專利名稱：半導(dǎo)體模塊及制造半導(dǎo)體模塊的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體模塊及制造半導(dǎo)體模塊的方法。
背景技術(shù)：
例如用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)或計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體模塊通常構(gòu)成模塊形式。常規(guī)的存儲(chǔ)模塊必須有兩組主要的元件。一是有源的或無(wú)源的電路元件，二是印刷電路板。印刷電路板用作電路器件的載體，提供連接元件如導(dǎo)電軌道，并且產(chǎn)生向外部的連接。
有源電路器件，如存儲(chǔ)芯片，是單個(gè)的經(jīng)過(guò)包裝的芯片。在這種包裝中實(shí)現(xiàn)如下的功能在芯片的觸點(diǎn)之間連接以形成一種類型的重新布線(引線架、內(nèi)插板)。這可能通過(guò)粘結(jié)工藝或通過(guò)小焊珠即內(nèi)部連接元件來(lái)實(shí)現(xiàn)。這種重新布線用作接觸元件，用于下一個(gè)結(jié)構(gòu)層次，即與應(yīng)用印刷電路板連接。無(wú)源電路元件如電阻器、電容器、等等，主要用于有源電路器件的外部連接。
電路元件在模塊組裝期間焊接到電路板上。使用經(jīng)過(guò)常規(guī)包裝的有源電路器件導(dǎo)致相當(dāng)?shù)偷脑芏龋K厚度范圍約在2-3mm。
圖12示意地表示出帶有有源和無(wú)源電路器件12、13的印刷電路板29的總體情況。有源電路元件12如存儲(chǔ)芯片密封在內(nèi)插襯底30上，內(nèi)插襯底30在焊盤上設(shè)有連接器件28如焊珠，以便電接觸連接到印刷電路板29。無(wú)源電路元件13如電阻器、電容器、等以類似的方式設(shè)置在印刷電路板29上。
圖13表示通常的多芯片模塊，在它的印刷電路板29上設(shè)有有源電路器件12和無(wú)源電路器件13。有源電路器件或芯片12利用倒裝技術(shù)(以及附加的下部填充技術(shù)，即，來(lái)源于熱的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的粘結(jié)技術(shù))安裝在內(nèi)插襯底30上。例如，借助于焊珠28將包括芯片12和內(nèi)插襯底30在內(nèi)的封裝固定到模塊載體29上。無(wú)源電路器件13焊接到印刷電路板29上，印刷電路板29在單個(gè)芯片12或多個(gè)芯片12和無(wú)源電路元件13之間有大量的電連接如導(dǎo)電軌道。因此，這樣一種以通常用的安排在單面布局的情況下具有大的總厚度，至少為d1+d2+d3，這將導(dǎo)致模塊厚度超過(guò)2mm，進(jìn)而，導(dǎo)致低的元件密度，主要的原因是內(nèi)插襯底和導(dǎo)電軌道具有大的面積要求。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體模塊及制造半導(dǎo)體模塊的方法，由此可以提供具有大的元件密度的薄的多芯片模塊。
按照本發(fā)明，借助于如權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體模塊的方法和借助于如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體電路模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目的。
本發(fā)明依據(jù)的構(gòu)思主要在于所有的模塊元件，即有源電路器件和無(wú)源電路器件，全都預(yù)先安裝在一個(gè)特定的安裝平面上，這個(gè)安裝板在下面稱之為晶片，封裝和模塊組裝都組合在一些共用的工藝步驟中，并且形成模塊晶片。
按照先前的硅晶片的形式構(gòu)成這種新的安裝板對(duì)于早期技術(shù)來(lái)說(shuō)是方便可行的。這使繼續(xù)進(jìn)行所需的薄膜技術(shù)(金屬化、光刻、…)的隨后的工藝步驟更加容易，對(duì)于圓形晶片這種技術(shù)的設(shè)備已經(jīng)存在。然而，這種方法不取決于安裝平面的這種形式。較大的長(zhǎng)方形區(qū)域更加有效，并且同樣地可以想象得到。
在本發(fā)明中，解決在本說(shuō)明書的引言部分中提到的問題的具體方法是將具有圖形的連接層加到轉(zhuǎn)移襯底上，將具有指向轉(zhuǎn)移襯底的接觸區(qū)的有源和/或無(wú)源電路器件加到這個(gè)具有圖形的連接層(sic)上，電路器件借助于至少設(shè)在電路器件之間的填充物相互連接，借此，可除去轉(zhuǎn)移襯底并施加電連接器件，用于對(duì)電路器件的接觸區(qū)進(jìn)行選擇性的接觸連接。
考慮到在電路器件之間的微小間隙，所占據(jù)的區(qū)域可能是最小的，因此元件密度是最大的。進(jìn)而，按這種方式有可能產(chǎn)生極薄的模塊，例如100微米或更小，其中使用了不帶包裝的有源電路器件，它具有最小的體積、重量、和電連接平面。
由于模塊上的連接線很短，所以寄生效應(yīng)如不期望的信號(hào)電容耦合到連接線上出現(xiàn)得很少，導(dǎo)致良好的電性能。而且，有可能省去用于制造半導(dǎo)體電路模塊的焊接過(guò)程。
另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)可能是，對(duì)于半導(dǎo)體電路模塊在制造過(guò)程中進(jìn)行所謂的冷處理或加工和綠色處理或加工，它是基于半導(dǎo)體模塊的功能性試驗(yàn)(已知的良好芯片)。模塊還可能堆置起來(lái)。
在從屬權(quán)利要求中可以發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的對(duì)應(yīng)主題的有益進(jìn)展和改進(jìn)。
按照本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，至少在一部分電連接器件上加保護(hù)器件。結(jié)果，在結(jié)構(gòu)上保護(hù)電連接器件不受外部影響。
按照本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，在保護(hù)器件沒有覆蓋的區(qū)域提供連接器件。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，在印刷過(guò)程設(shè)置制作了圖形的連接層。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，將電路器件安排在具有圖形的連接層上，以使電路器件的電連接區(qū)域不在具有圖形的連接層上。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，直到電路器件施加后，連接層才固化。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，在電路器件相互機(jī)械連接期間和/或之后，加上電路器件的密封封裝。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，在印刷、模注(塑料注模)、或模鑄過(guò)程中，實(shí)現(xiàn)填充物和/或密封封裝的施加。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，填充物和/或密封封裝在固化過(guò)程中先固化，然后再除去轉(zhuǎn)移襯底。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，在至少一個(gè)導(dǎo)電層內(nèi)提供電連接層，電連接層具有在x方向的導(dǎo)電軌道和在y方向的導(dǎo)電軌道，一個(gè)內(nèi)插的絕緣層具有多層性，這些導(dǎo)電軌道在每一種情況下都借助于通孔有選擇性地相互連接。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，在一個(gè)并行的過(guò)程中，制造多個(gè)晶片級(jí)別的半導(dǎo)體電路模塊，在隨后的一個(gè)工藝步驟中，將這些模塊分成半導(dǎo)體電路模塊條或單個(gè)的半導(dǎo)體電路模塊。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，連接平面包括電介質(zhì)材料，如聚合物、環(huán)氧樹脂、粘合劑、硅酮、聚酰亞胺。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，填充物包括不導(dǎo)電的可固化的材料，如聚合物、粘合劑、硅酮。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，密封封裝包括的材料與填充物相同，或者，填充物具有附加的性質(zhì)。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，保護(hù)器件有一個(gè)鈍化層，鈍化層由不導(dǎo)電材料如聚合物制成。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，半導(dǎo)體電路模塊具有至少一個(gè)導(dǎo)電通道，導(dǎo)電通道從前側(cè)到密封封裝的后側(cè)，借助于導(dǎo)電通道具體來(lái)說(shuō)借助于導(dǎo)電粘合劑可以連接另一個(gè)半導(dǎo)體電路模塊。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，連接器件具有邊緣連接件，或者設(shè)有焊珠的焊盤。
按照本發(fā)明的下一個(gè)優(yōu)選進(jìn)展，半導(dǎo)體電路模塊的總厚度小于200微米，具體來(lái)說(shuō)總厚度約為100微米。
在附圖中表示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在下面的描述中更加詳細(xì)地說(shuō)明這個(gè)實(shí)施例。


圖1A和1B表示在按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第一方法步驟之后裝置的詳細(xì)示意圖，圖1A是剖面圖，圖1B是平面圖；圖2A和2B表示在按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的另一方法步驟之后裝置的詳細(xì)示意圖，圖2A是剖面圖，圖2B是平面圖；圖3A和3B表示在按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的下一方法步驟之后裝置的詳細(xì)示意圖，圖3B表示的是圖3A的裝置在隨后一個(gè)方法步驟之后的裝置狀況；圖4表示按照本發(fā)明的實(shí)施例在除去轉(zhuǎn)移襯底的方法步驟的情況下的裝置的詳細(xì)示意圖；圖5表示在按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的另一方法步驟之后裝置的詳細(xì)示意圖；圖6A和6B表示在按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的下一方法步驟之后裝置的詳細(xì)示意圖，圖6A是剖面圖，圖6B是縱剖面圖(轉(zhuǎn)過(guò)了90°)。；圖7表示用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的示意平面圖；圖8A、8B、8C表示用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的裝置的示意平面圖，其中圖8A是平面圖，圖8B是剖面圖，圖8C是裝置的縱向剖面；圖9A、9B表示用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的裝置的示意圖，其中圖9A表示單個(gè)的模塊，圖9B表示彼此接觸連接的兩個(gè)模塊；圖10A、10B表示用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的裝置的示意圖，其中圖10A是平面圖，圖10B是縱向剖面；圖11A、11B表示用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的裝置的示意圖，其中圖11A是平面圖，圖11B是縱向剖面；圖12是說(shuō)明習(xí)慣上常用的一個(gè)裝置的示意圖；圖13是說(shuō)明一個(gè)習(xí)慣上常用的多芯片裝置的示意圖；圖14A和14B表示用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制造方法的流程圖，其中圖14A表示常規(guī)的制造方法，圖14B表示按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制造方法。
具體實(shí)施例方式
在附圖中，相同的標(biāo)號(hào)代表相同的或功能上相同的組成部分。
圖1A表示一個(gè)轉(zhuǎn)移襯底10，它例如由玻璃、金屬、或聚合物構(gòu)成，在一個(gè)印刷過(guò)程中，將具有圖形的電介質(zhì)連接平面11加到這個(gè)轉(zhuǎn)移襯底10上。電介質(zhì)連接平面11在此時(shí)談?wù)撍臅r(shí)候還沒有固化，還是發(fā)粘的。電介質(zhì)連接平面11包括例如聚合物、環(huán)氧樹脂、粘合劑、硅酮、或聚酰亞胺。
圖1B在平面圖中表示出轉(zhuǎn)移襯底10，其上涂有電介質(zhì)連接平面11的各個(gè)連接區(qū)11，轉(zhuǎn)移襯底制成長(zhǎng)方形形式。
在圖2A中，有源電路器件12和無(wú)源電路器件13加到轉(zhuǎn)移襯底10和具有圖形的連接平面11上。將電路器件12、13加到連接平面的預(yù)定位置，使用于電路器件12、13的電接觸連接的接觸區(qū)12’、13’指向轉(zhuǎn)移襯底的方向并且落在具有圖形的連接平面11內(nèi)的間隙或切口上。有源電路器件12包括功能檢查的半導(dǎo)體器件，例如存儲(chǔ)模塊，它們的排列很像例如在芯片焊接(die-bonding)或取—放過(guò)程(pick and place process)中的無(wú)源電路器件13(電阻器、電容器、…)，放在轉(zhuǎn)移襯底10的未固化的粘合劑11上。
在這個(gè)方法步驟，確定各個(gè)電路器件的彼此幾何位置，即分配位置。電路器件12、13的排列位置應(yīng)盡可能地彼此靠近，以占據(jù)最小的可能空間。然后用加熱的方式或借助于紫外輻射使電介質(zhì)連接層11固化，由此固定電路器件12、13的彼此位置。
圖2B表示的是在轉(zhuǎn)移襯底10上設(shè)有電路器件12、13的連接平面11的平面圖。
在圖3A中，在半導(dǎo)體器件12和無(wú)源電路器件13之間的間隙填充有填充物14。最好在印刷或鑄造過(guò)程中加入或引入填充物14然后使其固化，所說(shuō)的填充物14由聚合物、粘合劑、硅酮、或類似物制成。
圖3B表示的是按照?qǐng)D3A的裝置，其中在電路器件12、13以及在電路器件12、13之間的間隙的上方設(shè)有密封封裝15，其中所說(shuō)的間隙設(shè)有填充物14。這個(gè)后側(cè)密封封裝15可以在與引入填充物14的同一步驟中實(shí)現(xiàn)(在相同的工藝器件或同一腔窒內(nèi)實(shí)現(xiàn))，然而，如果還期望填充物14具有一些密封封裝15本身所沒有的附加性質(zhì)的話，那么，這個(gè)后側(cè)密封封裝15也可以隨后再去實(shí)現(xiàn)。
圖4表示從包括具有圖形的連接平面11、有源電路器件12、無(wú)源電路器件13、在電路器件12、13之間的間隙、所說(shuō)的間隙中設(shè)置的填充物14、和密封封裝15在內(nèi)的已固化的組合物上除掉轉(zhuǎn)移襯底10的情況。結(jié)果，電路器件12、13的接觸區(qū)12’、13’再次變?yōu)榭山咏摹?br> 在圖5中，在一個(gè)工藝步驟中，為按照?qǐng)D4所示的組合物設(shè)置一個(gè)電連接器件16。電連接器件16例如包括具有圖形的、濺射上或電化學(xué)鍍敷上的銅、鎳、或金的導(dǎo)電軌道，這些導(dǎo)電軌道設(shè)置在各個(gè)芯片12之間、芯片12和無(wú)源電路器件13之間，和/或與一個(gè)連接器件19相連。制作有圖形的導(dǎo)電軌道16在具有圖形的電介質(zhì)連接層11上方的接觸區(qū)12’、13’之間延伸。
電連接器件16最好是一個(gè)雙層線系統(tǒng)，在兩個(gè)制作有圖形的導(dǎo)電層之間有一電介質(zhì)層，一個(gè)導(dǎo)電層用于x方向的連接或?qū)щ娷壍?，另一個(gè)導(dǎo)電層用于y方向的連接或?qū)щ娷壍?，這兩個(gè)導(dǎo)電層借助于在電介質(zhì)層中的通孔進(jìn)行有選擇性的電接觸，電介質(zhì)層例如由聚酰胺制成。根據(jù)模塊的復(fù)雜程度，必須在不同的平面內(nèi)形成一個(gè)或多個(gè)電連接器件16，以便元件12、13有選擇性地彼此電連接。
圖6A表示的是如圖5所示的本發(fā)明的裝置，但在電連接器件16上有一個(gè)鈍化層17。在模塊前側(cè)上方的保護(hù)器件17例如在印刷過(guò)程施加，使其包括一種聚合物，這個(gè)保護(hù)器件17覆蓋除了連接器件19或連接觸點(diǎn)外的半導(dǎo)體電路模塊31的前側(cè)，如圖6B所示的。圖6B表示如圖6A所示的裝置，但圖6B不是剖面圖，而是一個(gè)縱向剖面(轉(zhuǎn)過(guò)了90°)。
圖7表示多個(gè)半導(dǎo)體電路模塊條18的平面圖，用于表示在x方向的重新布線器件20和在y方向的重新布線器件21，重新布線器件20、21是電連接器件16的一部分。
圖8A表示一個(gè)半導(dǎo)體模塊條18，它具有3個(gè)不同的部分22、23、24。部分22代表具有鈍化層17的一個(gè)鈍化覆蓋模塊，在區(qū)域23中省去了鈍化層17。在部分24中可以看見埋入的芯片的芯片側(cè)壁，這是因?yàn)檫@里沒有附加任何電連接層16或電介質(zhì)連接平面11。
圖9A表示半導(dǎo)體存儲(chǔ)模塊31的縱向剖面，半導(dǎo)體存儲(chǔ)模塊31設(shè)有從模塊前側(cè)到模塊后側(cè)的導(dǎo)電通孔即金屬化通孔25。這樣一種金屬化通孔25允許借助于導(dǎo)電粘合劑26電連接到第二半導(dǎo)體電路模塊31。在兩個(gè)半導(dǎo)體電路模塊31之間的機(jī)械連接最好借助于在每一種情況下在半導(dǎo)體電路模塊31的后側(cè)密封封裝15之間的不導(dǎo)電粘合劑27來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣一種包括兩個(gè)半導(dǎo)體電路模塊31在內(nèi)的雙重疊置的模塊能使元件密度進(jìn)一步提高。
圖10A和10B用于說(shuō)明連接條或邊緣連接件形式的連接器件19。
圖11A表示一個(gè)半導(dǎo)體電路模塊條18，它具有與圖10不同的另一種連接器件28。加到焊盤上的焊珠28代表在x或y方向保留的最佳空間，但是增加了模塊厚度。這導(dǎo)致主要與有源電路器件12和無(wú)源電路器件13所占面積對(duì)應(yīng)的一個(gè)最小的面積要求。
如果最后附加的層有一個(gè)硬的接觸表面，如由金制成的表面，則在形成電連接器件16或重新布線器件20、21的過(guò)程中，可以用簡(jiǎn)單的方式產(chǎn)生邊緣連接件形式的利用連接接觸的連接器件19。如果這個(gè)邊緣連接件在密封封裝部分中安排在由有源電路器件12和無(wú)源電路器件13所占據(jù)的區(qū)域之外，這將增加模塊結(jié)構(gòu)的尺寸。
圖14A表示在制造半導(dǎo)體電路模塊過(guò)程中使用的常規(guī)的工藝程序。在制造出實(shí)際的晶片以后，緊跟著的就是晶片測(cè)試，然后再將從晶片逐個(gè)分開的芯片封閉起來(lái)(第一層次包裝)。這個(gè)經(jīng)過(guò)第一層次包裝的元件在用于實(shí)現(xiàn)具有位于印刷電路板上的另外的有源電路器件和無(wú)源電路器件的模塊結(jié)構(gòu)(第二層次的包裝)之前，必須針對(duì)它的功能再次進(jìn)行檢查。最終的模塊測(cè)試提供有關(guān)半導(dǎo)體電路模塊功能的信息。
與其相反，圖14B表示按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的示意工藝程序。這里，在制造晶片后，在全面晶片測(cè)試期間，對(duì)于半導(dǎo)體器件已進(jìn)行可靠(positive1y)測(cè)試并且半導(dǎo)體器件被視為功能正常，在下一個(gè)步驟，對(duì)于這個(gè)經(jīng)過(guò)測(cè)試的半導(dǎo)體器件進(jìn)行進(jìn)一步處理(sic)。接下去，形成模塊，這個(gè)過(guò)程已經(jīng)參照附圖1A-6B作過(guò)詳細(xì)描述，然后以類似的方式讓這個(gè)模塊通過(guò)模塊測(cè)試。這個(gè)工藝程序基于對(duì)良好的(經(jīng)過(guò)測(cè)試的)半導(dǎo)體芯片(已知的良好電路小片(die)的了解。
利用這種技術(shù)，可以廉價(jià)地制造出極薄的模塊晶片。可以將通孔整體式地形成在密封封裝中，并且有可能進(jìn)行從襯底/模塊的前側(cè)到后側(cè)的電連接。這就允許將這些晶片堆置起來(lái)形成3維模塊。如果使半導(dǎo)體器件或芯片和無(wú)源電路器件極薄，則有可能實(shí)現(xiàn)柔軟易彎曲的模塊，這些模塊能夠以簡(jiǎn)單的形式適應(yīng)外殼的形狀。
雖然如以上所述基于典型的優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不局限于此，本發(fā)明可以按各種各樣的方式進(jìn)行改進(jìn)。
雖然我們?cè)O(shè)想的是借助于屬于薄膜技術(shù)的系統(tǒng)在一個(gè)圓形晶片上加工出多個(gè)半導(dǎo)體電路模塊的并行的制造方法，但也可以使用長(zhǎng)方形的晶片結(jié)構(gòu)，可以在用于平直的屏幕顯示器或印刷電路板的機(jī)器上加工這種長(zhǎng)方形的晶片結(jié)構(gòu)。此外，用于電氣/結(jié)構(gòu)連接的或用于有源/無(wú)源電路器件的彼此連接的其它材料也是可以想像出來(lái)的。而且，本發(fā)明不局限于所述的這些應(yīng)用可能性。
權(quán)利要求
1.用于制造半導(dǎo)體電路模塊(31)的方法，該方法包括如下步驟將具有圖形的連接層(11)加到轉(zhuǎn)移襯底(10)上；將具有指向轉(zhuǎn)移襯底(10)的接觸區(qū)(12’、13’)的有源電路器件(12)和/或無(wú)源電路器件(13)加到這個(gè)具有圖形的連接層(11)上；電路器件(12、13)借助于至少設(shè)在電路器件(12、13)之間的填充物(14)相互連接；除去轉(zhuǎn)移襯底(10)；并施加電連接器件(16)，用于對(duì)電路器件(12、13)的接觸區(qū)(12’、13’)進(jìn)行選擇性的接觸連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于至少在一部分電連接器件(16)上加保護(hù)器件(17)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于在保護(hù)器件(17)沒有覆蓋的區(qū)域(23)提供連接器件(19、28)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的方法，其特征在于在印刷過(guò)程設(shè)置具有圖形的連接層(11)。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于將電路器件(12、13)安排在具有圖形的連接層上，以使電路器件(12、130的電接觸區(qū)域(12’、13’)不在具有圖形的連接層(11)上。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于直到電路器件(12、13)施加后，連接層(11)才固化。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于在電路器件(12、13)相互機(jī)械連接期間和/或之后，在遠(yuǎn)離接觸區(qū)(12’、13’)的一側(cè)加上電路器件(12、13)的密封封裝。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于在印刷、或模鑄過(guò)程中，實(shí)現(xiàn)填充物(14)和/或密封封裝(15)的施加。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于填充物(14)和/或密封封裝(15)在固化過(guò)程中先固化，然后再除去轉(zhuǎn)移襯底(10)。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于在至少一個(gè)導(dǎo)電層(20、21)內(nèi)提供電連接層(16)，電連接層(16)具有在x方向的導(dǎo)電軌道(20)和在y方向的導(dǎo)電軌道(21)，一個(gè)內(nèi)插的絕緣層具有多層性，這些導(dǎo)電軌道在每一種情況下都借助于通孔(25)有選擇性地相互連接。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于在一個(gè)并行的過(guò)程中制造多個(gè)半導(dǎo)體電路模塊，在隨后的一個(gè)工藝步驟中，將這些模塊分成半導(dǎo)體電路模塊條(18)或單個(gè)的半導(dǎo)體電路模塊(31)。
12.一種半導(dǎo)體電路模塊(31)，具有具有圖形的連接層(11)；在具有圖形的連接層(11)上的有源電路器件(12)和/或無(wú)源電路器件(13)，它們的接觸區(qū)(12’、13’)指向具有圖形的連接層(11)的連接層方向；填充物(14)，至少位于單個(gè)的電路器件(12、13)之間，用于相互連接電路器件(12、13)；和電連接器件(16)，用于使電路器件(12、13)的連接區(qū)域(12’、13’)有選擇地接觸連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于半導(dǎo)體電路模塊(31)至少在電連接器件(16)的一部分上有一個(gè)保護(hù)器件(17)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于半導(dǎo)體電路模塊(31)在未被保護(hù)器件(17)覆蓋的區(qū)域(23)具有連接器件(19、28)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12-14所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于有源電路器件(12)具有半導(dǎo)體器件(12)，對(duì)于它的功能已經(jīng)進(jìn)行了可靠的測(cè)試。
16.根據(jù)權(quán)利要求12-15所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于在遠(yuǎn)離接觸區(qū)(12’、13’)的一側(cè)，提供電路器件(12、13)密封封裝(15)。
17.根據(jù)權(quán)利要求12-16所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于連接平面(11)包括電介質(zhì)材料，如聚合物、環(huán)氧樹脂、粘合劑、硅酮、聚酰胺。
18.根據(jù)權(quán)利要求12-17所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于填充物(14)包括不導(dǎo)電的可固化的材料，如聚合物、粘合劑、硅酮。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于密封封裝(15)包括的材料與填充物相同，或者，填充物(14)具有附加的性質(zhì)。
20.根據(jù)權(quán)利要求12-19所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于在至少一個(gè)導(dǎo)電層(20、21)內(nèi)提供電連接層(16)，電連接層(16)具有在x方向的導(dǎo)電軌道(20)和在y方向的導(dǎo)電軌道(21)，一個(gè)內(nèi)插的絕緣層具有多層性，這些導(dǎo)電軌道在每一種情況下都借助于通孔(25)有選擇性地相互連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求12-20所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于保護(hù)器件(17)有一個(gè)鈍化層(17)，鈍化層由不導(dǎo)電材料如聚合物制成。
22.根據(jù)權(quán)利要求12-21所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于半導(dǎo)體電路模塊(31)具有至少一個(gè)導(dǎo)電通道，導(dǎo)電通道從密封封裝(15)的前側(cè)到其后側(cè)，借助于導(dǎo)電通道，具體來(lái)說(shuō)借助于導(dǎo)電粘合劑(26)可以連接另一個(gè)半導(dǎo)體電路模塊(31)。
23.根據(jù)權(quán)利要求14-22所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于連接器件(19、28)具有邊緣連接件(19)，或者設(shè)有焊珠(28)的焊盤。
24.根據(jù)權(quán)利要求12-23所述的半導(dǎo)體電路模塊，其特征在于半導(dǎo)體電路模塊的總厚度小于200微米，具體來(lái)說(shuō)總厚度約為100微米。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于制造半導(dǎo)體電路模塊(31)的方法，該方法包括如下步驟將具有圖形的連接層(11)加到轉(zhuǎn)移襯底(10)上；將具有指向轉(zhuǎn)移襯底(10)的接觸區(qū)(12’、13’)的有源電路器件(12)和/或無(wú)源電路器件(13)加到這個(gè)具有圖形的連接層(11)上；電路器件(12、13)借助于至少設(shè)在電路器件(12、13)之間的填充物(14)相互連接；除去轉(zhuǎn)移襯底(10)；并施加電連接器件(16)，用于對(duì)電路器件(12、13)的接觸區(qū)(12’、13’)進(jìn)行選擇性的接觸連接。本發(fā)明還以相似的方式提供一種半導(dǎo)體電路模塊。
文檔編號(hào)H01L23/538GK1477688SQ0315236
公開日2004年2月25日 申請(qǐng)日期2003年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月31日
發(fā)明者格爾德·弗蘭科夫斯克基, 格爾德 弗蘭科夫斯克基, 哈麗·黑德勒, 黑德勒, 瓦斯克斯, 芭芭拉·瓦斯克斯 申請(qǐng)人:印芬龍科技股份有限公司