半導(dǎo)體封裝件和制造該半導(dǎo)體封裝件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，具體地講，涉及一種半導(dǎo)體封裝件和制造該半導(dǎo)體封裝件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在半導(dǎo)體封裝件中，由于半導(dǎo)體封裝件內(nèi)的各元件的熱膨脹系數(shù)(Coefficient of Thermal Expans1n,CTE)不同，因此會(huì)導(dǎo)致該半導(dǎo)體封裝件發(fā)生翹曲現(xiàn)象，繼而影響后續(xù)的基板的貼裝工藝和切割工藝。例如，當(dāng)利用諸如環(huán)氧樹(shù)脂的包封材料在基板上對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行包封時(shí)，會(huì)因包封材料的熱膨脹和收縮而導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝件發(fā)生翹曲。
[0003]圖1是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖，圖2是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的另一示意性剖視圖。
[0004]參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件100包括基板110、設(shè)置在基板110上的芯片120、設(shè)置在基板110上并包封芯片120的包封層130以及形成在基板的與形成芯片的表面背對(duì)的表面上的焊球140。芯片120可以通過(guò)鍵合引線(如圖1所示)或凸塊(如圖2所示)電連接到基板110。在形成包封層130時(shí)，通常會(huì)在相對(duì)高的溫度下進(jìn)行固化，從而導(dǎo)致在該固化工藝過(guò)程中實(shí)際上將基板110和芯片120加熱至該溫度下。在這樣的溫度下，熱膨脹系數(shù)不同的基板110、芯片120和包封層130彼此結(jié)合，因此在溫度降至室溫時(shí)，包封層130的收縮會(huì)導(dǎo)致基板110沿其上安裝了芯片的表面凹進(jìn)的方向的翹曲，或者會(huì)導(dǎo)致基板110沿其上安裝了芯片的表面凸起的方向的翹曲。此外，由于芯片120被較厚的包封層130包封，從而對(duì)半導(dǎo)體封裝件100的散熱產(chǎn)生不利影響。
[0005]此外，隨著半導(dǎo)體封裝件的日漸輕薄化，對(duì)于高密度、高頻率的半導(dǎo)體封裝件的翹曲和散熱問(wèn)題更為嚴(yán)重。因此，需要一種新的翹曲解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明的示例性實(shí)施例的目的在于提供一種改進(jìn)的半導(dǎo)體封裝件和制造該半導(dǎo)體封裝件的方法。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括:基板；至少一個(gè)芯片，設(shè)置在基板上；包封層，設(shè)置在基板上并包封至少一個(gè)芯片；導(dǎo)電彈性層，設(shè)置在基板的除包封層所占的區(qū)域之外的區(qū)域上并與包封層的至少一部分接觸。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，導(dǎo)電彈性層可以包括能夠固化的彈性石墨材料。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，包封層可以包括環(huán)氧樹(shù)脂。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，導(dǎo)電彈性層可以與包封層的側(cè)壁接觸。
[0011 ] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，導(dǎo)電彈性層可以包覆包封層。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，導(dǎo)電彈性層可以位于基板的接地端所處的區(qū)域上。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，芯片可以通過(guò)鍵合引線或凸塊電連接到基板。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造半導(dǎo)體封裝件的方法，所述方法包括:將至少一個(gè)芯片設(shè)置在基板上；在基板上形成包封層以包封芯片，在基板的除包封層所占的區(qū)域之外的區(qū)域上形成與包封層的至少一部分接觸的導(dǎo)電彈性層。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，導(dǎo)電彈性層可以包括能夠固化的彈性石墨材料。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，包封層可以包括環(huán)氧樹(shù)脂。
[0017]如上所述，在本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件中，通過(guò)利用導(dǎo)電彈性層代替諸如環(huán)氧樹(shù)脂的包封層的一部分，從而能夠降低半導(dǎo)體封裝件的整體翹曲。另外，由于導(dǎo)電彈性層具有高的散熱特性，從而改善了半導(dǎo)體封裝件的散熱性。此外，由于將導(dǎo)電彈性層設(shè)置在基板的接地端所處的區(qū)域上，從而能夠改善半導(dǎo)體封裝件的電磁屏蔽性能。
【附圖說(shuō)明】
[0018]通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，這些和/或其它方面將變得清楚且更容易理解，在附圖中:
[0019]圖1是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖；
[0020]圖2是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件的另一示意性剖視圖；
[0021]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5A至圖f5D是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝件的方法的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例；相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)將是徹底的和完整的，并且這些實(shí)施例將向本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的實(shí)施例的構(gòu)思。在下面詳細(xì)的描述中，通過(guò)示例的方式闡述了多處具體的細(xì)節(jié)，以提供對(duì)相關(guān)教導(dǎo)的充分理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，可以實(shí)踐本教導(dǎo)而無(wú)需這樣的細(xì)節(jié)。在其它情況下，以相對(duì)高的層次而沒(méi)有細(xì)節(jié)地描述了公知的方法、步驟、組件和電路，以避免使本教導(dǎo)的多個(gè)方面不必要地變得模糊。附圖中的同樣的標(biāo)號(hào)表示同樣的元件，因此將不重復(fù)對(duì)它們的描述。在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，可能會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。
[0025]現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述本發(fā)明。
[0026]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]參照?qǐng)D3和圖4，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件200包括:基板210 ；芯片220，設(shè)置在基板210上；包封層230，設(shè)置在基板210上并包封芯片220 ;導(dǎo)電彈性層240，設(shè)置在基板210的除包封層230所占的區(qū)域之外的區(qū)域上。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件200的基板210可以采用本領(lǐng)域常用的材料制成，在此不作特別限定。如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的芯片220可以通過(guò)鍵合引線250(例如，金線)與基板210電連接，然而，本發(fā)明不限于此，例如，也可以通過(guò)在芯片220和基板210之間設(shè)置凸塊，以實(shí)現(xiàn)芯片220與基板210之間的電連接。
[0029]包封層230設(shè)置在基板210的其上貼附