專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一般顯示裝置，特別涉及使用電流驅(qū)動型發(fā)光元件的顯示裝置。
背景技術：
以往的顯示裝置主要由液晶顯示裝置構成，但最近開始使用由等離子體顯示裝置構成的顯示裝置。而且還利用有機EL顯示裝置構成顯示裝置。
為了廉價地提供這種顯示裝置，優(yōu)選使用無源矩陣型驅(qū)動結(jié)構。通過使用無源矩陣驅(qū)動結(jié)構，能夠省略在有源矩陣驅(qū)動結(jié)構中需要的薄膜晶體管。
圖1表示這種無源矩陣驅(qū)動結(jié)構的顯示裝置10的概略的結(jié)構。
參照圖1，顯示裝置10包括形成了顯示區(qū)域11A的顯示基板11，且在上述基板11上，多條掃描線11a以及數(shù)據(jù)線11b分別在X方向以及Y方向延長。
而且，在上述基板11上，連接選擇性地驅(qū)動上述掃描線11a中的一條掃描線的驅(qū)動電路12A和選擇性地驅(qū)動上述數(shù)據(jù)線11b中的一條或多條數(shù)據(jù)線的驅(qū)動電路12B。
于是，通過利用上述驅(qū)動電路12A選擇一條掃描線11a，以及利用驅(qū)動電路12B選擇一條或多條數(shù)據(jù)線11b，與上述被選擇的掃描線11a和數(shù)據(jù)線11b的交點相對應的一個或者多個象素同時發(fā)光。
一般上述驅(qū)動電路12A、12B形成為集成電路芯片的形狀，與上述顯示基板11之間，為了顯示裝置的小型化，一般是利用印刷了布線圖形(pattern)的撓性基板連接。已知這種安裝方式叫做薄膜上芯片(Chip On FilmCOF)。特別在利用COF安裝技術安裝驅(qū)動電路時，使用適合撓性基板壓接的ITO(In2O3·SnO2)圖形較多。
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)特別在驅(qū)動有機EL元件或等離子體顯示裝置等電流驅(qū)動型顯示裝置時，若將驅(qū)動電路連接到掃描線或者數(shù)據(jù)線上的布線圖形的長度每條線各不相同，則產(chǎn)生驅(qū)動不均勻的問題。
圖2、3表示圖1顯示裝置10的驅(qū)動電路12A和掃描線11a間的連接部11C的結(jié)構。
參照圖2、3，可知上述連接部11C由連接到A1構成的掃描線11a上的ITO布線圖形11c構成，但上述ITO布線圖形11c的間距(節(jié)距pitch)，在與上述驅(qū)動電路12A連接的一側(cè)，與上述顯示區(qū)域11A相比較，對應于驅(qū)動電路的電極間距而縮小。而且，在圖2中，在上述連接部11C，上述ITO布線圖形11c直線地延長，其結(jié)果，上述ITO布線圖形11c的圖形間隔在與驅(qū)動電路12A連接的一側(cè)和顯示區(qū)域的一側(cè)變化，相對于此，在圖3中上述圖形間隔維持一定。
無論圖2以及圖3的任一情況，上述ITO布線圖形11c在上述連接部11C中的長度，在基板中央部和在基板周邊部不同，在基板周邊部比基板中央部長是不可避免的。由此，在上述連接部11C中，在基板中央部和在基板周邊部的ITO布線圖形11c的電阻不同，隨之，發(fā)光強度也存在在基板中央部和在基板周邊部不同的可能性。
例如，當構成上述掃描線引出部11a的ITO布線圖形11c的薄膜電阻(方塊電阻sheet-resistance)為10Ω/□時，若布線長度為5mm，布線寬度為50μm，則上述ITO布線圖形11c的布線電阻為1kΩ，可知利用10mA的驅(qū)動電流，沿著ITO布線圖形11c產(chǎn)生達到10V的壓降(電壓下降)。
加上這樣的壓降，如圖2或者圖3所示那樣ITO布線圖形11c的間距在連接部11C變化，由此構成掃描線11a的ITO布線圖形11c的長度在基板中央部和周邊部不同，在這種結(jié)構中，在基板中央的掃描線11a上，布線電阻最小，在上下端的掃描線11a上，ITO布線圖形11c的布線電阻最大是不可避免的。于是，例如若使用薄膜電阻為10Ω/□、布線寬度為10μm作為上述ITO布線圖形11c時，上述ITO布線圖形11c的長度之差為10mm，則可知在基板中央部的掃描線11a和基板周邊部的掃描線11a之間，驅(qū)動電壓產(chǎn)生達到20V的差。
即，利用本發(fā)明的發(fā)明人進行調(diào)查的結(jié)果，清楚了在這種結(jié)構的顯示裝置上，即使施加20V的驅(qū)動電壓也點不亮的象素，產(chǎn)生在顯示基板11的周邊部。
一般在ITO圖形上通過層疊Cr等低電阻材料減少ITO圖形的電阻值的技術是公知的。但是，在這種方法中，，不能對應于各個ITO布線圖形來補償圖2、3的連接部11C那樣的因顯示基板上的ITO布線圖形的長度之差引起的電阻變化。
作為補償因這種各個ITO布線圖形的長度引起的電阻變化的方法，也可以考慮對應于ITO布線圖形的長度使圖形寬度變化的方法。例如，考慮在100條掃描線11a中的中央的掃描線11a在上述連接部11C中的ITO布線圖形11c的布線長度為5mm、圖形寬度為20μm、且基板上端或者下端的布線長度為10mm時，若從上述中央的掃描線11a向上端或者下端的掃描線11a以0.4μm的幅度使ITO布線圖形11c的寬度增加至40μm，則能夠補償因上述連接部11C的布線長度之差引起的電阻值的變化。
但是，實際ITO圖形的圖形寬度的精度在±1μm左右，電阻值的偏差在圖形寬度是20μm時為±5％，在是40μm時為±2.5％，實際實施這種工序是困難的。另外這種調(diào)整圖形寬度的方法需要巨大的設計人工數(shù)。
專利文獻1美國專利公開第2001-050799號公報專利文獻2日本特開2002-162647號公報專利文獻3日本特開2002-221536號公報專利文獻4日本特開昭62-124529號公報發(fā)明內(nèi)容若采用本發(fā)明的一個觀點，提供一種顯示裝置，其特征在于包括基板；由在上述基板上鄰接地排列、且在第1方向上延長的多個電極圖形構成的第1電極組；由在上述基板上鄰接地排列、且在與上述第1方向不同的第2方向上延長的多個電極圖形構成的第2電極組；以及分別由對應于上述第1電極組中的一個電極圖形和上述第2電極組中的一個電極圖形的交點而形成的多個顯示元件；至少上述第1電極組包括各自在一端連接到驅(qū)動電路且從上述一端到另一端的長度相互不同的多個電極圖形；上述多個電極圖形各具有層疊構造，該層疊構造包括具有第1薄膜電阻的第1導體和具有比上述第1薄膜電阻小的第2薄膜電阻的第2導體；在上述多個電極圖形上各設有除去了上述第2導體的高電阻區(qū)域；在上述多個電極圖形的每一個，上述高電阻區(qū)域的長度根據(jù)上述電極圖形的長度而不同。
發(fā)明效果如下若采用本發(fā)明，上述區(qū)間長度因構成上述第1電極組的各個電極圖形而不同，其結(jié)果，即使跨越構成上述第1電極組的電極圖形的全長的電阻值隨每個電極圖形變化，但通過使上述第2導體的長度根據(jù)上述區(qū)間長度而變化，也能夠補償這種電阻值的變化，從而在顯示裝置上，能夠?qū)崿F(xiàn)更加一樣的顯示。
本發(fā)明的其他問題以及特征，通過參照以下附圖的同時進行的本發(fā)明的詳細說明會更加清楚。
圖1是表示以往的無源矩陣驅(qū)動型顯示裝置的概略結(jié)構的圖。
圖2是表示本發(fā)明解決問題的圖。
圖3是表示本發(fā)明解決問題的圖。
圖4是表示利用本發(fā)明的第1實施例的無源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示裝置的概略結(jié)構的圖。
圖5是表示圖4的有機EL顯示裝置的一部分的剖面圖。
圖6是表示圖4的有機EL顯示裝置的連接部的詳細結(jié)構的圖。
圖7A是表示圖4的有機EL顯示裝置的連接部的剖面構造的圖。
圖7B是表示圖4的有機EL顯示裝置的連接部的剖面構造的圖。
圖8是表示利用本發(fā)明的第2實施例的無源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示裝置的概略結(jié)構的圖。
圖9是表示圖8的有機EL顯示裝置的連接部的詳細結(jié)構的圖。
圖10A是表示圖8的有機EL顯示裝置的連接部的剖面構造的圖。
圖10B是表示圖8的有機EL顯示裝置的連接部的剖面構造的圖。
圖11是表示利用本發(fā)明的有機EL顯示裝置的特性的圖。
圖12是表示圖6的有機EL顯示裝置的一個變形例的圖。
圖13是表示利用本發(fā)明的第3實施例的無源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示裝置的一部分的圖。
圖14是表示利用本發(fā)明的第4實施例的無源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示裝置的一部分的圖。
圖15是表示利用本發(fā)明的第4實施例的無源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示裝置的一部分的圖。
圖16是表示利用本發(fā)明的第5實施例的無源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示裝置的一部分的圖。
符號說明10，20，40有機EL顯示裝置11，21基板11A，21A 顯示區(qū)域11C，21C，41C 連接部11a，21a 掃描線11b，21b 數(shù)據(jù)線11c布線圖形12A，12B，22A，22B驅(qū)動電路20A空穴傳輸層20B發(fā)光層20C電子傳輸層20D陰極20E有機EL元件21T，41T 端子部21a1，41a1ITO圖形21a2，41a2Cr圖形21c 布線圖形具體實施方式
第1實施例圖4表示利用本發(fā)明的第1實施例的無源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示裝置20的結(jié)構。
參照圖4，顯示裝置20作為整體具有和圖1的顯示裝置10相同的結(jié)構，包括形成了顯示區(qū)域21A的顯示基板21，在上述基板21上，多條掃描線21a以及數(shù)據(jù)線21b在X方向以及Y方向上延長。
而且，在上述基板21上，連接選擇性地驅(qū)動上述掃描線21a中的一條掃描線的驅(qū)動電路22A和選擇性地驅(qū)動上述數(shù)據(jù)線21b中的一條或多條數(shù)據(jù)線的驅(qū)動電路22B。
于是，通過利用上述驅(qū)動電路22A選擇一條掃描線21a，以及利用驅(qū)動電路22B選擇一條或多條數(shù)據(jù)線21b，與上述被選擇的掃描線21a和數(shù)據(jù)線21b的交點相對應的一個或者多個象素同時發(fā)光。
圖5表示沿著圖4顯示裝置20的數(shù)據(jù)線21b的剖面圖。
參照圖5，上述數(shù)據(jù)線21b被平行地構圖在玻璃基板21上，構成陽極。在各數(shù)據(jù)線21b上層疊了空穴傳輸層20A、發(fā)光層20B和電子傳輸層20C的有機EL元件20E，通過典型的使用掩模的蒸鍍法反復形成，這樣形成的有機EL元件20E在上述玻璃基板21上矩陣狀地排列。
這種矩陣狀地排列的有機EL元件20E之間的空間被絕緣膜(未圖示)填充，而且形成A1等構成的陰極20D，以便連結(jié)上述有機EL元件20E之中沿X方向排列的一群有機EL元件。上述陰極20D構成在圖4結(jié)構中的掃描線21a。
圖6詳細表示與圖1、2的連接部11C相對應的上述掃描線21a和驅(qū)動電路22A的連接部21C的結(jié)構。
參照圖6，在上述連接部21C中在上述顯示區(qū)域21A延長的掃描線21a的反復間隔，配合構成上述驅(qū)動電路22A的集成電路芯片的端子間隔而縮小，隨之，從在上述顯示區(qū)域21A中平行地延長的掃描線21a的端部開始延長的布線圖形21c在上述連接部21C中被彎曲。而且，如以下說明，上述布線圖形21c由層疊ITO圖形21a1和形成在上述ITO圖形21a1上的低電阻的Cr圖形21a2構成。
更具體地說明，上述連接部21C由區(qū)間A和區(qū)間B構成，上述區(qū)間A是從上述掃描線21a的端部延長的布線圖形21c相對于上述顯示區(qū)域21A的延長方向(X方向)傾斜地延長的區(qū)間，上述區(qū)間B是上述布線圖形21c在上述區(qū)間A的前端重新沿上述X方向延長，且與用于與上述驅(qū)動電路22A連接的端子部21T連續(xù)的區(qū)間，在區(qū)間A、B任一區(qū)間中，對應于不同的掃描線21a的布線圖形21c相互平行地延長。
圖6中，上述區(qū)間A被定義為，上述多個布線圖形21c之中中央部的布線長度短的圖形的長度為零，且布線長度最長的圖形在最外側(cè)的長度為最大(Lamax)，另外上述區(qū)間B被定義為，上述多個ITO布線圖形21c之中中央部的布線長度最短的圖形的長度為最大(Lbmax)，布線長度最長的布線圖形的長度在最外側(cè)為零。
這樣構成的結(jié)果，上述區(qū)間A的布線長度從最外側(cè)的ITO布線圖形21c向中央部的最短布線圖形21c直線減少，另外區(qū)間B的布線長度從最外側(cè)的布線圖形21c向中央部的最短布線圖形21c直線增加。
在本實施例中，進一步將上述區(qū)間B分割為第1區(qū)間B1以及第2區(qū)間B2，如圖7A、圖7B所示，通過在上述第2區(qū)間B2選擇性地除去上述低電阻Cr膜21a2，對區(qū)間B1的布線圖形21c中的Cr圖形21a2的長度進行微調(diào)(trimming)，使布線圖形21c的電阻值調(diào)整為固定值。其中，圖7A表示上述區(qū)間B1的布線圖形21c的剖面，圖7B表示上述區(qū)間B2的布線圖形21c的剖面。
這樣，本發(fā)明中通過在上述區(qū)間B2中選擇性地除去低電阻Cr膜21a2，在上述區(qū)間B2中插入等價的電阻元件。這時，在本實施例中不僅如圖7A、圖7B所示調(diào)整圖形21a的寬度Wa，而且調(diào)整上述區(qū)間B2的長度，從而能夠精度高地設定上述電阻元件的電阻值。
以下，對這樣微調(diào)的具體步驟進行說明。
重新參照圖6，如前所述，在構成上述掃描線21a的電極組的中央部，區(qū)間A的長度La(mm)為零。于是，若設上述布線群在最外側(cè)的上述布線圖形的長度La為Lamax(mm)，在布線群的中央部和最外部之間，布線圖形的長度La(Lak)直線變化，則第k個布線長度Lak被賦值為數(shù)學式1和數(shù)學式2。
數(shù)學式1Lak=-2Lamaxnk+Lamax,(0≤k≤n2)]]>數(shù)學式2Lak=2Lamaxnk-Lamax,(n2<k≤n)]]>另一方面，區(qū)間B的長度Lb(mm)也同樣直線變化，在布線群中央為最大，在布線群的最外端部為零。于是，若設在布線群中央的Lb為Lbmax，則第k個布線長度Lbk被賦值為數(shù)學式3和數(shù)學式4。
數(shù)學式3Lbk=2Lbmaxnk,(0≤k≤n2)]]>數(shù)學式4Lbk=2Lamaxnk-Lamax,(n2<k≤n)]]>而且，在圖6的結(jié)構中，優(yōu)選為了避免由于在端子部21T設置Cr膜等低電阻輔助布線而產(chǎn)生的機械性強度下降，將設置上述Cr膜21b的部分作為上述區(qū)間B1，上述Cr膜21b從上述區(qū)間A開始連續(xù)地延長而形成。
如前面所說明的那樣，區(qū)間B由對應于圖7A的層疊了ITO膜21a1和Cr膜21a2的區(qū)間B1和對應于圖7B的只有ITO膜21a1的區(qū)間B2構成，設上述掃描線21a的各延長部的長度，在上述區(qū)間B1為Lb1k(mm)，在上述區(qū)間B2為Lb2k(mm)。
若設上述ITO膜21a1的薄膜電阻為Rito(Ω/□)，Cr膜21a2的薄膜電阻為Raux(Ω/□)，且設上述區(qū)間A的線寬為Wa(mm)，區(qū)間B的線寬為Wb(mm)，則上述區(qū)間A以及B的布線電阻Rak、Rbk被賦值為數(shù)學式5。
數(shù)學式5Rak=Rito·RauxRito+Raux·LakWa]]>Rbk=RitoWb(RauxRito+RauxLb1k+Lb2k)]]>于是，對應于第k條掃描線21a的連接部21C的布線電阻Rk被賦值為Rk＝Rak+Rbk。
接著，基于上述說明，研究使用Cr膜21a2作為輔助布線圖形的布線電阻的均勻化(微調(diào))。
這樣的布線的電阻均勻化歸結(jié)為求出在上式中當無論K值如何Rk始終為定值的Lb1k、Lb2k的問題。
在此，若為了簡化而考慮在0≤k≤n/2的范圍，則k＝n/2，即布線群中央部的圖形的Lb2k，即Lb2(n/2)，通過Lb1k+Lb2k＝Lbmax的關系被表示為數(shù)學式6Lb2(n/2)=RauxRito+Raux·WbWa·(1+RauxRito)·Lamax-RauxRito·Lbmax]]>。不過，在此進行以下推導。
當k＝n/2時，如下關系成立。
數(shù)學式7
Rbk=RitoWb(RauxRito+Raux)Lblk+Lb2k]]>其中，若數(shù)學式8RitoWb,C2=RauxRito+Raux]]>，則能得到如下關系式。
數(shù)學式9Rbk＝C1(C2·Lb1k+Lb2k)、Lb2k=RbkCl-C2·Lblk=Lbmax-Lblk,]]>Lblk=1C2-1(Rb(n/2)C1-Lbmax),]]>Lb2k=Rb(n/2)C1-C2·Lblk=Rb(n/2)C1-C2C2-1(Rb(n/2)C1-Lbmax)]]>由于負有全部的圖形中電阻相等的條件，所以在微調(diào)后，第0個Rak、即Ra(O))和第n/2個Rbk、即Rb(n/2)必須相等。即，關系式數(shù)學式10Rb(n/2)=Ra(O)=C1LamaxWa·Rito]]>成立，由此，能得到關系式數(shù)學式11
Lb2k=C2·RitoCl·LamaxWa-C2C2-1(C2·RitoC1·LamaxWa)-Lbmax]]>=RauxRito+Raux·WbWa·(1+RauxRito)·Lamax-RauxRito·Lbmax]]>其中，k＝0時，布線群最外端部的Lb2k，即Lb2(1)為0，Lb2k從0到Lb2(n/2)直線變化。因此，求得微調(diào)后的第k個布線長度Lb2k為數(shù)學式12和數(shù)學式13。
數(shù)學式12Lb2k=2Lb2(n/2)nk,(0≤k≤n2)]]>數(shù)學式13Lb2k=2Lb2(n/2)nk+2Lb2(n/2),(n2<k≤n)]]>這樣，在本實施例中，通過求出上述連接部21C中從掃描線21a延長的布線群之中的、在中央部的布線圖形的布線長度，能夠容易地進行電阻值的微調(diào)。
當進行這種電阻值微調(diào)時，遵從利用上式求得的布線圖形數(shù)據(jù)來制作上述區(qū)間B2的上述布線圖形的光掩模即可，不需要特別的人工數(shù)。
例如，當上述參數(shù)Lamax＝10mm，Lbmax＝5mm，Wa＝20μm，Wb＝20μm，Rito＝10Ω/□，Raux＝2Ω/□，n＝100時，利用上式，區(qū)間B的中央部(第n/2個)的布線長度Lb1(n/2)、Lb2(n/2)為Lb1(n/2)＝4mm、Lb2(n/2)＝1mm，另外Rito和Raux的合成薄膜電阻為1.67Ω/□，因此上述區(qū)間B的布線電阻Rb1(n/2)＝1.67×4000/20＝334Ω、Rb2(n/2)＝10×1000/20＝500Ω。
接著，對在本實施例中產(chǎn)生±1μm的構圖誤差時電阻的偏差進行評價。
對于上面所求的Lb1(n/a)、Lb2(n/2)的值，若上述區(qū)間B1中Cr膜21a2被構圖短了1μm圖形，Lb1(n/2)＝3.999mm，Lb2(n/2)＝1.001mm時，Rb1(n/2)＝1.67×3999/20＝333.92Ω，Rb2(n/2)＝10×1001/20＝500.5Ω，電阻值的變化為-0.05％。同樣地，上述區(qū)間B1中由上述Cr膜21a2構成的輔助布線被構圖長了1μm，Lb1(n/2)＝4001mm，Lb2(n/2)＝0.999mm時，則電阻值的變化為+0.05％。
這樣，若采用本發(fā)明，通過調(diào)整布線寬度，與電阻調(diào)整相比，能夠達到提高2個數(shù)量級(2位數(shù))的精度。
第2實施例圖8表示利用本發(fā)明的第2實施例的有機EL顯示裝置40的概略結(jié)構，圖9表示沿著上述顯示裝置40的掃描電極的剖面圖。在圖中，對與前面說明的部分相對應的部分上賦予相同的參照符號，且省略說明。
參照圖8，顯示裝置40也和圖4的顯示裝置20一樣是無源矩陣驅(qū)動型的顯示裝置，但為了連接上述驅(qū)動電路22A和上述掃描線21a，使用圖9所示的連接部41C來替代圖6的連接部21C。
參照圖9，上述連接部41C在平面圖上具有和圖6的連接部21C大致相同的結(jié)構，但包括了連接到上述掃描線21a的端部、且在對應于上述驅(qū)動電路22A的端子而形成的端子部41T收斂的布線圖形41c，來替代由上述掃描線21c的延長部構成的布線圖21c。
上述布線圖形41c與上述布線圖形21c一樣，沿著該延長方向被分成區(qū)間A和區(qū)間B，區(qū)間A的區(qū)間長度Lak在對應于最外部的掃描線41a的布線圖形41c為最長，在對應于中央部的掃描線41a的布線圖形41c為0。
另外，上述區(qū)間B被分為區(qū)間B1和B2，在區(qū)間B1中，布線圖形41c如圖10A所示具有與掃描線41a相同的ITO膜41a1和銀合金膜41a2的層疊構造，相對于此，在上述區(qū)間B2中，布線圖形41c如圖10B所示只由ITO膜41a1構成。該區(qū)間B2的ITO圖形41a1進一步延長，構成與驅(qū)動電路22A的電極壓接的上述端子部41T。
本實施例也與前面的實施例相同，通過微調(diào)上述布線圖形41c的上述區(qū)間B1中的區(qū)間長度Lbk，除去在上述連接部41C中掃描線41a相互產(chǎn)生的電阻值之差。
作為上述銀合金使用銀和鈀或銅的合金，由此能夠?qū)崿F(xiàn)比Cr更低的薄膜電阻。另一方面，銀合金比Cr更容易因電遷移或氧化而發(fā)生特性的劣化，所以如圖10A所示，在上述區(qū)間B1中，上述銀合金膜41a2被形成在上述ITO膜41a1的下層，以便更加保護上述玻璃基板21和ITO膜41a1。
以下，詳細地說明圖11的連接部11C的微調(diào)。
如前所述，在對應于中央部的掃描線41a的布線圖形41c中，相對于上述區(qū)間A的布線長度La為零，該布線長度La在外側(cè)的掃描線41a中距離上述中央部的距離按比例地直線增大。
于是，若設最外端的布線圖形41c的長度為Lamax(mm)，則從中央(k＝0)開始第k個布線圖形41c的上述區(qū)間A中的布線長度Lak表示為數(shù)學式14和數(shù)學式15。
數(shù)學式14Lak=-2Lamaxnk+Lamax,(0≤k≤n2)]]>數(shù)學式15
Lak=2Lamaxnk-Lamax,(n2<k≤n)]]>另一方面，上述區(qū)間B中的上述布線圖形41c的長度Lb(mm)也同樣從基板中央部開始向外側(cè)直線變化，在對應于中央的掃描線41a的布線圖形41c為最大，在最外端為零。于是，若設上述中央部的區(qū)間長度Lb為Lbmax，則從中央部開始第k個布線長度Lbk表示為數(shù)學式16和數(shù)學式17。
數(shù)學式16Lbk=2Kbmaxnk,(0≤k≤n2)]]>數(shù)學式17Lbk=-2Lbmaxnk+2Lbmax,(n2<k≤n)]]>在此，若設上述ITO膜41a1的薄膜電阻為Rito(Ω/□)，銀合金膜41a2的薄膜電阻為Raux(Ω/□)，且設區(qū)間A的上述ITO膜41a1的寬度，隨之布線圖形41c的寬度為Wa，另外區(qū)間A的銀合金膜41a2的寬度為Wa’，區(qū)間B的上述ITO膜41a1的寬度，隨之布線圖形41c的寬度為Wb，另外區(qū)間B的銀合金膜41a2的寬度為Wb’，則區(qū)間A以及B的布線電阻Rak，Rbk分別表示為數(shù)學式18
Rak=Rito·RauxRitoWa′Wa+Raux·Lakwa]]>Rbk=RitoWb(RauxRito·Wb′Wb+RauxLblk+Lb2k)]]>，上述連接部41T的第k個布線圖形41c的電阻Rk表示為Rk＝Rak+Rbk其中，Lb1k、Lb2k表示上述布線圖形41c的上述區(qū)間B1以及B2中的布線長度。
接著，對上述布線長度Lb1k、Lb2k的微調(diào)進行說明。
與前面的實施例的情況相同，微調(diào)的目的是在全部的圖形中將上述電阻Rk設定為相同值。以下，為了簡化而處理0≤k≤n/2的情況。
k＝n/2時，即考慮中央部的布線圖形41c時，該長度Lb2k，即Lb2(n/2)利用關系Lb1k+Lb2k＝Lbmax，表示為數(shù)學式19。
數(shù)學式19Lb2(n/2)=Raux·WbRito·Wb′+Raux·Wa·(1+RauxRito·WbWb′)·Lamax-RauxRito·WbWb′·Lbmax]]>k＝n/2時，上述關系數(shù)學式20
Rbk=RitoWb(RauxRito·Wb′Wb+RauxLb1k+Lb2k)]]>中，若數(shù)學式21C1=RitoWb]]>C2=RauxRito·Wb′Wb·Raux]]>，則能得到以下表達式Rbk＝C1(C2·Lb1k+LB2k)數(shù)學式22Lb2k=RbkC1-C2·Lb1k=Lbmax-Lb1k]]>Lb1k=1C2-i(Rb(n/2)C1-Lbmax)]]>Lb2k=Rb(n/2)C1-C2·Lb1k=Rb(n/2)C1-C2C2-1(Rb(n/2)C1-Lbmax)]]>其中，若數(shù)學式23
C3=RauxRito·Wa′Wa+Raux]]>，則電阻Rak表示為數(shù)學式24Rak=C3·Rito·LakWa]]>，但在微調(diào)后，因為在全部的布線圖形41c中電阻相等這樣的條件，所以第0個Rak、即Rb(0))和第n/2個Rbk、即Rb(n/2)必須相等。
也就是說，數(shù)學式25Rb(n/2)=Ra(0)=C3LamaxWa·Rito]]>成立，因此成為數(shù)學式26Lb2k=C3·RitoC1·LamaxWa-C2C2-1(C3·RitoC1·LamaxWa-Lbmax)]]>=-RauxRito·Wa′Wa+Raux·WbWa·(1+RauxRito·WbWb′)·Lamax-RauxRito·WbWb′·Lbaux]]>，得到上述關系。
另一方面，k＝0時，即考慮到最外端的布線圖形41c時，長度Lb2k(＝Lb2(0))為0，Lb2k從0到Lb2(n/2)直線變化。
因此，求出微調(diào)后的第k個布線長度為
數(shù)學式27Lb2k=2Lb2(n/2)nk,(0≤k≤n2)]]>以及數(shù)學式28Lb2k=2Lb2(n/2)nk+2Lb2(n/2),(n2<k≤n)]]>。其中，上式的參數(shù)，Lamax＝10mm，Lbmax＝5mm，Wa＝20μm，Wb＝20μm，Wa’＝15μm，Wb’＝15μm，Rito＝10Ω/□，Rmax＝0.2Ω/□，n＝100，求得上述布線長度為Lb1(n/2)＝4.867(mm)、Lb2(n/2)＝0.133(mm)。
進一步，因為Rito和Raux的合成薄膜電阻為0.196Ω/□，因此求出上述區(qū)間B的布線圖形41c的布線電阻為Rb1(n/2)＝0.260×4897/20＝63.21Ω、Rb2(n/2)＝10×133/20＝66.5Ω。
接著，評價本實施例中構圖誤差對微調(diào)的影響。
若考慮在上述最佳布線長度Lb1(n/a)、Lb2(n/2)上產(chǎn)生-1μm的構圖誤差的情況，則Lb1(n/2)＝3.999(mm)，Lb1(n/2)＝1.001(mm)，這時，Rb1(n/2)＝0.260×4866/20＝63.26Ω，Rb2(n/2)＝10×134/20＝67Ω，預想產(chǎn)生-0.5％的電阻變化。
同樣，若考慮上述最佳布線長度Lb1(n/a)、Lb1(n/2)上產(chǎn)生+1μm的構圖誤差，則Lb1(n/2)＝4.001(mm)，Lb1(n/2)＝0.999(mm)，這時，預想產(chǎn)生+0.5％的電阻變化。
這樣，利用本實施例的微調(diào)，與調(diào)節(jié)圖形寬度進行微調(diào)的情況相比，能夠確保10倍以上的微調(diào)精度。
圖11中與比較例1及比較例2一起示出了實施利用上述實施例1及實施例2的微調(diào)時，掃描線21a或者41a整體的布線電阻以及由此引起的壓降，進一步示出了上述布線電阻的最大值和最小值之差ΔR、以及伴隨上述ΔR產(chǎn)生的壓降的最大值和最小值之差ΔV。其中，在比較例1中，不預先設置Cr膜或者銀合金等輔助布線，電阻值的微調(diào)是通過調(diào)整布線圖形11c的寬度進行的。另外，在比較例2中，設置Cr膜作為輔助布線，電阻值的微調(diào)是通過調(diào)整布線圖形21c的寬度進行的。相對于此，實驗例1對應于前面說明的實施例1，通過圖6的區(qū)間B1中的輔助布線，即Cr圖形21a2的布線長度的調(diào)整進行微調(diào)。另外，實驗例2對應于前面說明的實施例2，通過圖11的區(qū)間B1中的輔助布線，即Ag合金圖形41a2的布線長度的調(diào)整進行微調(diào)。
參照圖11，比較例時，電阻值的變化ΔR達到750Ω或者125.1Ω，相對于此，壓降之差ΔVdrop也在10mA的驅(qū)動電流流過時，達到7.5V或者1.25V。相對與此，我們知道在本發(fā)明中，因連接部21C或者41C的布線長度之差引起的布線圖形21c或者41c的電阻值的變化ΔR降低到實驗例1時的83.4Ω，另外實驗例2時降低到15.1Ω，由此，壓降之差ΔVdrop也在實施例1時減少到0.83V，在實施例2時減少到0.15V。
而且，在以上說明中，考察了在上述區(qū)間B1和B2中，布線長度Lb1k和布線長度Lb2k隨序號k一起直線變化的情況，但如本發(fā)明那樣通過布線長度進行微調(diào)時，從圖11就可知道即使產(chǎn)生稍微的構圖誤差，對電阻值的變化也幾乎沒有影響，因此例如圖12所示，可以使區(qū)間B1中的布線長度Lb1k以及區(qū)間B2中的布線長度Lb2k階梯狀或者圓弧狀地變化。其中，圖12中，對前面說明的部分賦予相同的參照符號，且省略說明。
而且，圖6或者圖11的連接部11C或者21C，能夠根據(jù)需要設置在數(shù)據(jù)電極21b和驅(qū)動電路22B的連接部上。
第3實施例圖13表示利用本發(fā)明的第3實施例的無源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示裝置的結(jié)構的一部分。其中，圖13中，對前面說明的部分賦予對應的參照符號，且省略說明。
圖13是與前面說明的圖7A相同的區(qū)間B1的剖面圖，但利用本實施例的無源矩陣驅(qū)動有機EL顯示裝置，是在前面圖6說明的有機EL顯示裝置20的一個變形例，具有和這些大致相同的構成，但上述ITO圖形21a1和低電阻圖形21a2的位置相對地錯位，這一點不同。
即使這種情況，在上述端子部21T中，除去上述低電阻Cr膜21a2，從而只露出ITO圖形21a1，可得到和圖7B一樣的剖面構造。因此，本實施例也實現(xiàn)通過ITO圖形對撓性基板的良好的壓接。
第4實施例圖14表示利用本發(fā)明的第4實施例的無源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示裝置的結(jié)構的一部分。其中，圖14中，對前面說明的部分賦予對應的參照符號，且省略說明。
圖14是與前面說明的圖7A相同的區(qū)間B1的剖面圖，但利用本實施例的無源矩陣驅(qū)動有機EL顯示裝置，是在前面圖6說明的有機EL顯示裝置20的一個變形例，具有和這些大致相同的結(jié)構，但上述ITO圖形21a1和低電阻圖形21a2的位置上下交替這一點不同。即，上述Cr圖形21a2為下側(cè)圖形，ITO圖形21a1為上側(cè)圖形。
即使這種情況，在上述端子部21T中，除去上述低電阻Cr膜21a2，從而只露出ITO圖形21a1，可得到和圖7B一樣的剖面構造。因此，本實施例也實現(xiàn)通過ITO圖形對撓性基板的良好的壓接。
圖15是圖14進一步的變形例，表示圖14的上側(cè)ITO圖形21a1和下側(cè)Cr圖形21a2的關系相對地錯位的情況。
即使這種情況，在上述端子部21T中，除去上述低電阻Cr膜21a2，從而只露出ITO圖形21a1，可得到和圖7B一樣的剖面構造。因此，本實施例也實現(xiàn)通過ITO圖形對撓性基板的良好的壓接。
第5實施例圖16表示利用本發(fā)明的第5實施例的無源矩陣驅(qū)動型有機EL顯示裝置的結(jié)構的一部分。其中，圖16中，對前面說明的部分賦予相同的參照符號，且省略說明。
參照圖16，在本實施例中，在一個或多個部位除去在上述區(qū)間B1形成在上述ITO圖形21a1上的低電阻Cr圖形21a2，由此在該部分上產(chǎn)生電阻。
于是，通過根據(jù)對應的掃描線21a的位置在各布線圖形21c上設置這種電阻形成部位，即通過調(diào)整其個數(shù)或者長度，可以根據(jù)對應的掃描線21a調(diào)整上述布線圖形21c的電阻值。
進一步，本發(fā)明不僅可以適用于有機EL顯示裝置，也可以適用于被無源矩陣驅(qū)動的其他電流驅(qū)動型顯示裝置，例如等離子體顯示裝置(PDP)、LED陣列顯示裝置或者光源等。
進一步，本發(fā)明不僅可以適用于電流驅(qū)動型顯示裝置，也可以適用于無源矩陣驅(qū)動型或者有源矩陣驅(qū)動型的液晶顯示裝置。
工業(yè)上利用的可能性若采用本發(fā)明，在使在顯示裝置的顯示區(qū)域延長的驅(qū)動電極收斂而與驅(qū)動電路連接的連接部上，根據(jù)這種連接部上的布線圖形的長度使補助電極的長度變化，可以使在連接部上不同的布線圖形之間產(chǎn)生的電阻差、即而壓降之差，無論布線圖形的位置如何都設定為固定，可以實現(xiàn)顯示裝置的均勻驅(qū)動。
權利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于包括基板；由在上述基板上鄰接地排列、且在第1方向上延長的多個電極圖形構成的第1電極組；由在上述基板上鄰接地排列、且在與上述第1方向不同的第2方向上延長的多個電極圖形構成的第2電極組；以及分別由對應于上述第1電極組中的一個電極圖形和上述第2電極組中的一個電極圖形的交點而形成的多個顯示元件；其中，至少上述第1電極組包括各自在一端連接到驅(qū)動電路且從上述一端到另一端的長度相互不同的多個電極圖形；上述多個電極圖形各具有層疊構造，該層疊構造包括具有第1薄膜電阻的第1導體和具有比上述第1薄膜電阻小的第2薄膜電阻的第2導體；在上述多個電極圖形上各設有除去了上述第2導體的高電阻區(qū)域；在上述多個電極圖形的每一個，上述高電阻區(qū)域的長度根據(jù)上述電極圖形的長度而不同。
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述多個電極圖形中，上述高電阻區(qū)域的長度與電極圖形的長度一起減少。
3.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述多個電極圖形從上述一端到另一端具有基本相同的電阻值。
4.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，在上述基板上包括上述多個電極圖形以第1間隔平行延長的顯示區(qū)域、上述顯示區(qū)域中的上述多個電極圖形的上述一端以更小的第2間隔排列的端子區(qū)域、以及上述顯示區(qū)域中的上述多個電極圖形分別連接到上述端子區(qū)域中對應的上述一端的連接部，在上述端子區(qū)域中，在上述電極圖形上各被除去了上述第2導體，上述高電阻區(qū)域被形成為與上述連接區(qū)域連續(xù)。
5.如權利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，在上述顯示區(qū)域中構成上述第1電極組的上述多個電極圖形在上述第2方向上反復形成，且上述多個電極圖形之中，中央的電極圖形的長度最短，上述電極的長度從上述中央的電極圖形向兩外側(cè)方向，對稱地增大。
6.如權利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，在上述連接區(qū)域，上述多個電極圖形在維持平行關系的同時延長。
7.如權利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，上述高電阻區(qū)域在上述中央的電極圖形上具有最大的長度，上述高電阻區(qū)域的長度從上述中央的電極圖形向兩外側(cè)方向，對稱地減少。
8.如權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，上述高電阻區(qū)域的長度從上述中央的電極圖形向兩外側(cè)方向，根據(jù)距離上述中央的電極圖形的距離直線減小。
9.如權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，上述高電阻區(qū)域的長度從上述中央的電極圖形向兩外側(cè)方向，根據(jù)距離上述中央的電極圖形的距離階梯狀減小。
10.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述第1導體由透明氧化物電極材料構成，上述第2導體由金屬材料構成。
11.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述第2導體層疊在上述第1導體上。
12.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述第2導體埋設在上述第1導體中。
13.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述第2電極組中的電極圖形連接到其他驅(qū)動電路上，且上述第1電極組中的電極圖形和上述第2電極組中的電極圖形一起形成驅(qū)動電流的電流路，該驅(qū)動電流在形成在上述交點的顯示元件中流動。
14.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述顯示元件是有機EL顯示裝置。
15.如權利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，上述第2導體被形成為相對于上述第1導體，在上述電極圖形的寬度方向上部分地重疊。
16.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，上述第1導體層疊在上述第2導體上。
17.如權利要求16所述的顯示裝置，其特征在于，上述第2導體被形成為相對于上述第1導體，在上述電極圖形的寬度方向上部分地重疊。
18.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，在上述基板上包括上述多個電極圖形以第1間隔平行地延長的顯示區(qū)域、上述顯示區(qū)域中的上述多個電極圖形的上述一端以更小的第2間隔排列的端子區(qū)域、以及上述顯示區(qū)域中的上述多個電極圖形分別連接到上述端子區(qū)域中對應的上述一端的連接部，在上述連接區(qū)域中，在上述電極圖形上各被除去了多處上述第2導體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，其包括基板；由在上述基板上鄰接地排列、且在第1方向上延長的多個電極圖形構成的第1電極組；由在上述基板上鄰接地排列、且在與上述第1方向不同的第2方向上延長的多個電極圖形構成的第2電極組；以及分別由對應于上述第1電極組中的一個電極圖形和上述第2電極組中的一個電極圖形的交點而形成的多個顯示元件；至少上述第1電極組包括各自在一端連接到驅(qū)動電路且從上述一端到另一端的長度相互不同的多個電極圖形；上述多個電極圖形各具有層疊構造，該層疊構造包括具有第1薄膜電阻的第1導體和具有比上述第1薄膜電阻小的第2薄膜電阻的第2導體；在上述多個電極圖形上各設有除去了上述第2導體的高電阻區(qū)域；在上述多個電極圖形的每一個，上述高電阻區(qū)域的長度根據(jù)上述電極圖形的長度而不同。
文檔編號H01L27/32GK1973312SQ20058001763
公開日2007年5月30日 申請日期2005年3月14日 優(yōu)先權日2004年3月31日
發(fā)明者石塚淳夫, 坂本義明, 山口久 申請人:富士膠片株式會社