專利名稱:晶圓刻蝕裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種晶圓刻蝕裝置，包括：載體，所述載體具有多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內(nèi)轉(zhuǎn)動；位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓勻速轉(zhuǎn)動，使所述晶圓與所述載體內(nèi)的刻蝕溶液均勻反應(yīng)。由于傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉(zhuǎn)動，因此，就相當于將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應(yīng)后的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產(chǎn)效率，縮短了生產(chǎn)周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，晶圓各個區(qū)域的反應(yīng)速度趨于一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
【專利說明】晶圓刻蝕裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導體工藝【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，涉及一種晶圓刻蝕裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]晶圓是制作硅半導體集成電路所用的硅芯片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在采用晶圓制作半導體器件的過程中，為了滿足晶圓晶粒的分割以及半導體器件電特性的需求，人們對晶圓溝槽刻蝕均勻性的要求越來越高。
[0003]為了使刻蝕后的晶圓的溝槽深度和寬度都達到理想的要求，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用減少一次蝕刻中晶圓數(shù)量的方式，來增加每個晶圓與刻蝕溶液的接觸面積，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性，但是，這種刻蝕方式往往會導致生產(chǎn)周期較長，生產(chǎn)效率較低。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型提供了一種晶圓刻蝕裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中采用減少一次蝕刻中晶圓數(shù)量，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性的方式，生產(chǎn)周期較長，生產(chǎn)效率較低的問題。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了如下技術(shù)方案:
[0006]一種晶圓刻蝕裝置，包括:
[0007]載體，所述載體包括多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內(nèi)轉(zhuǎn)動；
[0008]位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓轉(zhuǎn)動，使所述晶圓與所述載體內(nèi)的刻蝕溶液均勻反應(yīng)。
[0009]優(yōu)選的，所述傳動裝置包括:
[0010]位于所述晶圓底部且?guī)铀鼍A轉(zhuǎn)動的傳送帶；
[0011]帶動所述傳送帶勻速運行的傳動輪；
[0012]通過傳動軸與所述傳動輪相連的電機。
[0013]優(yōu)選的，所述電機按照預(yù)設(shè)速度運行，并帶動所述晶圓勻速轉(zhuǎn)動。
[0014]優(yōu)選的，所述傳送帶、傳動輪以及傳動軸均為耐酸性材質(zhì)。
[0015]優(yōu)選的，所述載體為鐵氟龍舟。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型所提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點:
[0017]本實用新型所提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位于所述載體以及晶圓底部的傳動裝置，由于傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉(zhuǎn)動，因此，就相當于將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應(yīng)后的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產(chǎn)效率，縮短了生產(chǎn)周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，晶圓各個區(qū)域的反應(yīng)速度趨于一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。

【附圖說明】

[0018]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為本實用新型的一個實施例提供的晶圓刻蝕裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為本實用新型的一個實施例提供的傳動裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0021]正如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用減少一次蝕刻中晶圓數(shù)量的方式，來增加每個晶圓與刻蝕溶液的接觸面積，保證晶圓溝槽刻蝕的均勻性，但是，這種刻蝕方式往往會導致生產(chǎn)周期較長，生產(chǎn)效率較低。
[0022]基于此，本實用新型提供了一種晶圓刻蝕裝置，以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，包括:
[0023]載體，所述載體包括多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內(nèi)轉(zhuǎn)動；
[0024]位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓勻速轉(zhuǎn)動，使所述晶圓與所述載體內(nèi)的刻蝕溶液均勻反應(yīng)。
[0025]本實用新型所提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位于所述載體以及晶圓底部的傳動裝置，由于傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉(zhuǎn)動，因此，就相當于將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應(yīng)后的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產(chǎn)效率，縮短了生產(chǎn)周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，晶圓各個區(qū)域的反應(yīng)速度趨于一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
[0026]為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0027]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本實用新型，但是本實用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實用新型不受下面公開的具體實施例的限制。
[0028]其次，本實用新型結(jié)合示意圖進行詳細描述，在詳述本實用新型實施例時，為便于說明，表示裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本實用新型保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0029]本實施例提供了一種晶圓刻蝕裝置，用于晶圓深槽的刻蝕，以制作集成電路及半導體器件。如圖1所示，本實施例中的晶圓刻蝕裝置包括:載體10和傳動裝置20，其中，所述載體10具有多個可承載晶圓的卡槽101，所述卡槽101可放置晶圓102，且晶圓102可在所述卡槽101內(nèi)自由轉(zhuǎn)動；傳動裝置20位于所述載體10的底面以及所述晶圓102的底部，在所述晶圓102上刻蝕深槽時，所述傳動裝置20帶動所述晶圓102轉(zhuǎn)動，使所述晶圓102與所述載體10內(nèi)的刻蝕溶液均勻反應(yīng)。
[0030]本實施例中，載體10優(yōu)選為鐵氟龍舟，其材質(zhì)是鐵氟龍，耐酸堿，不易被刻蝕溶液腐蝕，且其內(nèi)部為弧形設(shè)計，且具有多個卡槽，在卡槽內(nèi)放置晶圓后，晶圓可自由轉(zhuǎn)動。
[0031]并且，本實施例中的傳動裝置20，如圖2所示，包括:位于所述晶圓102底部且?guī)铀鼍A102轉(zhuǎn)動的傳送帶201 ;帶動所述傳送帶201勾速運行的傳動輪202 ;通過傳動軸203與所述傳動輪202相連的電機204。其中，傳送帶201可帶動晶圓102的邊緣沿某一方向轉(zhuǎn)動，當然，在其他實施例中，傳送帶也可帶動晶圓以其他方式轉(zhuǎn)動，本實用新型并不僅限于此。
[0032]由于載體10內(nèi)承載有刻蝕溶液，因此，位于載體10底面的傳送帶201必須為耐酸性材質(zhì)，并且，需要同樣耐酸性材質(zhì)的傳動輪202以及傳動軸203與電機204相連。在電機204設(shè)置一定的轉(zhuǎn)速并啟動后，電機204通過傳動軸203的傳動使傳送帶201轉(zhuǎn)動起來，由于傳送帶201在轉(zhuǎn)動的同時也帶動了晶圓102的轉(zhuǎn)動，因此，就增加了刻蝕溶液在晶圓102表面的流動，使得刻蝕反應(yīng)快速且均勻，最終達到了溝槽深寬度蝕刻均勻的效果。
[0033]本實施例提供的晶圓刻蝕裝置，包括可承載晶圓的載體以及位于所述載體以及晶圓底部的傳動裝置，由于傳動裝置能夠帶動晶圓勻速轉(zhuǎn)動，因此，就相當于將晶圓放置在流動的刻蝕溶液中，這樣與晶圓反應(yīng)后的廢棄溶液就能夠及時流動更新，從而提高了生產(chǎn)效率，縮短了生產(chǎn)周期；并且，由于晶圓與刻蝕溶液相對勻速運動，因此，使得晶圓各個區(qū)域的反應(yīng)速度趨于一致，從而達到保證晶圓溝槽刻蝕均勻性的目的。
[0034]雖然本實用新型已以較佳實施例披露如上，然而并非用以限定本實用新型。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本實用新型技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本實用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本實用新型技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓刻蝕裝置，其特征在于，包括: 載體，所述載體具有多個可承載晶圓的卡槽，所述晶圓可在所述卡槽內(nèi)轉(zhuǎn)動； 位于所述載體以及所述晶圓底部的傳動裝置，所述傳動裝置帶動所述晶圓勻速轉(zhuǎn)動，使所述晶圓與所述載體內(nèi)的刻蝕溶液均勻反應(yīng)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述傳動裝置包括: 位于所述晶圓底部且?guī)铀鼍A轉(zhuǎn)動的傳送帶； 帶動所述傳送帶勻速運行的傳動輪； 通過傳動軸與所述傳動輪相連的電機。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述電機按照預(yù)設(shè)速度運行，并帶動所述晶圓勻速轉(zhuǎn)動。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述傳送帶、傳動輪以及傳動軸均為耐酸性材質(zhì)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述載體為鐵氟龍舟。
【文檔編號】H01L21-67GK204289403SQ201420556400
【發(fā)明者】汪良恩, 汪曦凌 [申請人]安徽安芯電子科技有限公司