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半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:6870126

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本發(fā)明是關(guān)于集成電路制作,且特別是關(guān)于一種蝕刻停止層結(jié)構(gòu),其可避免于半導體結(jié)構(gòu)中形成孔洞(voids)。背景技術(shù) 集成電路結(jié)構(gòu)的設計已朝向尺寸縮小化與元件集成化的目標前進。如此的設計已讓集成電路晶片的尺寸更為縮小。然而,因集成電路結(jié)構(gòu)的密度與集成度的增加亦造成了特定的制程問題。舉例來說,形成于兩緊鄰的柵極結(jié)構(gòu)上的一蝕刻停止層將不利于后續(xù)的內(nèi)連介電層形成于此蝕刻停止層之上。蝕刻停止層的作用在于部分區(qū)域內(nèi)以停止上方膜層內(nèi)的蝕刻的進行,并使得局部區(qū)域內(nèi)的蝕刻動作...
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