散熱片結(jié)構(gòu)表面貼裝整流橋器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種整流半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種散熱片結(jié)構(gòu)表面貼裝整流橋器件。
【背景技術(shù)】
[0002]整流器是由四個(gè)整流二極管組成的一個(gè)橋式結(jié)構(gòu)，它利用二極管的單向?qū)щ娞匦詫涣麟娺M(jìn)行整流，由于橋式整流器對輸入正正弦波的利用效率比波整流高一倍，是對二極管半波整流的一種顯著改進(jìn)，故被廣泛應(yīng)用于交流電轉(zhuǎn)換成直流電的電路中。
[0003]—方面，現(xiàn)有雙列疊片式結(jié)構(gòu)整流器，生產(chǎn)工藝簡單，易操作。但是每顆二極管晶粒所在的支撐片平整度互相影響造成生產(chǎn)制程中產(chǎn)品內(nèi)部應(yīng)力狀況不夠穩(wěn)定，晶粒受損或者接觸不良的狀況時(shí)有發(fā)生。另一方面，現(xiàn)有產(chǎn)品為4顆獨(dú)立的二極管(附圖1)或插件式橋堆產(chǎn)品(附圖2)或微型橋堆產(chǎn)品。主要存在如下弊端:4顆獨(dú)立的二極管:產(chǎn)品厚度大，占用PCB板空間較大，不適用回流焊方式焊接。直列式橋堆產(chǎn)品:產(chǎn)品厚度大，散熱性能不佳，不適用回流焊方式焊接。微型橋堆產(chǎn)品，無散熱片，客戶希望產(chǎn)品能有更好的散熱性能。綜上，現(xiàn)有技術(shù)存在產(chǎn)品厚度大，占用PCB板空間較大，不適應(yīng)終端產(chǎn)品小型化的需求；產(chǎn)品散熱性能不佳，造成終端產(chǎn)品發(fā)熱量大，不利于節(jié)能環(huán)保；不適用回流焊方式焊接，PCB板上其他產(chǎn)品需要用回流焊方式焊接時(shí)整個(gè)PCB板需要二次受熱，會對已組裝的器件帶來損害等技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明目的是提供一種散熱片結(jié)構(gòu)表面貼裝整流橋器件，該表面貼裝整流橋器件厚度薄，芯片與PCB的散熱路徑最短，散熱片為金屬材質(zhì)，導(dǎo)熱系數(shù)優(yōu)越，充分利用了 PCB板自身的散熱能力，避免了現(xiàn)有產(chǎn)品的通過機(jī)箱內(nèi)的空氣對流散熱，芯片發(fā)熱要通過環(huán)氧才能傳導(dǎo)到外界空氣中，環(huán)氧導(dǎo)熱能力差等缺陷。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種散熱片結(jié)構(gòu)表面貼裝整流橋器件，包括:由環(huán)氧封裝體包覆的第一、第二、第三、第四二極管芯片和負(fù)極金屬條，所述環(huán)氧封裝體底部且位于左、右側(cè)分別固定有第一、第二金屬基片和E形金屬基片，所述負(fù)極金屬條位于第一、第二金屬基片和E形金屬基片之間；
第一二極管芯片的正極端與第一金屬基片上表面電連接，第二二極管芯片的負(fù)極端與E形金屬基片一端上表面電連接，第三二極管芯片的負(fù)極端與E形金屬基片另一端上表面電連接，第四二極管芯片的正極端與第二金屬基片上表面電連接；
第一連接片兩端分別與第一二極管芯片的負(fù)極端和負(fù)極金屬條的上表面電連接，第二連接片兩端分別與第二二極管芯片的正極端和第一金屬基片的上表面電連接，第二連接片中部具有凸起部且該凸起部與負(fù)極金屬條通過環(huán)氧封裝體隔離；
第三連接片兩端分別與第四二極管芯片的負(fù)極端和負(fù)極金屬條的上表面電連接，第四連接片兩端分別與第三二極管芯片的正極端和第二金屬基片的上表面電連接； 所述第一、第二、第三、第四連接片沿前后方向平行設(shè)置，所述負(fù)極金屬條位于第一金屬基片和E形金屬基片之間的前端具有一折彎部，此折彎部底部與第一、第二金屬基片和E形金屬基片各自的底部位于同一水平面且均裸露出所述環(huán)氧封裝體；
第一、第二金屬基片作為交流輸入端，所述負(fù)極金屬條的折彎部作為直流負(fù)極端，所述E形金屬基片作為直流正極端。
[0006]上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下:
1.上述方案中，所述環(huán)氧封裝體的厚度小于2_。
[0007]2.上述方案中，所述第一、第二金屬基片位于環(huán)氧封裝體邊緣處的端面分別設(shè)置有至少2個(gè)第一引腳外凸部。
[0008]3.上述方案中，所述E形金屬基片位于環(huán)氧封裝體邊緣處的端面設(shè)置有4個(gè)第二引腳外凸部。
[0009]由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果:
1.本發(fā)明散熱片結(jié)構(gòu)表面貼裝整流橋器件，其相對現(xiàn)有微型橋堆產(chǎn)品為雙面封裝，本發(fā)明在厚度方向上單面封裝，該產(chǎn)品厚度薄，將厚度有5mm以上調(diào)整為在2mm以內(nèi)，既作為散熱片又同時(shí)作為電氣端子的第一、第二金屬基片和E形金屬基片，上面與芯片連接，下面與客戶使用時(shí)的PCB連接，芯片為發(fā)熱部件，芯片與PCB的散熱路徑最短，散熱片為金屬材質(zhì)，導(dǎo)熱系數(shù)優(yōu)越，充分利用了 PCB板自身的散熱能力，避免了現(xiàn)有產(chǎn)品的通過機(jī)箱內(nèi)的空氣對流散熱，芯片發(fā)熱要通過環(huán)氧才能傳導(dǎo)到外界空氣中，環(huán)氧導(dǎo)熱能力差等缺陷。
[0010]2.本發(fā)明散熱片結(jié)構(gòu)表面貼裝整流橋器件，其該產(chǎn)品為表面貼裝產(chǎn)品，適用于較先進(jìn)的回流焊方式焊接，該產(chǎn)品使用獨(dú)創(chuàng)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，四顆連接片跨過一顆引線橋接實(shí)現(xiàn)橋接，該布局使得4顆芯片間距最遠(yuǎn)，四顆發(fā)熱相互累積效應(yīng)最低設(shè)計(jì)和全新焊盤外形設(shè)計(jì)，第一、第二金屬基片和E形金屬基片采用E型設(shè)計(jì)，散熱片面積與產(chǎn)品長X寬面積比例達(dá)50%，最大限度的利用了 PCB散熱能力。
【附圖說明】
[0011]附圖1為現(xiàn)有軸向型廣品結(jié)構(gòu)不意圖；
附圖2為現(xiàn)有直列式橋堆結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖3為本發(fā)明散熱片結(jié)構(gòu)表面貼裝整流橋器件結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖4為附圖3的仰視且旋轉(zhuǎn)后的結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖5為附圖3的A-A剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖6為附圖3的B-B剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]以上附圖中:1、環(huán)氧封裝體；2、第一二極管芯片；3、第二二極管芯片；4、第三二極管芯片；5、第四二極管芯片；6、負(fù)極金屬條；7、第一金屬基片；8、第二金屬基片；9、E形金屬基片；10、第一連接片；11、第二連接片；111、凸起部；12、第三連接片；13、第四連接片；14、折彎部；15、第一引腳外凸部；16、第二引腳外凸部。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
實(shí)施例:一種散熱片結(jié)構(gòu)表面貼裝整流橋器件，包括:由環(huán)氧封裝體I包覆的第一、第二、第三、第四二極管芯片2、3、4、5和負(fù)極金屬條6，所述環(huán)氧封裝體I底部且位于左、右側(cè)分別固定有第一、第二金屬基片7、8和E形金屬基片9，所述負(fù)極金屬條6位于第一、第二金屬基片7、8和E形金屬基片9之間；
第一二極管芯片2的正極端與第一金屬基片7上表面電連接，第二二極管芯片3的負(fù)極端與E形金屬基片9 一端上表面電連接，第三二極管芯片4的