技術(shù)編號(hào)：6848542
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路的制造工藝方法，特別是涉及一種。背景技術(shù) 現(xiàn)有的金屬層間氧化物淀積(IMD)一般分兩步(其剖面示意圖如圖1所示)首先進(jìn)行高密度等離子淀積(HDP)，該步驟中在氧化膜生長(zhǎng)的同時(shí)又有等離子體轟擊，目的是讓氧化硅能在密集鋁線間填滿，不留下空隙。然后進(jìn)行等離子體增強(qiáng)四乙基硅酸鹽(PE-TEOS)淀積，該步驟是進(jìn)行主氧化膜生長(zhǎng)。兩步生長(zhǎng)法在實(shí)施高密度等離子淀積時(shí)，由于等離子體轟擊可能造成鋁線側(cè)頂端的損傷，使鋁線頂層的氮化鈦/鈦(TiN/T...
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