專利名稱：顯示器件和采用該顯示器件的電子設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及包括多個像素和多個存儲單元的顯示器件。本發(fā)明還涉及采用具有多個像素和多個存儲單元的該顯示器件的電子設備。
背景技術：
近年來，人們研制開發(fā)了包括在襯底上設置的各種電路的顯示器件。例如，有單片顯示器件，其中，在同一襯底上設置了用于顯示圖像的有源矩陣電路和用于控制有源矩陣電路操作的驅動電路(例如，參見專利文獻1)。
日本專利申請JP特開平10-228248當用于存儲數(shù)據(jù)的存儲電路與用于顯示圖像的像素部分和用于控制像素部分操作的驅動電路一起設置在襯底上時，可提供高性能、多功能、且高凈增值的顯示器件。作為存儲電路，可給出DRAM(動態(tài)隨機存儲器)、SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)、FeRAM(鐵電隨機存儲器)、掩模ROM(只讀存儲器)、EPROM(用電可編程只讀存儲器)、EEPROM(用電可擦除只讀存儲器)、閃存等。DRAM和SRAM是易失性存儲器，缺陷在于，當關閉電源時，數(shù)據(jù)必須重新寫入存儲器中。FeRAM是非易失性存儲器，缺陷在于，由于采用包括鐵電層的電容器元件，增加了制造步驟的數(shù)量。掩模ROM包括簡單結構；然而，它的缺陷在于，數(shù)據(jù)必須在制造過程中寫入，新的數(shù)據(jù)不能附加地寫入掩模ROM中。EPROM、EEPROM和閃存是非易失性存儲器；然而，由于它們采用各包括兩個柵電極的元件，因此存在增加了制造步驟的數(shù)量的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問題，本發(fā)明的目的是提供一種具有非易失性存儲器電路的顯示器件和采用該顯示器件的電子設備，在沒有增加制造步驟數(shù)量的情況下，數(shù)據(jù)可以附加的寫入該存儲器電路中。
本發(fā)明提供一種具有存儲電路的顯示器件，該存儲電路包括具有簡單結構的存儲元件，在該存儲元件中有機化合物層插入在一對導電層之間。根據(jù)具有以上結構的本發(fā)明，可提供一種具有非易失性存儲器電路的顯示器件，其中，在沒有增加制造步驟數(shù)量的情況下，數(shù)據(jù)可以附加的寫入。
在本發(fā)明的一個方案中，顯示器件具有在襯底上設置的、用于顯示圖像的多個像素和用于存儲數(shù)據(jù)的多個存儲器單元。多個像素的各具有發(fā)光元件。多個存儲器單元各具有存儲器元件。發(fā)光元件和存儲器元件各具有第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸的第二導電層。
在本發(fā)明的另一方案中，顯示器件包括在襯底上設置的像素部分和存儲器單元部分。像素部分具有多個像素。存儲器單元部分具有多個存儲器單元。多個像素各具有發(fā)光元件。多個存儲器單元各具有存儲器元件。像素部分和存儲器單元部分分別具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線。發(fā)光元件和存儲器元件各具有用作第一布線的第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸的并用作第二布線的第二導電層。
在本發(fā)明的另一方案中，顯示器件具有在襯底上設置的像素部分和存儲器單元部分。像素部分具有多個像素。存儲器單元部分具有多個存儲器單元。多個像素各具有發(fā)光元件和驅動晶體管(它對應于第一晶體管)。多個存儲器單元各具有存儲器元件和開關晶體管(它對應于第二晶體管)。發(fā)光元件和存儲器元件各具有第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸的第二導電層。包括在各發(fā)光元件中的第一導電層或第二導電層連接到驅動晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。包括在各存儲器元件中的第一導電層或第二導電層連接到開關晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。
在本發(fā)明的另一方案中，顯示器件具有在襯底上設置的像素部分和存儲器單元部分。像素部分具有多個像素。存儲器單元部分具有多個存儲器單元。多個像素各具有發(fā)光元件和驅動晶體管。各發(fā)光元件具有一對導電層和插入該對導電層之間的有機化合物層。包括在發(fā)光元件中的該對導電層之一連接到驅動晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。存儲器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線。多個存儲器單元分別具有存儲器元件。各存儲器元件具有用作第一布線的第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸的并用作第二布線的第二導電層。
在本發(fā)明的另一方案中，顯示器件具有在襯底上設置的像素部分、存儲器單元部分和驅動器電路部分。像素部分具有多個像素。存儲器單元部分具有多個存儲器單元。驅動器電路部分具有多個晶體管。多個像素分別具有發(fā)光元件和驅動晶體管。各發(fā)光元件具有一對導電層和插入該對導電層之間的有機化合物層。包括在各發(fā)光元件中的該對導電層之一連接到驅動晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。存儲器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線。多個存儲器單元分別具有存儲器元件。各存儲器元件具有用作第一布線的第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸的并用作第二布線的第二導電層。將存儲器單元部分設置成與驅動器電路部分重疊。
在本發(fā)明的另一方案中，顯示器件具有在襯底上設置的像素部分和存儲器單元部分。像素部分具有多個像素。存儲器單元部分具有多個存儲器單元。多個像素分別具有液晶元件和晶體管。存儲器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線。多個存儲器單元分別具有存儲器元件。各存儲器元件具有用作第一布線的第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸的并用作第二布線的第二導電層。
在具有以上結構的顯示器件中，存儲器元件是其導電性因光學作用而改變的元件。此外，存儲器元件的電阻因光學效用而改變。并且，存儲器元件的電阻因電效應而改變。有機化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑(photo acid generator)的共軛聚合物材料制成。此外，有機化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料形成。并且，本發(fā)明提供采用具有以上結構的顯示器件的電子設備。
在具有以上結構的顯示器件中，存儲器元件是第一導電層和第二導電層之間的距離因電效應而改變的元件。這表示當利用電效應將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件中時，電壓施加于存儲器元件，第一和第二導電層有時彼此短路。也就是說，當電壓施加于存儲器元件且第一和第二導電層彼此短路時，與在第一和第二導電層彼此短路之前相比，在第一和第二導電層之間的距離改變。
有機化合物層至少包括具有載流子傳輸性能的材料。這是因為當利用電效應將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件中時，必須傳輸載流子以使電流流過存儲器元件。有機化合物層還具有帶載流子傳輸性能的材料。有機化合物的導電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
有機化合物層的厚度是5-60nm，優(yōu)選為10-20nm。如果有機化合物層的厚度是5nm或更薄，則難以控制其厚度，使其厚度發(fā)生變化。作為選擇，如果有機化合物層的厚度是60nm或更厚，則增加了對于利用電效應將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件中所需的功耗。當將有機化合物層的厚度設定為10-20nm時，難以使厚度變化，可以抑制功率消耗。并且，襯底可具有撓性。
本發(fā)明的顯示器件可采用利用任何非晶半導體層、微晶半導體層、單晶半導體層、有機半導體層等形成的晶體管。晶體管可采用其中半導體層、柵絕緣層和柵極順序層疊的頂柵結構、其中柵極、柵絕緣層和半導體層順序層疊的底柵結構、以及其中第一柵極、第一柵絕緣層、半導體層、第二柵絕緣層和第二柵極順序層疊的雙柵結構。此外，可采用包括源極、漏極、柵極和溝道形成區(qū)的晶體管或者包括源極、漏極、多個柵極和多個溝道形成區(qū)的晶體管。
此外，將例如視頻信號和各種控制信號等數(shù)據(jù)存儲在本發(fā)明的顯示器件中所包括的存儲單元部分中。將在存儲器單元部分中存儲的數(shù)據(jù)任意供應到像素部分。圖像根據(jù)由存儲器單元部分提供的視頻信號或各種信號在顯示部分顯示。通過在同一襯底上形成用于顯示圖像的像素部分和用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元部分，可減少連接到外部的IC芯片的數(shù)量，可以提供小、薄、輕的顯示器件。
利用光效應或電效應將數(shù)據(jù)寫入包括在本發(fā)明顯示器件中的存儲器電路中。存儲器電路是非易失性的，因此數(shù)據(jù)可附加地寫入存儲器電路中。因此，可在防止數(shù)據(jù)被非法寫入、保證安全的同時將新的數(shù)據(jù)附加寫入存儲器電路中。因此，本發(fā)明可提供實現(xiàn)了多功能、高性能和高附加值的顯示器件。
本發(fā)明的一個特點在于，顯示器件具有包括存儲器元件的存儲器電路，所述存儲器元件具有其中將有機化合物層插入一對導電層之間的結構。由于該存儲器元件具有與發(fā)光元件的存儲器相同的或類似的結構并具有簡單結構，因此可在不增加制造步驟數(shù)量的條件下容易地制造該存儲器元件，可提供價格便宜的顯示器件。此外，由于可容易地縮小存儲器的面積，因此存儲器元件可容易地高度集成化。因此，可提供包括高容量存儲器電路的顯示器件。
并且，本發(fā)明的顯示器件的另一特點在于，在同一襯底上設置了用于顯示圖像的多個像素和存儲器電路。根據(jù)此特點，可減少連接到外部的IC芯片的數(shù)量，因此，提供了小、薄、輕的顯示器件。在要求小、薄、輕的便攜式終端中，本發(fā)明的這一特點是有效的。


圖1A至1C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實施方式1)；圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的橫截面圖(實施方式1)；圖3A-3C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實施方式1)；圖4A和4B是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的橫截面圖(實施方式1)；
圖5A-5C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實施方式1)；圖6A和6B是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的橫截面圖(實施方式1)；圖7A-7C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實施方式1)；圖8是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的橫截面圖(實施方式1)；圖9A和9B是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實施方式2)；圖10A-10C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實施方式2)；圖11A-11C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實施例1)；圖12A和12B是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實施例2)；圖13是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實施例3)；圖14是表示采用本發(fā)明的顯示器件的電子設備的示圖(實施例4)；圖15A-15F是表示采用本發(fā)明的顯示器件的電子設備的示圖(實施例4)；圖16是表示存儲器元件的電流-電壓特性的曲線(實施例5)；圖17是表示存儲器元件的電流-電壓特性的曲線(實施例5)；圖18A和18B是表示存儲器元件的電流-電壓特性的曲線(實施例6)；圖19A和19B是表示存儲器元件的電流-電壓特性的曲線(實施例6)；圖20A和20B是表示存儲器元件的電流-電壓特性的曲線。
具體實施例方式
下面，參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式。本領域的技術人員很容易理解，在不脫離本發(fā)明的目的和范圍的情況下，可以以各種方式對在此公開的實施方式和具體細節(jié)進行修改。本發(fā)明不應當被解釋為限于以下給出的實施方式的描述。此外，表示同一部分的參考標記共用于附圖中。

參照圖1A-1C、圖2、圖3A-3C、圖4A和4B、圖5A-5C、圖6A和6B、圖7A-7C和圖8描述本發(fā)明的顯示器件的結構。本發(fā)明的顯示器件包括像素部分11和存儲器單元部分12。根據(jù)像素部分11的結構和存儲器單元部分12的結構，顯示器件大致分成以下三種情況情況A，像素部分11具有無源矩陣類型，存儲器單元部分12具有無源矩陣類型；情況B，像素部分11具有有源矩陣類型，存儲器單元部分12具有有源矩陣類型；情況C，像素部分11具有有源矩陣類型，存儲器單元部分12具有無源矩陣類型。下面描述這三種情況。
參照圖1A-1C和圖2描述像素部分11具有無源矩陣類型、存儲器單元部分12具有無源矩陣類型的情況A。
在襯底25上設置像素部分11和存儲器單元部分12(參見圖1A)。像素部分11具有多個像素13，存儲器單元部分12具有多個存儲器單元14(參見圖1B)。像素13分別具有發(fā)光元件15，而存儲器單元14分別具有存儲器元件16。像素部分11包括沿第一方向延伸的多條第一布線Sa(1≤a≤x，其中a和x是自然數(shù)，也將它們稱作源極線)和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線Gb(1≤b≤y，其中b和y是自然數(shù)，也將它們稱作柵極線)。存儲器單元部分12包括沿第一方向延伸的多條第一布線Ba(1≤a≤m，其中m是自然數(shù)，也將它們稱作位線)和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線Wb(1≤b≤n，其中n是自然數(shù)，也將它們稱作字線)。
接下來，參照圖2描述具有以上結構的顯示器件的橫截面結構。圖2的橫截面圖的線A-B對應于圖1A的頂視圖的線A-B。
在像素部分11中，設置發(fā)光元件15。發(fā)光元件15分別包括用作第一布線Sa的第一導電層17、有機化合物層18和用作第二布線Gb的第二導電層19(參見圖2)。第一導電層17、有機化合物層18和第二導電層19層疊在各發(fā)光元件中。用作堤部(banks)的絕緣層26設置在相鄰的發(fā)光元件15之間。
在存儲器單元部分12中，設置存儲器元件16。存儲器元件16包括用作第一布線Ba的第一導電層20、有機化合物層21和用作第二布線Wb的第二導電層22。第一導電層20、有機化合物層21和第二導電層22層疊在各存儲器元件中。用作堤部(banks)的絕緣層27設置在相鄰的存儲器元件之間。
在襯底25上設置密封材料28。襯底25和相對襯底29利用密封材料28相互貼緊。此外，在襯底25上設置連接膜30和連接膜31，連接膜30通過各向異性導電層31連接到第一導電層17，連接膜31通過各向異性導電層33連接到第一導電層20。具體而言，連接膜30和31對應于撓性印刷電路(FPC)或類似物。將用于控制構成像素部分11和存儲器單元部分12的多個元件的操作的信號和電源電壓從外部通過連接膜30和31輸入。
在以上結構中，由于像素部分11和存儲器單元部分12都具有無源矩陣類型，因此在襯底25上沒有設置晶體管。因此，為了控制像素部分11和存儲器單元部分12，采用IC芯片。IC芯片例如可如下設置。將用作驅動器電路的IC芯片34和35貼到連接膜30和31上(參見圖1A和圖2)。作為選擇，在襯底25上設置IC芯片34和35。這可減少連接到外部的IC芯片的數(shù)量，由此實現(xiàn)顯示器件的小型化和厚度減薄。也就是說，可減少在外部設置的印刷線路板上放置的IC芯片的數(shù)量，可以實現(xiàn)顯示器件的小型化和厚度減薄。
此外，利用電效應讀出在包括在存儲器單元14中的存儲器元件16中寫入的數(shù)據(jù)。具體而言，通過將電壓施加在電容器元件16的第一導電層20和第二導電層22之間并讀出存儲器元件16的電阻，讀出數(shù)據(jù)。當以這種方式讀出數(shù)據(jù)時，存儲器元件16有時在被施加電壓時發(fā)光。
因此，在包括在發(fā)光元件15中的有機化合物層18和包括在存儲器元件16中的有機化合物層21由相同材料制成時，優(yōu)選將外殼設置成通過肉眼不能識別存儲器單元部分12和存儲器元件16的光發(fā)射。這在采用本發(fā)明的顯示器件作為電子設備的情況下是有效的。
并且，包括在發(fā)光元件15中的有機化合物層18和包括在存儲器元件16中的有機化合物層21可形成為彼此具有不同結構。例如，各有機化合物層18可形成為具有電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層的五層結構。各有機化合物層21可形成為具有除發(fā)光層之外的上述其它層。具體而言，有機化合物層21可具有僅包括電子注入層的結構、或僅包括電子注入層和電子傳輸層的結構、或僅包括空穴傳輸層和空穴注入層的結構。這種結構使存儲器元件16在施加有電壓時不發(fā)光。
此外，從發(fā)光元件15中發(fā)出的光包括在從單一激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時的光發(fā)射(磷光)和從三重激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時的光發(fā)射(熒光)?？刹捎脽晒夂土坠獾囊环N或多種。
參照圖3A-3C和圖4A和4B描述像素部分11具有有源矩陣類型、存儲器單元部分12具有有源矩陣類型的情況B。
在襯底25上設置像素部分11和存儲器單元部分12。在圖3A中，在襯底25上還設置了驅動器電路部分61和62。驅動器電路部分61和62包括多個晶體管，該晶體管用于控制像素部分11和存儲器單元部分12之一或兩者。如果不需要，可不提供驅動器電路部分61和62。
像素部分11包括多個像素13，存儲器單元部分12包括多個存儲器單元14(參見圖3B和3C)。并且，像素13分別包括發(fā)光元件15、用于控制圖像信號向像素13的輸入的開關晶體管(也稱作第一晶體管)41和用于控制流過發(fā)光元件15的電流的供應的驅動晶體管(也稱作第二晶體管)42。存儲器單元14分別包括存儲器元件16和用于控制數(shù)據(jù)相對于存儲器元件16的讀出或寫入操作的開關晶體管43。此外，像素部分11包括沿第一方向延伸的多條第一布線Sa(1≤a≤x，其中a和x是自然數(shù))、沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線Gb(1≤b≤y，其中b和y是自然數(shù))和沿第一方向延伸的多條第三布線Va(1≤a≤x，也稱作電源線)。存儲器單元部分12包括沿第一方向延伸的多條第一布線Ba(1≤a≤m，其中m是自然數(shù))和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線Wb(1≤b≤n，其中n是自然數(shù))。
接下來，描述具有以上結構的顯示器件的橫截面結構。圖4A和4B所示的橫截面圖的線A-B對應于圖3A的頂視圖的線A-B。
在像素部分11中，設置發(fā)光元件15，發(fā)光元件15包括第一導電層44、有機化合物層45和第二導電層46(參見圖4A)。第一導電層44、有機化合物層45和第二導電層46層疊。包括在發(fā)光元件15中的第一導電層44連接到用作驅動晶體管42的源極布線或漏極布線的導電層50。用作堤部(banks)的絕緣層58設置在相鄰的發(fā)光元件15之間。
在存儲器單元部分12中，設置存儲器元件16。各存儲器元件16包括第一導電層47、有機化合物層48和第二導電層49(參見圖4B)。第一導電層47、有機化合物層48和第二導電層49層疊。包括在存儲器元件16中的第一導電層47連接到用作開關晶體管43的源極布線或漏極布線的導電層51。用作堤部(banks)的絕緣層59設置在相鄰的存儲器元件16之間。
在驅動器電路部分61中設置元件組52。在驅動器電路部分62中設置元件組53。元件組52和53具有多個晶體管。元件組52構成用于控制像素部分11工作的驅動器電路。元件組53構成用于控制存儲器單元部分12工作的驅動器電路。用于控制像素部分11工作的驅動器電路對應于例如移位寄存器、解碼器、緩沖器、采樣電路、鎖存器或類似器件。并且，用于控制存儲器單元部分12工作的驅動器電路對應于例如解碼器、讀出放大器、選擇器、緩沖器、讀出電路、寫入電路或類似器件。
在襯底25上設置密封材料54。襯底25和相對襯底29利用密封材料54相互貼緊。在襯底25上設置連接膜56，連接膜56通過各向異性導電層55連接到連接導電層57。將用于控制構成像素部分11、存儲器單元部分12和驅動器電路部分61和62的多個元件的操作的信號和電源電壓從外部通過連接膜56輸入。
將連接導電層57連接到導電層36。將導電層36連接到包括在元件組53中的晶體管的柵極或與包括在元件組53中的晶體管連接的源極布線或漏極布線。
在包括在發(fā)光元件15中的有機化合物層45和包括在存儲器元件16中的有機化合物層48利用相同材料形成的情況下，優(yōu)選將外殼設置成通過肉眼不能識別存儲器單元部分12，從而不能通過肉眼識別存儲器元件16的光發(fā)射。這在采用本發(fā)明的顯示器件作為電子設備的情況下是有效的。
作為選擇，包括在發(fā)光元件15中的有機化合物層45和包括在存儲器元件16中的有機化合物層48可形成為彼此具有不同結構。這使存儲器元件16在施加有電壓時不發(fā)光。
此外，上述結構表示底部發(fā)射結構，在該結構中在發(fā)光元件15中產(chǎn)生的光朝向襯底25發(fā)出。然而，本發(fā)明不限于此結構。作為選擇，可采用頂部發(fā)射結構，在該結構中在發(fā)光元件15中產(chǎn)生的光朝相對襯底29發(fā)出。并且，通過采用具有透光性的材料形成第一和第二導電層44和46、或通過將第一和第二導電層形成為具有可透光的厚度，采用其中在發(fā)光元件15中產(chǎn)生的光朝襯底25和相對襯底29同時發(fā)出的雙發(fā)射結構。
參照圖5A-5C、圖6A和6B、圖7A至7C和圖8描述像素部分11具有有源矩陣類型、存儲器單元部分12具有無源矩陣類型的情況C。
在襯底25上設置像素部分11和存儲器單元部分12。在如圖5A所示的結構中，在襯底25上還設置了驅動器電路部分63。驅動器電路部分63包括多個晶體管，該晶體管控制像素部分11和存儲器單元部分12之一或兩者。如果不需要，可不提供驅動器電路部分63。
像素部分11包括多個像素13，存儲器單元部分12包括多個存儲器單元14(參見圖5B和5C)。如圖5B所示的像素部分11具有與圖3B所示的像素部分11相同的結構，并且如圖5C所示的存儲器單元部分12具有與如圖1C所示的存儲器單元部分12相同的結構。
接下來，參照圖6A和6B描述具有以上結構的顯示器件的橫截面結構。圖6A的橫截面圖的線A-B對應于圖5A的頂視圖的線A-B。此外，有以下兩種類型的橫截面結構一種情況將存儲器單元部分12和驅動器電路部分63設置在同一層上(參見圖6A)；另一種情況將存儲器單元部分12層疊在驅動器電路部分63上(參見圖6B)。
首先，描述前一種類型的橫截面結構(參見圖6A)。在像素部分11中，設置驅動晶體管42和發(fā)光元件15。像素部分11的橫截面結構與圖4A所示的像素部分11相同。在存儲器單元部分12中，設置存儲器元件16。存儲器單元部分12的橫截面結構與圖2B所示的存儲器單元部分12的結構相同。
上述結構的一個特點在于，在同一襯底25上設置具有有源矩陣類型的像素部分11和具有無源矩陣類型的存儲器單元部分12。它的另一特點在于，存儲器元件16的第一導電層20連接到用作包括在元件組60中的晶體管的源極布線或漏極布線的導電層64。
接著，描述后一種類型的橫截面結構(參見圖6B)。在像素部分11中，設置驅動晶體管42和發(fā)光元件15。圖6B所示的像素部分11的橫截面結構與圖4A和圖6A所示的像素部分11的橫截面結構相同。在存儲器單元部分12中，設置存儲器元件16。如圖6B所示的存儲器單元部分12的橫截面結構與圖2B和圖6A所示的存儲器單元部分12的橫截面結構相同。
上述結構的一個特點在于，在同一襯底25上設置具有有源矩陣類型的像素部分11和具有無源矩陣類型的存儲器單元部分12。它的另一特點在于，存儲器單元部分12層疊在驅動器電路部分63之上。
在襯底25上設置密封材料54，使得襯底25和相對襯底29利用密封材料54相互貼緊。并且，在襯底25上設置連接膜56，連接膜56通過各向異性導電層55連接到連接導電層57。將用于控制構成像素部分11、存儲器單元部分12和驅動器電路部分63的多個元件的操作的信號和電源電壓從外部通過連接膜56輸入。
將連接導電層57連接到導電層36。將導電層36連接到包括在元件組60中的晶體管的柵極或與包括在元件組60中的晶體管連接的源極布線或漏極布線。
接下來，參照圖7A-7C和圖8描述具有與上述結構不同結構的本發(fā)明的顯示器件。
在襯底25上設置像素部分11和存儲器單元部分12。在如圖7A所示的結構中，在襯底25上還設置了驅動器電路部分71和72。驅動器電路部分71和72包括多個晶體管，該晶體管控制像素部分11和存儲器單元部分12之一或兩者。如果不需要，可不提供驅動器電路部分71和72。
像素部分11包括多個像素13。存儲器單元部分12包括多個存儲器單元14。像素13分別包括用于控制圖像信號向像素13的輸入的開關晶體管73和液晶元件74。像素部分11還包括沿第一方向延伸的多條第一布線Sa(1≤a≤x，其中a和x是自然數(shù))和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線Gb(1≤b≤y，其中b和y是自然數(shù))。此外，存儲器單元部分12具有與圖1C所示的存儲器單元部分12相同的結構。
接下來，參照圖8描述具有上述結構的顯示器件的橫截面結構。圖8所示的橫截面圖的線A-B對應于圖7A的頂視圖的線A-B。
在像素部分11中，設置開關晶體管73、液晶元件74和電容器元件75。液晶元件74包括用作像素電極的第一導電層76、液晶層80和用作對電極的第二導電層78。在第一導電層76和液晶層80之間設置定向層77。并且，在第二導電層78和液晶層80之間設置定向層79。
在存儲器單元部分12中，設置存儲器元件16。在圖8中所示的存儲器元件12的橫截面結構對應于在圖2B、圖6A和6B所示的存儲器部分12的橫截面結構。
在驅動器電路部分61中設置元件組82。在驅動器電路部分72中設置元件組83。元件組82和83分別具有多個晶體管。元件組82構成用于控制像素部分11工作的驅動器電路，并且，元件組83構成用于控制存儲器單元部分12工作的驅動器電路。
在襯底25上設置密封材料54。襯底25和相對襯底29利用密封材料54相互貼緊。在襯底25上設置連接膜56，連接膜56通過各向異性導電層55連接到連接導電層57。將用于控制構成像素部分11、存儲器單元部分12和驅動器電路部分71和72的多個元件的操作的信號和電源電壓從外部通過連接膜56輸入。
圖8所示的襯底的一個特點在于，在同一襯底25上設置具有有源矩陣類型的像素部分11和具有無源矩陣類型的存儲器單元部分12。它的另一特點在于，在襯底25和相對襯底29之間設置液晶層80。
參照圖9A和9B以及圖10A和10B描述包括在本發(fā)明的顯示器件中的存儲器電路的工作方式。存儲器電路包括其中存儲單元14以矩陣形式設置的存儲器單元部分12、解碼器123和124、選擇器125和讀出/寫入電路126(參見圖9A)。
存儲器元件16分別包括用作第一布線Ba(1≤a≤m)的第一導電層127、用作第二布線Wb(1≤b≤n)的第二導電層128、以及在第一導電層127和第二導電層128之間設置的有機化合物層129(參見圖10A)。包括第一導電層127、有機化合物層129和第二導電層128的疊層體對應于一個存儲器元件16。在相鄰的有機化合物層129之間設置絕緣層133。
將用作第一布線Ba的第一導電層127設置成沿第一方向延伸，將用作字線Wb的第二導電層128設置成沿垂直于第一方向的第二方向延伸。也就是說，第一導電層127和第二導電層128以矩陣形式彼此交叉。
此外，有時根據(jù)有機化合物層129的結構、利用光效應將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件16中，將在下面描述。在此情況下，第一導電層127和第二導電層128之一或兩者需要具有透光性。采用透明導電材料如氧化銦錫(ITO)形成具有透光性的導電層。作為選擇，將除透明導電材料之外的材料形成為可透光的厚度。
圖9A所示的等效電路圖表示無源矩陣類型的情況。作為選擇，可采用有源矩陣類型，在此情況下，在如圖3C所示的各存儲單元14中設置存儲器元件16和開關晶體管43。
可采用現(xiàn)有材料形成第一導電層127和第二導電層128。第一導電層127或第二導電層128之一用作陽極，另一個用作陰極。
作為陽極材料，優(yōu)選采用具有大的功函數(shù)(作為優(yōu)選，4.0eV或更高)的金屬材料、合金材料和導電化合物材料。并且，優(yōu)選采用這些材料的混合物或類似物。具體而言，可采用氧化銦錫、含硅的氧化銦錫、含2-20％氧化鋅(ZnO)的氧化銦、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。
另一方面，作為陰極材料，優(yōu)選采用具有小的功函數(shù)(作為優(yōu)選，3.8eV或更低)的金屬材料、合金材料和導電化合物材料。并且，優(yōu)選采用這些材料的混合物或類似物。具體而言，可采用屬于元素周期表的1或2族的元素，即，堿金屬如鋰(Li)和銫(Cs)、堿土金屬如鎂(Mg)、鈣(Ca)和鍶(Sr)、包括堿金屬和堿土金屬的合金(例如，MgAg、AlLi等)、稀土金屬如銪(Er)和鐿(Yb)、包括稀土金屬的合金、或類似材料。并且，通過采用具有強電子注入性能的電子注入層，具有大功函數(shù)的材料即通常用于陽極的材料可用于形成陰極。例如，可利用導電無機金屬化合物如Al、Ag和ITO形成陰極。
可利用現(xiàn)有材料形成有機化合物層129?？刹捎玫头肿恿坎牧稀⒏叻肿恿坎牧?、單態(tài)材料和三態(tài)材料。并且，不僅可利用有機化合物材料形成有機化合物層129，而且可利用部分地含有無機化合物的有機材料形成有機化合物層129。此外，各有機化合物層129是通過任意地組合空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等而形成的。有機化合物層可包括單層或多層。作為選擇，有機化合物層可具有包括多層的混合結構，其中層間的界面是不清晰的。通過典型為噴墨法、蒸鍍或類似方法的液滴排放法形成有機化合物層129。通過采用液滴排放法，可提供這樣一種顯示器件提高了材料的利用率，并且由于簡化了制造工藝，因此縮減了制造時間和制造成本。
作為用于有機化合物層129的具體有機化合物材料，例如，可以采用具有優(yōu)異空穴傳輸性能的物質，例如，芳族胺(即，具有苯環(huán)氮鍵)化合物，例如4，4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-聯(lián)苯(縮寫α-NPD)，N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基苯(縮寫TPD)、4，4，4”-三(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(縮寫TDATA)、4，4’，4”-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基)-三苯胺(縮寫MTDATA)；酞菁化合物如酞菁(縮寫H2Pc)、銅酞菁(CuPc)和氧釩酞菁(縮寫VOPc)；或類似材料。
并且，可采用具有優(yōu)異的電子傳輸性能的材料作為有機化合物材料。例如，可采用包括具有喹啉骨架或苯喹啉骨架的金屬絡合物的材料，如三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫Alq3，即tris(8-quinolinolato)aluminum)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(縮寫Almq3，即tris(4-methyl-8-quinolinolato)aluminum)、雙(10-羥基苯并[h]-羥基喹啉)鈹(縮寫B(tài)eBq2，即bis(10-hydroxybenzo[h]-quinolinato)beryllium)以及雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚根-鋁(縮寫B(tài)Alq，即bis(2-methyl-8-quinolinolato-4-phenylphenolate-aluminum)；和具有噁唑(oxazole)配合體或噻唑配合體的金屬絡合物，如二[2-(羥基苯基)苯噁唑]鋅(縮寫Zn(BOX)2)和二[2-(羥基苯基)苯噻唑]鋅(縮寫Zn(BTZ)2)。此外，除了金屬絡合物之外，可采用以下化合物如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(oxadiazole)(縮寫PBD)、1，3-二[5-(p-叔-丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(oxadiazole)-2-yl]苯(縮寫OXD-7)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-三唑(縮寫TAZ)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1，2，4-三唑(縮寫p-EtTAZ)、紅菲咯啉(縮寫B(tài)Phen)和浴銅靈(縮寫B(tài)CP)。
此外，作為有機化合物材料，可采用4-(二氰亞甲基)-2-甲基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛里定-9-yl)乙烯基]-4H-吡喃(縮寫DCJT)、periflanthene、N，N’-二甲基喹吖啶酮(縮寫DMQd)、香豆素6、香豆素545T、9，9’-二蒽、9，10-二苯基蒽(縮寫DPA)、9，10-二(2-萘基)蒽(縮寫DNA)、2，5，8，11-四-t-丁基二萘嵌苯(縮寫TBP)等。并且，作為上述發(fā)光材料向其中分散的主材料，例如，可采用蒽的衍生物，如9，10-二(2-萘基)-2-叔丁基蒽(縮寫t-BuDNA)；咔唑衍生物，如4，4’-二(N-咔唑基)聯(lián)苯(縮寫CBP)；金屬絡合物，如二[2-(2-羥基苯基)吡啶]鋅(縮寫Znpp2)和二[2-(2’-羥基苯基)苯并噁唑]鋅(縮寫ZnBOX)；和類似材料。此外，可采用二(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(縮寫B(tài)Alq)和類似材料。
并且，可采用與金屬氧化物材料混合的上述有機化合物材料。作為金屬氧化物材料，例如，可采用氧化鉬、氧化鋅、氧化銦等。作為優(yōu)選，可采用與一種或多種的這些金屬氧化物材料混合的有機化合物材料。
此外，可利用通過光效應改變其性能的材料形成有機化合物層129。例如，可采用摻雜有通過吸收光而產(chǎn)生酸的化合物(即，光致酸產(chǎn)生劑)的共軛聚合物。作為共軛聚合物，可采用聚乙炔、聚亞苯基乙烯撐、聚噻吩、聚苯胺、聚亞苯基乙炔撐和類似材料。并且，作為光致酸產(chǎn)生劑，可采用芳基硫鹽、芳基碘鹽、鄰硝基芐基甲苯磺酸鹽、芳基磺酸對硝基芐酯、磺酰苯乙酮、Fe-丙二烯絡合物PF6鹽、和類似材料。
接下來，介紹在具有上述結構的存儲器電路中寫入數(shù)據(jù)的操作。此外，利用光效應或電效應在存儲器電路中寫入數(shù)據(jù)。
首先，介紹利用電效應在存儲器電路中寫入數(shù)據(jù)的情況(參見圖9A)。
在此情況下，通過解碼器123和124和選擇器125選擇一種存儲器單元14。此后，通過讀出/寫入電路126在選擇的存儲器單元14中寫入數(shù)據(jù)。具體而言，將所需電壓施加于包括在所選擇的存儲器單元14中的存儲器元件16中，使大量電流流過存儲器元件，以使包括在存儲器元件16中的一對導電層彼此短路。與其它存儲器元件16相比，該短路的存儲器元件16的電阻急劇下降。因此，利用通過添加電場而改變存儲器元件16的電阻的機理，將數(shù)據(jù)寫入存儲器電路中。例如，當在施加有電場之前具有數(shù)據(jù)“0”的一個存儲器元件16中寫入數(shù)據(jù)“1”時，電壓施加于該存儲器元件16，使大量電流從此流過，因此存儲器元件16短路。
并且，本發(fā)明不限于其中通過向存儲器元件16施加所需電壓并使存儲器元件短路的方式將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件中的方法。作為選擇，通過調整存儲器元件16的元件結構并控制施加于存儲器元件的電壓，從而將所需電壓施加于存儲器元件16以電隔離插在一對導電層之間的有機化合物層129。這使數(shù)據(jù)寫入存儲器單元中。在此情況下，與其它存儲器元件16相比，包括電隔離有機化合物層129的存儲器元件16的電阻急劇升高。因此，利用通過添加電場而改變存儲器元件16的電阻的機理，將數(shù)據(jù)寫入存儲器電路中。例如，當在施加有電場之前具有數(shù)據(jù)“0”的一個存儲器元件16中寫入數(shù)據(jù)“1”時，電壓施加于該存儲器元件16，使插在一對導電層之間的有機化合物層129電隔離。
接下來，介紹利用光效應在存儲器電路中寫入數(shù)據(jù)的情況(參見圖10B和10C)。在此情況下，利用激光照射裝置132從具有透光性的導電層(在此對應于第二導電層128)一側用激光照射有機化合物層129，從而在存儲器單元中寫入數(shù)據(jù)。具體而言，用激光照射包括在所選擇的存儲器元件16中的有機化合物層129，從而破壞有機化合物層129。被破壞的有機化合物層129電隔離，因此，與其它存儲器元件16相比，所選擇的存儲器元件16的電阻急劇升高。因此，利用通過激光照射而改變存儲器元件16的電阻的機理，將數(shù)據(jù)寫入存儲器電路中。例如，當在激光照射之前具有數(shù)據(jù)“0”的一個存儲器元件16中寫入數(shù)據(jù)“1”時，通過用激光照射存儲器元件以破壞有機化合物層129，從而升高存儲器元件16的電阻。
并且，本發(fā)明不限于其中通過用激光照射存儲器元件16以電隔離有機化合物層129的方式將數(shù)據(jù)寫入存儲器電路中的方法。作為選擇，可改變存儲器元件16的元件結構，可調節(jié)激光的強度，然后，用激光照射存儲器元件16以破壞有機化合物層129。通過破壞有機化合物層，該對導電層彼此短路，從而將數(shù)據(jù)寫入存儲器電路。在此情況下，與其它存儲器元件16相比，其中該對導電層彼此短路的存儲器元件16的電阻極低。通過利用由施加光效應而改變存儲器元件16的電阻的機理將數(shù)據(jù)寫入存儲器電路中。
同時，在將摻雜有由吸收光而產(chǎn)生酸的化合物(即，光致酸產(chǎn)生劑)的共軛聚合物用作有機化合物層129的情況下，當用激光照射有機化合物層129時，用激光照射的有機化合物層129的導電性升高，使得存儲器元件16的電阻下降。另一方面，沒有用激光照射的其它有機化合物層129不具有導電性，因此，具有該有機化合物層的存儲器元件16的電阻不變。在此情況下，通過利用由激光照射所選擇的有機化合物層129而改變存儲器元件16的電阻的機理，將數(shù)據(jù)寫入存儲器電路中。例如，當在激光照射之前具有數(shù)據(jù)“0”的一個存儲器元件16中寫入數(shù)據(jù)“1”時，通過用激光照射存儲器元件16的有機化合物層129，從而增加有機化合物層129的導電性。
接著，介紹讀出數(shù)據(jù)的操作(參見圖9A和9B)。這里，讀出/寫入電路126包括電阻元件146和讀出放大器147。此外，讀出/寫入電路126可包括任何結構，而不限于以上結構。
通過將電壓施加在第一導電層127和第二導電層128之間并讀出存儲器元件16的電阻，從而讀出數(shù)據(jù)。如上所述，例如，當通過施加電效應而將數(shù)據(jù)寫入存儲器電路中時，施加有電效應的存儲器元件16的電阻不同于沒有施加有電場的其它存儲器元件16的電阻。通過電力地讀出存儲器元件電阻中的差別，讀出數(shù)據(jù)。
類似地，在通過用激光照射有機化合物層129的方式將數(shù)據(jù)寫入存儲器電路中的情況下，通過電力地讀出在施加有光效應的存儲器元件16和沒有被施加光效應的存儲器元件16之間在電阻上的差別，從而讀出數(shù)據(jù)。
對于將摻雜有由吸收光而產(chǎn)生酸的化合物(即，光致酸產(chǎn)生劑)的共軛聚合物用作有機化合物層129的情況也是一樣的。通過電力地讀出在施加有光效應的存儲器元件16和沒有被施加光效應的其它存儲器元件之間在電阻上的差別，從而讀出數(shù)據(jù)。
例如，當讀出包括在存儲器單元部分12中的多個存儲器單元14之中的、位于第x列、第y行的一個存儲器單元14的數(shù)據(jù)時，通過解碼器123和124和選擇器125選擇在第x列的位線Bx和在第y行的字線Wy。因此，包括在所選擇的存儲器單元14中的存儲器元件16和電阻元件146串聯(lián)連接。在將電壓施加于串聯(lián)連接的存儲器元件16和電阻元件146的各端時，根據(jù)存儲器元件16的電阻，在節(jié)點α的電位變?yōu)榈陀谠陔娮柙?46的一端的電位。將節(jié)點α的電位提供給讀出放大器147。讀出放大器147確定電位是否具有關于“0”的信息或關于“1”的信息。此后，把在讀出放大器147中確定的、包括關于“0”的信息或關于“1”的信息的信號提供給外部。
根據(jù)上述方法，依靠通過利用在電阻上的差別的電壓量，讀出存儲器元件16的信息。作為選擇，可采用用于比較電流量的方法。具體而言，例如，該方法利用了由于在施加有電效應的存儲器元件16和沒被施加電效應的其它存儲器元件16之間在電阻上的差別引起的電流量的差別。通過以此方式電力地讀出在電流量上的差別，從而可讀出數(shù)據(jù)。
作為以上結構的結構差別，可在第一導電層127和有機化合物層129之間設置整流元件。作為整流元件，可采用柵極和漏極相互連接的二極管或晶體管。作為二極管，可采用包括PN結的二極管、包括PIN結的二極管或電子雪崩二極管。
由于以這種方式提供整流元件從而使電流僅沿一個方向流動，因此減少了錯誤，由此擴大了讀取范圍。
發(fā)光元件的特性在于，根據(jù)室溫改變電阻。具體而言，在將室溫設定為正常溫度的情況下，當發(fā)光元件的溫度變?yōu)楦哂谑覝貢r，電阻下降，而當發(fā)光元件的溫度低于室溫時，電阻升高。當升高發(fā)光元件的溫度時，增大電流量以獲得高于所需的亮度值的亮度。當發(fā)光元件的溫度低于室溫時，減小電流量以獲得低于預定亮度值的亮度。此外，發(fā)光元件的特性在于，電阻也隨時間變化。具體而言，電阻隨時間升高。因此，電流量隨時間減小，使得亮度低于所需的亮度值。因此，將參照圖11A-11C介紹利用包括在本發(fā)明的顯示器件中的存儲器電路、利用室溫或時間流逝修正發(fā)光元件中的特性變化的方法。
在襯底25上設置像素部分11和存儲器單元部分12。在襯底25的外側設置時間檢測電路93、修正電路94、溫度檢測電路95和電源電路96(參見圖11)。在襯底25上設置的元件通過連接膜31電連接到時間檢測電路93、修正電路94、溫度檢測電路95和電源電路96。此外，如果需要，可在襯底25上設置構成時間檢測電路93、修正電路94、溫度檢測電路95和電源電路96的元件。
存儲器電路包括設置在存儲器單元部分12中的多個元件。在存儲器電路中存儲有關發(fā)光元件的電流-電壓特性的數(shù)據(jù)。具體而言，在存儲器電路中存儲發(fā)光元件的電流-電壓特性的溫度變化特性(參見圖11B)和電流-電壓特性的時間特性(參見圖11C)。
時間檢測電路93檢測發(fā)光元件的發(fā)光時間。時間檢測電路可通過檢測向像素部分11提供功率的時間的方式或通過對在像素部分11內(nèi)的像素中輸入的圖像信號進行取樣的方式檢測發(fā)光時間。
溫度檢測電路95檢測溫度。溫度檢測電路包括可商用溫度檢測器、用于溫度監(jiān)測器的發(fā)光元件等元件。此外，用于溫度監(jiān)測器的發(fā)光元件是通過以下方式檢測溫度的元件在使恒定電流流過兩電極之間的同時檢測由于溫度變化引起的發(fā)光元件的電阻的變化。
電源電路96將電能提供給包括在襯底25上的像素部分11和存儲器元件部分12中的各元件。
修正電路94對輸入到像素部分11內(nèi)的像素中的圖像信號和供應到像素部分11的電源電壓之一或兩者進行修正，從而修正在發(fā)光元件特性上的變化。下面具體描述修正電路94的工作方式。
將有關耗用時間的信息和有關溫度的信息之一或兩者從時間檢測電路93和溫度檢測電路95之一或兩者提供給修正電路94。然后，修正電路94將從時間檢測電路93和溫度檢測電路95之一或兩者提供的信息與在存儲器電路中存儲的發(fā)光元件的溫度改變特性或溫度特性進行比較，對圖像信號和電源電位之一或兩者進行修正，以修正發(fā)光元件的特性變化。
具體而言，例如，當從溫度檢測器95獲取了有關溫度高于室溫的信息時，根據(jù)在存儲器電路中存儲的發(fā)光元件的溫度特性進行對減小圖像信號(的)灰度級數(shù)的修正和對降低電源電位的修正之一或兩者，從而獲得所需亮度。
并且，當從溫度檢測電路95獲得了有關溫度低于室溫的信息時，根據(jù)在存儲器電路中存儲的發(fā)光元件的溫度變化特性進行對增加圖像信號(的)灰度級數(shù)的操作和對增加電源電位的操作之一或兩者，從而獲得所需亮度。
而且，當通過將由溫度檢測電路93獲得的發(fā)光時間的信息與在存儲器電路中存儲的溫度變化特性進行比較從而發(fā)現(xiàn)發(fā)光元件隨時間的變化幅度增大時，執(zhí)行用于增加圖像信號的灰度級數(shù)的操作和用于增加電源電位的操作之一或兩者，從而獲得所需亮度。
由于對在像素部分11中設置的所有像素進行修正電源電位的操作，因此優(yōu)選根據(jù)在特性變化上具有最小幅度的一個發(fā)光元件修正電源電壓，優(yōu)選將修正后的圖像信號供應至除了在特性變化上具有最小幅度的一個發(fā)光元件之外的其它發(fā)光元件。
多個像素13設置于在本發(fā)明的顯示器件中包括的像素部分11中。對于像素13的電路結構，以上描述了在各像素中設置兩個晶體管的情況(參見圖3B和圖5B)。在此實施例中，參照圖12A和12B描述與上述結構不同的另一種像素13的電路結構。
介紹在各像素13中設置三個晶體管的情況(參見圖12A)。在此情況下，在各像素13中設置用于控制視頻信號向像素13的輸入的開關晶體管41、用于控制流過發(fā)光元件15的電流量的驅動晶體管42和用于強行停止發(fā)光元件15的光發(fā)射的擦除晶體管(erasingtransistor)84。在像素部分11中，設置源極線Sa、電源線Va、柵極線Gb和復位線Rb。根據(jù)此結構，可以強行制造電流不流過發(fā)光元件15的情況。因此，發(fā)光階段能夠在信號寫入所有像素之前、在寫入階段開始的同時開始或者緊隨其后。結果，可提高能率比，更好地顯示移動圖像。
接下來，介紹在各像素13中設置四個晶體管的情況(參見圖12B)。在此情況下，在各像素13中設置用于控制視頻信號相對于像素13的輸入的開關晶體管41、用于強行停止發(fā)光元件15的光發(fā)射的擦除晶體管(erasing transistor)84、用于確定流過發(fā)光元件15的電流量的驅動晶體管85和用于控制電流相對于發(fā)光元件15的供應的電流控制晶體管。在像素部分11中，同樣設置源極線Sa、電源線Va、電源線Pa、柵極線Gb和復位線Rb。
根據(jù)這種結構，將驅動晶體管85的柵極電位維持在恒定值以流過恒定電流，同時驅動晶體管85在飽和區(qū)中工作。另一方面，電流控制晶體管86在線性區(qū)中工作。在線性區(qū)中操作的電流控制晶體管86的源極和漏極之間的電壓量小。因此，在電流控制晶體管86的柵極和源極之間的電壓的輕微變化沒有嚴重影響流過發(fā)光元件15的電流量。由在飽和區(qū)中工作的驅動晶體管85確定流過發(fā)光晶體管15的電流量。因此，可改善由于晶體管的特性變化引起的發(fā)光元件15的亮度波動，從而可提高圖像質量。
此外，可在以上結構中設置用于維持在驅動晶體管42和電流控制晶體管86的柵極和源極之間的電壓的電容器元件。該電容器元件保持輸入像素13中的視頻信號。并且，當視頻信號保持在寄生電容器或柵極電容器中時，可不設置電容器元件。
參照圖13描述本發(fā)明的顯示器件的一個實施例。顯示器件包括數(shù)據(jù)存儲塊、顯示塊、圖像處理塊和控制塊。所有塊設置在襯底100上。數(shù)據(jù)存儲塊包括用于編程的存儲器電路101、用于工作區(qū)的存儲器電路102、用于音頻數(shù)據(jù)的存儲器電路103、用于線緩沖器的存儲器電路104a和104b、用于范圍內(nèi)(in-range)的存儲器電路105、用于調色的存儲器電路106、存儲器控制器107、解碼器/電阻器108、控制器109、用于音頻數(shù)據(jù)的DA轉換器電路和操作放大器電路110、存儲器的參考功率產(chǎn)生電路111和灰度級電源112。顯示塊包括像素部分113和驅動器電路部分114和115。圖像處理塊包括圖像處理電路116。控制塊包括CPU(中央處理單元)117。
如上所述，除了顯示塊之外還具有數(shù)據(jù)存儲塊、圖像處理塊和控制塊的顯示器件能夠減少所連接的IC的數(shù)量。結果，可實現(xiàn)小、薄、輕的顯示器件。并且，在其中顯示塊、圖像處理塊和控制塊相互鄰接的本發(fā)明的顯示器件中，根據(jù)數(shù)據(jù)流設置這些塊，這使得精確地進行操作。
本發(fā)明的一個特點在于，包括存儲器元件的存儲器電路分別用作存儲器電路101-106，所述存儲器元件各具有將有機化合物層夾在一對導電層之間的結構。由于上述結構的存儲器元件類似于發(fā)光元件的結構，因此，可在不增加制造步驟數(shù)量的情況下制造這些存儲器元件。此外，由于存儲器元件的結構簡單，它們可被容易地制造，因此，可提供廉價的顯示器件。并且，由于可容易地縮小存儲器單元的面積，存儲器單元可高度地集成，由此提供了具有高容量存儲器電路的顯示器件。并且，本發(fā)明的顯示器件的另一特點在于，在同一襯底上設置了用于顯示圖像的多個像素和存儲器電路。根據(jù)這一特點，可減少連接到外部的IC芯片的數(shù)量，可以提供小、薄、輕的顯示器件。本實施例可自由地與以上實施方式組合。
參照圖14和圖15A-15F描述采用根據(jù)本發(fā)明的的顯示器件的電子設備的例子。圖14表示便攜式手機，包括外殼2700和2706、面板2701、殼體2702、印刷線路板2703、操作按鈕2704和電池2705。面板2701包括像素部分11和存儲器單元部分12。面板2701裝在殼體2702中并可自由分離。殼體2702牢固地連接到印刷線路板2703。殼體2702的形狀和尺寸可根據(jù)內(nèi)嵌有面板2701的電子設備任意地改變。在印刷線路板2703上安裝被封裝的多個半導體器件(也稱作IC芯片)。在印刷線路板2703上安裝的多個半導體器件具有控制器、中央處理單元(CPU)、存儲器、電源電路、圖像處理電路、音頻處理電路、發(fā)送/接收電路、時間檢測電路、修正電路、溫度檢測電路等的任意功能。
將面板2701與印刷線路板2703結合，同時將連接膜2708夾在它們之間。將面板2701、殼體2702和印刷電路板2703與操作按鈕2704和電池2705一起裝在外殼2700和2706的內(nèi)部。對包括在面板2701中的像素部分11進行設置使得像素部分11可通過外殼2700的開口窗2700由肉眼識別。
并且，外殼2700和2706表示為便攜式手機的外觀的例子。根據(jù)本實施例的電子設備可根據(jù)其性能和意圖改變成各種形式。因此，下面參照圖15A-15F描述電子設備的例子。
圖15A所示的便攜式電話包括像素部分9102等。根據(jù)其中將像素部分9102和存儲器電路設置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕便攜式電話。為了攜帶便攜式電話，便攜式電話具有小外殼，因此，使外殼內(nèi)部空間受到限制。然而，盡管具有像素部分9102和存儲器電路的本發(fā)明的顯示器件具有多種功能，但是該顯示器件小且薄。因此，該顯示器件優(yōu)選用于形成便攜式電話。
圖15B所示的便攜式游戲機包括像素部分9801等。根據(jù)其中將像素部分9801和存儲器電路設置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕便攜式游戲機。為了攜帶便攜式游戲機，便攜式游戲機具有小外殼，因此，使外殼內(nèi)部空間受到限制。然而，盡管具有像素部分9801和存儲器電路的本發(fā)明的顯示器件具有多種功能，但是該顯示器件小且薄。因此，該顯示器件優(yōu)選用于形成便攜式游戲機。
圖15C所示的數(shù)碼相機包括像素部分9701和9702等。根據(jù)其中將像素部分9701和9702和存儲器電路設置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕的數(shù)碼相機。為了攜帶數(shù)碼相機，數(shù)碼相機具有小外殼，因此，使外殼內(nèi)部空間受到限制。然而，盡管具有像素部分2701和2702和存儲器電路的本發(fā)明的顯示器件具有多種功能，但是該顯示器件小且薄。因此，該顯示器件優(yōu)選用于形成數(shù)碼相機。
圖15D所示的便攜式信息終端包括像素部分9201等。根據(jù)其中將像素部分9201和存儲器電路設置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕的便攜式信息終端。為了攜帶便攜式信息終端，便攜式信息終端具有小外殼，因此，使外殼內(nèi)部空間受到限制。然而，盡管具有像素部分9201和存儲器電路的本發(fā)明的顯示器件具有多種功能，但是該顯示器件小且薄。因此，該顯示器件優(yōu)選用于形成便攜式信息終端。
圖15E所示的電視設備包括像素部分9301等。根據(jù)其中將像素部分9301和存儲器電路設置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕的電視設備。
圖15F所示的監(jiān)視設備包括像素部分9401等。根據(jù)其中將像素部分9401和存儲器電路設置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕的監(jiān)視設備。
如上所述，本發(fā)明可應用于各種電子設備，如電視設備(也稱作電視或電視接收機)、數(shù)碼相機、便攜式信息終端如便攜式電話(也稱作便攜式手機或手機)和PDA、便攜式游戲機、用于計算機的監(jiān)視設備(也稱作監(jiān)視器)、音頻再現(xiàn)設備如汽車音響、以及家用游戲機。本實施例可自由地與以上實施方式和實施例結合。
本實施例將描述試驗結果，其中，在襯底上形成存儲器元件，當利用電效應在存儲器元件中寫入數(shù)據(jù)時測量電流-電壓特性。通過依次層疊第一導電層、第一有機化合物層、第二有機化合物層和第二導電層，形成存儲器元件。第一導電層由氧化硅和氧化銦錫的復合物(compound)形成。第一有機化合物層由N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基苯(縮寫TPD)形成。第二有機化合物層由4，4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-聯(lián)苯(縮寫α-NPD)形成。第二導電層由鋁形成。此外，第一有機化合物層形成有10nm厚，而第二有機化合物層形成有50nm厚。
參照圖16描述在利用電效應將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之前和之后存儲器元件的電流-電壓特性的測試結果。在圖16中，橫軸表示電壓量，總軸表示電流量。曲線261表示在利用電效應將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之前存儲器元件的電流-電壓特性。曲線262表示在利用電效應將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之后存儲器元件的電流-電壓特性。根據(jù)圖16，在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之前和之后的電流-電壓特性明顯不同。例如，在施加電壓是1V的情況下，在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之前的電流量是4.8×10-5mA，而在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之后的電流量是1.1×102mA。因此，在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之后電流量增加了107倍。在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之前和之后存儲器元件的電阻改變。結果，通過根據(jù)電壓量或電流量讀出存儲器元件電阻的變化，存儲器元件可用作存儲器電路。
當采用上述存儲器元件作為存儲器電路時，每次讀出數(shù)據(jù)時將所需量的電壓(沒有導致短路的電壓量)施加于存儲器元件，讀出存儲器元件的電阻。因此，存儲器元件必須具有即使當反復進行讀出操作時或反復將所需量的電壓施加于存儲器元件時也沒有變化的電流-電壓特性。因此，參照圖17介紹在從存儲器元件讀出數(shù)據(jù)之后存儲器元件的電流-電壓特性的測試結果。此外，在此測試中，每次從存儲器元件中讀出數(shù)據(jù)，測量存儲器元件的電流-電壓特性。總計進行五次數(shù)據(jù)讀出操作，因此總計進行五次存儲器元件電流-電壓特性的測量。此外，采用通過利用電效應而將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件中而使其電阻改變的存儲器元件和電阻未改變的另一存儲器元件進行電流-電壓特性的這種測量。
在圖17中，橫軸表示電壓量，總軸表示電流量。曲線271表示通過由電效應而將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件的方式改變了其電阻的存儲器元件的電流-電壓特性。曲線272表示其電阻沒有變化的另一存儲器元件的電流-電壓特性。根據(jù)曲線271，電阻沒有變化的存儲器元件的電流-電壓特性表現(xiàn)出1V或更高的有利再現(xiàn)性。同樣，根據(jù)曲線272，電阻變化了的存儲器元件的電流-電壓特性表現(xiàn)出1V或更高的有利再現(xiàn)性。作為以上測試的結果，當數(shù)據(jù)讀出操作反復進行多次時電流-電壓特性沒有大的變化，由此獲得好的再現(xiàn)性。因此，上述存儲器元件可用作存儲器電路。
本發(fā)明將描述電流-電壓特性的測試結果，其中存儲器元件形成在襯底上，數(shù)據(jù)利用電效應寫入存儲器元件中，參照圖18A和18B、19A和19B和圖20A和20B。在圖18A和18B、19A和19B和圖20A和20B中，橫軸表示電壓量(V)，縱軸表示電流密度量(mA/cm2)。此外，在圖18A和18B、19A和19B和圖20A和20B中，由開圓標出的曲線表示在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之前存儲器元件的電流-電壓特性的測試結果，而由開方標出的曲線表示在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之后存儲器元件的電流-電壓特性的測試結果。此外，利用電效應在存儲器元件中寫入數(shù)據(jù)的操作對應于將電壓施加于要被短路的存儲器元件的操作。
在電流-電壓特性的測量中采用六件樣品(樣品1-6)。在水平面上六個樣品的尺寸是2mm×2mm。下面介紹六件樣品的層疊結構。
樣品1是通過依次層疊第一導電層、有機化合物層和第二導電層形成的元件。在樣品1中，第一導電層由含氧化硅的ITO形成，有機化合物層由TPD形成，第二導電層由鋁形成。有機化合物層形成為具有50nm的厚度。在圖18A中示出了樣品1的電流-電壓特性的測試結果。
樣品2是通過依次層疊第一導電層、有機化合物層和第二導電層形成的元件。在樣品2中，第一導電層由含氧化硅的ITO形成，有機化合物層由摻雜有2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰醌二甲烷(縮寫F4-TCNQ)的TPD形成，第二導電層由鋁形成。有機化合物層采用摻雜有0.01wt％的F4-TCNQ的TPD形成，厚度為50nm。在圖18B中示出了樣品2的電流電壓特性的測試結果。
樣品3是通過依次層疊第一導電層、第一有機化合物層、第二有機化合物層和第二導電層形成的元件。在樣品3中，第一導電層由含氧化硅的ITO形成，第一有機化合物層由TPD形成，第二有機化合物層由F4-TCNQ形成，第二導電層由鋁形成。此外，將第一有機化合物層的厚度設定為50nm，將第二有機化合物層的厚度設定為1nm。在圖19A中示出了樣品3的電流-電壓特性的測試結果。
樣品4是通過依次層疊第一導電層、第一有機化合物層、第二有機化合物層和第二導電層形成的元件。在樣品4中，第一導電層由含氧化硅的ITO形成，第一有機化合物層由F4-TCNQ形成，第二有機化合物層由TPD形成，第二導電層由鋁形成。此外，將第一有機化合物層的厚度設定為1nm，將第二有機化合物層的厚度設定為50nm。在圖19B中示出了樣品4的電流-電壓特性的測試結果。
樣品5是通過依次層疊第一導電層、第一有機化合物層、第二有機化合物層和第二導電層形成的元件。在樣品5中，第一導電層由含氧化硅的ITO形成，第一有機化合物層由摻雜有F4-TCNQ的TPD形成，第二有機化合物層由TPD形成，第二導電層由鋁形成。此外，第一有機化合物層采用摻雜有0.01wt％的F4-TCNQ的TPD形成，厚度為40nm。并且，將第二有機化合物層的厚度設定為40nm。在圖20A中示出了樣品5的電流-電壓特性的測試結果。
樣品6是通過依次層疊第一導電層、第一有機化合物層、第二有機化合物層和第二導電層形成的元件。在樣品6中，第一導電層由含氧化硅的ITO形成，第一有機化合物層由TPD形成，第二有機化合物層由摻雜有F4-TCNQ的TPD形成，第二導電層由鋁形成。此外，第一有機化合物層形成有40nm的厚度。第二有機化合物層采用摻雜有0.01wt％的F4-TCNQ的TPD形成，厚度為10nm。在圖20B中示出了樣品6的電流-電壓特性的測試結果。
根據(jù)圖18A和18B、19A和19B以及20A和20B的測試結果，可以看出在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之前(在存儲器元件短路前)和在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之后(在存儲器元件短路后)各存儲器元件的電流-電壓特性存在著明顯差別。
樣品1的寫入電壓(V)是8.4。樣品2的寫入電壓(V)是4.4。樣品3的寫入電壓(V)是3.2。樣品4的寫入電壓(V)是5.0。樣品5的寫入電壓(V)是6.1。樣品6的寫入電壓(V)是7.8。樣品1-6的寫入電壓具有可重復性，在各樣品的寫入電壓中的差別在0.1V以內(nèi)。
下面，介紹在樣品1-6中寫入數(shù)據(jù)之前和之后電流密度的變化。通過將在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之后施加有1V的一個存儲器元件的電流密度A除以在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之前施加有1V的存儲器元件的電流密度B，得到表示在電流密度中的變化的值R1(即，R1＝A÷B)。通過將在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之后施加有3V的一個存儲器元件的電流密度C除以在將數(shù)據(jù)寫入存儲器元件之前施加有3V的存儲器元件的電流密度D，得到表示在電流密度中的變化的值R2(即，R2＝C÷D)。
樣品1的R1是1.9×107，R2是8.4×103。樣品2的R1是8.0×108，R2是2.1×102。樣品3的R1是8.7×104，R2是2.0×102。樣品4的R1是3.7×104，R2是1.0×101。樣品5的R1是2.0×105，R2是5.9×101。樣品6的R1是2.0×104，R2是2.5×102。根據(jù)這些結果可知，當將1V施加于各存儲器元件時電流量的變化幅度是當將3V施加于各存儲器元件時的電流量的變化幅度的103倍或更高。
權利要求
1.一種顯示器件，包括在襯底上設置的、用于顯示圖像的多個像素；和在襯底上設置的、用于存儲數(shù)據(jù)的多個存儲器單元，其中所述多個像素各具有發(fā)光元件，其中所述多個存儲器單元各具有存儲器元件，并且其中發(fā)光元件和存儲器元件各包括第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸的第二導電層。
2.一種顯示器件，包括在襯底上設置的、用于顯示圖像的像素部分；和在襯底上設置的、用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元部分，其中像素部分具有多個像素，其中存儲器單元部分具有多個存儲器單元，其中所述多個像素各具有發(fā)光元件，其中所述多個存儲器單元各具有存儲器元件，其中像素部分和存儲器單元部分分別具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線，并且其中發(fā)光元件和存儲器元件各包括用作第一布線的第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸并用作第二布線的第二導電層。
3.一種顯示器件，包括在襯底上設置的、用于顯示圖像的像素部分，和在襯底上設置的、用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元部分，其中像素部分具有多個像素，其中存儲器單元部分具有多個存儲器單元，其中所述多個像素各具有發(fā)光元件和第一晶體管，其中所述多個存儲器單元各具有存儲器元件和第二晶體管，其中發(fā)光元件和存儲器元件各包括第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸的第二導電層，其中包括在發(fā)光元件中的第一導電層或第二導電層連接到第一晶體管的源區(qū)或漏區(qū)，并且其中包括在存儲器元件中的第一導電層或第二導電層連接到第二晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。
4.一種顯示器件，包括在襯底上設置的、用于顯示圖像的像素部分；和在襯底上設置的、用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元部分，其中像素部分具有多個像素，其中存儲器單元部分具有多個存儲器單元，其中所述多個像素各具有發(fā)光元件和晶體管，其中發(fā)光元件包括第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸的第二導電層，其中包括在發(fā)光元件中的第一導電層或第二導電層連接到第一晶體管的源區(qū)或漏區(qū)，其中存儲器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線，其中所述多個存儲器單元各具有存儲器元件，并且其中存儲器元件包括用作第一布線的第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸并用作第二布線的第二導電層。
5.一種顯示器件，包括在襯底上設置的、用于顯示圖像的像素部分；和在襯底上設置的、用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元部分，其中像素部分具有多個像素，其中存儲器單元部分具有多個存儲器單元，其中所述多個像素各具有液晶元件和晶體管，其中存儲器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線，其中所述多個存儲器單元各具有存儲器元件，并且其中存儲器元件包括用作第一布線的第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸并用作第二布線的第二導電層。
6.一種顯示器件，包括在襯底上設置的、用于顯示圖像的像素部分，和在襯底上設置的、用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元部分，在襯底上設置的、用于驅動像素部分和存儲器單元部分的驅動器電路部分，其中像素部分具有多個像素，其中存儲器單元部分具有多個存儲器單元，其中驅動器電路部分具有多個晶體管，其中所述多個像素各具有發(fā)光元件和晶體管，其中發(fā)光元件包括第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層和與有機化合物層接觸的第二導電層；其中包括在發(fā)光元件中的第一導電層或第二導電層連接到第一晶體管的源區(qū)或漏區(qū)，其中存儲器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線，其中所述多個存儲器單元各具有存儲器元件，其中存儲器元件包括用作第一布線的第一導電層、與第一導電層接觸的有機化合物層、以及與有機化合物層接觸并用作第二布線的第二導電層，并且其中將存儲器單元部分設置成與驅動器電路部分相重疊。
7.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中存儲器元件的導電性通過光效應而改變。
8.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中存儲器元件的導電性通過光效應而改變。
9.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中存儲器元件的導電性通過光效應而改變。
10.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中存儲器元件的導電性通過光效應而改變。
11.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中存儲器元件的導電性通過光效應而改變。
12.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中存儲器元件的導電性通過光效應而改變。
13.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過光效應而改變。
14.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過光效應而改變。
15.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過光效應而改變。
16.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過光效應而改變。
17.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過光效應而改變。
18.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過光效應而改變。
19.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過電效應而改變。
20.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過電效應而改變。
21.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過電效應而改變。
22.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過電效應而改變。
23.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過電效應而改變。
24.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中存儲器元件的電阻通過電效應而改變。
25.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中在存儲器元件的第一導電層和第二導電層之間的距離通過電效應而改變。
26.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中在存儲器元件的第一導電層和第二導電層之間的距離通過電效應而改變。
27.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中在存儲器元件的第一導電層和第二導電層之間的距離通過電效應而改變。
28.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中在存儲器元件的第一導電層和第二導電層之間的距離通過電效應而改變。
29.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中在存儲器元件的第一導電層和第二導電層之間的距離通過電效應而改變。
30.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中在存儲器元件的第一導電層和第二導電層之間的距離通過電效應而改變。
31.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中有機化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
32.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中有機化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
33.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中有機化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
34.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中有機化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
35.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中有機化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
36.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中有機化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
37.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中有機化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
38.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中有機化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
39.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中有機化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
40.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中有機化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
41.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中有機化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
42.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中有機化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
43.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中有機化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
44.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中有機化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
45.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中有機化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
46.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中有機化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
47.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中有機化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
48.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中有機化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
49.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中有機化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機化合物層的導電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
50.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中有機化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機化合物層的導電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
51.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中有機化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機化合物層的導電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
52.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中有機化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機化合物層的導電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
53.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中有機化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機化合物層的導電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
54.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中有機化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機化合物層的導電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
55.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是5-60nm。
56.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是5-60nm。
57.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是5-60nm。
58.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是5-60nm。
59.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是5-60nm。
60.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是5-60nm。
61.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是10-20nm。
62.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是10-20nm。
63.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是10-20nm。
64.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是10-20nm。
65.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是10-20nm。
66.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中有機化合物層的厚度是10-20nm。
67.根據(jù)權利要求1的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機化合物層和包括在存儲器元件中的有機化合物層是利用不同材料形成的。
68.根據(jù)權利要求2的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機化合物層和包括在存儲器元件中的有機化合物層是利用不同材料形成的。
69.根據(jù)權利要求3的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機化合物層和包括在存儲器元件中的有機化合物層是利用不同材料形成的。
70.根據(jù)權利要求4的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機化合物層和包括在存儲器元件中的有機化合物層是利用不同材料形成的。
71.根據(jù)權利要求5的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機化合物層和包括在存儲器元件中的有機化合物層是利用不同材料形成的。
72.根據(jù)權利要求6的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機化合物層和包括在存儲器元件中的有機化合物層是利用不同材料形成的。
73.一種電子設備，采用了權利要求1中所公開的顯示器件。
74.一種電子設備，采用了權利要求2中所公開的顯示器件。
75.一種電子設備，采用了權利要求3中所公開的顯示器件。
76.一種電子設備，采用了權利要求4中所公開的顯示器件。
77.一種電子設備，采用了權利要求5中所公開的顯示器件。
78.一種電子設備，采用了權利要求6中所公開的顯示器件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種包括非易失性存儲器電路的顯示器件和利用該顯示器件的電子設備，能夠在不增加制造步驟的數(shù)量的情況下將數(shù)據(jù)加入到該存儲器電路中。本發(fā)明的顯示器件具有存儲器電路，該存儲器電路包括具有簡單結構的存儲器元件，在該存儲器元件中將有機化合物層插入一對導電層之間。根據(jù)具有上述結構的本發(fā)明，可在不增加制造步驟的數(shù)量的情況下提供一種具有可加入數(shù)據(jù)的易失性存儲器電路的顯示器件。
文檔編號H01L27/32GK1767203SQ20051011609
公開日2006年5月3日 申請日期2005年10月28日 優(yōu)先權日2004年10月29日
發(fā)明者渡邊康子, 荒井康行, 安部寬子, 巖城裕司, 湯川干央, 山崎舜平 申請人:株式會社半導體能源研究所