專利名稱：半導體器件封裝及其制造方法和半導體器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件封裝，及其制造方法和一種半導體器件。
背景技術：
JP-A-10-92972公開了一種用于所謂的BOC(板級芯片)的封裝。這種BOC封裝主要裝有用于存儲器的半導體芯片。在JP-A-10-92972中，預定布線圖案和用于從外部連接所述布線圖案的外部連接部均形成在印刷電路板的前表面層側。開口部形成在所述印刷電路板的中央部分。安裝在所述基板的后表面?zhèn)鹊陌雽w芯片的端子部面向所述開口部。導線通過開口部電連接所述端子部和在前表面層側的所述布線圖案。
近年來，已經有對半導體器件的高速化的需求。甚至在存儲器封裝中，也需要諸如接地面和電源面等的內層。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種半導體器件封裝，及其制造方法和一種半導體器件，其能夠實現(xiàn)所述半導體器件的高速化。
在一些實施例中，本發(fā)明的半導體器件封裝，包括基板，其包括接地面和電源面中至少之一；布線圖案，其形成在所述基板的前表面?zhèn)龋坏谝煌獠窟B接部，其從外部連接所述布線圖案，并且形成在所述基板的前表面?zhèn)龋婚_口部，其形成在所述基板中；至少一個連接導體部，其形成在所述開口部的內壁上，并且電連接到相應的所述接地面和電源面中至少之一上；至少一個焊接圖案，其形成在所述基板的前表面?zhèn)?，并且連接到所述相應連接導體部；以及第二外部連接部，其形成在所述基板的前表面?zhèn)?，并且通過形成在所述基板中的通孔導體部電連接到相應的所述接地面和電源面中至少之一上。
本發(fā)明的所述半導體器件封裝還包括凹槽，其形成在所述開口部的內壁中，其中，所述連接導體部形成在所述凹槽的壁表面上。
本發(fā)明的所述半導體器件封裝還包括突起，其形成在所述第一外部連接部和所述第二外部連接部上。
在本發(fā)明的所述半導體器件封裝中，所述接地面和電源面中至少之一形成在所述基板的內層中。
在本發(fā)明的所述半導體器件封裝中，所述接地面和所述電源面中的一個形成在所述基板的后表面?zhèn)取?br> 本發(fā)明的所述半導體器件封裝還包括凹槽，其形成在所述開口部的內壁中，其中，所述連接導體部形成在所述開口部的內壁上沒有形成所述凹槽的位置處。
在本發(fā)明的所述半導體器件封裝中，所述至少一個連接導體部包括多個連接導體部，所述多個連接導體部分別地電連接到相應的所述接地面和電源面中至少之一上。
在一些實施例中，具有所述半導體器件封裝的本發(fā)明的半導體器件，包括半導體芯片，其安裝在所述基板的后表面?zhèn)?，所述半導體芯片具有都面向所述開口部的第一端子部和第二端子部；第一導線，其用于通過所述開口部電連接所述布線圖案和所述第一端子部；以及第二導線，其用于通過所述開口部電連接所述焊接圖案和所述第二端子部。
在本發(fā)明的所述半導體器件中，所述半導體芯片、所述第一導線和所述第二導線用密封樹脂密封。
在一些實施例中，本發(fā)明的制造半導體器件封裝的方法，包括如下步驟形成基板，所基板具有接地面和電源面中至少之一，并且在所述基板的前表面?zhèn)染哂袑w層；在所述基板上與待形成開口部的開口邊緣對應的位置處，形成第一通孔，并使得所述接地面和電源面中至少之一的端面在所述第一通孔的內壁上露出；在所述基板上除待形成所述開口部的位置之外的部位，形成第二通孔，并使得所述接地面和電源面中至少之一的端面在所述第二通孔的內壁上露出；在整個所述基板上形成電鍍膜，并且將所述第一通孔的內壁和所述第二通孔的內壁上形成的所述電鍍膜作為導體部，所述導體部分別地電連接到所述接地面和電源面中至少之一的端面上；在所述基板的所述電鍍膜和所述導體層上進行蝕刻，以形成布線圖案、第一外部連接部、第二外部連接部以及焊接圖案，其中，所述第一外部連接部從外部連接所述布線圖案，所述第二外部連接部連接到形成在所述第二通孔的內壁上的所述導體部，所述焊接圖案連接到形成在所述第一通孔的內壁上的所述導體部；以及在所述基板中形成所述開口部，所述開口部的輪廓線穿過所述第一通孔。
在本發(fā)明的制造半導體器件封裝的方法中，所述第一通孔和所述第二通孔是以同一工藝形成的。
本發(fā)明的制造半導體器件封裝的方法還包括如下步驟在所述第一外部連接部和所述第二外部連接部上形成突起。
在本發(fā)明的制造半導體器件封裝的方法中，將所述接地面和電源面中至少之一形成在所述基板的內層中。
在本發(fā)明的制造半導體器件封裝的方法中，將所述接地面和所述電源面中的一個形成在所述基板的后表面?zhèn)取?br> 在一些實施例中，本發(fā)明的制造半導體器件封裝的方法包括如下步驟形成基板，所述基板具有接地面和電源面中至少之一，并且在所述基板的前表面?zhèn)染哂袑w層；在所述基板中形成開口部，并使得所述接地面和電源面中至少之一的端面在所述開口部的內壁上露出；在所述基板上除形成所述開口部的位置之外的部位，形成通孔，并使得所述接地面和電源面中至少之一的端面在所述通孔的內壁上露出；在整個所述基板上形成電鍍膜，并且將形成在所述開口部的內壁和所述通孔的內壁上的所述電鍍膜作為導體部，所述導體部分別地電連接到所述接地面和電源面至少之一的端面上；以及在所述基板的所述電鍍膜和所述導體層上進行蝕刻，以形成布線圖案、第一外部連接部、第二外部連接部以及焊接圖案，其中，所述第一外部連接部從外部連接所述布線圖案，所述第二外部連接部連接到形成在所述通孔的內壁上的所述導體部，所述焊接圖案連接到形成在所述開口部的內壁上的所述導體部。
本發(fā)明的制造半導體器件封裝的方法還包括如下步驟去除形成在所述開口部的內壁上的所述導體部的一部分，以便將所述導體部劃分成多個彼此分離的導體部。
本發(fā)明的制造半導體器件封裝的方法還包括如下步驟在所述第一外部連接部和所述第二外部連接部上形成突起。
在本發(fā)明的制造半導體器件封裝的方法中，將所述接地面和電源面中至少之一形成在所述基板的內層中。
在本發(fā)明的制造半導體器件封裝的方法中，將所述接地面和電源面中的一個形成在所述基板的后表面?zhèn)壬稀?br> 本發(fā)明制造半導體器件封裝的方法還包括如下步驟在所述開口部的內壁中形成凹槽。


圖1為說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第一實施例的半導體器件。
圖2為部分被切除的透視圖，示出了根據(jù)第一實施例的半導體器件封裝。
圖3A為沿A-A′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第一實施例的在半導體器件封裝的制造過程中的多層基板。
圖3B為部分平面圖，示出了在圖3A中的多層基板。
圖4A為沿B-B′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第一實施例的在半導體器件封裝的制造過程中，在基板中形成通孔的狀態(tài)。
圖4B為部分平面圖，示出了在圖4A中的所述狀態(tài)。
圖5A為沿C-C′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第一實施例的在半導體器件封裝的制造過程中，在基板的通孔中進行電鍍的狀態(tài)。
圖5B為部分平面圖，示出了在圖5A中的所述狀態(tài)。
圖6A為沿D-D′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第一實施例的在半導體器件封裝的制造過程中，通過蝕刻形成布線圖案等的狀態(tài)。
圖6B為部分平面圖，示出了在圖6A中的所述狀態(tài)。
圖7A為沿E-E′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第一實施例的在半導體器件封裝的制造過程中，形成開口部的狀態(tài)。
圖7B為部分平面圖，示出了在圖7A中的所述狀態(tài)。
圖8A為沿F-F′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第一實施例的在半導體器件封裝的制造過程中，形成阻焊膜的狀態(tài)。
圖8B為部分平面圖，示出了在圖8A中的所述狀態(tài)。
圖9A為沿G-G′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第一實施例的在半導體器件封裝的制造過程中，在連接導體部等上形成防腐電鍍膜的狀態(tài)。
圖9B為全體平面圖，示出了在圖9A中的所述狀態(tài)。
圖10為部分被切除的透視圖，示出了根據(jù)第二實施例的半導體器件封裝。
圖11A為沿H-H′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第二實施例的在半導體器件封裝的制造過程中的多層基板。
圖11B為部分平面圖，示出了在圖11A中的所述多層基板。
圖12A為沿I-I′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第二實施例的在半導體器件封裝的制造過程中，在基板中形成開口部的狀態(tài)。
圖12B為部分平面圖，示出了在圖12A中的所述狀態(tài)。
圖13A為沿J-J′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第二實施例的在半導體器件封裝的制造過程中，通過蝕刻形成布線圖案等的狀態(tài)。
圖13B為部分平面圖，示出了在圖13A中的所述狀態(tài)。
圖14A為沿K-K′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第二實施例的在半導體器件封裝的制造過程中，形成阻焊膜的狀態(tài)。
圖14B為部分平面圖，示出了在圖14A中的所述狀態(tài)。
圖15A為沿L-L′線的說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第二實施例的在半導體器件封裝的制造過程中，在連接導體部等上形成防腐電鍍膜的狀態(tài)。
圖15B為全體平面圖，示出了在圖15A中的所述狀態(tài)。
圖16為說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第三實施例的半導體器件。
圖17為部分被切除的透視圖，示出了根據(jù)第三實施例的半導體器件封裝。
圖18為說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第四實施例的半導體器件。
圖19為部分被切除的透視圖，示出了根據(jù)第四實施例的半導體器件封裝。
圖20為說明性橫截面圖，示出了根據(jù)第五實施例的半導體器件。
圖21為部分被切除的透視圖，示出了根據(jù)第五實施例的半導體器件封裝。
具體實施例方式
在下面，將對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。
參照圖1至圖9B，對本發(fā)明第一實施例進行說明。
圖1為說明性橫截面示意圖，示出了半導體器件14，其中半導體芯片12安裝在用于BOC的半導體器件封裝10上。圖2為封裝10的部分被切除的透視圖。
半導體器件封裝10(以下簡稱為“封裝10”)與現(xiàn)有技術的半導體器件封裝在以下幾點是相同的布線圖案17和用于從外部連接布線圖案17的第一外部連接部18均形成在印刷電路基板16(以下簡稱為“基板16”)的前表面層側；開口部21形成在基板16的中央部分；安裝在基板16的后表面?zhèn)鹊陌雽w芯片12的端子部19面向開口部21；以及導線20通過開口部21電連接端子部19和在前表面層側的布線圖案17。
順便提及的是，開口部21可設在基板16上除中央部分以外的部分處，例如設在基板16的外圍邊緣部分處(未示出)。下面，以這樣的情況作為例子說明即，開口部21設在基板16的中央部分。
根據(jù)本實施例的封裝10具有在基板16的內層形成的接地面22和電源面23中至少之一；多個連接導體部25，其形成在基板16的開口部21的內壁表面上，并且分別電連接到相應的接地面22和電源面23上；多個焊接圖案26，其形成在基板16的前表面層部上，位于開口部21的邊緣附近，并且分別連接到相應的連接導體部25上；以及第二外部連接部28，其形成在基板16的前表面層側，并且通過形成在基板16中的通孔導體部27分別電連接到相應的接地面22和電源面23上。
順便提及的是，附圖標記30表示阻焊膜。
另外，例如鎳膜/金膜等的防腐電鍍膜可形成在布線圖案17、連接導體部25等向外露出的部分上。
盡管在如圖1和2所示的實例中，接地面22和電源面23二者均設在基板16的內層中，但是也可以將接地面22和電源面23中的任意一個設置在基板16的內層中。此外，在圖1中，半導體器件14的一部分以截面的形式示出，在這里，接地面22電連接到連接導體部25，并且接地面22通過通孔導體部27連接到第二外部連接部28上。同樣地，電源面23電連接到設置在開口部21的內壁表面上的其他部分處的連接導體部25(見圖2)，并且電源面23通過設在其他部分的通孔導體部27連接到設置在其他部分的第二外部連接部28。順便提及的是，第二外部連接部28未在圖2中示出。
在第一外部連接部18和第二外部連接部28上形成突起32(例如焊球等)。
此外，形成在開口部21的內壁表面上的連接導體部25形成在橫截面為半圓形的凹槽的壁面上，所述凹槽形成在開口部21的內壁表面上(見圖2)。
此外，半導體芯片12安裝在半導體器件封裝10的基板16的后表面?zhèn)取０雽w芯片12的端子部19在面向基板16的開口部21的一部分和基板16的前表面層側形成的布線圖案17的焊接區(qū)17a之間，以及在半導體芯片12的端子部19的一部分和相應的焊接圖案26之間，均用導線20電連接，從而構成半導體器件14。
順便提及的是，半導體芯片12和導線20用密封樹脂35密封。
下面，面通過參照圖3A至圖9B，對制造封裝10的方法進行說明。
圖3A、4A、5A、6A、7A、8A和9A為橫截面圖。圖3B、4B、5B、6B、7B、8B和9B為平面圖(部分或全體平面圖)。
首先，如圖3A和3B中所示，形成或制備多層樹脂基板16，在基板16的內層中，具有接地面22和電源面23中至少之一，所述接地面22和電源面23具有一定樣式，并且至少在基板16的前表面層側設有由銅箔等制成的導體層36。圖3A和3B中所示的這種多層基板16可以用形成多層印刷電路板的普通方法來制造。
隨后，如圖4A和4B中所示，在基板16上與待形成開口部21的開口邊緣對應的位置處，形成多個第一通孔37。并且使得相應面(圖4A中的接地面22)的端面在第一通孔37的內壁上露出。同樣地，使得電源面23的端面也在設置于基板16的其他部分的第一通孔37的內壁上露出。
另外，在基板16上除形成開口部21的位置之外的部位，形成第二通孔38(見圖1)。并使得相應面(接地面22或電源面23)的端面在第二通孔38的內壁上露出。通過使用具有適當尺寸的鉆頭，第一通孔37和第二通孔38的形成可以用同一工藝完成。
接下來，如圖5A和5B中所示，在整個基板16上(第一通孔37的內壁和第二通孔38的內壁及導體層36上)進行化學鍍銅，然后，在基板16上進行電解鍍銅，以便在第一通孔37的內壁和第二通孔38的內壁及導體層36上形成電鍍膜40。并將在第一通孔37的內壁和第二通孔38的內壁上的電鍍膜40作為連接導體部25和通孔導體部27(見圖1)。然后，連接導體部25和通孔導體部27分別電連接到在通孔的內壁上露出的相應的接地面22的端面和電源面23的端面上。
然后，如圖6A和6B中所示，以光刻工藝在基板16的電鍍膜40和導體層36上進行蝕刻。從而形成布線圖案17、第一外部連接部18、第二外部連接部28及焊接圖案26，其中，第二外部連接部28連接到形成在第二通孔38的內壁上的通孔導體部27，焊接圖案26連接到形成在第一通孔37的內壁上的連接導體部25，所有這些均在圖1和2中示出。
隨后，如圖7A和7B中所示，在基板16中形成開口部21，以使開口部21的輪廓線穿過第一通孔37，從而構成封裝10。開口部21可通過使用諸如刳刨機等的切削工具對所述基板16進行切割而形成?；蛘撸_口部21可通過壓制和沖孔方法來形成。從而，在二等分的第一通孔37(橫截面為半圓形的凹槽)的內壁上形成連接導體部25。
然后，如圖8A和8B中所示，用阻焊膜30覆蓋所述基板16的前表面層部的必要部分。
另外，如圖9A和9B中所示，將防腐電鍍膜39(例如鎳電鍍膜391和金電鍍膜392)形成在外露的布線圖案17、第一和第二外部連接部18和28及連接導體部25和通孔導體部27上。
此外，在第一和第二外部連接部18和28上形成突起32(例如焊球)。
主要參照圖10至15B，對本發(fā)明第二實施例進行說明。
圖10為部分被切除的透視圖，示出了封裝10的第二實施例。與第一實施例的部件相同的部件用相同的附圖標記來標明。
同樣，根據(jù)第二實施例的封裝10也具有接地面22和電源面23中至少之一，其形成在基板16的內層中；多個連接導體部25，其形成在基板16的開口部21的內壁表面上，并且分別電連接到相應的接地面22和電流面23上；焊接圖案26，其形成在基板16的前表面層部，位于開口部21的邊緣附近，并且連接到連接導體部25上；以及第二外部連接部28(未在圖10中示出)，其形成在基板16的前表面層側上，并且通過形成在基板16中的通孔導體部27(未在圖10中示出)分別電連接到相應的接地面22和電流面23上。
在第一實施例中，首先，在基板16上與待形成開口部21的開口邊緣對應的位置處，按照一定的排列形成第一通孔37。接著，通過電鍍形成連接導體部25，然后，形成開口部21。然而，在第二實施例中，在未設置第一通孔37的情況下，在所述基板16中直接形成開口部21。然后，通過電鍍將導體部形成在開口部21的整個壁面上。隨后，通過切割工藝等去除開口部21的內壁上不必要的部分(如圖10中所示，形成凹槽41)，以便使多個彼此分離的連接導體部25保留在必要的位置上。
下面通過參照圖11A至15B，對根據(jù)第二實施例的封裝10的制造方法進行說明。
圖11A、12A、13A、14A和15A為橫截面圖。圖11B、12B、13B、14B和15B為平面圖(部分或全體平面圖)。
首先，如圖11A和11B中所示，形成或制備多層樹脂基板16，在基板16的內層中，具有接地面22和電源面23中至少之一(接地面和電源面具有一定的樣式)，并且基板16至少在其前表面層側設有由銅箔等制成的導體層36。圖11A和11B中所示的這種多層基板16可以用形成多層印刷電路板的普通方法來制造。
隨后，如圖12A和12B中所示，將開口部21形成在基板16的中央部分。然后，使得相應面(圖12A中的接地面22)的端面在開口部21的內壁上露出。同樣地，使得電源面23的端面在開口部21的內壁上的其他部分露出。開口部21可通過使用諸如刳刨機等的切削工具的切割工藝形成，也可通過壓制和沖孔工藝方法來形成。
另外，在基板16上待形成開口部21的位置之外的部分，形成第二通孔38(見圖1)。使得相應面的端面在第二通孔38的內壁上露出。通過使用具有適當尺寸的鉆頭，可以實現(xiàn)第二通孔38的形成。
接下來，在整個基板16上(開口部21的內壁、第二通孔38的內壁及導體層36上)進行化學鍍銅，然后，在其上進行電解鍍銅，以便在開口部21的內壁、第二通孔38的內壁及導體層36上形成電鍍膜40。并且將在開口部21的內壁和第二通孔38的內壁上的電鍍膜40作為連接導體部25和通孔導體部27(見圖1)。然后，將連接導體部25和通孔導體部27分別電連接到相應的接地面22的端面和電源面23的端面上，使得所述相應的接地面22的端面和電源面23的端面在開口部21的內壁和第二通孔38的內壁上露出。
然后，如圖13A和13B中所示，以光刻工藝在基板16的電鍍膜40和導體層36上進行蝕刻。從而形成布線圖案17、第一外部連接部18、第二外部連接部28及焊接圖案26，其中所述第二外部連接部28連接到形成在第二通孔38的內壁上的通孔導體部27，焊接圖案26連接到形成在開口部21的內壁上的連接導體部25，所有這些均在圖1和10中示出。
隨后，如圖10、14A和14B中所示，用諸如刳刨機等的切削工具對開口部21的內壁上的某些部分進行切割(形成凹槽41)，以便將形成在開口部21的內壁上的連接導體部25分成多個彼此分離的連接導體部25。
此外，如圖14A和14B中所示，將所述基板16的前表面層的必要部分涂覆阻焊膜30。
另外，如圖15A和15B中所示，在外露的布線圖案17、第一和第二外部連接部18和28、連接導體部25和通孔導體部27上形成例如鎳電鍍膜391和金電鍍膜392的防腐電鍍膜39。
此外，在第一和第二外部連接部18和28上形成突起32(例如焊球等)。
從而，可以制造出封裝10。
圖16為說明性橫截面示意圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導體器件14。圖17為根據(jù)本發(fā)明第三實施例的半導體器件封裝10的部分被切除的透視圖。與第一實施例的部件相同的部件用相同的附圖標記來標明。
如圖16中所示，根據(jù)第三實施例的封裝10，接地面22設置在基板16的后表面上。形成在開口部21的內壁表面上的連接導體部25電連接到接地面22上。同樣，第二外部連接部28通過通孔導體部27電連接到接地面22上。
在圖16和17中，電源面23設置在基板16的內層中。盡管未示出，但是電源面23不僅電連接到設置在開口部21的內壁表面的其他部分上的連接導體部25，并且還連接到設在其他部分的第二外部連接部28上。
可以將電源面23而不是接地面22設在基板16的后表面上。在這種情況下，接地面22可形成在基板16的內層中。
根據(jù)第三實施例的制造封裝10的方法，其與根據(jù)如圖3A至9B中所示第一實施例的方法相似。這里，首先形成或制備多層樹脂基板16，所述基板16至少具有設在前表面層側和后表面層側的導體層36。多層樹脂基板16可以包括接地面22和電源面23中的一個作為內層。同樣，多層樹脂基板16還可以包括布線層。
在這種情況下，在圖6A和6B中，以光刻工藝僅對設置在基板16的前表面層側的電鍍膜40和導體層36進行蝕刻。將設置在基板16的后表面層側的電鍍膜40和導體層36保留，以作為接地面22或電源面23。這樣就可以獲得根據(jù)第三實施例的封裝10。
圖18為說明性橫截面示意圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導體器件14。圖19為根據(jù)本發(fā)明第四實施例的半導體器件封裝10的部分被切除的透視圖。與第一實施例的部件相同的部件用相同的附圖標記來標明。
如圖18中所示，在根據(jù)第四實施例的封裝10中，接地面22設置在基板16的后表面上。形成在開口部21的內壁表面上的連接導體部25電連接到接地面22上。同樣，第二外部連接部28通過通孔導體部27電連接到接地面22上。
在圖18和19中，電源面23和布線層都沒有設置在基板16的內層中?；?6分別在前表面層側和后表面層側具有布線圖案17的層和用于接地面22的層。
可以將電源面23而不是接地面22設置在基板16的后表面上。在這種情況下，基板16分別在前表面層側和后表面層側具有布線圖案17的層和用于電源面23的層。
根據(jù)第四實施例的制造封裝10的方法，其與根據(jù)如圖3A至9B中所示的第一實施例的方法相似。這里，首先形成或制備樹脂基板16，所述基板16具有設置在前表面層側和后表面層側的導體層36。
在這種情況下，在圖6A和6B中，以光刻工藝僅對設置在基板16的前表面層側的電鍍膜40和導體層36上進行蝕刻。將設置在基板16的后表面層側的電鍍膜40和導體層36保留，以作為接地面22或電源面23。這樣就可以獲得根據(jù)第四實施例的封裝10。
圖20為說明性橫截面示意圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導體器件14。圖21為根據(jù)本發(fā)明第五實施例的半導體器件封裝10的部分被切除的透視圖。與第一實施例的部件相同的部件用相同的附圖標記來標明。
如圖20中所示，在根據(jù)第五實施例的封裝10中，接地面22設在基板16的后表面上。形成在開口部21的內壁表面上的連接導體部25電連接到接地面22上。同樣，第二外部連接部28通過通孔導體部27電連接到接地面22上。在這種情況下，沒有將連接導體部25分成多個連接導體部25(未形成凹槽41)。
在圖20和21中，電源面23和布線層都沒有設置在基板16的內層中?；?6分別在前表面層側和后表面層側具有布線圖案17的層和用于接地面22的層。
可以將電源面23而不是接地面22設置在基板16的后表面上。在這種情況下，基板16分別在前表面層側和后表面層側具有布線圖案17的層和用于電源面23的層。
根據(jù)第五實施例的制造封裝10的方法，其與根據(jù)如圖11A至15B中所示的第二實施例的方法相似。這里，首先形成或制備樹脂基板16，所述基板16具有設置在前表面層側和后表面層側的導體層36。
在這種情況下，在圖13A和13B中，以光刻工藝僅對設置在基板16的前表面層側的電鍍膜40和導體層36上進行蝕刻。將設置在基板16的后表面層側的電鍍膜40和導體層36保留，以作為接地面22或電源面23。
此外，省略了圖14A和14B中所描述的步驟。并且沒有對開口部21的內壁進行切割，也沒有將形成在開口部21的內壁上的連接導體部25分成多個彼此分離的連接導體部25。這樣，可以獲得根據(jù)第五實施例的封裝10。
在圖20和21所示的封裝10中，樹脂基板16只具有設置在前表面層側和后表面層側的導體層36。然而，可以使用包括接地面22和電源面23中的一個作為內層的樹脂基板16。同樣，樹脂基板16也可包括布線層作為內層。通過使用具有如上所述的內層的樹脂基板16，也能夠獲得這樣的封裝10即，在該封裝10中，沒有將連接導體部25分成多個連接導體部25。
順便提及的是，在對每個實施例的描述中，均對制造一個封裝10的實例進行了說明。實際上，在基板16中可以制造用于復合器件的多個封裝10。將半導體芯片12安裝在每個封裝10上，并執(zhí)行必要的步驟，例如進行引線接合(wire bonding)和樹脂密封的步驟。隨后，對形成的封裝進行切割并將其分離為單獨的半導體器件。
根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝和半導體器件，接地面和/或電源面設置在基板的內層或后表面?zhèn)?。這樣可以實現(xiàn)信號傳播的高速化。另外，電連接到相應的接地面和/或電源面的至少一個連接導體部設置在開口部的內壁表面上。另外，將連接到連接導體部的至少一個焊接圖案設置在基板的前表面層部上的開口部邊緣附近。因而，沒有必要在基板的前表面層部提供用于接地和/或電源的布線圖案，于是能夠提高用于信號的布線密度。而且，能夠縮短用于接地和/或電源的路徑。另外，可將信號的返回電流供給接地面和/或電源面。從而，可以容易地對基板上的布線部的特性阻抗進行控制，并且可以改善電氣特性。
在沒有背離本發(fā)明的要旨和保護范圍的情況下，所屬領域的技術人員顯然可以對本發(fā)明所描述的優(yōu)選實施例做出各種修改和變化。因而，意味著本發(fā)明涵蓋與所附權利要求書及其等同物的范圍一致的各種修改和變化。
權利要求
1.一種半導體器件封裝，包括基板，其包括接地面和電源面中至少之一；布線圖案，其形成在所述基板的前表面?zhèn)?；第一外部連接部，其從外部連接所述布線圖案，并且形成在所述基板的前表面?zhèn)?；開口部，其形成在所述基板中；至少一個連接導體部，其形成在所述開口部的內壁上，并且電連接到相應的所述接地面和電源面中至少之一上；至少一個焊接圖案，其形成在所述基板的前表面?zhèn)?，并且連接到相應的連接導體部上；以及第二外部連接部，其形成在所述基板的前表面?zhèn)?，并且通過形成在所述基板中的通孔導體部電連接到相應的所述接地面和電源面中至少之一上。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件封裝，還包括凹槽，其形成在所述開口部的內壁上，其中，所述連接導體部形成在所述凹槽的壁面上。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件封裝，還包括突起，其形成在所述第一外部連接部和所述第二外部連接部上。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件封裝，其中，所述接地面和電源面中至少之一形成在所述基板的內層中。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件封裝，其中，所述接地面和所述電源面中的一個形成在所述基板的后表面?zhèn)取?br> 6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件封裝，還包括凹槽，其形成在所述開口部的內壁上，其中，所述連接導體部形成在所述開口部的內壁上未形成所述凹槽的位置處。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件封裝，其中，所述至少一個連接導體部包括多個連接導體部，所述多個連接導體部分別地電連接到相應的所述接地面和電源面中至少之一上。
8.一種半導體器件，其具有根據(jù)權利要求1所述的半導體器件封裝，所述半導體器件包括半導體芯片，其安裝在所述基板的后表面?zhèn)?，所述半導體芯片具有都面向所述開口部的第一端子部和第二端子部；第一導線，其用于通過所述開口部電連接所述布線圖案和所述第一端子部；以及第二導線，其用于通過所述開口部電連接所述焊接圖案和所述第二端子部。
9.根據(jù)權利要求8所述的半導體器件，其中，所述半導體芯片、所述第一導線和所述第二導線用密封樹脂密封。
10.一種制造半導體器件封裝的方法，所述方法包括如下步驟形成基板，所基板具有接地面和電源面中至少之一，并且在所述基板的前表面?zhèn)染哂袑w層；在所述基板上與待形成開口部的開口邊緣對應的位置處，形成第一通孔，并使得所述接地面和電源面中至少之一的端面在所述第一通孔的內壁上露出；在所述基板上除待形成所述開口部的位置之外的部位，形成第二通孔，并使得所述接地面和電源面中至少之一的端面在所述第二通孔的內壁上露出；在整個所述基板上形成電鍍膜，并且將所述第一通孔的內壁和所述第二通孔的內壁上形成的所述電鍍膜作為導體部，所述導體部分別地電連接到所述接地面和電源面中至少之一的端面上；在所述基板的所述電鍍膜和所述導體層上進行蝕刻，以形成布線圖案、第一外部連接部、第二外部連接部以及焊接圖案，其中，所述第一外部連接部從外部連接所述布線圖案，所述第二外部連接部連接到形成在所述第二通孔的內壁上的所述導體部，所述焊接圖案連接到形成在所述第一通孔的內壁上的所述導體部；以及在所述基板中形成所述開口部，所述開口部的輪廓線穿過所述第一通孔。
11.根據(jù)權利要求10所述的制造半導體器件封裝的方法，其中，所述第一通孔和所述第二通孔是以同一工藝形成的。
12.根據(jù)權利要求10所述的制造半導體器件封裝的方法，所述方法還包括如下步驟在所述第一外部連接部和所述第二外部連接部上形成突起。
13.根據(jù)權利要求10所述的制造半導體器件封裝的方法，其中，將所述接地面和電源面中至少之一形成在所述基板的內層中。
14.根據(jù)權利要求10所述的制造半導體器件封裝的方法，其中，將所述接地面和所述電源面中的一個形成在所述基板的后表面?zhèn)取?br> 15.一種制造半導體器件封裝的方法，所述方法包括如下步驟形成基板，所述基板具有接地面和電源面中至少之一，并且在所述基板的前表面?zhèn)染哂袑w層；在所述基板中形成開口部，并使得所述接地面和電源面中至少之一的端面在所述開口部的內壁上露出；在所述基板上除形成所述開口部的位置之外的部位，形成通孔，并使得所述接地面和電源面中至少之一的端面在所述通孔的內壁上露出；在整個所述基板上形成電鍍膜，并且將形成在所述開口部的內壁和所述通孔的內壁上的所述電鍍膜作為導體部，所述導體部分別地電連接到所述接地面和電源面至少之一的端面上；以及在所述基板的所述電鍍膜和所述導體層上進行蝕刻，以形成布線圖案、第一外部連接部、第二外部連接部以及焊接圖案，其中，所述第一外部連接部從外部連接所述布線圖案，所述第二外部連接部連接到形成在所述通孔的內壁上的所述導體部，所述焊接圖案連接到形成在所述開口部的內壁上的所述導體部。
16.根據(jù)權利要求15所述的制造半導體器件封裝的方法，所述方法還包括如下步驟去除形成在所述開口部的內壁上的所述導體部的一部分，以便將所述導體部劃分成多個彼此分離的導體部。
17.根據(jù)權利要求15所述的制造半導體器件封裝的方法，所述方法還包括如下步驟在所述第一外部連接部和所述第二外部連接部上形成突起。
18.根據(jù)權利要求15所述的制造半導體器件封裝的方法，其中，將所述接地面和電源面中至少之一形成在所述基板的內層中。
19.根據(jù)權利要求15所述的制造半導體器件封裝的方法，其中，將所述接地面和所述電源面中的一個形成在所述基板的后表面?zhèn)取?br> 20.根據(jù)權利要求15所述的制造所述半導體器件封裝的方法，還包括如下步驟在所述開口部的內壁中形成凹槽。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠實現(xiàn)其自身高速化的半導體器件封裝。該半導體器件封裝包括基板，其具有接地面和電源面中至少之一；至少一個連接導體部，其形成在基板的開口部的內壁表面上，并且電連接到相應的接地面和電源面上；至少一個焊接圖案，其形成在基板的前表面層部，位于所述開口部的邊緣附近，并且連接到相應的連接導體部上；以及第二外部連接部，其形成在基板的前表面層側，并且通過形成在基板中的通孔導體部分別地電連接到相應的接地面和電源面上。
文檔編號H01L21/60GK1822357SQ200610007808
公開日2006年8月23日 申請日期2006年2月17日 優(yōu)先權日2005年2月18日
發(fā)明者宮川弘志, 小田切光廣 申請人:新光電氣工業(yè)株式會社