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半導(dǎo)體元件的錫焊方法與半導(dǎo)體裝置的制作方法

文檔序號(hào):6845936閱讀:240來源:國(guó)知局
專利名稱:半導(dǎo)體元件的錫焊方法與半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及將從半導(dǎo)體元件封裝中引出的預(yù)定的引線錫焊到共同連接板的半導(dǎo)體元件的錫焊方法,以及對(duì)半導(dǎo)體裝置錫焊的改良。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的半導(dǎo)體元件的錫焊方法和半導(dǎo)體裝置中,把表面安裝型的整流元件和連接至匯流條的外部端子配置在作為散熱片的金屬基底印刷電路板上,并錫焊安裝到該導(dǎo)體圖形上,同時(shí)錫焊所述匯流條和所述外部端子。這樣的半導(dǎo)體裝置例如被公開于特開平8-279592號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求1,圖1,段落號(hào)0012)。
但是,在這樣的半導(dǎo)體裝置中,由于其結(jié)構(gòu)上的外部端子和匯流條各自錫焊,而外部端子的金屬基底印刷電路配線板上的錫焊是回流(reflow)錫焊;由于外部端子和匯流條要各自錫焊,存在著所說的生產(chǎn)率差的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述問題而形成,其第一目的不僅謀求對(duì)從多個(gè)半導(dǎo)體元件的封裝引出預(yù)定引線的共同連接板進(jìn)行錫焊時(shí)的生產(chǎn)率的提高,而且可防止從所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域向非錫焊區(qū)域延伸的錫焊附著。
另外,本發(fā)明的第二個(gè)目的是,在需要對(duì)從多個(gè)半導(dǎo)體元件的封裝中引出的預(yù)定的引線的共同連接板的錫焊和其它引線對(duì)控制電路板的錫焊中,謀求提高錫焊的生產(chǎn)率,防止對(duì)共同連接板的無用的錫焊附著。
本發(fā)明的第三目的在于,謀求提高對(duì)共同連接板的引線的錫焊操作性。
本發(fā)明的使具有封裝和從所述封裝中引出引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的所述引線貫穿具有錫焊區(qū)域與非錫焊區(qū)域的共同連接板的所述錫焊區(qū)域部分、在把所述預(yù)定的引線的端頭錫焊到所述錫焊區(qū)域的錫焊面上的半導(dǎo)體元件的錫焊方法中,包含如下工序?yàn)槭寡由熘了鲥a焊面的一端的所述非錫焊區(qū)域部分比所述錫焊面凹下而在第一彎折部進(jìn)行彎折的第一彎折工序;在所述第一彎折工序后,在不使所述非錫焊區(qū)域部分浸漬到錫焊槽的狀態(tài),使所述預(yù)定的引線的端頭和所述錫焊面浸漬到錫焊槽的上層部分來錫焊的浸漬錫焊工序;在所述浸漬錫焊工序后,彎折所述共同連接板,使所述非錫焊區(qū)域部分的端部比所述錫焊面突出的第二彎折工序。
在所述第二彎折工序中,可在比所述第一彎折部更靠近所述非錫焊區(qū)域側(cè)的第二彎折部彎折所述共同連接板。
另外,本發(fā)明是把有封裝和從所述封裝中引出的引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的所述引線錫焊在共同連接板上的半導(dǎo)體裝置,所述共同連接板具有錫焊區(qū)域和非錫焊區(qū)域,所述預(yù)定的引線貫穿所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域部分,同時(shí)所述引線的端頭被錫焊在所述錫焊區(qū)域的錫焊面上;所述共同連接板包括在把所述預(yù)定的引線的端頭和所述錫焊面浸漬于錫焊槽來進(jìn)行錫焊的浸漬錫焊時(shí),為使所述的非錫焊區(qū)域部分比所述錫焊面凹下而彎折的第一彎折部。
并且,還設(shè)有第二彎折部,以在所述浸漬錫焊后使所述非錫焊區(qū)域部分的端頭部分比所述錫焊面突出而加以彎折。
并且,設(shè)有與所述共同連接板的非錫焊區(qū)域部分平行配置的控制電路板,所述各半導(dǎo)體元件的其它的預(yù)定引線貫穿所述控制電路板,同時(shí)所述其它預(yù)定的引線被錫焊在所述控制電路板的錫焊面上,所述控制電路板中的錫焊面被配置在不突出于所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面的位置,同時(shí)所述控制電路板的安裝元件被裝于所述封裝側(cè)。
另外,在有關(guān)所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面和所述封裝相夾的位置上設(shè)置所述控制電路板。
又,所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中,所述錫焊面和所述封裝配置在同一平面上。
另外,本發(fā)明是把設(shè)有封裝和從所述封裝中引出的引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的所述引線錫焊在共同連接板上、同時(shí)所述各半導(dǎo)體元件的其它預(yù)定的引線被錫焊在控制電路板上的半導(dǎo)體裝置,所述共同連接板有錫焊區(qū)域和非錫焊區(qū)域,所述預(yù)定的引線貫穿所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域部分,同時(shí)所述引線的端頭被錫焊在所述錫焊區(qū)域的錫焊面上;與所述共同連接板的所述非錫焊區(qū)域部分平行地配置所述控制電路板,所述各半導(dǎo)體元件的其它預(yù)定的引線貫穿所述控制電路板,同時(shí)所述其它預(yù)定的引線被錫焊在所述控制電路板的錫焊面上;所述控制電路板中的錫焊面被配置在不突出于所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面的位置上,同時(shí)所述控制電路板的安裝元件被裝在所述封裝側(cè)。
還有,在所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面和所述封裝相夾的位置上設(shè)置所述控制電路板。
再有,所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面和所述封裝設(shè)置在同一平面。
還有,本發(fā)明是把有封裝和從所述封裝引出的引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的所述引線錫焊到共同連接板上的半導(dǎo)體裝置,所述預(yù)定的引線沿著所述共同連接板中的錫焊區(qū)域部分的主面配置,同時(shí)配置所述預(yù)定的引線,使其貫穿所述錫焊區(qū)域部分,所述預(yù)定的引線的貫穿部分被浸漬于錫焊槽中來進(jìn)行錫焊。


是表示本發(fā)明實(shí)施例1中的電路圖與半導(dǎo)體元件的關(guān)系的圖。
是本發(fā)明實(shí)施例1中的半導(dǎo)體元件的平面圖。
是本發(fā)明實(shí)施例1中的半導(dǎo)體元件的右側(cè)視圖。
是本發(fā)明實(shí)施例1中的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)和錫焊方法的說明圖。
是本發(fā)明實(shí)施例2中的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)和錫焊方法的說明圖。
是本發(fā)明實(shí)施例3中的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)和錫焊方法的說明圖。
是本發(fā)明實(shí)施例4中的半導(dǎo)體元件錫焊方法的說明圖。
PMu半導(dǎo)體元件,PMv半導(dǎo)體元件,PMw半導(dǎo)體元件,7封裝,14封裝,21封裝,P端子,Pa沖切部分,N端子,L1引線,L2引線,L3引線,L4引線,L5引線,L6引線,L7引線,L8引線,L9引線,L10引線,L11引線,L12引線,L13引線,L15引線,L16引線,L17引線,L18引線,L19引線,L20引線,22彎折部分,23彎折部分,24彎折部分,25控制電路板,27錫焊槽,28熔化焊錫。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1現(xiàn)參照?qǐng)D1至圖4就實(shí)施例1進(jìn)行說明。圖1是眾所周知的三相變頻器電路圖,是用由U相用、V相用、W相用的樹脂密封型的功率組件構(gòu)成的半導(dǎo)體元件PMu、PMv、PMw組成的裝置。圖2是半導(dǎo)體元件PMu的平面圖,圖3是半導(dǎo)體元件PMu的右側(cè)面圖,圖4是使用了半導(dǎo)體元件PMu、PMv、PMw的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)和錫焊方法的說明圖。
下面就圖1進(jìn)行詳細(xì)說明。圖中的半導(dǎo)體元件PMu由IGBT(是絕緣柵雙極性晶體管的意思,以下簡(jiǎn)稱為IGBT)1和與該IGBT1反相并聯(lián)連接的續(xù)流二極管2構(gòu)成的半導(dǎo)體元件組3和由IGBT4和與該IGBT4反相并聯(lián)連接的續(xù)流二極管5構(gòu)成的半導(dǎo)體元件組6串聯(lián)連接構(gòu)成,這些元件組密封在用密封樹脂構(gòu)成的封裝7內(nèi)形成,在封裝7的邊緣部分引出半導(dǎo)體元件組3、4的外部連接用引線L1至L7。另外,有關(guān)半導(dǎo)體元件PMv和PMw的構(gòu)成中與PMu相同,各符號(hào)的詳細(xì)說明從略。還有,符號(hào)10、13、17和20是表示相當(dāng)于半導(dǎo)體元件組3、6的半導(dǎo)體元件組。另外,P是連接至直流電源(未圖示)正極的端子,被連接到引線L1、L8和L15,是本發(fā)明的共同連接板的構(gòu)成部分;端子N與端子P構(gòu)成一對(duì),是連接至所述直流電源的負(fù)極的端子,被連接至引線L6、L13和L20,是本發(fā)明的共同連接板的構(gòu)成部分。
以下就圖1的電路的動(dòng)作進(jìn)行說明。在端子P、N之間由所述直流電源施加直流電壓的狀態(tài)下,通過在引線L2、L4、L9、L11、L16與L18上供給由驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)供給變頻器控制用的預(yù)定柵信號(hào),IGBT1、4、8、11、15與18進(jìn)行預(yù)定的開關(guān)動(dòng)作,從引線L7、L14與L21向負(fù)載(未圖示)輸出三相交流電壓,進(jìn)行所述負(fù)載的變頻器控制。再者,關(guān)于續(xù)流二極管2、5、9、12、16與19的動(dòng)作眾所周知,所以省略其說明。
下面,就半導(dǎo)體元件PMu,PMv和PMw的結(jié)構(gòu)以PMu為代表例進(jìn)行說明,特別參照?qǐng)D2和圖3就引線L1至L7從封裝中的引出進(jìn)行說明。圖2是半導(dǎo)體元件PMu的平面圖,是表示引線L1至L7的配置的圖。圖3是對(duì)應(yīng)于圖2的平面圖的右側(cè)面圖,表示從封裝7中的引線L1至L7的引出形狀,具有與已知的DIP型IC相同的結(jié)構(gòu)。
下面,按圖4說明半導(dǎo)體元件PMu,PMv和PMw的引線的錫焊方法和采用該錫焊方法的半導(dǎo)體裝置。圖中的板狀端子P構(gòu)成引線L1、L8和L15的共同連接板,設(shè)于該端子P的正主面的半導(dǎo)體元件PMu,PMv和PMw的引線L1、L8和L15貫穿端子P的錫焊區(qū)域部分,其端頭被錫焊在端子P的背主面(錫焊面);其錫焊方法是把需要錫焊的端子浸漬到錫焊槽27中的熔化錫焊28上,即所謂用錫焊浸漬進(jìn)行錫焊的方法。錫焊時(shí),在由端子P的錫焊區(qū)域延伸的一側(cè)的非錫焊區(qū)域上設(shè)置如圖4虛線所示那樣,把所述非錫焊區(qū)域由所述背主面向封裝7、14、21一側(cè)作一次后退那樣地彎折的彎折部分(第一彎折部)22和23,在錫焊完成后,向箭頭A的方向彎折,設(shè)置如實(shí)線所示形狀彎折的彎折部分(第二彎折部)24。另外,圖4中未圖示的端子N和引線L6、L13、L20用與端子P和引線L1、L8、L15的錫焊相同的方法進(jìn)行錫焊。另外,不需要錫焊的其它端子均適當(dāng)配置,以不浸漬到錫焊槽27內(nèi)的熔化錫焊28中。還有,所述第一彎折部22、23位于錫焊區(qū)域與非錫焊區(qū)域的中間部分,第二彎折部24也位于錫焊區(qū)域與非錫焊區(qū)域的中間部分。第二彎折部24比第一彎折部22、23更靠近非錫焊區(qū)域一側(cè)。
也就是說,這種錫焊方法包含下列工序?yàn)槭古c錫焊面一側(cè)延伸連接的非錫焊區(qū)域部分比錫焊面在半導(dǎo)體元件PMu,PMv和PMw一側(cè)凹下而將彎折部分22、23彎折的第一彎折工序;在這個(gè)工序之后,在不把非錫焊區(qū)域部分浸漬到錫焊槽中的狀態(tài)下,使引線L1、L8和L15的端頭和錫焊面浸漬到錫焊槽的上層部分加以錫焊的浸漬錫焊工序;在該工序后彎折端子P,使非錫焊區(qū)域部分的端頭部分比錫焊面向所述半導(dǎo)體元件PMu,PMv和PMw的對(duì)側(cè)突出的第二彎折工序。另外,在端子P這樣彎折的狀態(tài)下,把非錫焊區(qū)域部分作為與直流電源等的外部連接的端子使用。
若用這樣的錫焊方法,在可以謀求防止引線和端子在非錫焊區(qū)域的錫焊附著,并且可以分別同時(shí)進(jìn)行端子P和引線L1、L8、L15的錫焊以及端子N和引線L6、L13、L20的錫焊,也具有可謀求提高錫焊生產(chǎn)率的效果。
再有,用本實(shí)施例1說明過的半導(dǎo)體元件的錫焊方法也可用以下的方式加以說明。
也就是,這個(gè)錫焊方法使從封裝中引出引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的引線貫穿共同連接板,把該引線的端頭錫焊在所述共同連接板的錫焊面上,同時(shí)使比所述錫焊面突出的所述共同連接板的一端不附著錫焊的半導(dǎo)體元件,其中包括把由所述錫焊面延伸至所述一端的所述共同連接板由第一中間部彎折、使其比所述錫焊面凹下的第一彎折工序;然后,在所述一端不浸漬于所述錫焊槽的狀態(tài)下,使所述引線的端頭和所述錫焊面在焊錫槽的上層部分浸漬、錫焊的浸漬錫焊工序;之后,由比所述共同連接板的所述第一中間部更靠近端頭側(cè)的第二中間部彎折,使其端頭比所述錫焊面突出的第二彎折工序。
另外,本實(shí)施例1說明過的半導(dǎo)體裝置也可用以下的方式加以說明。
也就是,所述半導(dǎo)體裝置中,使從封裝中引出引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的引線貫穿共同連接板,在把其端頭錫焊到所述共同連接板的錫焊面,同時(shí)使比所述錫焊面突出的所述共同連接板的一端不附著錫焊;其特征在于在使設(shè)置所述引線的端頭和所述錫焊面浸漬于錫焊槽的上層部分進(jìn)行錫焊的浸漬錫焊時(shí),為了把所述一端不浸漬于所述錫焊槽,彎折所述共同連接板的一部分,使它比錫焊面凹下。
實(shí)施例2參照?qǐng)D5就實(shí)施例2進(jìn)行說明。圖5表示實(shí)施例2中半導(dǎo)體元件的錫焊方法和采用該錫焊方法的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。其中,25是控制電路板,半導(dǎo)體元件PMu的控制用引線L2至L5,半導(dǎo)體元件PMv的控制用引線L9至L12以及半導(dǎo)體元件PMw的控制用引線L16至L19從其正主面向背主面貫穿,其端頭與形成在所述背主面(錫焊面)的預(yù)定的電路圖形(未圖示)錫焊而連接。26是安裝在控制電路板25的正主面的、構(gòu)成電路的電阻等的電元件(安裝元件)。該電元件被安裝在封裝7、14、21一側(cè)。因而,端子P、N的錫焊區(qū)域部分的正主面與控制電路板25的背主面成相向配置。從圖5可知,這個(gè)控制電路板25以相對(duì)于端子P、N的非錫焊區(qū)域部分成大致平行地配置。再者,控制電路板25的背主面設(shè)置在不突出于端子P、N的錫焊區(qū)域中的錫焊面的位置上(躲避到封裝7、14、21一側(cè)的位置)。再有,由于其它的符號(hào)說明與實(shí)施例1的符號(hào)相同或相當(dāng),省略其說明。另外,由于本實(shí)施例2只是比實(shí)施例1上增加了控制電路板25,電路動(dòng)作實(shí)質(zhì)上與實(shí)施例1的相同,因此說明從略。
下面就半導(dǎo)體元件PMu、PMv和PMw的錫焊方法進(jìn)行說明。首先,用與實(shí)施例1相同的要點(diǎn)使半導(dǎo)體元件PMu、PMv和PMw的引線L1、L8、L15貫穿控制電路板25,從端子P的正主面穿到背主面,另外,使引線L6、L13、L20貫穿控制電路板25,從端子N的正主面分別穿到背主面,它們的端頭從端子P、N的背主面以預(yù)定的量突出;同時(shí)把半導(dǎo)體元件PMu、PMv和PMw的控制用引線L2至L5,L9至L12,L16至L19從控制電路板25的正主面分別穿到背主面,它們的端頭從控制電路板25的背主面以預(yù)定的量突出。
接著,按虛線的形狀所示浸漬端子P和N,使控制電路板25的背主面接觸到錫焊槽27內(nèi)的熔化錫焊28的表面,然后,從錫焊槽27提起,引線L1、L8、L15的端頭被錫焊到端子P的背主面,引線L6、L13、L20的端頭被錫焊到端子N的背主面,控制引線L2至L5,L9至L12,L16至L19的端頭分別被錫焊到控制電路板25背主面的預(yù)定的電路圖形上。然后,在彎折端子P部分24彎折,可防止對(duì)端子P的一端的非錫焊區(qū)域的錫焊附著。再有,與端子P一樣,端子N的一端的非錫焊區(qū)域也可以防止焊錫附著。
這樣一來,不僅對(duì)于端子P、N,而且對(duì)于設(shè)有控制電路板25的半導(dǎo)體裝置,可以同時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體元件PMu、PMv和PMw的引線和端子P、N及控制用電路板的錫焊,其結(jié)果,在可以謀求防止對(duì)引線和端子P、N的非錫焊區(qū)的錫焊附著,同時(shí)可以謀求提高錫焊的生產(chǎn)率;再有,使端子P、N的錫焊區(qū)域部分的正主面與控制電路板25的背主面對(duì)置,具有可以謀求半導(dǎo)體裝置的平面尺寸小型化的效果。
再有,在半導(dǎo)體元件PMu、PMv和PMw的引線錫焊之前的端子P、N向控制電路板25的安裝,當(dāng)然沒有特定的順序。
以實(shí)施例2說明的半導(dǎo)體裝置也可用以下的方式加以說明。
也就是,所述半導(dǎo)體裝置中,從封裝引出引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的引線貫穿共同連接板,其端頭錫焊到所述共同連接板的錫焊面上,同時(shí)其它引線貫穿與所述共同連接板處于同一個(gè)平面或比共同連接板偏向所述封裝的一側(cè)、與所述共同連接板的至少一部分或延長(zhǎng)面成平行地配置的控制電路板,它們的端頭錫焊在所述控制電路板的錫焊面上;所述半導(dǎo)體裝置的特征在于把安裝到所述控制電路板的元件在與所述封裝相對(duì)的面上安裝,以使所述控制電路板的錫焊面不比所述共同連接板的錫焊面突出。
特別是,其特征在于控制電路板處在由共同連接板的錫焊區(qū)域和封裝夾在其間的位置。
實(shí)施例3參照?qǐng)D6就實(shí)施例3進(jìn)行說明。另外,圖6表示實(shí)施例3中的半導(dǎo)體元件的錫焊方法和采用該錫焊方法的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例3與實(shí)施例2的不同點(diǎn)是,將端子P、N的背主面(錫焊面)與控制電路板25的背主面(錫焊面)作為同一平面。其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施例2的相同,省略其說明。
這種結(jié)構(gòu)的裝置中,可以防止對(duì)端子P、N的正主面的無用的焊錫附著。
另外,端子P、N的背主面和控制電路板25的背主面可以不完全在同一平面,而是大致在同一平面。
也可以說,本實(shí)施例3說明的半導(dǎo)體裝置的特征在于共同連接板的錫焊面與控制電路板的錫焊面配置在同一平面上。
實(shí)施例4以下,參照?qǐng)D7就實(shí)施例4進(jìn)行說明。圖7說明引線L1、L8、L15和引線L6、L13、L20在端子P、N上安裝的變形例,以端子P和半導(dǎo)體元件PMu的引線L1之間的關(guān)系作為代表例。圖中,Pa是通過對(duì)端子P作沖壓加工而形成的從正主面向背主面貫穿的沖孔部分,使引線L1嵌入該沖孔部分Pa,即引線L1處于沿端子P的背主面配置的狀態(tài),浸漬到錫焊槽27的熔化焊錫28中,然后提起來,如此進(jìn)行錫焊。
在這樣的結(jié)構(gòu)中,可以降低把端子P、N浸漬到熔化錫焊中的反力,因而,具有可以降低人工操作的錫焊加工中的所述反力引起的不穩(wěn)定性的效果。
本實(shí)施例4說明的半導(dǎo)體裝置也可以用以下的方式加以說明。
也就是,所述半導(dǎo)體裝置中,使從封裝引出引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的引線貫穿共同連接板,將其端頭錫焊到所述共同連接板;其特征在于將所述貫穿部分浸漬到焊錫槽,使所述引線沿所述共同連接板的主面配置。
如上所述,本發(fā)明在使有封裝和從所述封裝引出引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的所述引線貫穿有錫焊區(qū)域和非錫焊區(qū)域的共同連接板的所述錫焊區(qū)域部分,把所述預(yù)定的引線的端頭錫焊到所述錫焊區(qū)域的錫焊面上的半導(dǎo)體元件的錫焊方法中包括延伸至所述錫焊面的一端的所述非錫焊區(qū)域部分在第一彎折部彎折,以比所述錫焊面更凹下的第一彎折工序;在所述第一彎折工序后,在所述非錫焊區(qū)域不浸漬到錫焊槽的狀態(tài)下,把所述預(yù)定的引線的端頭與所述錫焊面浸漬到錫焊槽的上層部分進(jìn)行錫焊的浸漬錫焊工序;在所述的浸漬錫焊后,彎折所述共同連接板,使所述非錫焊區(qū)域部分的端頭比所述錫焊面突出的第二彎折工序;提供了謀求防止對(duì)所述共同連接板的一端的錫焊附著,而且可進(jìn)行生產(chǎn)率優(yōu)良的錫焊的半導(dǎo)體元件的錫焊方法。
權(quán)利要求
1.一種使設(shè)有封裝和從所述封裝中引出的引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的所述引線貫穿具有錫焊區(qū)域和非錫焊區(qū)域的共同連接板的所述錫焊區(qū)域部分,把所述預(yù)定的引線的端頭錫焊在所述錫焊區(qū)域的錫焊面上的半導(dǎo)體元件的錫焊方法,其特征在于包括如下工序延伸至所述錫焊面的一端的所述非錫焊區(qū)域部分在第一彎折部彎折,以比所述錫焊面凹下的第一彎折工序;在所述第一彎折工序后,在使所述非錫焊區(qū)域部分不浸漬于錫焊槽的狀態(tài)下,使所述預(yù)定的引線端頭和所述錫焊面浸漬于焊錫槽的上層部分來錫焊的浸漬錫焊工序;以及在所述浸漬錫焊工序后,彎折所述共同連接板,以使所述非錫焊區(qū)域部分的端頭部分比所述錫焊面突出的第二彎折工序。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的錫焊方法,其特征在于在所述第二彎折工序中,在比所述第一彎折部更靠近所述非錫焊區(qū)域側(cè)的第二彎折部彎折所述共同連接板。
3.一種有封裝和從所述封裝引出的引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的所述引線被錫焊于共同連接板的半導(dǎo)體裝置,其特征在于所述共同連接板有錫焊區(qū)域和非錫焊區(qū)域;所述預(yù)定的引線貫穿所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域部分,同時(shí)所述引線的端頭被錫焊在所述錫焊區(qū)域的錫焊面上;所述共同連接板包含,在使所述引線的端頭和所述錫焊面浸漬錫焊槽的上層部分來進(jìn)行錫焊的浸漬錫焊時(shí)、為使所述非錫焊區(qū)域部分比所述錫焊面凹下而彎折的第一彎折部。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于所述共同連接板還包含第二彎折部,該部分在所述浸漬錫焊后為使所述非錫焊區(qū)域部分的端頭部分比所述錫焊面突出而被彎折。
5.如權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于設(shè)有與所述共同連接板的非錫焊區(qū)域部分平行地配置的控制電路板;所述各半導(dǎo)體元件的其它預(yù)定的引線貫穿所述控制電路板,同時(shí)所述其它預(yù)定的引線被錫焊在所述控制電路板的錫焊面上;所述控制電路板中的錫焊面被配置在不突出于所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面的位置上,同時(shí)所述控制電路板的安裝元件被安裝到所述封裝側(cè)。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于所述控制電路板配置在所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面和所述封裝相夾的位置上。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面和所述封裝配置在同一平面上。
8.一種有封裝和從所述封裝引出的引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的所述引線被錫焊于共同連接板,同時(shí)所述各半導(dǎo)體元件的其它引線被錫焊于共同連接板的半導(dǎo)體裝置,其特征在于所述共同連接板有錫焊區(qū)域與非錫焊區(qū)域,所述預(yù)定的引線貫穿所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域部分,同時(shí)所述引線的端頭被錫焊在所述錫焊區(qū)域的錫焊面上;所述控制電路板與所述共同連接板的所述非錫焊區(qū)域部分平行地設(shè)置,所述各半導(dǎo)體元件的其它預(yù)定的引線貫穿所述控制電路板,同時(shí)所述其它預(yù)定的引線被錫焊于所述控制電路板的錫焊面上;所述控制電路板中的錫焊面被配置在不比所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面突出的位置上,同時(shí)所述控制電路板的安裝元件被安裝到所述封裝側(cè)。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于所述控制電路板設(shè)置在所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面和所述封裝相夾的位置上。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于所述共同連接板的所述錫焊區(qū)域中的所述錫焊面和所述封裝設(shè)置在同一平面上。
11.一種有封裝和從所述封裝引出的引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的所述引線被錫焊到共同連接板的半導(dǎo)體裝置,其特征在于所述預(yù)定的引線沿所述共同連接板中的錫焊區(qū)域部分的主面配置,同時(shí)所述預(yù)定的引線貫穿所述錫焊區(qū)域部分,所述預(yù)定的引線的貫穿部分被浸漬于錫焊槽加以錫焊。
全文摘要
一種使從封裝中引出引線的多個(gè)半導(dǎo)體元件的預(yù)定的引線貫穿共同連接板,把該引線的端頭錫焊到所述共同連接板的錫焊面上,同時(shí)不在所述共同連接板的一端附著焊錫的半導(dǎo)體元件的錫焊方法,該方法謀求錫焊加工生產(chǎn)率的提高。其解決手段是設(shè)置彎折所述共同連接板的彎折部,使得在引線端頭和錫焊該引線端頭的共同連接板的錫焊面浸漬到錫焊槽內(nèi)的熔化焊錫上時(shí),位于所述共同連接板的一端的非錫焊區(qū)域不與熔化的焊錫接觸。
文檔編號(hào)H01L25/00GK1525545SQ0315240
公開日2004年9月1日 申請(qǐng)日期2003年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月24日
發(fā)明者山下信三 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社
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