技術(shù)編號:6870126
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是關(guān)于集成電路制作,且特別是關(guān)于一種蝕刻停止層結(jié)構(gòu),其可避免于半導體結(jié)構(gòu)中形成孔洞(voids)。背景技術(shù) 集成電路結(jié)構(gòu)的設計已朝向尺寸縮小化與元件集成化的目標前進。如此的設計已讓集成電路晶片的尺寸更為縮小。然而,因集成電路結(jié)構(gòu)的密度與集成度的增加亦造成了特定的制程問題。舉例來說,形成于兩緊鄰的柵極結(jié)構(gòu)上的一蝕刻停止層將不利于后續(xù)的內(nèi)連介電層形成于此蝕刻停止層之上。蝕刻停止層的作用在于部分區(qū)域內(nèi)以停止上方膜層內(nèi)的蝕刻的進行,并使得局部區(qū)域內(nèi)的蝕刻動作...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。