專利名稱：薄膜晶體管陣列面板及包括該面板的液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板及包括該薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器，更詳細(xì)地，涉及一種包括與像素電極重疊以形成存儲(chǔ)電容器的存儲(chǔ)電極的薄膜晶體管陣列面板及具有該薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(“LCD”)是使用最廣泛的一種平板顯示器。液晶顯示器包括具有產(chǎn)生電場(chǎng)的多個(gè)電極的兩個(gè)面板、置于其間的液晶層、以及分別可起偏光且附著在兩個(gè)面板外表面的兩個(gè)起偏振片。液晶顯示器通過利用施加于電極的電壓重新排列液晶層的液晶分子來控制經(jīng)過液晶層的光的透射比。液晶顯示器可利用液晶材料的性能之一，即液晶分子的排列通過施加的電壓而變化。然而，由于液晶分子不是自發(fā)光體，因此利用光的透射和反射性能的液晶顯示器需要光源。
一般而言，將用于液晶顯示器(“LCD”)的薄膜晶體管(“TFT”)陣列面板作為以獨(dú)立方式驅(qū)動(dòng)相應(yīng)像素的電路板使用。薄膜晶體管陣列面板包括傳輸掃描信號(hào)的掃描信號(hào)布線或柵極布線、傳輸圖像信號(hào)的圖像信號(hào)布線或數(shù)據(jù)布線，與柵極布線及數(shù)據(jù)布線連接的薄膜晶體管、以及通過用于顯示圖像的薄膜晶體管與布線連接的像素電極。該薄膜晶體管陣列面板還包括與像素電極重疊以形成具有存儲(chǔ)電容封入存儲(chǔ)電容器的存儲(chǔ)電極。該存儲(chǔ)電極可以通過改變柵極布線的形狀形成或與柵極布線分開形成。
通過透射來自光源的光顯示圖像的液晶顯示器必須確保高的開口率(aperture ratio，縱橫比)。
與像素電極重疊的存儲(chǔ)電極具有用于獲得足夠存儲(chǔ)電容的較大區(qū)域，但是在這種情況下，開口率會(huì)降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種具有高開口率并可確保足夠存儲(chǔ)電容的薄膜晶體管陣列面板和液晶顯示器。
本發(fā)明的這些和其它目的可以通過定位存儲(chǔ)電極以重疊黑陣并通過與位于存儲(chǔ)電極和像素電極之間的像素電極連接定位存儲(chǔ)電容器來實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管陣列面板，在薄膜晶體管中，在絕緣基片上形成包括柵極線及與柵極線連接的柵極的柵極布線。形成包括存儲(chǔ)電容器電極線及與存儲(chǔ)電容器電極線連接并位于像素區(qū)域邊緣的存儲(chǔ)電容器電極的存儲(chǔ)電容器布線。在覆蓋柵極布線及存儲(chǔ)電容器布線的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層。數(shù)據(jù)布線形成在柵極絕緣層或半導(dǎo)體層上且包括與柵極線交叉以形成像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、與數(shù)據(jù)線連接且位于半導(dǎo)體層上的源極、形成于半導(dǎo)體層上且相對(duì)于柵極面對(duì)所述源極的漏極、和通過柵極絕緣層與存儲(chǔ)電極重疊以形成存儲(chǔ)電容器的第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體。形成像素電極以與漏極及第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體進(jìn)行電連接。
優(yōu)選地，將漏極與第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體連接。而且，優(yōu)選地，薄膜晶體管陣列面板進(jìn)一步包括形成在第二存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體上的保護(hù)層或位于像素電極和漏極及第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體之間的保護(hù)層。
除了源極和漏極之間的通道部之外的半導(dǎo)體層具有與數(shù)據(jù)布線基本相同的圖案，并且可以包括形成于半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)布線之間且具有與數(shù)據(jù)布線相同的圖案的圖案。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖2及圖3是圖1所示的的薄膜晶體管陣列面板沿著II-II′線及III-III′線的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板布局圖；以及圖5及圖6是圖4所示的薄膜晶體管陣列面板沿著V-V′線及VI-VI′線的截面圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，以下參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式，它不局限于在此說明的實(shí)施例。
在附圖中，為了清楚，擴(kuò)大了各層的厚度及區(qū)域。在全篇說明書中對(duì)相同元件附上相同的符號(hào)，應(yīng)當(dāng)理解的是當(dāng)提到層、膜、區(qū)域、或基片等元件在別的部分“之上”時(shí)，指其直接位于別的元件之上，或者也可能有別的元件介于其間。相反，當(dāng)某個(gè)元件被提到“直接”位于別的部分之上時(shí)，指并無別的元件介于其間。
下面，參照附圖詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板及包括該薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器，包括彼此交叉以限定多個(gè)像素區(qū)域的多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線。在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉處設(shè)置多個(gè)薄膜晶體管。每個(gè)薄膜晶體管包括與柵極線中的一條連接的柵極、與數(shù)據(jù)線中的一條連接的源極、以及以柵極為中心與源極面對(duì)的漏極。在像素區(qū)域形成多個(gè)像素電極和多個(gè)存儲(chǔ)電極。像素電極通過薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線進(jìn)行電連接。存儲(chǔ)電極與像素電極重疊以形成存儲(chǔ)電容器。存儲(chǔ)電極位于像素區(qū)域邊緣并與邊緣處的黑陣重疊。黑陣具有多個(gè)開口部(apertures，孔)設(shè)置在像素區(qū)域上的光透射區(qū)域。在像素區(qū)域的邊緣形成多個(gè)存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體。為了在狹窄區(qū)域確保存儲(chǔ)電容，將該存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體定位于存儲(chǔ)電極和像素電極之間并與像素電極電連接。
詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的結(jié)構(gòu)。
首先，參照?qǐng)D1至圖3詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示器薄膜晶體管陣列面板結(jié)構(gòu)。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板布局圖，而圖2及圖3是圖1所示的的薄膜晶體管陣列面板沿著II-II′線及III-III′線的截面圖。被虛線圍上的部分是用于透射光的黑陣BM開口部。
在絕緣基片110上形成柵極布線和存儲(chǔ)電容布線。柵極布線和存儲(chǔ)電容布線包括諸如銀、銀合金、鋁、鋁合金這樣的具有低電阻率的單一層，或包括該單一層的多層。
柵極布線包括沿橫向延伸的多條柵極線121、與柵極線121的一個(gè)端部連接以將來自外部裝置的柵極信號(hào)傳輸給柵極線121的多個(gè)柵極襯墊125、以及與柵極線121連接的多個(gè)薄膜晶體管的柵極123。存儲(chǔ)電容器布線包括多條存儲(chǔ)電容器電極線131及多個(gè)存儲(chǔ)電極133。存儲(chǔ)電容器電極線131沿橫向延伸并接收施加于設(shè)置在面對(duì)薄膜晶體管陣列面板的共同面板上的共同電極的柵極信號(hào)或共同信號(hào)。為了提高像素的開口率，將存儲(chǔ)電極133與存儲(chǔ)電容器電極線131連接并且與在像素區(qū)域的邊緣與黑陣BM重疊。存儲(chǔ)電極133與連接于像素電極190的存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177重疊。當(dāng)柵極布線121、125、123及存儲(chǔ)電容器布線131、133包含多層時(shí)，多層中的一層可以包括具有低電阻率的材料，而另一層可以包括用于與其它材料接觸特性良好的襯墊的導(dǎo)電材料。
優(yōu)選地，基片110上由氮化硅(SiNx)組成的柵極絕緣層140覆蓋柵極布線121、125、123。
在與柵極125相對(duì)的柵極絕緣層140上形成優(yōu)選由非晶硅或多晶硅半導(dǎo)體組成的半導(dǎo)體層150。在半導(dǎo)體層150上分別形成優(yōu)選由重?fù)诫sn型雜質(zhì)的硅化物或n+氫化非晶硅組成的歐姆接觸層163、165。
在歐姆接觸層163、165及柵極絕緣層140上數(shù)據(jù)布線。該數(shù)據(jù)布線包括諸如銀、銀合金、鋁、鋁合金這樣的具有低電阻率的單一層或包括該單一層的多層。數(shù)據(jù)布線包括沿縱向延伸且與柵極線121交叉以限定多個(gè)像素的多條數(shù)據(jù)線171、從數(shù)據(jù)線171分支并延伸至歐姆接觸層的一部分163上的多個(gè)源極173、與數(shù)據(jù)線171的一個(gè)端布連接以接收來自外部裝置的圖像信號(hào)的多個(gè)數(shù)據(jù)襯墊179、以及在歐姆接觸層的另一部分165上形成、相對(duì)于柵極123位于源極173對(duì)面、且與源極173分離的多個(gè)漏極175。為了確保足夠的存儲(chǔ)電容和具有高開口率，數(shù)據(jù)布線還包括與下述像素電極190電連接的在像素區(qū)域邊緣與存儲(chǔ)電極133重疊以形成存儲(chǔ)電容的多個(gè)存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177。存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177也在像素區(qū)域邊緣與黑陣BM重疊可以確保像素開口率，其中間只夾著存儲(chǔ)電極133和柵極絕緣層140重疊，以較窄的重疊面積確保最佳的存儲(chǔ)電容。在該實(shí)施例中，存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177與漏極175連接，但也可以與漏極175分離。
在數(shù)據(jù)布線171、173、175、177、179及未被數(shù)據(jù)布線171、173、175、177、179覆蓋的半導(dǎo)體層150上形成由低電容率絕緣材料組成的鈍化層180。該低電容率絕緣材料包括氧化硅或氮化硅的無機(jī)材料或Si:O:C、Si:O:F等并通過化學(xué)汽相淀積(“CVD”)形成。鈍化層180可以具有單一層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，半導(dǎo)體層150與氮化硅絕緣層接觸，設(shè)置有襯墊的襯墊區(qū)域上不存在有機(jī)材料。
在鈍化層180形成分別露出存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177及數(shù)據(jù)襯墊179的接觸孔187、189，形成與柵極絕緣層140一起露出柵極襯墊125的接觸孔182。
在鈍化層180上形成通過接觸孔187與存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177及漏極175電連接并位于像素區(qū)域的像素電極190。而且，在鈍化層180上形成通過接觸孔182、189分別與柵極襯墊125及數(shù)據(jù)襯墊179連接的輔助柵極襯墊92及輔助數(shù)據(jù)襯墊97。像素電極190和輔助柵極及數(shù)據(jù)襯墊92、97由透明導(dǎo)電材料的ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)等組成。然而，用于反射型液晶顯示器的像素電極190是由諸如銀、銀合金、鋁、或鋁合金這樣的反射性導(dǎo)電材料組成。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板結(jié)構(gòu)中，在像素區(qū)域邊緣與黑陣BM重疊設(shè)置存儲(chǔ)電容器布線131、133，以確保像素開口率的同時(shí)中間只夾著與像素電極190連接的存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177和柵極絕緣層140進(jìn)行重疊，以形成存儲(chǔ)電容器，從而獲得足夠的存儲(chǔ)電容。
另外，為了最小化制造費(fèi)用，通過利用一個(gè)感光圖案(photoresist pattern，光致抗蝕劑圖樣)的光學(xué)蝕刻工序制造半導(dǎo)體層數(shù)據(jù)布線，在完成的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板中半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)布線具有相似圖案。
下面，參照附圖對(duì)用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的這種結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。
首先，參照?qǐng)D4至圖6詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例利用4個(gè)掩模制造的在用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板上的像素單元(pixel unit)結(jié)構(gòu)。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板布局圖，而圖5及圖6是圖4所示的薄膜晶體管陣列面板沿著V-V′線及VI-VI′線的截面圖。
在絕緣基片110上形成包含由低電阻導(dǎo)電材料組成的柵極布線121、125、123。柵極布線包含多條柵極線121、多個(gè)柵極襯墊125、及多個(gè)柵極123。
在基片110上形成包括與柵極線121平行并施加于上部面板的共同電極的共同電壓或從外部裝置接收柵極電壓等的存儲(chǔ)電極線131和與存儲(chǔ)電極線131連接的存儲(chǔ)電極133的存儲(chǔ)電容器布線。存儲(chǔ)電容器電極133與將下述像素電極190連接并與第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177重疊，形成提高像素電荷存儲(chǔ)能力的存儲(chǔ)電容器。當(dāng)在與以后說明的像素電極190連接并與第二存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體圖案176相鄰的像素行足夠擁有由傳輸柵極信號(hào)的前一柵極線121重疊產(chǎn)生的存儲(chǔ)電容時(shí)，可以不形成存儲(chǔ)電容器布線131、133。
在這種結(jié)構(gòu)中，由于使其與前一柵極線121和以后說明的第二存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體176重疊形成存儲(chǔ)電容，因此向存儲(chǔ)電容器布線131、133傳輸施加于柵極線121的柵極信號(hào)。
在柵極布線121、125、123及存儲(chǔ)電容器布線(storage capacitorwire)131、133上形成由氮化硅類組成的柵極絕緣層140，覆蓋柵極布線121、125、123及存儲(chǔ)電容器布線131、133。
在柵極絕緣層140上形成優(yōu)選由多晶硅組成的半導(dǎo)體圖案152、156，在半導(dǎo)體圖案152、156上形成由重?fù)诫s磷P或p型雜質(zhì)的非晶硅類組成的歐姆接觸層圖案或中間層圖案163、165、166。
在歐姆接觸層圖案163、165上形成如同第一實(shí)施例包括由低電阻導(dǎo)電材料組成的導(dǎo)電層的數(shù)據(jù)布線。數(shù)據(jù)布線包括由沿縱向延伸的數(shù)據(jù)線171、與數(shù)據(jù)線171的一個(gè)端部連接以接收來自外部裝置的圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)襯墊179、從數(shù)據(jù)線171分支的薄膜晶體管源極173組成的數(shù)據(jù)線部171、179、173。而且，包括與數(shù)據(jù)線部171、179、173分離并對(duì)于柵極123或薄膜晶體管通道部C位于源極173對(duì)面的薄膜晶體管漏極175。而且，數(shù)據(jù)布線包括位于存儲(chǔ)電極133上的第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177和位于前一柵極線121上的歐姆接觸層圖案166上并與以后說明的像素電極190重疊的第二存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體176。當(dāng)不形成存儲(chǔ)電容器布線131、133時(shí)也不形成第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177。
優(yōu)選地，數(shù)據(jù)布線171、173、175、177、179包含由鋁或鋁合金、鉻、鉬或鉬合金、鉭或鈦組成的導(dǎo)電層。
歐姆接觸層圖案163、165、166具有降低其下部半導(dǎo)體圖案152、156和其上部數(shù)據(jù)布線171、173、175、176、177、179接觸電阻的作用，并具有與數(shù)據(jù)布線171、173、175、176、177、179完全相同的形態(tài)。即，歐姆接觸層163、165、166包括具有與數(shù)據(jù)線部171、179、173基本相同形態(tài)的多個(gè)數(shù)據(jù)線歐姆接觸層163、具有與漏極173和第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177基本相同形態(tài)的多個(gè)漏極歐姆接觸層163、以及具有與存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體176基本相同形態(tài)的多個(gè)存儲(chǔ)電容器歐姆接觸層166。
另外，半導(dǎo)體圖案152、156除了薄膜晶體管通道部C之外具有與數(shù)據(jù)布線171、173、175、176、177、179及歐姆接觸層圖案163、165、166相同形態(tài)。具體而言，存儲(chǔ)電容器半導(dǎo)體156和第二存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177及存儲(chǔ)電容器接觸層166具有基本相同形態(tài)，但薄膜晶體管半導(dǎo)體152與數(shù)據(jù)布線及歐姆接觸層圖案剩余部分稍微不同。即，在薄膜晶體管通道部C分離數(shù)據(jù)線部171、179、173、177，特別是分離源極173和漏極175，也分離數(shù)據(jù)線部歐姆接觸層163和漏極歐姆接觸層圖案165，但薄膜晶體管半導(dǎo)體152在此未斷開而連接產(chǎn)生薄膜晶體管通道。
在未被數(shù)據(jù)布線171、173、175、176、177、179及數(shù)據(jù)布線覆蓋的半導(dǎo)體層152上形成包括氮化硅或氧化硅或低電容率有機(jī)材料或Si:O:C、Si:O:F等且由化學(xué)汽相淀積形成的低電容率CVD材料組成的鈍化層180。
鈍化層180具有露出第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體177、數(shù)據(jù)襯墊179及存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體176的接觸孔187、189、186，而且具有與柵極絕緣層140一起露出柵極襯墊125的接觸孔182。
在鈍化層180上形成從薄膜晶體管接收?qǐng)D像信號(hào)以與上部面板電極一起形成電場(chǎng)的像素電極190。像素電極190由ITO或IZO等透明導(dǎo)電材料形成，通過接觸孔187與漏極175及第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體物理、電連接，接收?qǐng)D像信號(hào)。像素電極190與相鄰的柵極線121及數(shù)據(jù)線重疊提高開口率，但也可以不重疊。而且，像素電極190通過接觸孔186與第二存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體176連接，并向第二導(dǎo)電體圖案176傳輸圖像信號(hào)。另外，在柵極襯墊125及數(shù)據(jù)襯墊179上形成通過接觸孔182、189分別與它們連接的輔助柵極襯墊92及輔助數(shù)據(jù)襯墊97，它們補(bǔ)充與襯墊125、179和外部電路接觸性，保護(hù)襯墊，但并非必需，且使用與否是有選擇性的。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
因此，將存儲(chǔ)電容器設(shè)置在像素區(qū)域的邊緣并與連接于像素電極的存儲(chǔ)電容器導(dǎo)體重疊以確保足夠的存儲(chǔ)電容和擴(kuò)大的開口率。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括絕緣基片；柵極布線，形成于所述絕緣基片上且包括柵極線及與所述柵極線連接的柵極；存儲(chǔ)電容器布線，形成于所述絕緣基片上且包括存儲(chǔ)電容器電極線及與所述存儲(chǔ)電容器電極線連接并位于像素區(qū)域邊緣的存儲(chǔ)電容器電極；柵極絕緣層，覆蓋所述柵極布線及所述存儲(chǔ)電容器布線；半導(dǎo)體層，形成于所述柵極絕緣層上；數(shù)據(jù)布線，形成于所述柵極絕緣層或所述半導(dǎo)體層上，并且包括與所述柵極線交叉以限定所述像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線連接且位于所述半導(dǎo)體層上的源極、形成于所述半導(dǎo)體層上且相對(duì)于所述柵極面對(duì)所述源極的漏極、和通過所述柵極絕緣層與所述存儲(chǔ)電極重疊以形成存儲(chǔ)電容器的第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體；以及像素電極，與所述漏極及所述第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，將所述漏極與所述第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，進(jìn)一步包括在所述像素區(qū)域邊緣與前一柵極線重疊以形成存儲(chǔ)電容器的第二存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，進(jìn)一步包括在所述像素電極和所述漏極及所述第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體之間形成的鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，除了所述源極和所述漏極之間的通道部之外的所述半導(dǎo)體層具有與所述數(shù)據(jù)布線基本相同的圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，進(jìn)一步包括形成在所述半導(dǎo)體層和所述數(shù)據(jù)布線之間且具有與所述數(shù)據(jù)布線相同圖案的歐姆接觸層。
7.一種液晶顯示器，包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，進(jìn)一步包括在所述像素區(qū)域具有開口部的黑陣，所述黑陣的至少一部分與所述第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體重疊。
全文摘要
在絕緣基片上形成包括沿橫向延伸的柵極線及與該柵極線連接的柵極的柵極布線。形成包括沿橫向延伸的存儲(chǔ)電容器電極線及與該存儲(chǔ)電容器電極線連接并位于像素區(qū)域邊緣的存儲(chǔ)電極的存儲(chǔ)電容器布線。在覆蓋柵極布線及存儲(chǔ)電容器布線的柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層。在柵極絕緣層或半導(dǎo)體層上形成且包括與柵極線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)布線、與數(shù)據(jù)線連接并位于半導(dǎo)體層上的源極、在半導(dǎo)體層上形成且相對(duì)于柵極位于源極面對(duì)的漏極、以及通過柵極絕緣層與存儲(chǔ)電容器電極重疊以形成存儲(chǔ)電容器的第一存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體。在覆蓋數(shù)據(jù)布線的鈍化層上形成與漏極及存儲(chǔ)電容器導(dǎo)電體電連接的像素電極。
文檔編號(hào)H01L27/12GK1650223SQ02829478
公開日2005年8月3日 申請(qǐng)日期2002年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月21日
發(fā)明者金相洙, 金東奎 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社