制程中所導(dǎo)入的污染物，例如導(dǎo)電內(nèi)連線制程中的金屬材料，可能最終且永久地為孔洞126所牽絆。且例如接觸鎢插拴沉積的一內(nèi)連制程中亦可能造成金屬穿透進(jìn)入孔洞126的情形。如此將不易自此極窄的垂直溝道區(qū)128移除上述金屬。于上述溝道內(nèi)的任何金屬殘留情形將于金屬內(nèi)連圖案之間形成一短路溝道。此外，于層間介電層107形成之后，上述的蝕刻停止層105中的一些較薄的段落下方的材料亦可能于后續(xù)的一蝕刻過(guò)程中造成過(guò)度蝕刻。此些狀況將造成嚴(yán)重的可靠度問(wèn)題。
因此，本發(fā)明將配合圖2至圖3作一詳細(xì)敘述如下。圖2為一剖面圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的包括具有均勻厚度的一蝕刻停止層205的一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200，其包括一基底201，其上可設(shè)置有多種元件結(jié)構(gòu)且具有一表面203。在此于半導(dǎo)體基底201上則形成有兩鄰近的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的柵極結(jié)構(gòu)207、207，且上述柵極結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體基底201之間分別為柵介電層240、240’所分隔。于一實(shí)施例中，柵介電層240、240’的最大厚度約為26埃。而柵極結(jié)構(gòu)207、207’具有少于200納米的一間距。柵極結(jié)構(gòu)207、207’則可分別包括一金屬或硅化物層250、250’。金屬或硅化物層250、250’可由如硅化鈦(TiSi2)、硅化鈷(CoSi2)、硅化鎳(NiSi)、硅化鉑(PtSi)、鎢(W)、硅化鎢(WSi2)、氮化鈦(TiN)、鎢化鈦(TiW)、氮化鉭(TaN)等耐火金屬或其組成材料所形成。
柵極結(jié)構(gòu)207、207’亦分別具有側(cè)壁間隔物209、209’，側(cè)壁間隔物209、209’通常為包括氧化物介電材質(zhì)且具有少于350埃的厚度。側(cè)壁間隔物209、209’可為包括氮氧化硅(SiON)、氮化硅(Si3N4)、氧化物、高溫氧化物(HTO)、爐管氧化物、含鉿(Hf)的氧化物、含鉭氧化物、含鋁氧化物、高介電常數(shù)(K)的介電材料、含氧介電材料，含氮介電材料，或上述材料的組合的一或多個(gè)膜層。柵極結(jié)構(gòu)207、207’與側(cè)壁間隔物209、209’上則形成有一順應(yīng)的蝕刻停止層205，其通常為氮化硅或氮氧化硅層，且是由無(wú)等離子的低壓化學(xué)氣相沉積法于低于520℃的溫度下形成。蝕刻停止層205較佳地具有不高于5的介電常數(shù)。上述制程可使形成于柵極結(jié)構(gòu)207、207’上以及于基底201上的蝕刻停止層具有大體相同的厚度。于其他實(shí)施例中，蝕刻停止層205亦可采用其他的含氮蝕刻停止層。而于其他實(shí)施例中，蝕刻停止層205可采用不同的高介電常數(shù)介電材料。上述通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積法所形成的順應(yīng)蝕刻停止層205可具有不低于1.1GPa的一拉伸應(yīng)力。且由于上述的順應(yīng)膜層是由無(wú)等離子(plasma-free)的制程所形成，因此便可以避免等離子對(duì)于半導(dǎo)體基底201的毀損情形。
為了方便說(shuō)明，在此將順應(yīng)形成的蝕刻停止層205細(xì)分成數(shù)個(gè)片段。其中片段202位于柵極結(jié)構(gòu)207、207’的上表面。而片段204則位于側(cè)壁間隔物209、209’的接近垂直表面上。片段206則覆蓋此鄰近的兩柵極結(jié)構(gòu)207、207’的側(cè)壁間隔物209、209’間的窄部的表面203。而片段208則位于為露出區(qū)的基底表面203上。如前所述，于一實(shí)施例中，蝕刻停止層205可包括數(shù)個(gè)膜層。于兩鄰近的柵極結(jié)構(gòu)207、207’的兩鄰近的側(cè)壁間隔物209、209’的順應(yīng)的蝕刻停止層205處則定義出一窄的垂直溝道210。在此，由于位于柵極結(jié)構(gòu)207、207’上的順應(yīng)的蝕刻停止層205的厚度大體相同，因此垂直溝道210的底部較其頂部為窄。因此，便不會(huì)形成香菇狀外觀的蝕刻停止層205。如此于后續(xù)形成層間介電層時(shí)可避免了于垂直溝道210處形成孔洞。
圖3為一剖面圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的具有形成于蝕刻停止層205上的一層間介電層302的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300。通過(guò)層間介電層302沉積而覆蓋所有露出的集成電路結(jié)構(gòu)表面。層間介電層302通過(guò)如化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)的技術(shù)平坦化后，便形成有一平坦表面304。在此，層間介電層302于垂直溝道210內(nèi)的階梯覆蓋程度已得到改善。于一實(shí)施例中，層間介電層302于垂直溝道210處的階梯覆蓋程度約為90％。由于垂直溝道210具有一較寬的頂部以及一較窄的底部，如此可因而避免孔洞于垂直溝道內(nèi)的層間介電層302內(nèi)的形成。因此，可避免于后續(xù)形成鎢會(huì)其他材質(zhì)的插拴時(shí)的金屬短路情形。通過(guò)減少孔洞出現(xiàn)與金屬短路情形，晶體管與其他元件的設(shè)置與排列可更為接近，因而達(dá)成更高的集成電路密度。如此將可縮減存儲(chǔ)單元的尺寸。
于層間介電層302形成之后，可接著施行一連串的微影蝕刻與沉積步驟，借以鄰近的柵極結(jié)構(gòu)207、207’間的垂直溝道210處形成一接觸結(jié)構(gòu)。由于順應(yīng)的蝕刻停止層205具有均勻的厚度，如此上述蝕刻表現(xiàn)可較為平均。如此意味著可應(yīng)用較薄的蝕刻停止層。于一實(shí)施例中，蝕刻停止層205的厚度可低于600埃。通過(guò)順應(yīng)的蝕刻停止層205的使用，于制程中亦可得到較佳的蝕刻容忍度。上述使用順應(yīng)的蝕刻停止層的制程可應(yīng)用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、快閃存儲(chǔ)器(flash)、非易失性存儲(chǔ)器以及易失性存儲(chǔ)器。舉例來(lái)說(shuō)，上述的順應(yīng)蝕刻停止層可應(yīng)用于一SRAM存儲(chǔ)單元內(nèi)形成具有深寬比介于1.7-8的接觸物。
雖然本發(fā)明已通過(guò)較佳實(shí)施例說(shuō)明如上，但該較佳實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對(duì)該較佳實(shí)施例作出各種更改和補(bǔ)充，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下100、200、300半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)102、201半導(dǎo)體基板104半導(dǎo)體基板102的表面105蝕刻停止層106、106’柵極結(jié)構(gòu)107層間介電層108、108’間隔物110、112、114、116、118層間介電層107的片段124層間介電層的表面126孔洞128垂直溝道203半導(dǎo)體基底201的表面202、204、206、208蝕刻停止層的片段205蝕刻停止層
207、207’柵極結(jié)構(gòu)209、209’側(cè)壁間隔物210垂直溝道240、240’柵介電層250、250’金屬/硅化物層302層間介電層304層間介電層302的表面
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一第一柵極結(jié)構(gòu)，其側(cè)壁上形成有至少一第一間隔物，位于一半導(dǎo)體基底上；一第二柵極結(jié)構(gòu)，其側(cè)壁上形成有至少一第二間隔物，位于一半導(dǎo)體基底上，該第二柵極結(jié)構(gòu)是相鄰于該第一柵極結(jié)構(gòu)；以及一含氮蝕刻停止層，形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)上以及該半導(dǎo)體基底上，其中形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)上的該含氮蝕刻停止層具有大體相同于形成于該半導(dǎo)體基底上的該含氮蝕刻停止層的一厚度，以改善后續(xù)形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)間的該含氮蝕刻停止層上的一膜層的步階覆蓋情形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一與該第二柵極結(jié)構(gòu)具有不大于200納米的一間距。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該含氮蝕刻停止層的厚度不大于600埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一與該第二間隔物的厚度不大于350埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該含氮蝕刻停止層具有不低于1.1GPa的一拉伸應(yīng)力。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該含氮蝕刻停止層包括氮化硅或氮氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該含氮蝕刻停止層具有不低于5的介電常數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)更包括一含金屬膜層，該一含金屬膜層包括耐火金屬、金屬硅化物、硅化鈦、硅化鈷、硅化鎳、硅化鉑、鎢、硅化鎢、氮化鈦、鎢化鈦或氮化鉭。
9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體基底，其上形成有相鄰的一第一柵極結(jié)構(gòu)與一第二柵極結(jié)構(gòu)；形成一蝕刻停止層于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)與該半導(dǎo)體基底上，其中形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)上的該蝕刻停止層與形成于該半導(dǎo)體基底上的該蝕刻停止層大體具有相同的一厚度，該蝕刻停止層是采用一低壓化學(xué)氣相沉積制程于不高于520℃的溫度下所形成；以及形成一層間介電層于該蝕刻停止層上，其中覆蓋于該第一與該第二柵極結(jié)構(gòu)間的該蝕刻停止層上的該層間介電層不具有孔洞。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成該蝕刻停止層的步驟為一無(wú)等離子的操作。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該蝕刻停止層包括氮化硅或氮氧化硅的一含氮材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該蝕刻停止層具有不高于5的一介電常數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該蝕刻停止層的厚度不大于600埃。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該蝕刻停止層具有不高于1.1GPa的一拉伸應(yīng)力。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一第一柵極結(jié)構(gòu)，其側(cè)壁上形成有至少一第一間隔物，位于一半導(dǎo)體基底上；一第二柵極結(jié)構(gòu)，其側(cè)壁上形成有至少一第一間隔物，位于一半導(dǎo)體基底上，該第二柵極結(jié)構(gòu)是鄰近于該第一柵極結(jié)構(gòu)；以及一含氮蝕刻停止層，形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)上以及該半導(dǎo)體基底上，其中形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)上的該含氮蝕刻停止層具有大體相同于形成于該半導(dǎo)體基底上的該含氮蝕刻停止層的一厚度，以改善后續(xù)形成于該第一與第二柵極結(jié)構(gòu)間的該含氮蝕刻停止層上的一膜層的步階覆蓋情形。本發(fā)明所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，可避免由于具非固定厚度的蝕刻停止層而生成孔洞的情形。
文檔編號(hào)H01L21/8232GK1897280SQ20061000787
公開(kāi)日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2006年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月13日
發(fā)明者廖忠志, 李資良 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司