專利名稱：非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器的制造方法，特別是涉及一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法。
背景技術(shù)：
在各種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器產(chǎn)品中，具有可進(jìn)行多次數(shù)據(jù)的存入、讀取、抹除等動(dòng)作，且存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會(huì)消失的優(yōu)點(diǎn)的可電抹除且可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，已成為個(gè)人計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備所廣泛采用的一種存儲(chǔ)器元件。
在美國專利第4939690號中提出一種快閃存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，以摻雜的多晶硅(polysilicon)制作浮置柵極(floating gate)與控制柵極(control gate)。而且，為了避免快閃存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)在抹除時(shí)，因過度抹除現(xiàn)象大過嚴(yán)重，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)的誤判的問題。而在控制柵極與浮置柵極側(cè)壁、基底上方另設(shè)一選擇柵極(selectgate)，而形成分離柵極(Split-gate)結(jié)構(gòu)。
此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，亦有采用一電荷儲(chǔ)存層取代多晶硅浮置柵極，此電荷儲(chǔ)存層的材料例如是氮化硅。這種氮化硅電荷儲(chǔ)存層上下通常各有一層氧化硅，而形成氧化硅/氮化硅/氧化硅(oxide-nitride-oxide，簡稱ONO)復(fù)合層。此種元件通稱為硅/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅(SONOS)元件，具有分離柵極結(jié)構(gòu)的SONOS元件也以經(jīng)被揭露出來，如美國專利第5930631號。
然而，上述具有分離柵極結(jié)構(gòu)的SONOS元件，由于設(shè)置分離柵極結(jié)構(gòu)需要較大的分離柵極區(qū)域而具有較大的存儲(chǔ)單元尺寸，因此其存儲(chǔ)單元尺寸較具有堆棧柵極的可電抹除且可編程只讀存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元尺寸大，而產(chǎn)生無法增加元件集成度的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的一目的為提供一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，可以提高存儲(chǔ)單元集成度。
本發(fā)明的再一目的為提供一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，可以提高存儲(chǔ)器儲(chǔ)存容量，且工藝簡單，可以降低成本。
本發(fā)明提出一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，首先提供一個(gè)基底，其至少可區(qū)分為存儲(chǔ)單元區(qū)及周邊電路區(qū)。接著，于存儲(chǔ)單元區(qū)的基底上形成多個(gè)第一存儲(chǔ)單元，且相鄰二個(gè)第一存儲(chǔ)單元之間具有間隙。接下來，于基底上形成第二復(fù)合層，其包括一層第二電荷儲(chǔ)存層。之后，于基底上形成第一導(dǎo)體層，以覆蓋這些第一存儲(chǔ)單元并填滿間隙。繼之，進(jìn)行一個(gè)移除步驟，以移除部分第一導(dǎo)體層及第二復(fù)合層，而于存儲(chǔ)單元區(qū)中形成填滿間隙的多個(gè)第二柵極，這些第二柵極與第二復(fù)合層形成多個(gè)第二存儲(chǔ)單元，且這些第二存儲(chǔ)單元與該些第一存儲(chǔ)單元構(gòu)成一第一存儲(chǔ)單元行。隨后，于周邊電路區(qū)的基底上形成柵介電層。接著，于基底上形成第二導(dǎo)體層，以覆蓋周邊電路區(qū)中的柵介電層，且覆蓋存儲(chǔ)單元區(qū)中的這些第一存儲(chǔ)單元行。然后，于第二導(dǎo)體層上形成介電層。接下來，圖案化介電層與第二導(dǎo)體層，以于周邊電路區(qū)形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)，并移除存儲(chǔ)單元區(qū)中的介電層與第二導(dǎo)體層。之后，于第一存儲(chǔ)單元行兩側(cè)的基底中各形成源極/漏極區(qū)。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，移除步驟包括以這些第一存儲(chǔ)單元為終止層進(jìn)行一個(gè)回蝕刻工藝。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，還包括于形成第二復(fù)合層之前，于第一存儲(chǔ)單元的側(cè)壁分別形成間隙壁。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法還包括于這些第一柵極結(jié)構(gòu)形成之后，于間隙壁形成之前，于各個(gè)第一存儲(chǔ)單元側(cè)壁上形成襯氧化層。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，襯氧化層的形成方法包括進(jìn)行一快速熱退火工藝。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法還包括于進(jìn)行移除步驟之后，于周邊電路區(qū)形成柵介電層之前，對周邊電路區(qū)的基底進(jìn)行一個(gè)清洗工藝。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，在清洗工藝中包括利用氫氟酸來進(jìn)行清洗。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，于基底中形成源極/漏極區(qū)的方法包括離子注入法。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法還包括形成第二存儲(chǔ)單元行。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，第一存儲(chǔ)單元行與第二存儲(chǔ)單元行之間的距離大于相鄰二個(gè)第一存儲(chǔ)單元之間的距離。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，源極/漏極區(qū)之一形成于第一存儲(chǔ)單元行與第二存儲(chǔ)單元行之間的基底中。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法在第一存儲(chǔ)單元行中，最外側(cè)的二個(gè)第一存儲(chǔ)單元的寬度大于其它第一存儲(chǔ)單元的寬度。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，各個(gè)第一存儲(chǔ)單元從基底起由下而上包括一層第一復(fù)合層、一第一柵極與一層頂蓋層，其中第一復(fù)合層包括一層第一電荷儲(chǔ)存層。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，各個(gè)第一柵極的材料包括摻雜多晶硅或多晶硅化金屬。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，第一電荷儲(chǔ)存層與第二電荷儲(chǔ)存層的材料包括氮化硅或摻雜多晶硅。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，頂蓋層包括氧化硅層、氮化硅層或是由氧化硅層與氮化硅層所組成的堆棧層。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，各個(gè)第一復(fù)合層與各第二復(fù)合層各自還包括底介電層及頂介電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，圖案化介電層的方法，包括各向異性蝕刻法。
依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，電荷儲(chǔ)存層的材料包括氮化硅或摻雜多晶硅。
在本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，由于采用于堆棧柵極結(jié)構(gòu)之間填入第二復(fù)合層及導(dǎo)體層，不需要光刻蝕刻工藝即可于堆棧柵極結(jié)構(gòu)之間制作出另一種柵極結(jié)構(gòu)，因此可形成高密度的存儲(chǔ)單元。另外，此工藝方法毋須利用光掩模即可定義出第二柵極的圖案，可簡化工藝并減少制造成本。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖1A～圖1G為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造流程剖面圖。
簡單符號說明100基底102存儲(chǔ)單元區(qū)104周邊電路區(qū)106、125存儲(chǔ)單元108、120復(fù)合層108a、120a介電層108b、120b電荷儲(chǔ)存層108c、120c頂介電層110、124柵極114頂蓋層114a氧化硅層114b氮化硅層116間隙壁118襯氧化層122、134導(dǎo)體層126、128存儲(chǔ)單元行130柵介電層132氧化層136介電層138柵極結(jié)構(gòu)140、142圖案化光致抗蝕劑層144源極區(qū)146漏極區(qū)具體實(shí)施方式
圖1A～圖1F為依照本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造流程剖面圖。首先，請參照圖1A，提供一基底100，基底100例如是硅基底，在此基底100上至少可區(qū)分為存儲(chǔ)單元區(qū)102及周邊電路區(qū)104。接著，在存儲(chǔ)單元區(qū)102的基底100上形成多個(gè)存儲(chǔ)單元106。而存儲(chǔ)單元106是由復(fù)合層108、柵極110、頂蓋層114所構(gòu)成。存儲(chǔ)單元106的形成方法例如是依序于基底100上形成復(fù)合介電材料層、導(dǎo)體層、絕緣材料層后，于存儲(chǔ)單元區(qū)102上形成一圖案化光致抗蝕劑層(未繪示)，再進(jìn)行一個(gè)蝕刻工藝以圖案化存儲(chǔ)單元區(qū)102中的上述材料層，同時(shí)移除周邊電路區(qū)104中的上述材料層，再移除圖案化光致抗蝕劑層而形成之。
值得注意的是，在后續(xù)形成的各個(gè)存儲(chǔ)單元行中，最外側(cè)二個(gè)存儲(chǔ)單元106的寬度大于存儲(chǔ)單元行中其它的存儲(chǔ)單元106，可避免后續(xù)形成的源極/漏極區(qū)的摻雜范圍超過存儲(chǔ)單元行最外側(cè)的存儲(chǔ)單元106，而造成電性上的缺陷。
復(fù)合層108例如是由底介電層108a、電荷儲(chǔ)存層108b、頂介電層108c所構(gòu)成。底介電層10Sa的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法。電荷儲(chǔ)存層108b的材料例如是氮化硅或摻雜多晶硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。頂介電層108c的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。當(dāng)然，底介電層108a及頂介電層108c也可以是其它類似的材料。電荷儲(chǔ)存層108b的材料并不限于氮化硅或摻雜多晶硅，也可以是其它能夠使電荷陷入于其中的材料，例如鉭氧化層、鈦酸鍶層與鉿氧化層等。
柵極110的材料例如是摻雜的多晶硅，此柵極110的形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，進(jìn)行離子注入步驟以形成之。在另一實(shí)施例中，柵極110的材料可為多晶硅化金屬，例如是由一層摻雜多晶硅層與一層金屬硅化物層所組成，形成的方法例如是先形成摻雜多晶硅層之后，再進(jìn)行一個(gè)化學(xué)氣相沉積工藝而形成之。其中，金屬硅化物層的材料例如是硅化鎳或硅化鎢。
頂蓋層114可為氧化硅層、氮化硅層或是由氧化硅層與氮化硅層所組成的堆棧層。在本實(shí)施例中，頂蓋層114例如是由氧化硅層114a與氮化硅層114b所組成的堆棧層，而氮化硅層114b可作為硬掩模層使用。頂蓋層114的形成方法例如是先以四-乙基-鄰-硅酸酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate，TEOS)/臭氧(O3)為反應(yīng)氣體源，利用化學(xué)氣相沉積法而形成氧化硅層114a。接著，利用化學(xué)相沉積法于氧化硅層114a上形成氮化硅層114b。
接著，請參照圖1B，于各個(gè)存儲(chǔ)單元106的側(cè)壁形成間隙壁116。間隙壁116的形成方法例如是先形成一層絕緣材料層后，進(jìn)行各向異性蝕刻工藝，而只留下位于存儲(chǔ)單元106側(cè)壁的絕緣材料層。間隙壁116的材料例如是氮化硅。在另一實(shí)施例中，可于存儲(chǔ)單元106形成之后，于間隙壁形成之前進(jìn)行一個(gè)快速熱退火工藝，以于各個(gè)柵極110及金屬硅化物層112側(cè)壁上形成襯氧化層118。
然后，請參照圖1C，于基底100上形成復(fù)合層120。而復(fù)合層120例如是由底介電層120a、電荷儲(chǔ)存層120b、頂介電層120c所構(gòu)成。其中，各材料層的材料與形成方法大致上與復(fù)合層108相類似，故于此不再贅述。
之后，于基底100上形成導(dǎo)體層122，以覆蓋這些存儲(chǔ)單元106并填滿相鄰兩存儲(chǔ)單元106之間的間隙。而導(dǎo)體層122的材料例如是摻雜的多晶硅，此導(dǎo)體層122的形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，再進(jìn)行一個(gè)離子注入步驟形成之。
繼之，請參照圖1D，進(jìn)行一個(gè)移除步驟以移除周邊電路區(qū)104中的導(dǎo)體層122及復(fù)合層120，并移除存儲(chǔ)單元區(qū)102中的部分導(dǎo)體層120及復(fù)合層120，此一移除步驟例如是以頂蓋層114為蝕刻終止層，進(jìn)行一個(gè)回蝕刻工藝。藉此可以暴露出這些存儲(chǔ)單元106的上表面，并形成填滿間隙的多個(gè)柵極124。
在進(jìn)行上述移除步驟之后，所形成的柵極124與復(fù)合層120構(gòu)成多個(gè)存儲(chǔ)單元125。
值得注意的是，因?yàn)闁艠O124的形成方式將導(dǎo)體材料填入于存儲(chǔ)單元106之間的空隙中，再進(jìn)行一個(gè)回蝕刻工藝而形成之，所以毋須利用光掩模即可在導(dǎo)體層122定義出柵極124的圖案。如此一來，除了可簡化工藝之外，還可以減少制造成本。
上述存儲(chǔ)單元125與存儲(chǔ)單元106構(gòu)成多個(gè)存儲(chǔ)單元行。在本實(shí)施例中，僅以存儲(chǔ)單元行126、128作為說明。存儲(chǔ)單元行126、128之間的距離大于各存儲(chǔ)單元106間的距離，此一較大的間距有助于在后續(xù)內(nèi)連線工藝中插塞的形成。
隨后，于周邊電路區(qū)104的基底100上形成柵介電層130，同時(shí)可于存儲(chǔ)單元區(qū)102的存儲(chǔ)單元106上表面與柵極124上形成一層氧化層132。上述柵介電層130及氧化層132的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是熱氧化法。
在另一實(shí)施例中，可于周邊電路區(qū)104的基底100上形成柵介電層130之前，對周邊電路區(qū)104的基底100進(jìn)行一個(gè)清洗工藝，例如是利用氫氟酸(HF)來進(jìn)行清洗。如此一來，可使得于周邊電路區(qū)104的基底100上所形成的柵介電層130具有較高的品質(zhì)。
接著，請參照圖1E，于基底100上形成導(dǎo)體層134，以覆蓋周邊電路區(qū)104中的柵介電層130，且覆蓋存儲(chǔ)單元區(qū)102中的這些存儲(chǔ)單元106及這些柵極124。其中，導(dǎo)體層134的材料例如是摻雜的多晶硅，此導(dǎo)體層134的形成方法例如是利用化學(xué)氣相沉積法形成一層未摻雜多晶硅層后，進(jìn)行離子注入步驟以形成之。
然后，于導(dǎo)體層134上形成介電層136，其材料例如是氧化硅，其形成方法例如是先以四-乙基-鄰-硅酸酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate，TEOS)/臭氧(O3)為反應(yīng)氣體源，利用化學(xué)氣相沉積法而形成介電層136。
接下來，請參照圖1F，圖案化周邊電路區(qū)102中的介電層136與導(dǎo)體層134，以形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)138，并移除存儲(chǔ)單元區(qū)102中的介電層136與導(dǎo)體層134，上述圖案化步驟例如是先于介電層136上形成圖案化光致抗蝕劑層140，再以圖案化光致抗蝕劑層140為掩模，并以周邊電路區(qū)104中的柵介電層130及存儲(chǔ)單元區(qū)102中的氧化層132為蝕刻終止層，進(jìn)行一個(gè)各向異性蝕刻工藝。隨后，移除圖案化光致抗蝕劑層140。
然后，請參照圖1G，于基底100上形成一層圖案化光致抗蝕劑層142，暴露出后續(xù)欲形成源極區(qū)/漏極區(qū)的區(qū)域。接著，例如進(jìn)行一各向異性蝕刻工藝，以移除欲形成源極區(qū)/漏極區(qū)的區(qū)域上的氧化層132、柵極124及復(fù)合層108。
之后，以圖案化光致抗蝕劑層142為掩模，進(jìn)行一摻質(zhì)注入步驟，而于存儲(chǔ)單元行兩側(cè)的基底100中各形成源極區(qū)144與漏極區(qū)146。意即源極區(qū)144與漏極區(qū)146位于相鄰兩存儲(chǔ)單元行的基底100中。然后，移除圖案化光致抗蝕劑層142。后續(xù)完成非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知，在此不再贅述。
在上述實(shí)施例中，由于采用于存儲(chǔ)單元106之間形成復(fù)合層120與柵極124，不需要光刻蝕刻工藝即可于存儲(chǔ)單元106之間制作出另一種柵極結(jié)構(gòu)。因此可形成高密度的存儲(chǔ)單元。另外，此工藝方法較為簡單，且可以減少制造成本。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明所提出的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法為在存儲(chǔ)單元區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)之間形成另一種柵極結(jié)構(gòu)，可制造出高密度的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件。
2、依照本發(fā)明所提出的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，可將存儲(chǔ)單元區(qū)及周邊電路區(qū)的工藝進(jìn)行整合，可簡化非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造流程。
3、在本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法中，存儲(chǔ)單元行最外側(cè)二個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的寬度較寬，可避免源極/漏極區(qū)的摻雜范圍超過存儲(chǔ)單元行最外側(cè)的柵極結(jié)構(gòu)，減少電性缺陷的產(chǎn)生。
4、依照本發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法在存儲(chǔ)單元區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)之間所形成的另一種柵極結(jié)構(gòu)，毋須利用光掩模即可定義出柵極的圖案，可簡化工藝并減少制造成本。
5、依照本發(fā)明所提出的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法所形成的存儲(chǔ)單元行，在相鄰兩存儲(chǔ)單元行之間具有較大的間距，有助于在后續(xù)內(nèi)連線工藝中插塞的形成。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，包括提供一基底，其至少可區(qū)分為一存儲(chǔ)單元區(qū)及一周邊電路區(qū)；于該存儲(chǔ)單元區(qū)的該基底上形成多個(gè)第一存儲(chǔ)單元，且相鄰二個(gè)第一存儲(chǔ)單元之間具有一間隙；于該基底上形成一第二復(fù)合層，其包括一第二電荷儲(chǔ)存層；于該基底上形成一第一導(dǎo)體層，以覆蓋該些第一存儲(chǔ)單元并填滿該些間隙；進(jìn)行一移除步驟，以移除部分該第一導(dǎo)體層及該第二復(fù)合層，而于該存儲(chǔ)單元區(qū)中形成填滿該些間隙的多個(gè)第二柵極，該些第二柵極與該第二復(fù)合層形成多個(gè)第二存儲(chǔ)單元，且該些第二存儲(chǔ)單元與該些第一存儲(chǔ)單元構(gòu)成一第一存儲(chǔ)單元行；于該周邊電路區(qū)的該基底上形成一柵介電層；于該基底上形成一第二導(dǎo)體層，以覆蓋該周邊電路區(qū)中的該柵介電層，且覆蓋該存儲(chǔ)單元區(qū)中的該第一存儲(chǔ)單元行；于該第二導(dǎo)體層上形成一介電層；圖案化該介電層與該第二導(dǎo)體層，以于該周邊電路區(qū)形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)，并移除該存儲(chǔ)單元區(qū)中的該介電層與該第二導(dǎo)體層；以及于該第一存儲(chǔ)單元行兩側(cè)的該基底中各形成一源極/漏極區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該移除步驟包括以該些第一存儲(chǔ)單元為終止層進(jìn)行一回蝕刻工藝。
3.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，還包括于形成該第二復(fù)合層之前，于該些第一存儲(chǔ)單元的側(cè)壁分別形成一間隙壁。
4.如權(quán)利要求3所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，還包括于該些第一存儲(chǔ)單元形成之后，于該些間隙壁形成之前，于各該第一存儲(chǔ)單元側(cè)壁上形成一襯氧化層。
5.如權(quán)利要求4所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該襯氧化層的形成方法包括進(jìn)行一快速熱退火工藝。
6.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，還包括于進(jìn)行該移除步驟之后，于該周邊電路區(qū)形成該柵介電層之前，對該周邊電路區(qū)的該基底進(jìn)行一清洗工藝。
7.如權(quán)利要求6所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，在該清洗工藝中包括利用氫氟酸來進(jìn)行清洗。
8.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中于該基底中形成該源極/漏極區(qū)的方法包括離子注入法。
9.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，還包括形成一第二存儲(chǔ)單元行。
10.如權(quán)利要求9所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該第一存儲(chǔ)單元行與該第二存儲(chǔ)單元行之間的距離大于相鄰二個(gè)第一存儲(chǔ)單元之間的距離。
11.如權(quán)利要求9所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中，該源極/漏極區(qū)之一形成于該第一存儲(chǔ)單元行與該第二存儲(chǔ)單元行之間的該基底中。
12.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，在該第一存儲(chǔ)單元行中，最外側(cè)的二個(gè)第一存儲(chǔ)單元的寬度大于其它該些第一存儲(chǔ)單元的寬度。
13.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中各該第一存儲(chǔ)單元從該基底起由下而上包括一第一復(fù)合層、一第一柵極與一頂蓋層，其中該第一復(fù)合層包括一第一電荷儲(chǔ)存層。
14.如權(quán)利要求13所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中各該第一柵極的材料包括摻雜多晶硅或多晶硅化金屬。
15.如權(quán)利要求13所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該第一電荷儲(chǔ)存層與該第二電荷儲(chǔ)存層的材料包括氮化硅或摻雜多晶硅。
16.如權(quán)利要求13所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該頂蓋層包括氧化硅層、氮化硅層或是由氧化硅層與氮化硅層所組成的堆棧層。
17.如權(quán)利要求13所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中各該第一復(fù)合層與各該第二復(fù)合層各自還包括一底介電層及一頂介電層。
18.如權(quán)利要求17所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中該底介電層及該頂介電層的材料包括氧化硅。
19.如權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，其中圖案化該介電層的方法，包括各向異性蝕刻法。
全文摘要
一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的制造方法，在存儲(chǔ)單元區(qū)的基底上形成多個(gè)第一存儲(chǔ)單元，包括第一復(fù)合層、第一柵極與頂蓋層，且相鄰二個(gè)第一存儲(chǔ)單元之間具有一個(gè)間隙。然后，于這些間隙中的形成多個(gè)柵極，這些柵極與第二復(fù)合層構(gòu)成第二存儲(chǔ)單元，且這些第二存儲(chǔ)單元與這些第一存儲(chǔ)單元構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元行。在此一工藝中，同時(shí)形成周邊電路區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)。其中，這些間隙中的多個(gè)柵極與周邊電路區(qū)的柵極由不同導(dǎo)體層所形成。
文檔編號H01L21/8247GK1917179SQ20051009204
公開日2007年2月21日 申請日期2005年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月16日
發(fā)明者畢嘉慧, 魏鴻基, 曾維中 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司