專利名稱：金屬層間氧化物淀積方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路的制造工藝方法，特別是涉及一種金屬層間氧化物淀積方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的金屬層間氧化物淀積(IMD)一般分兩步(其剖面示意圖如圖1所示)首先進(jìn)行高密度等離子淀積(HDP)，該步驟中在氧化膜生長的同時又有等離子體轟擊，目的是讓氧化硅能在密集鋁線間填滿，不留下空隙。然后進(jìn)行等離子體增強(qiáng)四乙基硅酸鹽(PE-TEOS)淀積，該步驟是進(jìn)行主氧化膜生長。
兩步生長法在實(shí)施高密度等離子淀積時，由于等離子體轟擊可能造成鋁線側(cè)頂端的損傷，使鋁線頂層的氮化鈦/鈦(TiN/Ti)膜濺射在下底二氧化硅上，導(dǎo)致鋁線間可能存在漏電。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)間題是提供一種金屬層間氧化物淀積方法，通過改進(jìn)工藝達(dá)到有效降低實(shí)施高密度等離子淀積時對鋁線的損傷及漏電流。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明金屬層間氧化物淀積方法是，首先用化學(xué)氣相淀積生成一薄氧化層，然后進(jìn)行高密度等離子淀積，最后進(jìn)行等離子體增強(qiáng)四乙基硅酸鹽淀積。
所述的氧化層厚度≤200埃。
采用本發(fā)明的方法，由于在進(jìn)行高密度等離子淀積前，引入化學(xué)氣相淀積(CVD)生成一薄氧化層，阻隔等離子體對鋁線的轟擊損傷，所以可以顯著減小漏電流。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明圖1是現(xiàn)有的金屬層間氧化物淀積工藝示意圖；圖2是采用本發(fā)明的方法效果測試圖；圖3是本發(fā)明金屬層間氧化物淀積方法示意圖。
具體實(shí)施例方式
如圖3所示，本發(fā)明金屬層間氧化物淀積方法是，首先用化學(xué)氣相淀積生成一薄氧化層，然后進(jìn)行高密度等離子淀積，最后進(jìn)行等離子體增強(qiáng)四乙基硅酸鹽淀積。由于所述的薄氧化層是采用化學(xué)氣相淀積生成的，能沿金屬界面均勻地生長，所以可很好地覆蓋保護(hù)金屬線。
圖2是兩組對照漏電流實(shí)驗(yàn)測試數(shù)據(jù)，一組長有薄氧化層，另一組沒長薄氧化層。從圖中可以看出，增加一層薄氧化層，漏電流分布密集且均小于1E-9A，而沒有薄氧化層的一組漏電流分布離散，大部分大于1E-7A。所以增加薄氧化層可以顯著減小漏電流。
表1是現(xiàn)有的金屬層間氧化物淀積工藝與本發(fā)明金屬層間氧化物淀積方法局部工藝流程比較對照。從該表可以看出在更改后的本發(fā)明的方法流程中在第“n+5”步增加了薄氧化層淀積，
表1

進(jìn)行薄氧化層淀積的具體工藝參數(shù)如表2所示表2

權(quán)利要求
1.一種金屬層間氧化物淀積方法，其特征在于首先用化學(xué)氣相淀積生成一薄氧化層，然后進(jìn)行高密度等離子淀積，最后進(jìn)行等離子體增強(qiáng)四乙基硅酸鹽淀積。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬層間氧化物淀積方法，其特征在于所述的氧化層厚度≤200。
3.如權(quán)利要求1或2所述的金屬層間氧化物淀積方法，其特征在于進(jìn)行薄氧化層淀積的工藝參數(shù)如下步驟1，硅烷，步驟結(jié)束控制固定時間，淀積時間1S，終點(diǎn)選擇無，壓力伺服至5mT，頂部/側(cè)部射頻功率800/3400W，底部射頻功率0W，氣體140sccm，頂部氣體15sccm，氣體2100sccm，氣體341sccm，頂部氣體35sccm；步驟2，淀積，步驟結(jié)束控制固定時間，淀積時間3S，終點(diǎn)選擇無，壓力伺服至5mT，頂部/側(cè)部射頻功率800/3400W，底部射頻功率0W，氣體140sccm，頂部氣體15sccm，氣體2100sccm，氣體341sccm，頂部氣體33.5sccm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種金屬層間氧化物淀積方法，在進(jìn)行高密度等離子淀積前引入化學(xué)氣相淀積(CVD)生成一薄氧化層，阻隔等離子體對鋁線的轟擊損傷。本發(fā)明可有效減小IMD淀積時對鋁線的損傷及漏電流。
文檔編號H01L21/02GK1925114SQ200510029260
公開日2007年3月7日 申請日期2005年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月31日
發(fā)明者羅來青 申請人:上海華虹Nec電子有限公司