專利名稱：薄膜晶體管陣列面板及其制造方法和用于該面板的掩膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法和用于該面板的掩膜。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCDs)是目前最廣泛使用的平面顯示器之一。LCD包括具有產(chǎn)生電場(chǎng)電極的兩面和置于其間的液晶層。LCD通過(guò)向產(chǎn)生電場(chǎng)電極施加電壓以在液晶(LC)層中產(chǎn)生電場(chǎng)顯示圖像，其可確定液晶層中液晶分子的取向以調(diào)整入射光的偏振。
在包括可在相應(yīng)面板上產(chǎn)生電場(chǎng)電極的液晶顯示器中，其中一種液晶顯示器具有多個(gè)在一個(gè)面板上以矩陣形態(tài)排列的像素電極、和一個(gè)可覆蓋另一個(gè)面板全部表面的共同電極。這種液晶顯示器圖像的顯示是通過(guò)向相應(yīng)的像素電極施加不同電壓實(shí)現(xiàn)的。為此將用于控制施加到像素電極電壓的多個(gè)三端子元件TFT連接到相應(yīng)的像素電極上，再將傳送控制該TFT信號(hào)的多個(gè)柵極線和傳送施加到像素電極電壓的多個(gè)數(shù)據(jù)線設(shè)置在面板上。
這種用于液晶顯示器的面板具有包括多個(gè)導(dǎo)電層和多個(gè)絕緣層的層狀結(jié)構(gòu)。柵極線、數(shù)據(jù)線、和像素電極由不同導(dǎo)電層(下面分別稱“柵極導(dǎo)體”、“數(shù)據(jù)導(dǎo)體”、和“像素導(dǎo)體”)組成，優(yōu)選依次沉積且被絕緣層分開(kāi)。TFT包括三個(gè)電極由柵極導(dǎo)體形成的柵極、和由數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成的源極及漏極。源極和漏極之間通常通過(guò)位于其下面的半導(dǎo)體連接，而漏極則通常通過(guò)絕緣層上的孔連接像素電極。
為了減少柵極線和數(shù)據(jù)線中的信號(hào)滯后，柵極導(dǎo)體及數(shù)據(jù)導(dǎo)體優(yōu)選由具有低電阻率的諸如鋁和鋁合金這類的鋁系金屬制成。為了施加電壓的電場(chǎng)形成和具有透光性，像素電極通常由諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)這類的透明導(dǎo)電材料制成。
同時(shí)，還存在鋁系列金屬與ITO或IZO接觸時(shí)鋁系列金屬腐蝕和接觸部分的接觸電阻增大的問(wèn)題。
如上所述，漏極和像素電極通過(guò)絕緣體上的接觸孔連接。這種連接通過(guò)如下步驟形成，首先在絕緣體上打孔以露出漏極的上部鋁系列金屬層，再通過(guò)全面蝕刻(blanket-etching)除去上部金屬層的露出部分以露出接觸性良好的下部層，最后在其上形成像素電極。但是，在鋁系列金屬層的全面蝕刻過(guò)程中常發(fā)生接觸孔的側(cè)壁下部的鋁系列金屬被過(guò)度蝕刻，在絕緣層上形成下切(undercut)。這種下切可能導(dǎo)致其后形成的像素電極在下切附近斷線或像素電極的側(cè)面在下切附近變脆弱，從而增加了像素電極和漏極之間的接觸電阻。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列面板，其包括形成于絕緣基板之上的柵極線、形成在所述柵極線之上的柵極絕緣層、形成在所述柵極絕緣層上部的半導(dǎo)體層、形成在所述絕緣層上部且一部分與所述半導(dǎo)體層相接的數(shù)據(jù)線、具有覆蓋所述數(shù)據(jù)線并部分露出所述數(shù)據(jù)線或所述柵極線邊界線的鈍化層、還有至少覆蓋通過(guò)所述第一接觸孔露出的所述柵極線或數(shù)據(jù)線末端部分的邊界且形成在所述鈍化層上部的接觸輔助副件。
所述柵極線或所述數(shù)據(jù)線可以由鉻或鉬或鉬合金組成的下部層和鋁或鋁合金組成上部層形成，優(yōu)先地，由IZO或ITO組成的所述接觸輔助副件與所述下部層接觸。
該薄膜晶體管陣列面板還可以包括與所述數(shù)據(jù)線相分離形成在所述柵極絕緣層上部且一部分與所述半導(dǎo)體層相接的漏極，還有形成在所述鈍化層上部、通過(guò)露出所述漏極的第二接觸孔與所述漏極連接的像素電極。
根據(jù)本發(fā)明提供一種曝光掩膜，其包括阻擋光的不透明區(qū)域，還有形成在不透明區(qū)域包含多個(gè)狹縫的狹縫光柵，狹縫基本上為直線形態(tài)，所述狹縫寬度及間距約在0.8-2.0μm范圍之內(nèi)。
所述狹縫可以具有凹陷部。
所述掩膜可以用于制造薄膜晶體管陣列面板，該面板具有多個(gè)布線相交叉的顯示區(qū)域和所述布線末端部分所處的周邊區(qū)域，所述狹縫包括位于顯示區(qū)域的第一狹縫和位于周邊區(qū)域的第二狹縫，所述第一狹縫和所述第二狹縫可以具有互不相同的寬度及間距。
所述狹縫包括位于所述顯示區(qū)域及所述周邊區(qū)域的第一狹縫和位于剩下區(qū)域的第二狹縫，第一狹縫和第二狹縫可以具有互不相同的寬度及間距。
根據(jù)本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列面板的制造方法，該方法包括在絕緣面板上形成柵極線階段；形成柵極絕緣層階段；形成半導(dǎo)體階段；形成包括數(shù)據(jù)線及漏極的數(shù)據(jù)導(dǎo)電層階段；形成具有接觸孔的鈍化層階段，該接觸孔露出漏極至少一部分及鄰接于漏極邊界線的柵極絕緣層部分；在鈍化層上部形成通過(guò)接觸孔與漏極連接的像素電極階段；用形成多個(gè)狹縫的掩膜制作布線圖案，半導(dǎo)體及鈍化層中至少一個(gè)具有直線形態(tài)且該狹縫具有約0.8-2.0μm范圍寬度及間距。
掩膜可以包括不能透過(guò)光的第一區(qū)域、狹縫所處的只透過(guò)一部分光的第二區(qū)域、光完全可以透過(guò)的第三區(qū)域。
在光學(xué)蝕刻工序中形成正性光致抗蝕劑，光致抗蝕劑包括數(shù)據(jù)線及漏極第一部分之上的第一部分、漏極第二部分之上的第二部分、柵極線末端部分之上的第三部分，光致抗蝕劑第二部分可以比光致抗蝕劑第一部分薄，光致抗蝕劑第三部分可以比光致抗蝕劑第二部分薄。
光致抗蝕劑還可以包括對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線末端部分且比第一部分厚度小的第四部分。
該制造方法還可以包括使用光致抗蝕劑進(jìn)行蝕刻，露出光致抗蝕劑的第二及第四部分下面的鈍化層和光致抗蝕劑的第三部分下面的柵極絕緣層的階段，還有除去鈍化層的露出部分和柵極絕緣層露出部分，形成的露出數(shù)據(jù)線末端部分及柵極線末端部分的接觸孔階段。
在掩膜中，分布在對(duì)應(yīng)光致抗蝕劑第二部分區(qū)域的狹縫和分布在對(duì)應(yīng)光致抗蝕劑第四部分區(qū)域的狹縫可以形成互不相同的間距及寬度。
半導(dǎo)體及鈍化層中至少一個(gè)用光學(xué)蝕刻工序形成的階段包括在柵極絕緣層上部沉積半導(dǎo)體層階段；在數(shù)據(jù)導(dǎo)電層上沉積絕緣層階段；在絕緣層上部形成光致抗蝕劑階段；用光致抗蝕劑進(jìn)行蝕刻露出光致抗蝕劑的第二及第四部分下面的鈍化層和光致抗蝕劑的第三部分下面的柵極絕緣層階段；除去鈍化層部分和柵極絕緣層露出部分形成的露出數(shù)據(jù)線末端部分及柵極線末端部分的接觸孔，并露出半導(dǎo)體層一部分的階段；還有除去半導(dǎo)體層露出部分并完成半導(dǎo)體階段。
半導(dǎo)體包括在相鄰的數(shù)據(jù)線之間相互分離的多個(gè)半導(dǎo)體部分。
薄膜晶體管陣列面板包括柵極線與數(shù)據(jù)線交叉的顯示區(qū)域和柵極線末端部分與數(shù)據(jù)線末端部分所處的周邊區(qū)域，狹縫由分布在與顯示區(qū)域和周邊區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域的狹縫和位于與顯示區(qū)域與周邊區(qū)域剩余部分對(duì)應(yīng)區(qū)域的狹縫組成，它們以互不相同的間距及寬度形成。
柵極線及數(shù)據(jù)導(dǎo)電層中至少一個(gè)包括由鉻或鉬或鉬合金組成的下部導(dǎo)電層和鋁或鋁合金組成的上部導(dǎo)電層。
漏極包括下部導(dǎo)電層和上部導(dǎo)電層，在像素電極形成階段之前還可以包括除去上部導(dǎo)電層階段。
在光學(xué)蝕刻工序中，整列狹縫光柵，使其中至少一個(gè)與漏極邊界線重疊。
在光學(xué)蝕刻工序中，與漏極邊界線重疊的狹縫光柵中至少一個(gè)可以具有凹陷的凹凸結(jié)構(gòu)。
在光學(xué)蝕刻工序中，整列狹縫光柵，使其中兩個(gè)以上位于漏極之外。


本發(fā)明將通過(guò)參考附圖詳細(xì)地描述其具體實(shí)施例而變得更加清楚，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于液晶顯示器基板的示意圖；
圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的示意性配置圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于液晶顯示器的典型薄膜晶體管陣列面板的配置圖；圖4是圖3所示的薄膜晶體管陣列面板沿著IV-IV’線的橫截圖；圖5A、圖6A、圖7A、及圖9A是如圖1-4所示的根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的制造方法的中間階段中的薄膜晶體管陣列面板的配置圖；圖5B、圖6B、圖7B、及圖9B分別是圖5A、圖6A、圖7A、及圖9A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著VB-VB′線、VIB-VIB′線、VIIB-VIIB′線、及IXB-IXB’線的橫截圖；圖8是圖7A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著VIIB-VIIB’線的橫截圖，是圖7B下一階段圖；圖10是顯示漏極和掩膜的狹縫之間的整列的圖；圖11及圖12是圖9A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著IXB-IVB，線的橫截圖，它是圖9B下一階段圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的配置圖；圖14及圖15分別是圖13所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XIV-XIV′線及XV-XV′線的橫截圖；圖16A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例制造圖13至圖15所示的薄膜晶體管陣列面板方法的第一階段中薄膜晶體管陣列面板配置圖；
圖16B及圖16C分別是圖16A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XVIB-XVIB′線及XVIC-XVIC′線的橫截圖；圖17A及圖17B分別是圖16A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XVIB-XVIB′線及XVIC-XVIC′線的橫截圖，它是圖16B及圖16C下一階段圖；圖18A是圖17A及圖17B下一階段的薄膜晶體管陣列面板配置圖；圖18B及圖18C分別是圖18A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XVIIIB-XVIIIB′線及XVIIIC-XVIIIC′線的橫截圖；圖19A、圖20A、圖21A和圖19B、圖20B、和圖21B分別是圖18A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XVIIIB-XVIIIB′線及XVIIIC-XVIIIC′線的橫截圖，它是按工序所示圖18B及圖18C下一階段；圖22A是圖21A及圖21B下一階段的薄膜晶體管陣列面板配置圖；圖22B及圖22C分別是圖22A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXIIB-XXIIB′線及XXIIC-XXIIC′線的橫截圖；圖23A、圖24A及圖25A和圖23B、圖24B及圖25B分別是圖22A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXIIB-XXIIB’線及XXIIC-XXIIC’線的橫截圖，它是圖22B及圖22C下一階段圖；圖26是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的配置圖；
圖27是圖26所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXVII-XXVII′線的橫截圖；圖28A、圖29A及圖30A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例制造圖27所示的薄膜晶體管陣列面板方法的中間階段中薄膜晶體管陣列面板的配置圖；圖28B、圖29B及圖30B分別是圖28A、圖29A及圖30A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXVIIIB-XXVIIIB′線、XXIXB-XXIXB′及XXIXB-XXIXB′線的橫截圖；圖31及圖32是圖30A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXXB-XXXB’線的橫截圖，它是圖30B下一階段圖；圖33是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的配置圖；以及圖34是圖33所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXXIV-XXXIV’線的橫截圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明現(xiàn)將參照附圖在下文中被說(shuō)明得更全面，其在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中示出。但是本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式，它不局限于在此說(shuō)明的具體實(shí)施例。
在附圖中，為了清楚起見(jiàn)夸大了各層的厚度及區(qū)域。在全篇說(shuō)明書(shū)中對(duì)相同元件附上相同的符號(hào)，應(yīng)當(dāng)理解的是當(dāng)提到層、膜、區(qū)域、或基板等元件在別的部分“之上”時(shí)，指其直接位于別的元件之上，或者也可能有別的元件介于其間。相反，當(dāng)某個(gè)元件被提到“直接”位于別的部分之上時(shí)，指并無(wú)別的元件介于其間。
現(xiàn)在參照附圖詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例的TFT陣列面板及其制造方法。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于液晶顯示器基板的示意圖。
如圖1所示，在一個(gè)絕緣基板上同時(shí)形成多個(gè)裝置區(qū)域。例如如圖1，一個(gè)玻璃基板100上形成4個(gè)裝置區(qū)域10、20、30、40，若形成的基板為薄膜晶體管陣列面板時(shí)，面板區(qū)域10、20、30、40包括由多個(gè)像素區(qū)域組成的顯示區(qū)域11、21、31、41和周邊區(qū)域12、22、32、42。顯示區(qū)域11、21、31、41上以矩陣形態(tài)重復(fù)分布TFT、布線及像素電極等，周邊區(qū)域12、22、32、42上分布與外部驅(qū)動(dòng)元件連接的因素即布線末端部分和其它靜電保護(hù)電路等。
形成這種液晶顯示器時(shí)，一般使用分檔曝光機(jī)。當(dāng)使用該曝光機(jī)時(shí)，把顯示區(qū)域11、21、31、41及周邊區(qū)域12、22、32、42分為多個(gè)曝光區(qū)域(在圖1用點(diǎn)線劃分的區(qū)域)，按區(qū)域用相同掩膜或不同的光掩膜對(duì)薄膜上涂布的感光膜進(jìn)行曝光，曝光后顯像全部基板形成光致抗蝕劑，之后蝕刻下部薄膜，從而形成特定薄膜光柵。重復(fù)形成這種薄膜光柵，最終完成用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的示意性配置圖。
如圖2所示，在用線1包圍的顯示區(qū)域里分布包括多個(gè)TFT3和分別與每個(gè)TFT3電連接的像素電極191相交叉的柵極線121及數(shù)據(jù)線171的布線。在顯示區(qū)域外圍周邊區(qū)域延長(zhǎng)分布柵極線121及數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)張部125、179，擴(kuò)張部125、179為了接收向柵極線121及數(shù)據(jù)線171傳送的信號(hào)與柵極及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路連接。并且，為了防止靜電的放電引起的元件破壞，分別布置了電連接?xùn)艠O線121及數(shù)據(jù)線171形成等電位的柵極短路棒124及數(shù)據(jù)短路棒174，通過(guò)短路棒連接部194電連接?xùn)艠O短路棒124及數(shù)據(jù)短路棒174。該短路棒124、174最終要從柵極線121及數(shù)據(jù)線171電分離，為了分離它們切斷基板時(shí)，切斷線為附圖標(biāo)記2。雖然未在圖里表示，但在短路棒連接部194和柵極短路棒124及數(shù)據(jù)短路棒174之間介入了絕緣層(未圖示)，該絕緣層上形成連接它們的接觸孔。并且TFT3和像素電極191也可以在其間放入絕緣層，這時(shí)也形成連接它們的接觸孔。
第一實(shí)施例首先，同時(shí)參照?qǐng)D3及圖4與圖1及圖2詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于液晶顯示器TFT的陣列面板。
圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的位于圖2所示的薄膜晶體管陣列面板顯示區(qū)域的TFT、位于像素電極及信號(hào)線部分和周邊區(qū)域的信號(hào)線擴(kuò)張部配置圖的例子，圖4是圖3所示的薄膜晶體管陣列面板沿著IV-IV’線的橫截圖。
在絕緣基板110之上形成傳送柵極信號(hào)的多條柵極線121和主要橫向延伸的柵極短路棒124。柵極線121主要橫向延伸，各柵極線121的一部分形成多個(gè)柵極123。并且，各柵極線121包括向下方突出的多個(gè)突起部分127、為了與別的層或外部裝置的連接擴(kuò)張其寬度的擴(kuò)張部125還有連接在擴(kuò)張部125和柵極短路棒124之間的延長(zhǎng)部126。柵極線121大部分位于顯示區(qū)域，但柵極線121的擴(kuò)張部125及延長(zhǎng)部126同柵極短路棒124一起位于周邊區(qū)域。
柵極短路棒124和柵極線121包括物理性質(zhì)不同的兩個(gè)層即下部層121p和其上的上部層121q。上部層121q為了延遲柵極信號(hào)或減少電壓下降由低阻抗金屬例如鋁或鋁合金等鋁系列金屬組成。與此不同，下部層121p由別的物質(zhì)特別是與ITO(indium tin oxide)及IZO(indium zinc oxide)有良好物理，化學(xué)，電接觸性的物質(zhì)如鉬、鉬合金(鉬-鎢合金)、鉻、鉭、鈦等組成。下部層121p和上部層121q組合的例為鉻/鋁-釹合金。在圖4中柵極123的下部層和上部層分別用符號(hào)123p、123q，突起部分127的下部層和上部層分別用符號(hào)127p、127q表示。但柵極線121的擴(kuò)張部125只包括下部層。
還有下部層121p和上部層121q的側(cè)面分別傾斜且其傾角為對(duì)基板110約成30-80°(degrees)。
在柵極線121及柵極短路棒124之上形成由氮化硅組成的柵極絕緣層140。
在絕緣層140上部形成由非晶硅(非晶硅簡(jiǎn)稱為a-Si)等物質(zhì)組成的多個(gè)線形半導(dǎo)體151。線形半導(dǎo)體主要縱向延伸，從中多個(gè)突起部分154向柵極123延伸。還有，線形半導(dǎo)體151在與柵極線121相遇的地點(diǎn)擴(kuò)大其寬度，覆蓋柵極線121的較大面積。
在半導(dǎo)體151上部形成由硅化物或n型雜質(zhì)高濃度擴(kuò)散的n+型氫化非晶硅類物質(zhì)組成的多個(gè)線形及島狀歐姆接觸副件161、165。線形接觸副件161具有多個(gè)突起部分163，此突起部分163和島狀接觸副件165成雙位于半導(dǎo)體151的突起部分154之上。
半導(dǎo)體151和歐姆接觸副件161、165的側(cè)面也傾斜，傾角為30-80°。
在阻抗接觸副件161、165及柵極絕緣層140之上分別形成多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極175、多個(gè)用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177及數(shù)據(jù)短路棒174。
數(shù)據(jù)線171主要縱向延伸，與柵極線121交叉并傳送數(shù)據(jù)電壓。各數(shù)據(jù)線171包括為了與別的層或外部裝置的連接擴(kuò)張其寬度的擴(kuò)張部179、連接在擴(kuò)張部179和數(shù)據(jù)短路棒174之間的延長(zhǎng)部176。數(shù)據(jù)線171大部分位于顯示區(qū)域，但數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)張部179及延長(zhǎng)部176同數(shù)據(jù)短路棒174一起位于周邊區(qū)域。
在各數(shù)據(jù)線171中向漏極175延伸的多個(gè)枝條形成源極173。一對(duì)源極173和漏極175相互分離，以柵極123為準(zhǔn)相互位于對(duì)面。柵極123、源極173及漏極175與半導(dǎo)體151的突起部分154一起形成TFT，TFT通道形成在源極173和漏極175之間的突起部分154上。
用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177與柵極線121的突起部分127相重疊，數(shù)據(jù)短路棒174主要橫向延伸。
數(shù)據(jù)短路棒174和數(shù)據(jù)線171、漏極175及用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177由鉬、鉬合金、鉻類組成的下部層171p、175p、177p和位于之上的鋁系列或銀系列金屬組成的上部層171q、175q、177q形成。但數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)張部179只包括下部層且除去漏極175及存儲(chǔ)電極177的上部層175q、177q一部分，露出了其下部層175p、177p的一部分。
數(shù)據(jù)短路棒174及數(shù)據(jù)線171、漏極175及用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177的下部層171p、175p、177p和上部層171q、175q、177q也像柵極線121一樣，其側(cè)面各自以約30-80°傾斜。
歐姆接觸副件161、165只在其下部的半導(dǎo)體151和其上部數(shù)據(jù)線171及漏極175之間存在，起降低接觸阻抗的作用。線形半導(dǎo)體151具有未被數(shù)據(jù)線171及漏極175阻擋的露出部分，其露出部分包括源極173和漏極175之間；在大部分地方線形半導(dǎo)體151的寬度比數(shù)據(jù)線171的寬度小，但如前面說(shuō)明，在與柵極線121相遇的部分其寬度變寬，使側(cè)面光滑防止數(shù)據(jù)線171的斷線。
數(shù)據(jù)短路棒174、數(shù)據(jù)線171、漏極175及用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177和露出的半導(dǎo)體151之上形成由平坦化特性良好且具有感光性的有機(jī)物、用等離子體化學(xué)汽相沉積法形成的a-Si:C:O、a-Si:O:F等電容常數(shù)為4.0以下的低電容率絕緣物質(zhì)或氮化硅類無(wú)機(jī)物組成的鈍化層180。
在鈍化層180上形成，分別露出漏極175下部層175p、用于儲(chǔ)能電容器導(dǎo)電體177下部層177p及數(shù)據(jù)線171擴(kuò)張部179的多個(gè)接觸孔185、187、189，形成與柵極絕緣層140一起露出柵極線121擴(kuò)張部125的多個(gè)接觸孔182。鈍化層180及/或柵極絕緣層140具有露出柵極短路棒124和數(shù)據(jù)短路棒174鄰接末端部分的多個(gè)接觸孔(未圖示)。
而且，在圖3及圖4中進(jìn)一步顯示接觸孔182、185、187、189露出下部層125、175p、177p、179邊緣邊界線一部分和柵極絕緣層140及基板110一部分的狀態(tài)。接觸孔182、185、187、189中不存在下切。
鈍化層180之上形成由ITO或IZO組成的多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助副件192、199及短路棒連接部194。
像素電極190通過(guò)接觸孔185、187分別與漏極175及用于儲(chǔ)能電容器導(dǎo)電體177物理、電連接，從漏極175接收數(shù)據(jù)電壓并向?qū)щ婓w177傳送數(shù)據(jù)電壓。
接收數(shù)據(jù)電壓的像素電極190與接收共同電壓的另一陣列面板(未圖示)的共同電極(未圖示)一起形成電場(chǎng)，以此從新排列兩極190、270之間液晶層(未圖示)的液晶分子。
而且，像素電極190和共同電極形成蓄電器(以下稱液晶蓄電器)，關(guān)TFT后也維持施加電壓，為了提高電壓維持能力，還可以設(shè)置與液晶蓄電器并聯(lián)的另一蓄電器，把它稱為“儲(chǔ)能電容器”。儲(chǔ)能電容器由像素電極190及其相鄰的柵極線121(稱前段柵極線)重疊形成，為了增加儲(chǔ)能電容器的靜電容量即儲(chǔ)能容量，設(shè)置擴(kuò)張柵極線121的突起部分127，以此擴(kuò)大重疊面積的同時(shí)把與像素電極190連接并與突起部分127重疊的用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177放在鈍化層180下面，使兩者間距離變小。
像素電極190和相鄰的柵極線121及數(shù)據(jù)線171重疊提高開(kāi)口率，但也可以不重疊。
接觸輔助副件192、193通過(guò)接觸孔182、189分別與柵極線擴(kuò)張部125及數(shù)據(jù)線擴(kuò)張部179連接。接觸輔助副件192、199補(bǔ)充柵極線121及數(shù)據(jù)線171各擴(kuò)張部125、179與外部裝置的接觸性，起到保護(hù)它們的作用，但并非必需，是否使用它們因人而異。
短路棒連接部194通過(guò)露出柵極短路棒124和數(shù)據(jù)短路棒174的接觸孔與它們連接。
如在前面說(shuō)明，在邊緣附近露出與ITO、IZO接觸性良好的柵極線121的擴(kuò)張部125、數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)張部179、漏極175及用于儲(chǔ)能電容器導(dǎo)電體177的下部層125、179、175p、177p，接觸孔182、185、187、189至少露出下部層125、175p、177p、179p的部分邊緣，因此由IZO組成的像素電極190及接觸輔助副件192、199與它們的下部層175p、177p、125、179以充分寬面積接觸，可以確保它們之間低接觸阻抗。而且，接觸孔185、187、189無(wú)下切，像素電極191和接觸輔助副件199通過(guò)接觸孔185、187、189與柵極絕緣層140相連接，因此像素電極191和接觸輔助副件199具有光滑側(cè)面。
根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，像素電極190材料使用透明的導(dǎo)電聚合物等，反射型液晶顯示器用不透明反射性金屬也無(wú)妨。這時(shí)，接觸輔助副件192、199由與像素電極190不同物質(zhì)組成，特別是可以由ITO及IZO組成。
第一實(shí)施例方法那么，參照?qǐng)D5A至圖12及圖3和圖4詳細(xì)說(shuō)明圖3及圖4所示的用于液晶顯示器薄膜晶體管陣列面板根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例制造的方法。
圖5A、圖6A、圖7A及圖9A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例制造圖3及圖4所示的薄膜晶體管陣列面板方法的中間階段中薄膜晶體管陣列面板配置圖。圖5B、圖6B、圖7B及圖9B分別是圖5A、圖6A、圖7A及圖9A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著VB-VB′線、VIB-VIB′線、VIIB-VIIB′線及IXB-IXB′線的橫截圖。而且圖8是圖7A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著VIIB-VIIB’的橫截圖，是圖7B下一階段圖。圖11及圖12是圖9A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著IXB-IVB’的橫截圖，是圖9B下一階段圖。最后圖10顯示漏極和掩膜狹縫的整列。
首先，在由透明玻璃類形成的絕緣基板110上用濺射類順次沉積兩層金屬層，即下部金屬層和上部金屬層。上部金屬層由Al-Nd合金等鋁系列金屬組成，優(yōu)先具有2,500左右的厚度。濺射標(biāo)尺應(yīng)包括2atm％的Na。
如圖5A及5B所示，對(duì)上部金屬層和下部金屬層順次制作布線圖案，形成包括多個(gè)柵極123和多個(gè)突起部分127的柵極線121和柵極短路棒124。
如圖6A及6B所示，連續(xù)沉積柵極絕緣層140、純性非晶硅層、雜質(zhì)非晶硅層三層膜，光學(xué)蝕刻雜質(zhì)非晶硅層和純性非晶硅層，形成分別包括多個(gè)線形雜質(zhì)半導(dǎo)體164及多個(gè)突起部分154的線形純性半導(dǎo)體151。柵極絕緣層140的材料優(yōu)先是氮化硅，優(yōu)先沉積溫度為250～500℃、厚度為約2,000至約5,000。
然后，用濺射類順次沉積兩層金屬層，即下部層和上部層。優(yōu)先的下部層由鉬、鉬合金、鉻組成且其厚度為500左右，上部層優(yōu)先具有2,500左右厚度，標(biāo)尺材料適合用鋁或包括2atomic％Nd的Al-Nd合金，濺射溫度優(yōu)先為150℃左右。
如圖7A及7B所示，對(duì)上部層用濕蝕刻、對(duì)下部層用干蝕刻順次制作布線圖案或?qū)蓪佣加脻裎g刻制作布線圖案形成分別包括多個(gè)源極173的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極175、多個(gè)用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177及數(shù)據(jù)短路棒174。下部層701為鉬或鉬合金時(shí)可以與上部層702相同的蝕刻條件制作布線圖案。
接著，除去未被柵極線171、漏極175、用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177及數(shù)據(jù)短路棒174覆蓋而露出的雜質(zhì)半導(dǎo)體164部分，形成分別包括多個(gè)突起部分163的多個(gè)線形歐姆接觸副件161和多個(gè)島狀歐姆接觸副件165的同時(shí)露出其下面的純性半導(dǎo)體151部分。為了穩(wěn)定露出的純性半導(dǎo)體151表面，優(yōu)先隨后進(jìn)行氧等離子體。
然后，如圖8所示，沉積鈍化層180，在其上面旋轉(zhuǎn)涂布感光層210。接著，如圖9B所示通過(guò)光掩膜300向感光層210照射光之后顯像。被顯像的感光層厚度因位置而異，在圖9B中感光層由厚度逐漸變小的第一至第三部分組成。位于區(qū)域A1的第一部分和位于數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)張部179與漏極175一部分之上區(qū)域C1(以下稱“數(shù)據(jù)接觸區(qū)域”)的第二部分別用附圖標(biāo)記212和214表示，位于柵極線121擴(kuò)張部125之上區(qū)域B1(以下稱“柵極接觸區(qū)域”)的第三部分符號(hào)未在圖里表示，這是因?yàn)榈谌糠值暮穸冉咏?，露出了其下面導(dǎo)鈍化層180的緣故。位于柵極線121擴(kuò)張部125之上的部分214可以具有與第三部分相同厚度。并且感光層第二部分214位于數(shù)據(jù)短路棒174的一部分之上，感光層第三部分或第二部分214可以位于柵極短路棒124的一部分之上。第一部分212和第二部分214的厚度比隨著后續(xù)工序中的條件而異。
像這樣，因位置使感光層具有不同厚度的方法可以有多種，如在曝光掩膜上不僅設(shè)置透明區(qū)域和遮光區(qū)域，還設(shè)置半透明區(qū)域就是其中之一。在半透明區(qū)域適合用狹縫光柵、直角光柵或透過(guò)率為中等或厚度為中等的薄膜。使用狹縫光柵時(shí)，優(yōu)先狹縫的寬度或狹縫的間距比用在光學(xué)蝕刻的曝光機(jī)的分辨率小。另一例為，使用回流可能的感光層。即用只有透明區(qū)域和遮光區(qū)域的傳統(tǒng)掩膜形成回流可能的感光層后進(jìn)行回流，使之向未殘留感光層區(qū)域流出，形成薄的部分。
參照?qǐng)D10，根據(jù)本發(fā)明的掩膜300具有形成感光層第二部分214的多個(gè)狹縫310。狹縫310幾乎為直線形態(tài)并具有凹陷部(或突起部分)。狹縫310幾乎相互平行延伸，向其寬度方向排列。優(yōu)先地，各狹縫的寬度約在0.8-2.0μm范圍，這是因?yàn)槿舄M縫光柵寬度為2.0μm以上時(shí)與透明區(qū)域一樣的緣故。具有這種狹縫光柵的掩膜容易用低價(jià)制造且具有均勻的再現(xiàn)性。
曝光掩膜300與基板110整列時(shí)，用于漏極175的狹縫310的長(zhǎng)度方向與漏極175一邊基本上平行，至少兩個(gè)狹縫310位于漏極175外面，使狹縫310中一個(gè)與漏極175的邊界線重疊，狹縫310凹陷部與漏極175邊緣重疊。另外部分，例如對(duì)用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177、擴(kuò)張部179及短路棒124、174的狹縫310也進(jìn)行類似的整列。優(yōu)先地這時(shí)，為顯示區(qū)域漏極175及用于儲(chǔ)能電容器導(dǎo)電體177的狹縫310和為周邊區(qū)域的擴(kuò)張部179及短路棒124、174的狹縫310的寬度及間距設(shè)置成互不相同。這種整列方法確保曝光掩膜的整列差別與感光層第二部分214的厚度差別，有利于均勻感光層第二部分214厚度，除此之外狹縫310和有關(guān)因素175、177、179之間整列方法可以有幾種。
若提供適當(dāng)?shù)墓に嚄l件，因存在感光層212、214的厚度差，所以可以選擇性地蝕刻下部層。因此通過(guò)一系列蝕刻階段形成多個(gè)接觸孔182、185、187、189。第二部分214可以位于所有接觸孔之上，在露出漏極175、用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177及數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)張部179的接觸孔185、187、189中防止柵極絕緣層140被蝕刻，以此防止接觸孔185、187、189的下切。
為了方便說(shuō)明，位于區(qū)域A1的部分稱為第一部分；位于數(shù)據(jù)接觸區(qū)域C 1的鈍化層180、漏極175、用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177、數(shù)據(jù)線171及柵極絕緣層140部分稱為第二部分；位于柵極接觸區(qū)域B1的鈍化層180、柵極絕緣層140及柵極線121部分稱為第三部分。
下面說(shuō)明形成此結(jié)構(gòu)的例子。
首先，如圖11所示，通過(guò)干蝕刻除去露在其他區(qū)域B1的鈍化層180的第三部分，對(duì)鈍化層180及感光層212、214基本上用相同蝕刻比進(jìn)行蝕刻。這是為了下一個(gè)蝕刻過(guò)程除去感光層第二部分214或?yàn)榱丝s小其厚度。若進(jìn)行干蝕刻，可能蝕刻?hào)艠O絕緣層140的第三部分和鈍化層180的第二部分上部，但使柵極絕緣層140的第三部分厚度比鈍化層180的第二部分厚度小，可使柵極絕緣層140的第二部分在下一階段不被除去，防止下切。接著，通過(guò)拋光工序，完全除去殘留在數(shù)據(jù)接觸區(qū)域C1的感光層第二部分214，在接觸部C1露出位于漏極175上部的鈍化層180第二部分。
如圖12所示，除去柵極絕緣層140的第三部分和鈍化層180的第二部分完成接觸孔183、185、187、189。這種除去用干蝕刻，對(duì)柵極絕緣層140和鈍化層180基本上用相同蝕刻比進(jìn)行蝕刻。
接著，除去柵極線121上部層125q第三部分和漏極175、用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177及數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)張部179上部層175q、177q、179q第二部分，露出其下面的下部層125p、175p、177p、179p。
最后，如圖1至圖4所示，用濺射沉積ITO或IZO，進(jìn)行光學(xué)蝕刻形成多個(gè)像素電極190和多個(gè)接觸輔助副件192、199和短路棒連接部194。這時(shí)，在漏極175、用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177及擴(kuò)張部125、179下部不發(fā)生下切，可以緩慢形成像素電極190及接觸輔助副件192、199的側(cè)面。并且，像素電極191和接觸輔助副件192、199在IZO或ITO層之間與具有低阻抗的柵極線121及數(shù)據(jù)線171的下部層125、179和漏極175及用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177下部層175p、177p相接，降低了接觸部的接觸阻抗。
這樣，根據(jù)本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板中柵極線121及數(shù)據(jù)線171不僅包括具有低電阻率的鋁或鋁合金，還可以使這些信號(hào)和像素電極190及接觸輔助副件192、199之間的接觸阻抗變得最小。而且接觸輔助副件192、199的側(cè)面變得光滑，因此提高了它們和外部驅(qū)動(dòng)電路芯片之間的接觸可靠性。
第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)參照?qǐng)D13至圖15詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板。
圖13是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于液晶顯示器薄膜晶體管陣列面板配置圖，圖14及圖15分別是圖13所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XIV-XIV′線及XV-XV′線的橫截圖。
為了方便省略了圖3所示的延長(zhǎng)部126、176。
如圖13至圖15所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板層狀結(jié)構(gòu)大概與圖3及圖4所示的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板層狀結(jié)構(gòu)相同。即，在基板110上形成包括多個(gè)柵極123的多條柵極線121，其上順次形成柵極絕緣層140、包括多個(gè)突起部分154的多個(gè)線形半導(dǎo)體151、分別包括多個(gè)突起部分163的多個(gè)線形歐姆接觸副件161及多個(gè)島狀歐姆接觸副件165。在歐姆接觸副件161、165及柵極絕緣層140上面形成包括多個(gè)源極153的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極175，其上形成鈍化層180。在鈍化層180及/或柵極絕緣層140形成多個(gè)接觸孔182、185、189，鈍化層180上形成多個(gè)像素電極190和多個(gè)接觸副件192、199。
但與圖3及圖4所示的薄膜晶體管陣列面板不同，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板柵極線121不具有突起部分而在柵極線121相同層設(shè)置與柵極線121電分離的多個(gè)存儲(chǔ)電極線131。存儲(chǔ)電極線131也像柵極線121一樣包括下部層131p和上部層131q。存儲(chǔ)電極線131從外部接收共同電壓之類的定額電壓。不設(shè)置圖3及圖4所示的用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177，而是延長(zhǎng)漏極175與存儲(chǔ)電極線131重疊形成儲(chǔ)能電容器。若像素電極190和柵極線121重疊產(chǎn)生的儲(chǔ)能容量充足時(shí)可以省略存儲(chǔ)電極線131和用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177。
而且，接觸孔182、189不全部露出柵極線121和數(shù)據(jù)線179擴(kuò)張部125、179而只露出它們的一部分，因此剩下上部層125q、179q的一部分。
若半導(dǎo)體151除了TFT所在的突起部分154，那么具有與數(shù)據(jù)線171、漏極175及其下部的歐姆接觸副件161、165基本上相同的平面形態(tài)。即，線形半導(dǎo)體151除了在數(shù)據(jù)線171及漏極175和其下部歐姆接觸副件161、165下面存在的部分外，還有位于源極173和漏極175之間未被它們阻擋而露出的部分。
第二實(shí)施例方法那么參照?qǐng)D16A至圖25B及圖13至圖15詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例制造具有圖13至圖15結(jié)構(gòu)的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的方法。
圖16A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例制造圖13至圖15所示的薄膜晶體管陣列面板方法的第一階段中薄膜晶體管陣列面板配置圖；圖16B及圖16C分別是圖16A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XVIB-XVIB′線及XVIC-XVIC′線的橫截圖；圖17A及圖17B分別是圖16A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XVIB-XVIB′線及XVIC-XVIC′線的橫截圖，是圖16B及圖16C下一階段圖；圖18A是圖17A及圖17B下一階段的薄膜晶體管陣列面板配置圖；圖18B及圖18C分別是圖18A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XVIIIB-XVIIIB′線及XVIIIC-XVIIIC′線的橫截圖；圖19A、圖20A、圖21A和圖19B、圖20B、圖21B分別是圖18A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XVIIIB-XVIIIB′線及XVIIIC-XVIIIC′線的橫截圖，是按工序所示圖18B及圖18C下一階段；圖22A是圖21A及圖21B下一階段的薄膜晶體管陣列面板配置圖；圖22B及圖22C分別是圖22A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXIIB-XXIIB′線及XXIIC-XXIIC′線的橫截圖；圖23A、圖24A，圖25A及圖23B，圖24B及圖25B分別是圖22A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXIIB-XXIIB，線及XXIIC-XXIIC’線的橫截圖，是圖22B及圖22C下一階段圖。
首先如圖16A至圖16C所示，在絕緣基板110上用光學(xué)蝕刻工程形成分別包含多個(gè)柵極123的多條柵極線121、多條存儲(chǔ)電極線131及柵極短路棒124。柵極線121和存儲(chǔ)電極線131與柵極短路棒124一起分別包括下部層121p、131p和上部層121q、131q。
如圖17A及17B所示，利用化學(xué)汽相沉積法分別以約1,500至5,000、約500至2,000、約300至600厚度連續(xù)沉積柵極絕緣層30、純性非晶硅層150、雜質(zhì)非晶硅層160。接著用濺射類方法連續(xù)沉積下部層170p和上部層170q，形成約1,500至約5,000厚度的導(dǎo)電體層170之后，在其上以1μm至2μm厚度涂布感光層310。
然后，通過(guò)光掩膜向感光層310照射光之后顯像。顯像的感光層厚度因位置而異，在圖18B及圖18C的感光層由厚度逐漸變小的第一至第三部分組成。位于區(qū)域A2(以下稱“布線區(qū)域”)第一部分和位于區(qū)域C2(以下稱“通道區(qū)域”)第二部分別用附圖標(biāo)記52和54表示，位于區(qū)域B2(以下稱“其它區(qū)域”)第三部分的符號(hào)在圖里未表示，這是因?yàn)榈谌糠趾穸瘸?，露出其下面導(dǎo)電體層170的緣故。
若提供適當(dāng)?shù)墓こ虠l件，因感光層312 314存在厚度差，所以可以選擇性蝕刻下部層。接著通過(guò)一系列的蝕刻階段形成分別包括多個(gè)源極173的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極175及數(shù)據(jù)短路棒174，形成分別包括多個(gè)突起部分163的多個(gè)線形歐姆接觸副件161及多個(gè)島狀歐姆接觸副件165，還形成包括多個(gè)突起部分154的多個(gè)線形半導(dǎo)體151。
為了方便說(shuō)明，位于布線區(qū)域A2的導(dǎo)電體層170、雜質(zhì)非晶硅層160、純性非晶硅層150部分稱為第一部分，位于通道區(qū)域C2的導(dǎo)電體層170、雜質(zhì)非晶硅層160、純性非晶硅層150的部分稱為第二部分，位于其它區(qū)域B2的導(dǎo)電體層170、雜質(zhì)非晶硅層160、純性非晶硅層150的部分稱為第三部分。
形成這種結(jié)構(gòu)的順序舉例如下
(1)除去位于其它區(qū)域B的導(dǎo)電體層170、雜質(zhì)非晶硅層160、非晶硅層150的第三部分。
(2)除去位于通道區(qū)域的感光層第二部分314。
(3)除去位于通道區(qū)域C的導(dǎo)電體層170及雜質(zhì)非晶硅層160的第二部分。
(4)除去位于布線區(qū)域A的感光層第一部分312。
這種順序的另一例如下(1)除去位于其它區(qū)域B的導(dǎo)電體層170第三部分。
(2)除去位于通道區(qū)域C的感光層第二部分314。
(3)除去位于其它區(qū)域B的雜質(zhì)非晶硅層160及非晶硅層150的第三部分。
(4)除去位于通道區(qū)域C的導(dǎo)電體層170第二部分。
(5)除去位于布線區(qū)域A的感光層第一部分312。
(6)除去位于通道區(qū)域C的雜質(zhì)非晶硅層160第二部分。
在這里說(shuō)明第一例。
首先，如圖19A及19B所示，用濕蝕刻或干蝕刻除去露在其它區(qū)域B2的導(dǎo)電體層170的第三部分，露出其下面的雜質(zhì)非晶硅層160第三部分。導(dǎo)電體層170中，包括Mo或MoW合金、Al或Al合金、Ta之一的導(dǎo)電膜可以用干蝕刻或濕蝕刻。但用干蝕刻方法不能完全除去Cr，因此若下部層701為Cr時(shí)只利用濕蝕刻較好。下部層701為Cr的濕蝕刻時(shí)，可以使用CeNHO3蝕刻液；下部層701為Mo或MoW的干蝕刻時(shí)，可以使用CF4和HCl混合蝕刻氣體或CF4和O2混合蝕刻氣體，后者對(duì)感光層的蝕刻比相似。
附圖標(biāo)記178指數(shù)據(jù)線171和漏極175還依附在一起的導(dǎo)電體。因?yàn)槭褂酶晌g刻，所以感光層312、314上部可能按一定厚度變薄。
如圖20A及圖20B所示，除去位于其它區(qū)域B2的雜質(zhì)非晶硅層160及其下部的純性非晶硅層150第三部分的同時(shí)除去通道區(qū)域C2感光層第二部分314，露出下面的導(dǎo)電體178第二部分。除去感光層第二部分與除去雜質(zhì)非晶硅160及純性非晶硅層150第三部分同時(shí)進(jìn)行或分別進(jìn)行。例如使用SF6和HCl的混合氣體，SF6和O2的混合氣體，可以以幾乎相同的厚度蝕刻兩層。用拋光除去剩在通道區(qū)域C2第二部分314的殘?jiān)?br> 在這階段形成線形純性半導(dǎo)體151。附圖標(biāo)記164指線形歐姆接觸副件161和島狀歐姆接觸副件165還依附在一起的線形雜質(zhì)非晶硅層160，以后把它稱為(線形)雜質(zhì)半導(dǎo)體。
然后，如圖21A及圖21B所示，蝕刻除去位于通道區(qū)域C2的導(dǎo)電體178及線形雜質(zhì)半導(dǎo)體164的第二部分。還除去剩下的感光層第一部分312。
這時(shí)，對(duì)導(dǎo)電體178和雜質(zhì)半導(dǎo)體164都可以只進(jìn)行干蝕刻。
與此不同，可以對(duì)導(dǎo)電體178用濕蝕刻、對(duì)雜質(zhì)半導(dǎo)體164用干蝕刻。這時(shí)，用濕蝕刻的導(dǎo)電體178的側(cè)面被蝕刻，但用干蝕刻的雜質(zhì)半導(dǎo)體168幾乎未被蝕刻，因此形成階梯狀。例如；使用SF6和O2混合氣體蝕刻用于源極/漏極的導(dǎo)電體178。若使用CF4和O2，可以剩下厚度均勻的半導(dǎo)體152。
這時(shí)，如圖21B所示，除去位于通道區(qū)域C2的線形純性半導(dǎo)體151突起部分154上面部分，可以減小厚度；感光層第一部分312也有一定程度的蝕刻。
如此，每個(gè)導(dǎo)電體178分成一條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極175并完成之，每個(gè)雜質(zhì)半導(dǎo)體164分成一個(gè)線形歐姆接觸副件161和多個(gè)島狀歐姆接觸副件165并完成之。
接著，如圖22A至22C所示，沉積鈍化層180，在其上旋轉(zhuǎn)涂布感光層。然后，通過(guò)光掩膜(未圖示)向感光層照射光之后顯像。顯像的感光層厚度因位置而異，在圖22B的感光層由厚度逐漸變小的第一至第三部分組成。位于區(qū)域A3的第一部分和位于數(shù)據(jù)線171擴(kuò)張部179和漏極175部分之上的數(shù)據(jù)接觸區(qū)域C3的第二部分，分別用附圖標(biāo)記412、414表示；位于柵極線121擴(kuò)張部125之上的柵極接觸區(qū)域B3的第三部分未用附圖標(biāo)記表示，這是因?yàn)榈谌糠趾穸瘸?，露出其下面鈍化層180的緣故。第一部分412和第二部分414的厚度比根據(jù)后續(xù)工序中的工序條件而定。
若提供適當(dāng)?shù)墓こ虠l件，因感光層412、414存在厚度差，所以可以選擇性蝕刻下部層。接著通過(guò)一系列蝕刻階段形成接觸孔182，185，187，189。
為了方便說(shuō)明，位于區(qū)域A3的部分稱為第一部分，位于數(shù)據(jù)接觸區(qū)域C3的鈍化層180、漏極175、數(shù)據(jù)線171及柵極絕緣層140的部分稱為第二部分，位于柵極接觸區(qū)域B3的鈍化層180、柵極絕緣層140及柵極線121的部分稱為第三部分。
說(shuō)明形成這種結(jié)構(gòu)的例子。
首先，如圖23A及23B所示，蝕刻除去露在柵極接觸區(qū)域B3的鈍化層180第三部分。若進(jìn)行干蝕刻，可能蝕刻?hào)艠O絕緣層140第三部分和鈍化層180第二部分上部，但使柵極絕緣層140第三部分的厚度比鈍化層第二部分厚度小，使柵極絕緣層140第二部分在下一階段中不被除去。接著，通過(guò)拋光工序完全除去殘留在數(shù)據(jù)接觸區(qū)域C3的感光層第二部分414，露出位于漏極175上部的鈍化層180第二部分。
如圖24A及圖24B所示，除去柵極絕緣層140第三部分和鈍化層180第二部分完成接觸孔182、185、189。這種蝕刻用干蝕刻，對(duì)柵極絕緣層140和鈍化層180基本上用相同蝕刻比進(jìn)行蝕刻。這樣，柵極絕緣層140第三部分比鈍化層180第二部分薄，因此完全除去柵極絕緣層140第三部分和鈍化層180第二部分的同時(shí)保留柵極絕緣層140第二部分，以此防止漏極175下面的柵極絕緣層140下切。
如圖25A及圖25B所示，除去感光層412、414之后，除去柵極線121上部層125q的第三部分和漏極175及數(shù)據(jù)線171擴(kuò)張部179上部層175q、179q的第二部分，露出其下面的下部層125p、175p、179p。
最后，如圖13至圖15所示，用濺射方法沉積500至1,500厚度的ITO或IZO并進(jìn)行光學(xué)蝕刻，形成多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助副件192、199及短路棒連接部194。IZO優(yōu)先地，使用HNO3/(NH4)2Ce(NH3)6/H2O等用于鉻蝕刻液的濕蝕刻，這種蝕刻液不腐蝕鋁，可以防止數(shù)據(jù)線171、漏極175及柵極線121的腐蝕。
在本實(shí)施例中用一個(gè)光學(xué)蝕刻工序形成數(shù)據(jù)線171及漏極175和其下部的歐姆接觸副件165、165及半導(dǎo)體151，以此可以簡(jiǎn)化制造工序。
第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)參照?qǐng)D26及圖27詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于液晶顯示器薄膜晶體管陣列面板的方法。
圖26是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板配置圖，圖27是圖26所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXVII-XXVII′線的橫截圖。
如圖26及圖27所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板層狀結(jié)構(gòu)大概與圖3及圖4所示的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板層狀結(jié)構(gòu)相同。即，在基板110上形成包括多個(gè)柵極123的多條柵極線121，之上順次形成柵極絕緣層140、包括多個(gè)突起部分154的多個(gè)線形半導(dǎo)體151、分別包括多個(gè)突起部分163的多個(gè)線形歐姆接觸副件161及多個(gè)島狀歐姆接觸副件165。歐姆接觸副件161、165及柵極絕緣層140之上形成包括多個(gè)源極153的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極175，其上形成鈍化層180。在鈍化層180及/或柵極絕緣層140形成露出柵極線121及數(shù)據(jù)線171擴(kuò)張部125、179的多個(gè)接觸孔182、189，并形成多個(gè)像素電極190和多個(gè)接觸輔助副件192、199。
但與圖3及圖4所示的薄膜晶體管陣列面板不同，根據(jù)本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的鈍化層180包括沿著數(shù)據(jù)線171延伸的多個(gè)部分和位于柵極線121擴(kuò)張部125附近的多個(gè)部分。鈍化層180覆蓋包括源極173的數(shù)據(jù)線171和漏極175一部分，漏極175的剩余部分和用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177不被鈍化層180覆蓋。
并且，多個(gè)島狀半導(dǎo)體157及其下面的多個(gè)島狀接觸副件167與線形半導(dǎo)體151及歐姆接觸副件161、165一起形成在用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177和柵極絕緣層140之間。
半導(dǎo)體151、157除了TFT所在的突起部分154，那么具有與數(shù)據(jù)線171、漏極175、用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177及其下部歐姆接觸副件161、165、167基本上相同的平面形態(tài)。具體講，島狀半導(dǎo)體157和用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177及島狀歐姆接觸副件167基本上具有相同的平面形態(tài)。與此不同，線形半導(dǎo)體151不僅具有數(shù)據(jù)線171及漏極175和在其下部的歐姆接觸副件161、165下面存在的部分外，還具有在源極173和漏極175之間未被它們阻擋而露出的部分。像素電極191的大部分直接位于柵極絕緣層140之上，像素電極191的一部分直接位于漏極175露出部分175和用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177一部分之上，并與漏極175及用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177電連接。
第三實(shí)施例方法那么參照?qǐng)D28A至圖32及圖26至圖27詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例制造具有圖26至圖27結(jié)構(gòu)的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的方法。
圖28A、圖29A及圖30A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例制造圖27所示的薄膜晶體管陣列面板方法中間階段中薄膜晶體管陣列面板配置圖，圖28B、圖29B及圖30B分別是圖28A、圖29A及圖30A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXVIIIB-XXVIIIB′線、XXIXB-XXIXB′及XXXB-XXXB′線的橫截圖，圖31及圖32是圖30A所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXXB-XXXB’線的橫截圖，它是圖30B所示的下一階段圖。
首先，圖28A及圖28B所示，在絕緣基板110之上用濺射類方法沉積1,000至3,000厚度的金屬類導(dǎo)電體層，進(jìn)行干蝕刻或濕蝕刻形成分別包括多個(gè)柵極123的多條柵極線121及柵極短路棒124。
如圖29A及圖29B所示，用化學(xué)汽相沉積法連續(xù)沉積分別約1,500至5,000，約500至約1,500，約300約600厚度的柵極絕緣層140、純性非晶硅層150、雜質(zhì)非晶硅層160。接著，用濺射類方法連續(xù)沉積下部層170p和上部層170q，形成約1,500至約5,000厚度的導(dǎo)電體層170之后，對(duì)導(dǎo)電體層170及其下面的雜質(zhì)非晶硅層160制作布線圖案，形成包括多個(gè)源極173的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極175、多個(gè)用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177及數(shù)據(jù)短路棒171和它們下部的歐姆接觸副件163、165、167。
接著，如圖30A及圖30B所示，通過(guò)氮化硅的化學(xué)汽相沉積或有機(jī)絕緣材料的旋轉(zhuǎn)涂布沉積約3,000以上厚度的鈍化層180，在其上旋轉(zhuǎn)涂布感光層。然后，通過(guò)光掩摸(未圖示)向感光層照射光之后顯像。顯像的感光層厚度因位置而不同，在圖30B中感光層由厚度逐漸變小的第一至第三部分組成。位于第一區(qū)域A4的第一部分和位于數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)張部179和漏極175一部分之上第二區(qū)域C4的第二部分別用附圖標(biāo)記512和514表示，位于柵極線121擴(kuò)張部125之上的第三區(qū)域B4的第三部分未用附圖標(biāo)記表示，這是因?yàn)榈谌糠值暮穸葹?，露出了鈍化層180的緣故。第一部分512和第二部分514的厚度比因后續(xù)工序當(dāng)中的工程條件而異。有必要除去位于顯示區(qū)域和周邊區(qū)域以外區(qū)域的純性非晶硅層150，這時(shí)位于該區(qū)域的感光層部分(未圖示)可以與第二部分514厚度不同，這通過(guò)改變曝光掩膜的狹縫寬度和狹縫間距可以實(shí)現(xiàn)。
提供適當(dāng)?shù)墓に嚄l件，因存在感光層512、514的厚度差，所以可以選擇性蝕刻下部層。因此通過(guò)一系列蝕刻階段形成具有多個(gè)接觸孔182、189和多個(gè)晶體管T的鈍化層180。
為了方便說(shuō)明，位于區(qū)域A4的部分稱第一部分，位于第二區(qū)域C4的鈍化層180、漏極175、數(shù)據(jù)線171、純性非晶硅層150及柵極絕緣層140的部分稱第二部分，位于第三區(qū)域B4的鈍化層180、純性非晶硅層150、柵極絕緣層140及柵極線121的部分稱的三部分。
說(shuō)明形成這種結(jié)構(gòu)的例子。
首先，如圖31所示，用SF6+N2或SF6+HCl等混合氣體進(jìn)行干蝕刻除去第三區(qū)域B4露出的鈍化層180及純性非晶硅層150的第三部分，同時(shí)蝕刻感光層的第一及第二部分512、514。柵極絕緣層140第三部分也可能被一同蝕刻，優(yōu)先地，調(diào)節(jié)感光層消耗量，使鈍化層180第二部分不至于露出。
通過(guò)用N6+O2或Ar+O2等混合氣體的拋光工序完全除去殘留在第二區(qū)域C4的感光層的第二部分514，露出位于漏極175上部的鈍化層180的第二部分。
如圖32所示，除去柵極絕緣層140的第三部分和鈍化層180的第二部分露出柵極線121的第三部分、用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177、漏極175的第二部分、數(shù)據(jù)線171及純性非晶硅層150。除去這些部分時(shí)使用的蝕刻中用對(duì)純性非晶硅層150和柵極絕緣層140及鈍化層180具有優(yōu)秀蝕刻選擇性的蝕刻條件進(jìn)行蝕刻。然后，用Cl2+O2或SF6+HCl+O2+Ar等混合氣體蝕刻并除去純性非晶硅層露出的第二部分，從而完成線形或島狀半導(dǎo)體151、157和晶體管T。
除去感光層512、514之后，除去柵極線121擴(kuò)張部125上部層125q的第三部分和漏極175、用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177及數(shù)據(jù)線171擴(kuò)張部上部層175q、177q、179q的第二部分，露出其下面的下部層125p、175p、177p、179p。
最后，如圖26及圖27所示，用濺射方法沉積約400至約500厚度的ITO或IZO，進(jìn)行光學(xué)蝕刻，形成多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助副件192、199及短路棒連接部194。
第四實(shí)施例結(jié)構(gòu)參照?qǐng)D33及圖34詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板。
圖33是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的配置圖，圖34是圖33所示的薄膜晶體管陣列面板沿著XXXIV-XXXIV’線的橫截圖。
為了方便省略圖3所示的延長(zhǎng)部126、176。
如圖33及圖34所示，根據(jù)本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板層狀結(jié)構(gòu)大概與圖3及圖4所示的薄膜晶體管陣列面板層狀結(jié)構(gòu)相同。即，在基板110上形成分別包括多個(gè)柵極121及多個(gè)擴(kuò)張部127的多條柵極線121，之上順次形成柵極絕緣層140、分別包括多個(gè)突起部分154的多個(gè)線形半導(dǎo)體151、還有包括多個(gè)突起部分163的多個(gè)線形歐姆接觸副件161及多個(gè)島狀歐姆接觸副件165。歐姆接觸副件161、165之上分別形成包括多個(gè)源極153的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極175、多個(gè)用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177，其上形成鈍化層180。在鈍化層180及/或柵極絕緣層140上形成多個(gè)接觸孔182、185、187、189，鈍化層180之上形成多個(gè)像素電極190和多個(gè)接觸輔助副件192、199。
與圖3及圖4所示的薄膜晶體管陣列面板不同，多個(gè)紅、綠、青彩色濾色器R、G、B形成在鈍化層180下面。彩色濾色器R、G、B具有露出漏極175和用于儲(chǔ)能電容器的導(dǎo)電體177的多個(gè)開(kāi)口部C1、C2。在這里，彩色濾色器R、G、B的邊界相互重疊，具有阻擋光泄露的功能，接觸孔185、187位于彩色濾色器R、G、B開(kāi)口部C1、C2的內(nèi)側(cè)。與此不同，開(kāi)口部C1、C2和接觸孔185、187可以具有階梯形側(cè)壁。
而且，接觸孔182、189漏出柵極線121和數(shù)據(jù)線179的擴(kuò)張部125、179一部分而不是全部，因此還剩下上部層125q、179q的一部分。
這樣根據(jù)本發(fā)明防止在接觸部露出布線邊界時(shí)，布線下部發(fā)生下切，可以緩慢確保接觸部的側(cè)面。通過(guò)它可以防止在接觸部發(fā)生斷線，可以穩(wěn)定安裝驅(qū)動(dòng)集成電路，因此，可以確保接觸部的可靠性。并且露出低接觸阻抗的導(dǎo)電層形成接觸部，從而使接觸部接觸阻抗變得最小。
而且，形成包括低阻抗的鋁或鋁合金、導(dǎo)電層的布線，以此可以提高大屏幕高清晰產(chǎn)品的特性。還有，簡(jiǎn)化制造工序來(lái)制造用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板，因此可以簡(jiǎn)化制造工序，降低制造費(fèi)用。
而且，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在接觸部或襯墊部露出布線邊界時(shí)，為防止信號(hào)線下部產(chǎn)生下切，或?yàn)榱俗畲笙薅冉档椭圃熨M(fèi)用形成中間厚度感光層時(shí)，利用具有直線形態(tài)且0.8-2μm范圍狹縫光柵的掩膜形成之，而且掩膜制作起來(lái)要容易，可以以均勻的再顯性形成光致抗蝕劑，可以最低限度降低制造費(fèi)用。
另外，給掩膜狹縫光柵追加凹凸結(jié)構(gòu)，整列信號(hào)線的邊界線和狹縫光柵，使它們重疊，然后曝光感光層，從而可以以均勻厚度形成光致抗蝕劑中具有中間厚度的部分。
如上所述，想在接觸部分露出漏極邊緣時(shí)殘留漏極下部的絕緣層，以防止信號(hào)線處的下切，并防止接觸部分的輪廓變光滑，從而防止像素電極的斷線。此外，露出具有低接觸電阻的導(dǎo)電薄膜，以確保接觸部分的可靠性。另外，形成包括低電阻的上部薄膜以改善產(chǎn)品的質(zhì)量。而且，可以簡(jiǎn)化制造工藝。
雖然本發(fā)明參考優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了描述，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明不局限于這些優(yōu)選具體實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種替換和修改。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括形成于絕緣基板上的柵極線；形成在所述柵極線之上的柵極絕緣層；形成在所述柵極絕緣層上部的半導(dǎo)體層；形成在所述柵極絕緣層上部、其一部分與所述半導(dǎo)體層相接的數(shù)據(jù)線；具有覆蓋所述數(shù)據(jù)線并露出所述數(shù)據(jù)線或所述柵極線部分邊界線第一接觸孔的鈍化層；以及至少覆蓋通過(guò)所述第一接觸孔露出的所述柵極線或數(shù)據(jù)線末端部分邊界并形成在所述鈍化層上部的接觸輔助副件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于所述柵極線或所述數(shù)據(jù)線由鉻或鉬或鉬合金組成的下部層和鋁或鋁合金組成的上部層形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于所述接觸輔助副件與所述下部層接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于所述接觸輔助副件由IZO或ITO形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于還括與所述數(shù)據(jù)線分離形成在所述柵極絕緣層上部且部分與所述半導(dǎo)體層相接的漏極；還有形成在所述鈍化層上部并通過(guò)露出所述漏極的第二接觸孔與所述漏極連接的像素電極。
6.一種曝光掩膜，包括阻擋光的不透明區(qū)域；以及形成在所述不透明區(qū)域且包含多個(gè)狹縫的狹縫光柵所述狹縫基本上上為直線形，所述狹縫寬度及間距在0.8-2.0μm范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜，其特征在于所述狹縫具有凹陷部。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜，其特征在于所述掩膜用于制造薄膜晶體管陣列面板，該面板具有多個(gè)布線交叉的顯示區(qū)域和所述布線末端部分所處的周邊區(qū)域；所述狹縫包括位于顯示區(qū)域的第一狹縫和位于周邊區(qū)域的第二狹縫；所述第一狹縫和第二狹縫具有互不相同的寬度及間距。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩膜，其特征在于所述掩膜用于制造薄膜晶體管陣列面板，該面板具有圖像顯示的顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域；所述狹縫包括位于所述顯示區(qū)域及所述周邊區(qū)域的第一狹縫和位于剩下區(qū)域的第二狹縫；所述第一狹縫和第二狹縫具有互不相同的寬度及間距。
10.一種薄膜晶體管陣列面板的制造方法，所述方法包括在絕緣基板上形成柵極線階段；形成柵極絕緣層階段；形成半導(dǎo)體階段；形成包括數(shù)據(jù)線及漏極的數(shù)據(jù)導(dǎo)電層階段；形成具有露出所述漏極的至少一部分及鄰接在所述漏極邊界線的所述柵極絕緣層部分接觸孔的鈍化層階段；以及在所述鈍化層上部通過(guò)所述接觸孔形成與所述漏極連接的像素電極階段；其中所述半導(dǎo)體及所述鈍化層中至少一個(gè)用具有直線形、0.8-2.0μm范圍寬度及間距的有多個(gè)狹縫的掩膜進(jìn)行光學(xué)蝕刻制作布線圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述掩膜包括光不能透過(guò)的第一區(qū)域、所述狹縫所處的能透過(guò)一部分光的第二區(qū)域、光完全透過(guò)的第三區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于在所述光學(xué)蝕刻工序形成光致抗蝕劑，所述光致抗蝕劑包括所述數(shù)據(jù)線及所述漏極第一部分之上的第一部分、所述漏極第二部分之上的第二部分、所述柵極線末端部分部分之上的第三部分；所述光致抗蝕劑第二部分比所述光致抗蝕劑第一部分薄，所述光致抗蝕劑第三部分比所述光致抗蝕劑第二部分薄。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于所述光致抗蝕劑還包括與所述數(shù)據(jù)線末端部分對(duì)應(yīng)且具有比第一部分厚度小的第四部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于還包括利用所述光致抗蝕劑進(jìn)行蝕刻露出所述光致抗蝕劑所述第二及第四部分下面的所述鈍化層和所述光致抗蝕劑所述第三部分下面的所述柵極絕緣層；以及除去所述鈍化層露出部分和所述柵極絕緣層露出部分，形成露出所述數(shù)據(jù)線末端部分及所述柵極線末端部分接觸孔階段。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于在所述掩膜上以互不相同的間距和寬度形成分布在對(duì)應(yīng)所述感光層第二部分區(qū)域的狹縫和分布在對(duì)應(yīng)所述感光層第四部分區(qū)域的狹縫。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于在所述半導(dǎo)體及所述鈍化層中至少一個(gè)以光學(xué)蝕刻工序形成階段包括在所述柵極絕緣層上部沉積半導(dǎo)體層階段；在所述數(shù)據(jù)導(dǎo)電層之上沉積絕緣層階段；在所述絕緣層上部形成所述光致抗蝕劑階段；利用所述光致抗蝕劑進(jìn)行蝕刻并露出所述光致抗蝕劑所述第二及第四部分下面的所述鈍化層和所述光致抗蝕劑所述第三部分下面的所述柵極絕緣層階段；除去所述鈍化層露出部分和所述柵極絕緣層露出部分，形成露出所述數(shù)據(jù)線末端部分及所述柵極線末端部分的接觸孔并露出所述部分半導(dǎo)體層階段；以及除去所述半導(dǎo)體層露出部分并完成所述半導(dǎo)體階段。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于所述半導(dǎo)體包括位于相鄰所述數(shù)據(jù)線之間且相互分離的多個(gè)半導(dǎo)體部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于所述薄膜晶體管陣列面板包括所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線交叉的顯示區(qū)域和所述柵極線末端部分和所述數(shù)據(jù)線末端部分分布的周邊區(qū)域；所述狹縫包括分布在與所述顯示區(qū)域和所述周邊區(qū)域?qū)?yīng)區(qū)域的狹縫和分布在與所述顯示區(qū)域和所述周邊區(qū)域剩下部分對(duì)應(yīng)區(qū)域的狹縫，它們由互不相同的間距及寬度形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述柵極線及所述數(shù)據(jù)線導(dǎo)電層中至少一個(gè)包含由鉻或鉬或鉬合金組成的下部導(dǎo)電層和鋁或鋁合金組成的上部導(dǎo)電層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于所述漏極包括所述下部導(dǎo)電層和所述上部導(dǎo)電層，在所述像素電極形成階段之前還包括除去所述上部導(dǎo)電層階段。
21.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述光學(xué)蝕刻工序中整列所述狹縫光柵，使其中至少一個(gè)與所述漏極邊界線重疊。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于在所述光學(xué)蝕刻工序中，與所述漏極邊界線重疊的所述狹縫光柵中至少一個(gè)具有凹陷的凹凸結(jié)構(gòu)。
23.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于在所述光學(xué)蝕刻工序中整列所述狹縫光柵，使其中兩個(gè)以上位于所述漏極之外。
全文摘要
沉積鈍化層并形成光致抗蝕劑。該光致抗蝕劑包括厚度逐漸變小的第一至第三部分，第二部分位于漏極及一部分?jǐn)?shù)據(jù)線之上，第三部分位于一部分?jǐn)?shù)據(jù)線之上。形成這種光致抗蝕劑的掩膜置于第二部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域，具有寬度和間距約0.8－2.0μm的多個(gè)直線形狹縫。鈍化層和其下的半導(dǎo)體層與光致抗蝕劑一同蝕刻，以露出第三部分下面柵極絕緣層部分和第二部分下面鈍化層。除去鈍化層和柵極絕緣層露出部分，同時(shí)露出漏極和柵極線及數(shù)據(jù)線和一部分半導(dǎo)體層，再除去露出的半導(dǎo)體層部分。
文檔編號(hào)H01L23/532GK1519955SQ20041003950
公開(kāi)日2004年8月11日 申請(qǐng)日期2004年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月3日
發(fā)明者樸云用, 李元熙, 金一坤, 林承澤, 宋俞莉, 田尚益 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社