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多層電路布線板、集成電路封裝及多層電路布線板的制造方法

文檔序號:6985007閱讀:364來源:國知局
專利名稱:多層電路布線板、集成電路封裝及多層電路布線板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種裝載半導(dǎo)體元件的多層電路布線板、半導(dǎo)體封裝及多層電路布線板的制造方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體大規(guī)模集成電路(LSI)等半導(dǎo)體元件中,近年來出現(xiàn)了工作速度在時(shí)鐘頻率下達(dá)到1GHz的半導(dǎo)體元件。在這種高速半導(dǎo)體元件中,晶體管的集成度高,因此,輸入輸出端子數(shù)量超過1000。為了在印制線路板上安裝這種多端子數(shù)的半導(dǎo)體元件,開發(fā)了各種技術(shù)。作為當(dāng)前廣泛實(shí)用化的技術(shù),有例如BGA(Ball Grid Array球柵陣列)或CSP(Chip Size Package芯片尺寸封裝)等內(nèi)插板(Interposer)。
圖1表示將半導(dǎo)體元件裝載在BGA結(jié)構(gòu)的內(nèi)插板中,并安裝到印制線路板上的IC(集成電路)封裝的一個(gè)例子。
圖1中,多層電路布線板53具有將環(huán)氧樹脂等浸漬在玻璃布中的敷銅基板(玻璃環(huán)氧基板)530、及分別交互層疊絕緣層和導(dǎo)體布線層而構(gòu)成的第1層531和第2層532。第1層531形成于玻璃環(huán)氧基板530的一個(gè)面,第2層532形成于另一面。
在第1層531的表面,形成由進(jìn)行了表面處理的金等構(gòu)成的墊(pad)536、及用于與半導(dǎo)體元件54的未圖示電極取得電連接的金等構(gòu)成的突塊(bump)537。另外,在第2層532的表面,由進(jìn)行了表面處理的金等形成用于經(jīng)由焊料球52與印制線路板51的導(dǎo)體布線層511連接的墊538。墊536與墊538通過導(dǎo)通孔接觸(viacontact)層導(dǎo)電層533、535取得導(dǎo)通。
這樣,在玻璃環(huán)氧基板上依次層疊絕緣樹脂層與導(dǎo)體布線層后,形成多層電路布線板的方法被稱為積層(build-up)制造法。該技術(shù)的細(xì)節(jié)例如記載于日本特開平4-148590號公報(bào)中。
在該方法中,如現(xiàn)有的統(tǒng)括層疊的多層電路布線板的絕緣層那樣,不使用玻璃纖維織物等芯材。即,多層電路布線板的絕緣層通過在玻璃環(huán)氧基板上涂敷感光性樹脂組成物并使之固化來形成。另一方面,積層制造法的多層電路布線板的布線圖形與現(xiàn)有的多層電路布線板不同,通過電鍍來形成。因此,可在多層電路布線板中形成比以前的多層電路布線板還微細(xì)的布線圖形。例如,可形成線寬為50μm、間隔寬度為50μm左右的布線。
連接上下導(dǎo)體布線層的導(dǎo)通孔接觸層535如下形成利用樹脂組成物的感光性,通過光刻法來形成微細(xì)的孔,并對該孔內(nèi)進(jìn)行電鍍。相對于現(xiàn)有統(tǒng)括層疊的多層電路布線板的通孔直徑300μm的界限而言,通過該方法可形成100μm左右的孔,可實(shí)現(xiàn)高密度化。
但是,現(xiàn)有多層電路布線板的結(jié)構(gòu)從高密度化、信號輸送的高速化、批量化生產(chǎn)的觀點(diǎn)看,例如存在如下問題。
第1,積層制造法的導(dǎo)體布線層通過無電解電鍍及電解電鍍形成于絕緣樹脂上。通常,絕緣樹脂上的無電解電鍍層的粘接力低。因此,在無電解電鍍之前,在絕緣樹脂表面形成最大5~10μm的凹凸,通過錨定(anchor)效應(yīng)來使粘接力提高。由于該凹凸,在通過蝕刻等形成布線圖形時(shí),產(chǎn)生寬度方向的偏差,得不到圖形的直線性。在寬度50μm以下的圖形中,該寬度方向的偏差不能忽視。在通過高速信號時(shí),產(chǎn)生反射引起的噪聲變大的問題。因此,在現(xiàn)有的積層制造法中,難以高密度形成可高速輸送信號的多層電路布線板,具體而言,難以形成這樣一種多層電路布線板和IC封裝,其所具備的布線圖形具有50μm以下的微細(xì)的線和間隔(line andspace)。
第2,因?yàn)椴AЛh(huán)氧基板沒有撓性,所以不能采用使用長基材來連續(xù)形成多層電路布線板的卷至卷(roll-to-roll)工序,難以批量化。
第3,如上所述,隨著半導(dǎo)體元件內(nèi)的處理速度的高速化,半導(dǎo)體元件的輸入輸出端子數(shù)量增加。在這種狀況下,與內(nèi)插板的連接方法不能由引線接合法(wire bonding)來對應(yīng)。另一方面,從內(nèi)插板內(nèi)的連續(xù)端子來的布線難以是單層,有時(shí)至少分為2層來引繞。另外,為了對應(yīng)于信號的高速化,還需要稱為布線的微帶(microstrip)結(jié)構(gòu)和帶結(jié)構(gòu)、或稱為共面(coplanar)結(jié)構(gòu)等多層化。
但是,若從制造內(nèi)插板來看,則層數(shù)的增加使制造率果明顯降低。因此,盡可能有效地配置布線、減少層數(shù)的設(shè)計(jì)是重要的。為了形成有效的布線,持有具有更微細(xì)的線和間隔的布線圖形的多層電路布線板和IC封裝的要求變高。
第4,在積層制造法的多層布線板中,如上所述,采用通過現(xiàn)有方法在芯層上制作的基板(玻璃環(huán)氧基板)。在該基板中,為了取得上下導(dǎo)通,使用利用鉆形成貫穿孔、并對孔側(cè)面進(jìn)行電鍍而形成的通孔(through hole)。因?yàn)橥资褂勉@機(jī)械地形成,所以其微小化有限。同樣,其節(jié)距(pitch)也有限。例如,當(dāng)前直徑的代表值為300μm,節(jié)距的代表值為800μm。
這樣,因?yàn)橥准捌涔?jié)距有限,所以存在不能提高BGA球狀管腳密度的問題。因此,若半導(dǎo)體元件的輸入輸出端子數(shù)量增加,則內(nèi)插板的主體尺寸必然變大,結(jié)果布線長度變長,而導(dǎo)致信號延遲。
并且,因?yàn)樾緦拥耐坠?jié)距大,所以僅在裝載半導(dǎo)體元件一側(cè)的積層上形成高密度微細(xì)布線。相反,芯層對面的裝載球體一側(cè)的積層大多僅用于防止翹曲,因此,層數(shù)比必要的還多,成本變高。
另外,因?yàn)橛糜谛緦拥牟AЛh(huán)氧基板一般由玻璃纖維織物構(gòu)成,所以具有一定程度的厚度,因此,內(nèi)插板的總厚度變厚。若總厚度變厚,則難以用板厚方向的布線、即通孔或?qū)捉佑|層來匹配特性電阻,不利于高速化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題作出,其目的在于提供一種多層電路布線板的制造方法,可形成具有微細(xì)的線和間隔的布線圖形,并能采用使用長基材來連續(xù)形成多層電路布線板的卷至卷工序。
根據(jù)本發(fā)明的第1方式,提供一種多層電路布線板,其層疊多個(gè)膜,在各膜的至少一個(gè)面上形成布線圖形,分別形成于相鄰的膜的面上的布線圖形通過形成于一個(gè)膜中的導(dǎo)通孔接觸層相互電連接。
根據(jù)本發(fā)明的第2方式,提供一種多層電路布線板,其具備第1膜,具有形成于一個(gè)面上的第1布線圖形、形成于另一面上的第2布線圖形、及使所述第1布線圖形與所述第2布線圖形電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;第2膜,一個(gè)面上具有用于集成電路安裝的第3布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述一個(gè)面上;第3膜,一個(gè)面上具有用于與印制線路板取得電連接的第4布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述另一個(gè)面上;第2導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第1布線圖形與所述第3圖形;和第3導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第2布線圖形與所述第4圖形。
根據(jù)本發(fā)明的第3方式,提供一種多層電路布線板,其具有在一個(gè)面上具有第1布線圖形的第1膜;和第2膜,在一個(gè)面上具有用于集成電路安裝的第3布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述一個(gè)面上;第2膜具有電連接所述第1布線圖形與所述第3圖形的第1導(dǎo)通孔接觸層。
根據(jù)本發(fā)明的第4方式,提供一種多層布線板,其具備第1膜,具有形成于一個(gè)面上的第1布線圖形、形成于另一面上的第2布線圖形、及使所述第1布線圖形與所述第2布線圖形電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;第2膜,具有形成于一個(gè)面上的第3布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述一個(gè)面上;第3膜,具有形成于一個(gè)面上的第4布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述另一個(gè)面上;第2導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第1布線圖形與所述第3圖形;第3導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第2布線圖形與所述第4圖形;第4膜,具有形成于一個(gè)面上的用于集成電路安裝的第5布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第2膜中;第5膜,在一個(gè)面上具有與印制線路板取得電連接的第6布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第3膜中;第4導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第3布線圖形與所述第5圖形;和第5導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第4布線圖形與所述第6圖形。
根據(jù)本發(fā)明的第5方式,提供一種多層布線板,其層疊多個(gè)膜,在各樹脂膜的至少一個(gè)面上形成布線圖形,分別形成于相鄰的樹脂膜的面上的布線圖形通過形成于一個(gè)樹脂膜中的導(dǎo)通孔接觸層相互電連接,位于一側(cè)最外側(cè)的膜的布線圖形是用于安裝集成電路的布線圖形,位于另一側(cè)最外側(cè)的膜的布線圖形是用于與印制線路板電連接的布線圖形。
根據(jù)本發(fā)明的第6方式,提供一種集成電路封裝,包括集成電路和安裝該集成電路的多層電路布線板,其中,所述多層電路布線板具備第1膜,具有形成于一個(gè)面上的第1布線圖形、形成于另一面上的第2布線圖形、及使所述第1布線圖形與所述第2布線圖形電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;第2膜,一個(gè)面上具有用于安裝所述集成電路的第3布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述一個(gè)面上;第3膜,一個(gè)面上具有用于與印制線路板取得電連接的第4布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述另一個(gè)面上;第2導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第1布線圖形與所述第3圖形;和第3導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第2布線圖形與所述第4圖形。
根據(jù)本發(fā)明的第7方式,提供一種集成電路封裝,包括集成電路、安裝該集成電路的多層電路布線板、及安裝該多層電路布線板的印制線路板,其中,所述多層電路布線板具備第1膜,具有形成于一個(gè)面上的第1布線圖形、形成于另一面上的第2布線圖形、及使所述第1布線圖形與所述第2布線圖形電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;第2膜,一個(gè)面上具有用于安裝所述集成電路的第3布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述一個(gè)面上;第3膜,一個(gè)面上具有用于與所述印制線路板取得電連接的第4布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述另一個(gè)面上;第2導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第1布線圖形與所述第3圖形;和第3導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第2布線圖形與所述第4圖形。
根據(jù)本發(fā)明的第8方式,提供一種多層電路布線板的制造方法,具備以下步驟在一個(gè)面上具有第1導(dǎo)體層、另一個(gè)面上具有第2導(dǎo)體層的第1膜中,形成使所述第1導(dǎo)體層與所述第2導(dǎo)體層電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;在所述第1導(dǎo)體層上形成第1布線圖形,在所述第2導(dǎo)體層上形成第2布線圖形;在所述一個(gè)面上,在第1絕緣層側(cè)層疊具有該第1絕緣層和形成于該第1絕緣層上的第3導(dǎo)體層的第2膜;在所述第1膜的所述另一個(gè)面上,在第2絕緣層側(cè)層疊具有該第2絕緣層和形成于該第2絕緣層上的第4導(dǎo)體層的第3膜;形成使所述第3導(dǎo)體層與所述第1布線圖形電連接的第2導(dǎo)通孔接觸層、及使所述第4導(dǎo)體層與所述第2布線圖形電連接的第3導(dǎo)通孔接觸層;在所述第1導(dǎo)體層上形成用于安裝集成電路的布線圖形;在所述第2導(dǎo)體層上形成用于與印制線路板電連接的布線圖形。
根據(jù)本發(fā)明的第9方式,提供一種多層電路布線板的制造方法,具備以下步驟在一個(gè)面上具有第1導(dǎo)體層、另一個(gè)面上具有第2導(dǎo)體層的第1膜中,形成使所述第1導(dǎo)體層與所述第2導(dǎo)體層電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;在所述第1導(dǎo)體層上形成第1布線圖形,在所述第2導(dǎo)體層上形成第2布線圖形;在所述第1膜的所述一個(gè)面上,在第1絕緣層側(cè)層疊具有該第1絕緣層和形成于該第1絕緣層上的第3導(dǎo)體層的第2膜;在所述第1膜的所述另一個(gè)面上,在第2絕緣層側(cè)層疊具有該第2絕緣層和形成于該第2絕緣層上的第4導(dǎo)體層的第3膜;形成使所述第3導(dǎo)體層與所述第1布線圖形電連接的第2導(dǎo)通孔接觸層、及使所述第4導(dǎo)體層與所述第2布線圖形電連接的第3導(dǎo)通孔接觸層;在所述第3導(dǎo)體層和所述第4導(dǎo)體層上形成規(guī)定的布線圖形;在所述第3導(dǎo)體層的布線圖形側(cè),層疊具有第3絕緣層和形成于該第3絕緣層上的第5導(dǎo)體層的第4膜;在所述第4導(dǎo)體層的布線圖形側(cè),層疊具有第4絕緣層和形成于該第4絕緣層上的第6導(dǎo)體層的第5膜;形成使所述第3導(dǎo)體層的布線圖形與所述第5導(dǎo)體層電連接的第4導(dǎo)通孔接觸層、及使所述第4導(dǎo)體層的布線圖形與所述第6導(dǎo)體層電連接的第5導(dǎo)通孔接觸層;在所述第3導(dǎo)體層上形成用于安裝集成電路的布線圖形;在所述第4導(dǎo)體層上形成用于與印制線路板電連接的布線圖形。
根據(jù)本發(fā)明的第10方式,提供一種多層電路布線板的制造方法,具備以下步驟(a)在一個(gè)面上具有第1導(dǎo)體層、另一個(gè)面上具有第2導(dǎo)體層的第1膜中,形成使所述第1導(dǎo)體層與所述第2導(dǎo)體層電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;(b)在所述第1導(dǎo)體層上形成第1布線圖形,在所述第2導(dǎo)體層上形成第2布線圖形;(c)在所述第1膜的所述一個(gè)面上,在第1絕緣層側(cè)層疊具有該第1絕緣層和形成于該第1絕緣層上的第3導(dǎo)體層的第2膜;(d)在所述第1膜的所述另一個(gè)面上,在第2絕緣層側(cè)層疊具有該第2絕緣層和形成于該第2絕緣層上的第4導(dǎo)體層的第3膜;(e)形成使所述第3導(dǎo)體層與所述第1布線圖形電連接的第2導(dǎo)通孔接觸層、及使所述第4導(dǎo)體層與所述第2布線圖形電連接的第3導(dǎo)通孔接觸層;(f)在所述第3導(dǎo)體層和所述第4導(dǎo)體層上形成規(guī)定的布線圖形;(g)在所述第3導(dǎo)體層的布線圖形側(cè),層疊具有第3絕緣層和形成于該第3絕緣層上的第5導(dǎo)體層的第4膜;(h)在所述第4導(dǎo)體層的布線圖形側(cè),層疊具有第4絕緣層和形成于該第4絕緣層上的第6導(dǎo)體層的第5膜;(i)形成使所述第3導(dǎo)體層的布線圖形與所述第5導(dǎo)體層電連接的第4導(dǎo)通孔接觸層、及使所述第4導(dǎo)體層的布線圖形與所述第6導(dǎo)體層電連接的第5導(dǎo)通孔接觸層;對需要的層數(shù)重復(fù)所述(g)至所述(i)的工序;在位于所述一個(gè)面最外側(cè)的導(dǎo)體層上,形成用于安裝集成電路的布線圖形;在位于所述另一面最外側(cè)的導(dǎo)體層上,形成用于與印制線路板電連接的布線圖形。
根據(jù)本發(fā)明的第11方式,提供一種多層電路布線板的制造方法,具備以下步驟在一個(gè)面上具有第1導(dǎo)體層、另一個(gè)面上具有第2導(dǎo)體層的第1膜中,形成使所述第1導(dǎo)體層與所述第2導(dǎo)體層電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;對所述第1導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖,形成第1布線圖形;在所述第1布線圖形上,以使所述第1絕緣層在所述第1布線圖形上的方式,來層疊具有第1絕緣層與第3導(dǎo)體層的第2膜;形成使所述第3導(dǎo)體層與所述第1布線圖形電連接的第2導(dǎo)通孔接觸層;對所述第3導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖,形成第2布線圖形;在所述第2布線圖形上,以使所述第2絕緣層在所述第2布線圖形上的方式,層疊具有第2絕緣層與第4導(dǎo)體層的第3膜;形成使所述第4導(dǎo)體層與所述第2布線圖形電連接的第3導(dǎo)通孔接觸層;對所述第4導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖,形成第3布線圖形;對所述第2導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖,形成第4布線圖形。


圖1是表示在BGA結(jié)構(gòu)的內(nèi)插板上裝載半導(dǎo)體元件、并安裝到印制線路板上的IC封裝的一個(gè)例子的圖。
圖2是表示具有多層電路布線板11、IC12的、所謂第1安裝等級的IC封裝10的剖面圖。
圖3是表示將IC12安裝到多層電路布線板上的結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子的圖。
圖4是表示將IC12安裝到多層電路布線板上的結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子的圖。
圖5是表示將IC12安裝到多層電路布線板上的結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子的圖。
圖6是表示將IC12安裝到多層電路布線板上的結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子的圖。
圖7是說明卷至卷制造法的圖。
圖8A~8I是用于說明根據(jù)實(shí)施例1的多層電路布線板的制造方法的剖面圖。
圖9A~9E是用于說明根據(jù)實(shí)施例2的多層電路布線板的制造方法的剖面圖。
圖10是表示6層多層電路布線板的剖面圖。
圖11是表示帶固定框的4層多層電路布線板的剖面圖。
圖12是表示帶固定框的6層多層電路布線板的剖面圖。
圖13A~13G是用于說明根據(jù)實(shí)施例3的多層電路布線板的制造方法的剖面圖。
圖14A~14L是用于說明根據(jù)實(shí)施例4的多層電路布線板的制造方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面,參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外,在以下說明中,向具有大致相同功能和結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)要素附加相同標(biāo)號,僅在必要的情況下才進(jìn)行重復(fù)說明。
圖2表示具有焊料球9、多層電路布線板11、IC12的、所謂第1安裝等級的IC封裝10。圖2中,多層電路布線板11具備絕緣層131a、131b、131c、粘接層15b、15c、布線圖形17a、17b、21、23、導(dǎo)通孔接觸層19a、19b。該多層電路布線板11由布線圖形21安裝IC12,另外,由布線圖形23安裝在未圖示的印制線路板上。該IC封裝10與未圖示的印制線路板構(gòu)成所謂第2安裝等級的IC封裝。
絕緣層131a、131b、131c例如是聚酰亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、液晶聚合物等構(gòu)成的膜(film)。其中,從耐熱性好方面,尤其期望是聚酰亞胺樹脂。聚酰亞胺是使二胺化合物與四羧酸化合物縮合后形成的耐熱性聚合物,尤其當(dāng)在這些化合物中使用芳香性化合物時(shí),可形成玻璃轉(zhuǎn)變溫度為350℃以上的高耐熱性聚合物。也被多用作電子材料的絕緣物,其形態(tài)用作膜,或用作涂敷材料。但是,只要是具有耐熱性、撓性、平滑性、低吸水率的膜,也可以是其它材料構(gòu)成的膜。
絕緣層的厚度優(yōu)選為12.5~80μm。若不足12.5μm,則不能電絕緣,若超過80μm,則在整體基板厚度變厚,而且若考慮特性電阻,則因?yàn)槭褂煤竦慕^緣層使布線寬度必需取得寬,所以難以進(jìn)行高密度布線。
另外,在本實(shí)施方式中,為了簡化說明,設(shè)定絕緣層131a、131b、131c為聚酰亞胺層。
聚酰亞胺層131a、131b、131c的表面粗糙度最好是JIS B 0601中示出的十點(diǎn)平均粗糙度Rz=0.01~5.0的范圍。這是因?yàn)槿羰c(diǎn)平均粗糙度Rz比0.01小時(shí),則得不到充分的層間緊貼強(qiáng)度,層間的可靠性存在問題,另外,若Rz比5.0大,則難以形成微細(xì)圖形。
尤其是在形成于聚酰亞胺表層的布線寬度為50μm以下的情況下,若Rz為5.0以上,則不能忽視布線寬度的偏差,在通過高速信號時(shí),反射引起的噪聲不能忽視。因此,Rz最好為5.0以下。
布線圖形17a、17b、布線圖形21、布線圖形23分別通過后述方法由層疊在聚酰亞胺層131a、聚酰亞胺層131b、聚酰亞胺層131c上的導(dǎo)體層形成。該導(dǎo)體層的材料、即布線圖形17a、17b、21、23的材料可原樣使用通常的布線基板中使用的材料,不做特別限定。通常,例如可使用銅箔。這樣在布線導(dǎo)體層上使用銅箔的情況下,只要平滑,則不特別限定銅箔的種類,例如可利用電解銅箔、壓延銅箔等。
導(dǎo)體層的厚度優(yōu)選為3~18μm。
另外,在圖2所示多層電路布線板11的布線圖形21側(cè),通過突塊25安裝IC12,在布線圖形23側(cè),通過焊料球9來連接印制線路板(焊料球和印制線路板都未圖示)。
粘接層15b、15c是用于在膜131a的一個(gè)面上粘接膜131b、在另一個(gè)面上粘接膜131c的層。該粘接層15b、15c只要具有耐熱性、撓性、平滑性、低吸水率即可,不特別限定。例如,可使用環(huán)氧類粘接劑、橡膠類粘接劑、聚酰亞胺類粘接劑、聚烯烴類粘接劑、丙烯類粘接劑等。其中,尤其優(yōu)選至少在類內(nèi)具有環(huán)氧固化成分的熱固化性粘接劑。
這是因?yàn)榕c熱塑性粘接劑在融點(diǎn)以上的加工溫度下再次示出可塑性相反,在類內(nèi)具有環(huán)氧固化成分的熱固化性粘接劑可通過在層疊后使之熱固化來提高耐熱性,可提供可靠性好的固化物。作為特征在于至少含有環(huán)氧固化成分的粘接劑,除了環(huán)氧類粘接劑,還可例舉在丙烯類材料中含有環(huán)氧固化成分的粘接劑、在聚酰亞胺類材料中含有環(huán)氧固化成分的粘接劑、在橡膠類材料中含有環(huán)氧固化成分的粘接劑等。當(dāng)然,當(dāng)然并不限于此,也可以是其它粘接劑。
這里,所謂本實(shí)施方式的環(huán)氧固化成分,是指包含環(huán)氧化合物、及與之反應(yīng)后使環(huán)氧化合物固化的成分的全部固化類。例如,是產(chǎn)生環(huán)氧化合物與胺類的固化反應(yīng)、環(huán)氧化合物與碳酸類的固化反應(yīng)、環(huán)氧化合物與酚類的固化反應(yīng)、環(huán)氧化合物與酸酐類的固化反應(yīng)、環(huán)氧化合物與聚酰亞胺樹脂的固化反應(yīng)、基于咪唑類的環(huán)氧化合物的固化反應(yīng)、基于潛伏性固化劑的環(huán)氧化合物的固化反應(yīng)、以及基于這些的組合等的固化反應(yīng)的類。當(dāng)然,環(huán)氧固化成分不限于這些示例。
另外,粘接層15b、15c的厚度優(yōu)選為30μm以下。若粘接劑厚度超過30μm,則因?yàn)樵黾泳埘啺穼幼鳛榻^緣層,所以用于使層間連接的導(dǎo)通孔(via hole互連孔)的高寬比變大,難以高可靠性地形成導(dǎo)通孔接觸層。
形成導(dǎo)通孔接觸層19,以取得形成于各膜131a、131b、131c上的布線圖形間的電導(dǎo)通。因此,導(dǎo)通孔接觸層19由通過電鍍處理等形成的導(dǎo)電層構(gòu)成。
突塊25是用于將IC12安裝于多層電路布線板11上的焊錫。
圖3表示將IC12安裝到多層電路布線板上11上的結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子。在圖3所示結(jié)構(gòu)中,將IC12的電極向上地裝載在多層電路布線板11上,使用引線200(例如金線或鋁線等)對該電極與布線圖形21進(jìn)行引線接合。
圖4和圖5表示將金屬板裝載在圖2中安裝的IC12上的IC封裝。圖4中,首先用粘接劑230將固定框210粘合在IC12的裝載面的除IC裝載部以外的部分上后,用平的金屬板220擋住固定框210,密封IC12。另外,圖5中,不使用固定框,使成形加工后的金屬板221從上面覆蓋來密封IC12。作為固體框210的材料,可以是金屬,也可以是樹脂,或無機(jī)物與有機(jī)物的混合材料。另外,金屬板220或221在密封IC12的同時(shí)也可作為散熱板。
圖6表示用密封樹脂240來密封圖3中安裝的IC12。在樹脂密封中,有從IC12的上面滴下樹脂液來進(jìn)行密封的接合法、或使用模具來流入熔融后的樹脂的轉(zhuǎn)移壓模法。
以上說明的多層電路布線板11由聚酰亞胺樹脂等構(gòu)成,所以具有撓性。因此,可通過卷至卷制造法來批量生產(chǎn)。
這里,說明卷至卷制造法。所謂卷至卷制造法,如圖7所示,是從卷出部卷出帶基板(帶狀基板)后,輸送到加工處理部,在加工處理部進(jìn)行處理,將由卷繞部卷繞制造后的多層電路布線板的制造方法。該制造方法的優(yōu)點(diǎn)在于生產(chǎn)性好。因?yàn)檫吘沓鲞吘砝@,所以使用的帶基板必需具有一定的撓性。因此,由現(xiàn)有的玻璃環(huán)氧樹脂構(gòu)成的帶基板不能用于該方法中。
多層電路布線板11具有多層電路布線(圖2中為布線圖形17a、17b、21、23等4層電路布線)。因此,可安裝端子數(shù)量多的半導(dǎo)體元件,可高速高效進(jìn)行信號傳輸,另外,也可以使半導(dǎo)體元件進(jìn)一步高集成化。并且,各布線圖形17a、17b、21、23與聚酰亞胺層131a、131b、131c平滑且牢固地粘接。因此,尤其是在與具有用于牢固粘接的凹凸的基板相比較的情況下,多層電路布線板11具有高的信號傳輸效率。
另外,根據(jù)后述的制造方法,可以使多層電路布線板11進(jìn)一步多層化(即設(shè)置4層以上的電路布線)。由此,還可以實(shí)現(xiàn)端子數(shù)量多的半導(dǎo)體元件的安裝、信號傳輸?shù)母咚倩托驶?、半?dǎo)體元件的進(jìn)一步高集成化。
多層電路布線板的制造方法下面,說明多層電路布線板11的一般層疊工序。另外,具體的制造例由后述的實(shí)施例詳細(xì)說明。
多層電路布線板11的制造工序可大致分為膜的層疊、導(dǎo)通孔的形成、布線圖形形成等各工序。下面,對每個(gè)工序說明其內(nèi)容。
1、層疊工序在層疊工序中,在至少單面具有布線圖形的一個(gè)膜上,將該導(dǎo)體層作為外側(cè),層疊單面具有導(dǎo)體層的另一膜。雖然不特別限定,但在該層疊工序中,可利用通常的按壓或?qū)訅旱葘盈B裝置。最好是,為了防止產(chǎn)生氣泡或空隙,期望利用真空按壓或真空層壓。另外,出于生產(chǎn)性好的理由,優(yōu)選用卷至卷工序來進(jìn)行生產(chǎn)。
膜的層疊有重新設(shè)置由粘接劑構(gòu)成的粘接層的情況、及通過使用具有粘接性的膜而不重新設(shè)置粘接層的情況。所謂具有粘接性的膜例如是熱塑性聚酰亞胺或液晶聚合物等表現(xiàn)出熱塑性的熱塑性膜。如果采用這些膜,則可不重新設(shè)置粘接層地進(jìn)行膜單體層疊。
在設(shè)置由粘接劑構(gòu)成的粘接層的情況下,作為用于本實(shí)施方式的粘接劑的方式,考慮清漆(varnish)類型、膜類型等。雖不特別限定,但從生產(chǎn)性好來看,優(yōu)選是膜類型。在使用該膜狀粘接劑的情況下,可例舉如下的層疊方法。即,通過同時(shí)層疊至少單面具有布線的膜、膜狀粘接劑、單面具有導(dǎo)體層的膜,可形成層疊化膜。此外,可例舉如下方法等,即,在至少單面具有布線的膜上層壓膜狀粘接劑后,層疊單面具有導(dǎo)體層的膜的方法,事先在單面具有導(dǎo)體層的膜的膜一側(cè)層壓粘接層,將其層疊在至少單面具有布線的膜上的方法等。
在使用清漆粘接劑的情況下,例如可例舉如下層疊方法。即,通過在至少單面具有布線的膜上涂敷粘接劑,形成粘接層后,層疊單面具有導(dǎo)體層的膜,形成層疊化膜。另外,可例舉如下方法等,即,在至少單面具有布線圖形的膜上,層疊事先在單面具有導(dǎo)體層的膜的膜一側(cè)涂敷了粘接劑后、的帶粘接劑膜的粘接層一側(cè)的方法等。另外,當(dāng)然不限于例舉的內(nèi)容。
另外,粘接層最好一般以例如環(huán)氧類、橡膠類、聚酰亞胺類、聚烯烴類、丙烯類等樹脂類粘接劑為主要成分。這是因?yàn)椴捎眠@種組成可得到薄膜的絕緣性。在以這些樹脂類粘接劑為主要成分的情況下,可在樹脂加工時(shí),通過低能量密度激光形成導(dǎo)通孔。
在未通過粘接劑層疊的情況下,例如可以使用熱塑性膜。該熱塑性膜具有粘接性。因此,通過將導(dǎo)體層作為外側(cè),在至少單面具有布線圖形的該熱塑性膜上層疊單面具有導(dǎo)體層的膜,可以層疊膜。
另外,在使用加工溫度非常高的熱塑性膜的情況下,從加工過程看,層疊也可通過具有粘接功能的粘接層來進(jìn)行。另外,從提高粘接強(qiáng)度的觀點(diǎn)看,也可在熱塑性膜中設(shè)置粘接層來進(jìn)行層疊。
另外,在層疊在雙面具有布線的膜上的情況下,有一面一面進(jìn)行層疊的情況、及雙面同時(shí)進(jìn)行層疊的情況。雖用任何方法都可制造多層電路布線板11,但從生產(chǎn)性好看,優(yōu)選兩面同時(shí)層疊。
在此前示出的具有布線的膜上層疊單面具有導(dǎo)體面的其它膜的情況下,優(yōu)選使布線圖形表面粗糙。通過粗糙化表面,粘接面積提高,并且由于凹凸產(chǎn)生的錨定效應(yīng),可使粘接層之間的緊貼性進(jìn)一步提高。
下面,示出粗糙化處理的一個(gè)例子。
使用可用卷至卷方式輸送的裝置,向?qū)w圖形面噴射粗糙化劑(CZ-8101MEC(メツク)公司制),形成微細(xì)的凹凸后,經(jīng)過酸洗、水洗、干燥各工序后,進(jìn)行導(dǎo)體圖形的粗糙化處理。
粗糙化處理的條件為粗糙化劑的溫度為30℃,噴射壓力為0.1MPa,這種條件下進(jìn)行粗糙處理的表面粗糙度在輸送速度為1.0m/分鐘時(shí)為1.5μm。表面粗糙度可通過控制輸送速度來調(diào)整。
布線圖形上的表面粗糙度最好在JIS B 0601中示出的十點(diǎn)平均粗糙度Rz=0.1~10.0的范圍內(nèi)。這是因?yàn)槿羰c(diǎn)平均粗糙度Rz比0.1小,則緊貼強(qiáng)度的提高減小,另外,若Rz比10.0大,則難以維持布線圖形的形狀。
2、導(dǎo)通孔接觸層的形成工序2-1、導(dǎo)通孔的形成導(dǎo)通孔的加工可使用機(jī)械鉆或二氧化碳激光、紫外線激光、受激準(zhǔn)分子激光等來進(jìn)行。機(jī)械鉆僅可形成貫穿孔,相反,使用激光的鉆加工可形成貫穿孔(對應(yīng)于通孔through hole)和非貫穿孔(對應(yīng)于盲孔blind via)兩者。
在電路布線板的設(shè)計(jì)上允許通孔的情況下,也可能用模具或NC鉆等機(jī)械鉆來形成孔。若為模具,則可在期望位置上統(tǒng)括形成多個(gè)孔。另外,在NC鉆中通過多軸化也可統(tǒng)括形成孔。并且,若使用NC鉆控制加工制造方法(控制加工濃度方向),則不僅可以形成貫穿孔,還可形成非貫穿孔。另外,即使在形成盲孔的情況下,也可選擇考慮了生產(chǎn)性、裝置穩(wěn)定性(維修性)、激光特性等的激光種類,優(yōu)選按照所制造的電路布線板的設(shè)計(jì)、成本等形成孔。
激光的種類中,一般利用二氧化碳激光(波長為9.3~10.6μm)、YAG激光(基本波的波長為1.06μm)、紫外線區(qū)域的YAG、YLF、YAP、YVO4激光(第3高次諧波的波長為355nm、第4高次諧波的波長為266nm)和受激準(zhǔn)分子激光(XeCl的波長為308nm、KrF的波長為248nm、ArF的波長為193nm)來作為加工設(shè)備的激光。這些激光中,二氧化碳激光的每個(gè)脈沖的能量密度最高。另外,如果采用二氧化碳激光,則孔形成的處理速度快。但是,微小直徑的形成有限,大致為Ф50μm左右。
另外,在直接加工設(shè)置在聚酰亞胺層等上的金屬層的情況下,為了提高光能量的吸收,需要進(jìn)行黑化處理等特殊處理。這是因?yàn)榫埘啺放c金屬的吸收波長的波長帶不同。并且,受激準(zhǔn)分子激光盡管也是氣體激光,但具有也可加工Ф20μm的微小直徑的優(yōu)點(diǎn)。另外,有時(shí)由于高反射性的金屬氧化膜掩膜或激光介質(zhì)氣體的維持等的消耗品價(jià)格高,所以無助于批量生產(chǎn)。
波長變換被稱作YAG、YLF、YAP、YVO4的固體結(jié)晶的紫外線激光與金屬的吸收波長重合,所以可直接加工導(dǎo)體層。另外,這些紫外線激光與二氧化碳激光相比可縮到比加工點(diǎn)的焦點(diǎn)還小的孔,所以也可形成Ф30μm以下的微小直徑的孔。另外,雖然當(dāng)前將孔形成的速度視為問題,但傾向于通過激光的高諧振頻率化或加工頭的多軸化來解決。
但是,因?yàn)樽贤饩€區(qū)域的波長在絕緣樹脂的離解能量以上,所以被稱為光分解加工。因?yàn)槎趸技す馐菬峒庸さ?,所以若打算去除作為樹脂加工剩余的殘?jiān)?污跡),則有時(shí)不能得到基于導(dǎo)通孔接觸的層間連接的可靠性。但是,在使用紫外線激光的情況下,因?yàn)榭墒箻渲姆肿渔I離解,所以可飛躍地降低殘?jiān)漠a(chǎn)生。
在后述的實(shí)施例中具體的處理變清楚,例如相對于以電路布線基板為中心并通過粘接層層疊在兩面上的基板(參照圖8A),向?qū)w層照射具有高能量密度的紫外線激光并使其貫穿。另外,對于聚酰亞胺膜,最好通過低能量密度的紫外線激光來形成作為非貫穿孔的盲孔(圖8C)。因?yàn)椴灰约庸ぞ埘啺纺さ牡湍芰棵芏葋砑庸?dǎo)體層,所以可利用能量密度的差來形成非貫穿孔。
此時(shí),通過軟蝕刻等將導(dǎo)體層的膜厚薄膜化為3~8μm左右,導(dǎo)體層的加工變?nèi)菀?,可縮短加工時(shí)間。
2-2、去除渣滓一般已知紫外線激光對金屬的熱融解加工的要素強(qiáng),這樣由外線激光融解的金屬飛散。在本制造方法中,若在導(dǎo)體層上直接形成孔,則形成導(dǎo)體層的金屬在加工后飛散。該飛散金屬也被稱為渣滓,在基于激光的加工后必須將其去除的工序。這是因?yàn)樵覟?~3μm左右,在孔的開口端聚集(隆起),有可能成為在后面的工序的藥液處理的阻礙物。
這種渣滓可通過使用磨粒的物理研磨、基于酸處理的化學(xué)研磨、或向渣滓再照射紫外線激光并進(jìn)行平坦化的方法等去除。各去除法的特性如下。
作為物理研磨,例如使用半輥或平板研磨紙來研磨基板整體。因此,在膜基板的情況下,擔(dān)心產(chǎn)生延伸。另外,還擔(dān)心研磨后的不需要的物質(zhì)滯留在導(dǎo)通孔內(nèi)。因?yàn)榛瘜W(xué)研磨通過酸等來溶解渣滓,所以消除了不需要的物質(zhì)的問題。另外,根據(jù)化學(xué)研磨,也可能通過適當(dāng)濃度或藥液來僅進(jìn)行去除渣滓部的處理。渣滓部具有微小的凹凸。
通過不通過激光去除渣滓地進(jìn)行平坦化,不會(huì)變?yōu)樵诤竺娴墓ば虻淖璧K。雖在物理、化學(xué)研磨時(shí)需要專用的生產(chǎn)線,但通過在形成孔之后立即使用相同激光裝置進(jìn)行渣滓處理,可縮短生產(chǎn)線。另一方面,因?yàn)閷γ總€(gè)孔進(jìn)行處理,所以處理速度還可能成為問題。
以上舉例說明了渣滓的去除,但可采用的方法不限于上述所示。
2-3、調(diào)節(jié)高寬比為了使藥液處理順滑,所形成的導(dǎo)通孔最好是錐狀。具體而言,底部直徑與開口直徑之比最好為0.2~1.0。另外,在底部直徑與開口直徑之比超過1.0的情況下,導(dǎo)通孔是逆錐狀,若其數(shù)值小,則表示正錐的程度大。
通常,在以藥液處理為首的濕法處理中,正錐的情況在導(dǎo)通孔內(nèi)的液體易于循環(huán)。但是,若底部直徑的比小,則意味著與下層導(dǎo)體的接觸面積小,并且考慮到還會(huì)損害導(dǎo)通孔接觸層的連接可靠性,所以高寬比需要最好為0.4~0.8左右。
以前的導(dǎo)通孔的高寬比(絕緣層的厚度/導(dǎo)通孔開口直徑)為0.5左右(例如相對于導(dǎo)通孔開口直徑Ф為100μm,絕緣層厚為50μm)。因此,藥液處理時(shí)向?qū)變?nèi)的液體循環(huán)基本不成問題。但是,在設(shè)計(jì)、加工微小直徑的情況下,高寬比為1或1以上,需要考慮向?qū)變?nèi)的液體循環(huán)。這是因?yàn)槿羧狈σ后w循環(huán),則在導(dǎo)通孔內(nèi)容易產(chǎn)生空隙(void),使導(dǎo)通孔接觸層的連接可靠性降低。
在本實(shí)施方式中,為了順滑地進(jìn)行藥液的循環(huán),在形成導(dǎo)通孔的工序前后,使導(dǎo)體層的膜厚減少,使高寬比降低。具體方法可考慮與去除渣滓時(shí)一樣的處理,即物理研磨、化學(xué)研磨、采用激光的處理。因?yàn)槲锢硌心ズ突瘜W(xué)研磨是對膜基板整個(gè)面進(jìn)行處理,所以可在一個(gè)面上減少上面導(dǎo)體的膜厚。另外,在基于激光的處理中,僅選擇地處理導(dǎo)通孔的開口端,并使每個(gè)導(dǎo)通孔的高寬比降低。通過使用這種處理,使高寬比降低到1.5以下或最好降低到1.0以下,可支持在后面的工序的藥液處理。
另外,從生產(chǎn)線縮短的觀點(diǎn)看,導(dǎo)通孔的高寬比的降低最好與去除渣滓同時(shí)進(jìn)行。
2-4、去除殘?jiān)?污跡)除污在基于紫外線激光的導(dǎo)通孔的形成后,作為即使照射激光也不能完全去除的樹脂殘留的殘?jiān)?污跡)有時(shí)特別是存在于導(dǎo)通孔底部的端部附近。此時(shí),通過進(jìn)行殘?jiān)コ商岣呋趯?dǎo)通孔接觸層的層間連接的可靠性。將殘?jiān)コQ為除污。存在的殘?jiān)浅N⒘?。但是,若不進(jìn)行去除,則會(huì)妨礙基于導(dǎo)通孔接觸層的層間連接,使可靠性降低。在殘?jiān)コ杏懈煞ā穹?。在干法的情況下,由氟和氧的混合氣體的等離子體氣體環(huán)境中的氧基與殘?jiān)M(jìn)行化學(xué)反應(yīng),并去除。另一方面,在濕法的情況下,通過堿溶液的過錳酸鹽使殘?jiān)芙?,并去除?br> 用于殘?jiān)コ奶幚硪阂驗(yàn)樘幚硭俣瓤?,通常使用濕法的過錳酸鹽。在該方法中,通過氧化分解使表面粗糙,并通過錨定效應(yīng)來提供與電鍍金屬的粘接性。另外,通過向樹脂表面導(dǎo)入氧原子,并導(dǎo)入極化基,可提高親水性,提高電鍍液的漬潤性提高,提高粘接力。
另外,在使用聚酰亞胺作為絕緣材料的情況下,不實(shí)施堿處理,使從孔側(cè)面露出的聚酰亞胺的酰亞胺開環(huán),可在表面形成羧基與氨基。由此,可提高與在后面的工序的金屬被膜形成用的鈀金屬之間的緊貼性。
在除污后在導(dǎo)通孔內(nèi)例如生成金屬被膜,并將其作為電極,在孔內(nèi)部的壁面或底部進(jìn)行一定厚度的鍍層形成,從而完成導(dǎo)通孔接觸。為了通過電解電鍍形成導(dǎo)通孔接觸層,需要該導(dǎo)通化處理。若該處理不充分,則成為產(chǎn)生導(dǎo)通孔接觸層內(nèi)的空隙的主要原因,所以需要注意。
2-5、導(dǎo)通化處理導(dǎo)通孔內(nèi)的導(dǎo)通化處理大致分為DPS(直接電鍍系統(tǒng)directplating system)和無電解銅電鍍。DPS例如是如下的制造方法,向?qū)變?nèi)的整個(gè)面施加錫鈀類催化劑、導(dǎo)電性聚合體、碳石墨等,吸附帶負(fù)電的分子,接著用還原劑還原成金屬鈀。另一方面,無電解銅電鍍例如是在鈀水溶液中進(jìn)行處理,在無電解銅電鍍浴中鈀變?yōu)榇呋瘎┖?,析出銅的制造方法。
若將兩者相比較,則都是催化劑置換型的電鍍技術(shù)。但是,從工序時(shí)間看,認(rèn)為DPS是工序少、時(shí)間短的制造方法。另外,就導(dǎo)通檢驗(yàn)的容易性而言,無電解銅電鍍中一次生成金屬被膜,在無電解銅電鍍后進(jìn)行檢驗(yàn),由此可確認(rèn)導(dǎo)通化處理。在DPS中,因?yàn)橐源呋瘎楹?,在電解銅電鍍中形成金屬被膜,所以通過DPS處理后的表面電阻的測定等來進(jìn)行檢驗(yàn)。
2-6、電解電鍍在用于導(dǎo)通的孔內(nèi)的導(dǎo)通化處理后,將膜基板作為陰極,進(jìn)行電解電鍍。通常,從成本和生產(chǎn)性的觀點(diǎn)看,選擇電解銅電鍍。該電解銅電鍍必須進(jìn)行。這是因?yàn)槿舨贿M(jìn)行電解銅電鍍,則不能在DPS中形成導(dǎo)通孔接觸,因?yàn)樵跓o電解銅電鍍中電鍍的析出速度為1~3μm/小時(shí),所以本身缺乏批量生產(chǎn)性。在電解電鍍中,作為膜基板和陰極,在以硫酸銅為主要成分的電解浴中,設(shè)電流密度為1~4A/dm2左右負(fù)荷,施加數(shù)十分鐘電壓負(fù)荷,電解銅電鍍生長。
另外,由于電解銅電鍍中的電流密度,而存在如下差異。也就是說,雖還依賴于導(dǎo)通孔的形狀(例如開口直徑或高寬比),但在以高電流密度(例如4A/dm2)實(shí)施電解電鍍的情況下,電鍍的生長快,相反,若電鍍液在導(dǎo)通孔內(nèi)循環(huán)不充分,則形成空隙的危險(xiǎn)性高。的容易性,則最好使用感光性樹脂。
另外,根據(jù)需要,為了保護(hù)與布線加工面相反側(cè)的基板表面,也可在與布線電路形成面相反的面上形成抗蝕劑層(即,最好在圖8G中對導(dǎo)體層130b進(jìn)行布線加工時(shí),在導(dǎo)體層130c上形成抗蝕劑層30)。若相反面的抗蝕劑層具有耐電鍍液性,是可容易去除的材料,則不必選擇與形成于布線加工面上的抗蝕劑層一樣的材料。
將如此形成的上述抗蝕劑層作為蝕刻掩膜,對導(dǎo)體層實(shí)施蝕刻處理,加工布線圖形(參照圖8H)。按照導(dǎo)體層的材質(zhì)來選擇用于該蝕刻處理中的蝕刻液。例如,在使用銅作為導(dǎo)體層的情況下,作為蝕刻液,一般可使用氯化亞鐵液或氯化亞銅液等。并且,其中,從提高蝕刻處理速度或蝕刻處理面的精加工觀點(diǎn)看,最好使用氯化亞鐵液。另一方面,從連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的蝕刻液的管理容易性與穩(wěn)定性的觀點(diǎn)來看,最好使用氯化亞銅液。
最后,去除抗蝕劑層,得到布線電路基板(參照圖8I)。
<半加成法>
在半加成法中,首先,通過軟蝕刻將圖9A所示導(dǎo)體層28、29薄膜化到期望的膜厚。此時(shí)的膜厚在最后的薄膜導(dǎo)體層去除工序中通過軟蝕刻去除不需要的部分,所以適宜為0.5~3μm,另外,膜厚的偏差需要抑制在20%以內(nèi)。另外,軟蝕刻的處理液可使用與減成法一樣的處理液。
另外,此時(shí)也可以是如下方式,即在通過軟蝕刻或蝕刻完全去除導(dǎo)體層28、29后,通過無電解電鍍來設(shè)置具有0.5~3μm左右膜厚的薄膜導(dǎo)體層。
之后,在薄膜化后的導(dǎo)體層28、29上形成抗蝕劑層30、31(參照圖9B),在抗蝕劑層30、31中形成期望的圖形形狀的開口部分32b、32c(參照圖9C)。此時(shí),抗蝕劑層30、31基本上具有導(dǎo)體層形成時(shí)的耐電鍍液性,需要選擇可在后面的抗蝕劑層去除工序中容易去除的材料。
可對應(yīng)于開口部分32b、32c的形成方法,來選擇抗蝕劑層30、31。在使用光刻法形成開口部分32的情況下,可使用具有耐電鍍性的感光性樹脂。通常由于可以得到均勻膜厚的抗蝕劑層、且容易加工,所以最好是干膜。另外,在通過激光加工來形成開口部分的情況下,可選擇寬范圍的樹脂來作為抗蝕劑層。其中,若考慮在后面的工序的抗蝕劑層去除工序的容易性,則最好使用感光性樹脂。
另外,圖9B、圖9C中,例如即使在僅在導(dǎo)體層130b上形成布線圖形的情況下(即在導(dǎo)體層130c中不形成布線圖形的情況下),根據(jù)需要,也可在導(dǎo)體層130c上形成抗蝕劑層31。由此,可保護(hù)與加工面相反側(cè)的表面。此時(shí),若導(dǎo)體層130c側(cè)的抗蝕劑層31具有耐電鍍液性,是可容易去除的材料,則未必選擇與形成于導(dǎo)體層130b側(cè)的抗蝕劑層30一樣的材料。
接著,如圖9D所示,在抗蝕劑層30、31的開口部分內(nèi)的薄膜導(dǎo)體層130b、130c上實(shí)施電解電鍍,形成期望膜厚的電鍍層33、34。此時(shí),電解電鍍浴最好使用場電解浴。所謂場電解浴是指為了向布線電路基板等的孔部中填充導(dǎo)體,而添加高分子界面活性劑、四級銨鹽、具有硫化物部分的化合物等作為添加劑的電解電鍍浴。
電鍍高度在最后的薄膜導(dǎo)體層去除工序中使用化學(xué)研磨時(shí),考慮還同時(shí)研磨電鍍層,期望形成為比期望的厚度高0.5~3μm左右的高度。
另外,在形成電鍍層33、34之前,為了提高導(dǎo)體層130b、130c與電鍍層的緊貼性,期望進(jìn)行基底處理。這是因?yàn)樵诤竺娴碾婂児ば蛑?,若?dǎo)體層130b、130c與電鍍層的緊貼性低,則當(dāng)通過卷至卷工序卷繞膜等時(shí),擔(dān)心導(dǎo)體層130b、130c與電鍍層剝離。
作為該電解電鍍之前的基底處理,例如進(jìn)行如下處理。即,通過稀硫酸等的酸洗處理來去除導(dǎo)體層表面的氧化被膜(氧化保護(hù)膜)。此時(shí),使用在硫酸等中添加活性劑等的酸性清潔劑,若在導(dǎo)體層130b、130c的氧化被膜去除的同時(shí),去除殘留在抗蝕劑層30、31的開口部分內(nèi)的抗蝕劑殘?jiān)瑒t可進(jìn)一步提高與電鍍層的緊貼性。并且,通過在酸洗后實(shí)施軟蝕刻處理,完全研磨導(dǎo)體層130b、130c的氧化被膜,可進(jìn)一步提高與電鍍層的緊貼性。
根據(jù)本發(fā)明人等的實(shí)驗(yàn),通過實(shí)施該基底處理,即使在下面的電鍍層形成工序中形成1~4A/dm2左右的電流密度,也不會(huì)產(chǎn)生電鍍層與導(dǎo)體層130b、130c的剝離。
接著,通過去除抗蝕劑層30、31,通過軟蝕刻處理去除薄膜導(dǎo)體層130b、130c的不需要的部分,得到圖9E所示的多層電路布線基板40。
若對減成法和半加成法進(jìn)行比較,則減成法的工序數(shù)量少,且簡單,另一方面,半加成法與側(cè)面蝕刻的影響大的減成法相比,有利于形成更微細(xì)的布線圖形。
經(jīng)過上述制造工序,通過在每個(gè)層上改換布線圖形形成手段,可容易得到一種多層電路布線板,該多層電路布線板的布線圖形具有更微細(xì)的線和間隔。即,優(yōu)選由半加成法來加工具有微細(xì)布線圖形的層,由減成法來加工此外的層。兩個(gè)方法的切換的判斷基準(zhǔn)基于所要求的布線電路的膜厚,例如在布線節(jié)距為30μm以下的情況下,優(yōu)選采用半加成法。這是因?yàn)樵谠摲秶鷥?nèi),減成法的加工非常困難。
另外,為了保護(hù)最表面的布線圖形,或?yàn)榱速x予絕緣性,最好在最表面去除外部連接端子,設(shè)置由絕緣性樹脂構(gòu)成的阻焊層。
上述制造工序的說明用于制造4層的多層電路布線板。并且,為了制造層數(shù)更多的電路布線板,例如6層的多層電路布線板,只要通過上述制造方法對4層的多層電路布線板加上2層即可。
圖10是表示6層的多層電路布線板的剖面圖。圖10中,第1膜61、第2膜62、第3膜63、第4膜65和第6膜66之間分別通過第1粘接層71、第2粘接層72、第3粘接層73和第4粘接層74粘接。此時(shí),在第1膜61的一個(gè)面上形成第1布線圖形81,在另一個(gè)面上形成第2布線圖形82,在第2膜61的一個(gè)面上形成第3布線圖形83,在第3膜61的一個(gè)面上形成第4布線圖形84,在第4膜61的一個(gè)面上形成第5布線圖形85,在第5膜65的一個(gè)面上形成第1布線圖形86。
由此,構(gòu)成具有6層布線圖形81、82、83、84、85、86的6層多層電路布線板。
圖11和圖12表示帶固定框的多層電路布線板。在完成多層電路布線板后,通過粘接劑230使固定框210粘合在多層電路布線板上。圖11中示出粘合在4層多層電路布線板40上的狀態(tài),圖12中示出粘合在6層多層電路布線板50上的狀態(tài)。
下面,用3個(gè)實(shí)施例來說明多層電路布線板的具體制造方法。
實(shí)施例1參照圖8A~圖8I來說明實(shí)施例1。本實(shí)施例是使用減成法的多層電路布線板的制造例。
首先,準(zhǔn)備圖8A所示的、在聚酰亞胺層131a(例如25μm)的兩個(gè)面上粘貼導(dǎo)體層(銅箔)130a、132a(例如12μm)的作為兩面帶有導(dǎo)體層的聚酰亞胺帶基板的膜13a。之后,通過紫外線激光,如圖8B所示,對該膜13a形成導(dǎo)通孔190。
通過對該導(dǎo)通孔190進(jìn)行渣滓去除及除污(desmear)處理后,通過DPS和電解電鍍,如圖8C所示,形成使膜13a的一個(gè)面與另一個(gè)面導(dǎo)通的導(dǎo)通孔接觸層19a。另外,使用這樣的帶有導(dǎo)體層(銅箔)130a、132a的由聚酰亞胺層構(gòu)成的膜13a是因?yàn)閷?dǎo)電層(銅箔)與聚酰亞胺層的粘接牢固,因此不必設(shè)置用于粘接的凹凸,可良好地輸送信號,并可形成微細(xì)的布線圖形結(jié)構(gòu)。
接著,通過光蝕刻法,對膜13a的雙面導(dǎo)體層130a、132a構(gòu)圖(形成圖形),而形成布線圖形(布線電路)17a、17b,如圖8C所示,制造布線圖形基板。另外,通過上述光蝕刻的過程,在該布線圖形基板中形成未圖示的對準(zhǔn)標(biāo)志。該對準(zhǔn)標(biāo)志成為以后的多層化工序中的激光加工和曝光時(shí)的加工基準(zhǔn)。
接著,分別在它們之間插入粘接層15b、15c,如圖8D所示,在膜13a的各個(gè)面上層疊膜13b、13c,該膜13b、13c在聚酰亞胺層131b、131c(膜厚例如為13μm)的單面上設(shè)置了導(dǎo)體層130b、130c(例如12μm)。膜13b、13c的層疊如下進(jìn)行。
即,剝離表里覆蓋聚對苯二甲酸乙二醇酯的剝離膜的橡膠/環(huán)氧粘接層的一個(gè)剝離膜,使該粘接層的粘接劑層向內(nèi)側(cè)附著在膜13b、13c的其中一個(gè)上,例如以180℃、3kg/cm進(jìn)行層壓的暫時(shí)壓接。
接著,在剝離了另一個(gè)剝離膜后,單面帶有導(dǎo)體層(銅箔)的聚酰亞胺帶基板13b、13c的導(dǎo)體層(銅箔)130b、130c一側(cè)朝向外側(cè)地順序配置,使用層壓以180℃、3kg/cm的條件進(jìn)行熱壓接。在對膜13b、13c的另一面也同樣進(jìn)行該層疊工序后,在150℃下對得到的層疊基板進(jìn)行1小時(shí)的加熱固化。布線電路17a、17b上的粘接層的厚度為5μm。
接著,使用波長為355nm的紫外線激光,對圖8D所示的多層化基板,向?qū)w層130b、130c、聚酰亞胺層131b、131c、粘接層15b、15c分別照射例如20J/cm2、2J/cm2、8J/cm2的能量密度的激光,如圖8E所示,形成導(dǎo)通孔192。所照射的脈沖數(shù)對導(dǎo)體層130b、130c為5個(gè)脈沖,對聚酰亞胺層131b、131c為10個(gè)脈沖,對粘接層15b、15c為5個(gè)脈沖。另外,導(dǎo)通孔192的開口直徑為Ф30μm,底部直徑為Ф18μm,高寬比為0.6。
如此進(jìn)行激光加工后,渣滓去除是在30℃下使用20%過氧二硫酸鈉水溶液實(shí)施化學(xué)研磨。另外,除污處理是在70℃下使用10%過錳酸鈣水溶液來進(jìn)行處理。
在基于錫鈀膠體類催化劑的DPS后,以包含硫酸銅225g/L、硫酸55g/L、氯離子60mg/L、添加劑20mL的浴溫保持在25℃的電解浴內(nèi)進(jìn)行電解電鍍。另外,浴液使用例如5L每分鐘的噴嘴來攪拌。接著,施加1A/dm2的電流密度,進(jìn)行20分鐘的電解電鍍,直到導(dǎo)通孔的高寬比變?yōu)?.3。并且,在高寬比變?yōu)?之前,施加10分鐘2.5A/dm2的電流密度,形成圖8F所示的導(dǎo)通孔接觸19b(場導(dǎo)通孔)。
之后,對通過圖8F所示電鍍工序在導(dǎo)體上多余析出的鍍銅層28、29,噴射例如約60秒左右的30℃、20%過氧二硫酸銨水溶液,進(jìn)行軟蝕刻處理,并使導(dǎo)體層130b、130c的膜厚減少到例如約9μm。
之后,在通過輥涂敷機(jī)在導(dǎo)體層表面涂敷正型液態(tài)抗蝕劑后,用熱風(fēng)和IR干燥爐,在90℃的條件下后烘干處理5分鐘左右,形成圖8G所示的4μm厚度的抗蝕劑層30b、30c。
之后,使用具有由以30μm節(jié)距排列的線寬20μm的直線構(gòu)成的帶狀電路圖形的光掩膜,用以水銀燈作為光源的平行光,對抗蝕劑層30b、30c實(shí)施掩膜緊貼曝光處理。之后,以有機(jī)堿類顯影液進(jìn)行約30秒左右的噴出顯影,去除抗蝕劑層30b、30c的曝光部分,如圖8H所示,形成開口部分31b、31c。
之后,向?qū)w層130b、130c噴射約30秒左右的比重為1.36、液濕為50℃的氯化亞鐵液,實(shí)施蝕刻處理,從而在聚酰亞胺層131b上形成布線圖形21,在聚酰亞胺層131c上形成布線圖形23。
最后,向設(shè)置了抗蝕劑層30的基板111噴射約15秒左右的4%氫氧化鈉水溶液,剝離去除抗蝕劑層30,從而得到圖8I所示的多層電路布線板11。
本多層電路布線板11通過以上工序,具有以30μm節(jié)距排列的線寬15μm的直線構(gòu)成的帶狀的膜厚為9μm的電路圖形。該電路圖形可通過光刻的布圖(layout)成為期望的圖形。另外,多層電路布線板11具有4層電路布線(即圖形21、圖形23、布線圖形17a、17b)。該電路布線的層數(shù)在必要時(shí)還可通過多層疊工序開始重復(fù)來增加,也可制造具有不少于6層的電路布線的基板。
另外,本實(shí)施例中實(shí)施的所有工序(即圖8A~圖8I的全部工序)可通過卷至卷工序制造。這是因?yàn)槭褂镁哂腥彳浶缘木埘啺纺さ?。另外,雖紫外線激光加工和曝光對每個(gè)單面進(jìn)行加工,從而依次加工兩個(gè)面,但此外的工序通過全部兩面同時(shí)形成,可使制造處理速度提高。
實(shí)施例2參照圖8A~圖8F和圖9A~圖9E來說明實(shí)施例2。本實(shí)施例是基于半加成法的多層電路布線板的制造例。
首先,如圖8A~圖8F所對應(yīng)的工序說明的那樣,分別通過粘接層15b、15c,在兩面分別形成了布線圖形17a、17b的聚酰亞胺層131a的一個(gè)面上,疊層帶有導(dǎo)體層(銅箔)130b的聚酰亞胺膜13b,而在另一個(gè)面上疊層帶有導(dǎo)體層(銅箔)130c的聚酰亞胺膜13c,并且形成導(dǎo)通孔接觸層19a、19b以使兩個(gè)面導(dǎo)通。各工序的具體處理如實(shí)施例1說明的那樣。
接著,如圖9A所示,向銅層28、29噴射大約120秒左右過氧二硫酸鈉水溶液,進(jìn)行軟蝕刻處理,并使銅層28、29的膜厚減少到約1.0μm。另外,在進(jìn)行基于該蝕刻處理的薄膜化時(shí),溶解去除由電鍍形成的銅層28、29,并且,部分溶解原來就有的銅箔的銅層130b、130c來進(jìn)行薄膜化。
之后,通過輥層壓,在薄膜化的銅層130b、130c的表面上加熱壓接15μm厚的負(fù)型干膜抗蝕劑,如圖9B所示,形成抗蝕劑層30、31。
之后,使用具有以20μm節(jié)距排列的線寬10μm的直線構(gòu)成的帶狀電路圖形的光掩膜,用以水銀燈為光源的平行光,對抗蝕劑層30、31實(shí)施掩膜緊貼曝光處理。之后,以1%碳酸蘇打進(jìn)行顯影,去除抗蝕劑層的未曝光部分,形成如圖9C所示的開口部分32b、32c。
之后,使用酸性清潔劑,在40℃、4分鐘的條件下進(jìn)行酸洗洗凈,再噴射15秒左右的過氧二硫酸鈉水溶液,進(jìn)行軟蝕刻處理,對露出的導(dǎo)體層(銅箔)130b、130c的表面進(jìn)行化學(xué)研磨。
之后,以電流密度2A/dm2、電鍍時(shí)間10分鐘,在抗蝕劑層30、31的開口部分32b、32c內(nèi)的薄膜導(dǎo)體層上,實(shí)施用于形成布線的電解電鍍,形成圖9D所示的10μm厚的鍍銅層33、34。
之后,向基板噴射約30秒左右的5%氫氧化鈉水溶液,剝離去除抗蝕劑層30、31。
最后,噴射大約90秒的過氧二硫酸鈉水溶液,進(jìn)行軟蝕刻處理,去除未形成鍍銅層33、34的導(dǎo)體層130b、130c的不需要的部分。經(jīng)過以上各工序,可得到圖9E所示的多層電路布線板40,該多層電路布線板40具有由以20μm節(jié)距排列的線寬10μm的直線構(gòu)成的帶狀電路圖形。
另外,各布線電路的圖形是任意的,可更多層化,可通過卷至卷工序制造,紫外線激光加工和曝光對每個(gè)單面依次地加工兩面的工序以外,可全部兩面同時(shí)形成與實(shí)施例1的多層電路布線板11一樣。
實(shí)施例3參照圖13A~圖13C來說明實(shí)施例3。本實(shí)施例是組合減成法與半加成法,來制造具有6層電路布線的多層電路布線板50的實(shí)例。
首先,通過實(shí)施例1說明的方法,形成圖13A所示的多層電路布線板11,即具有由以30μm節(jié)距排列的線寬15μm的直線構(gòu)成的帶狀布線圖形的4層電路基板。
接著,如圖13B所示,分別通過中間插入粘接層15d、15e,在多層電路布線板11的一個(gè)面上層疊導(dǎo)體層(銅箔)130d與聚酰亞胺層131d構(gòu)成的膜13d,在另一個(gè)面上層疊導(dǎo)體層(銅箔)130e與聚酰亞胺層131e構(gòu)成的膜13e。
之后,如圖13C所示,分別用與實(shí)施例1一樣的方法,在膜13d中形成導(dǎo)通孔19d,在膜13e中形成導(dǎo)通孔19e。之后,如圖13D~13F所示,用與實(shí)施例2一樣的方法,形成電鍍層44、45。即,如圖13D所示,通過電解電鍍形成銅層34、35,通過軟蝕刻處理使銅層34、35的膜厚減小,接著,如圖13E所示,在銅層34、35上形成抗蝕劑圖形36、37,如圖13F所示,通過電解電鍍形成電鍍層44、45。
最后,將導(dǎo)體層130d、130e同時(shí)加工成布線圖形。
經(jīng)過以上各工序,可制造圖13G所示的具有6層電路布線的多層電路布線板50,該布線板具有由以20μm節(jié)距排列的線寬10μm的直線構(gòu)成的帶狀電路圖形50a、50b。
在該多層電路布線板50的制造中,各布線電路的圖形是任意的,可更多層化,可通過卷至卷工序制造,紫外線激光加工和曝光對每個(gè)單面依次加工兩面的工序外,可全部兩面同時(shí)形成與實(shí)施例1的多層電路布線板11一樣。
另外,如圖12所示,通過用環(huán)氧樹脂類粘接劑230,粘合將0.5mm的銅板蝕刻成規(guī)定形狀的固定框210,可制造帶固定框的多層電路布線板。
實(shí)施例4參照圖14A~圖14L來說明實(shí)施例4。本實(shí)施例與實(shí)施例1~3一樣,使用由導(dǎo)體層夾持絕緣層的膜,在其一個(gè)面上依次層疊多層布線來制造多層電路布線板。各層的材質(zhì)和尺寸、各處理和各工序的條件等與實(shí)施例1~3一樣。
如圖14A所示,準(zhǔn)備用導(dǎo)體層2a、2b夾持絕緣層1a的膜基材。接著,如圖14B所示,在該膜基材上形成基于激光加工的導(dǎo)通孔3a。之后,如圖14C所示,在導(dǎo)體層2b的單面上形成抗蝕劑層5來保護(hù)后,進(jìn)行去除形成導(dǎo)通孔時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)某厶幚?,?shí)施導(dǎo)電性處理,再通過電解電鍍填充導(dǎo)通孔3a,形成電鍍層4a。
之后,通過化學(xué)研磨電鍍層4a形成3~12μm的厚度,使導(dǎo)體層2a和電鍍層4a構(gòu)成的導(dǎo)體的層厚偏差為20%以下,然后將未圖示的抗蝕劑圖形作為掩膜,進(jìn)行蝕刻處理,由此選擇性地去除導(dǎo)體層的不需要的部分,由此如圖14D所示,形成規(guī)定圖形的布線層6a。
之后,如圖14E所示,在具有布線圖形6a的絕緣層1a的面上,以導(dǎo)體層2c為外側(cè)疊層粘接膜,該粘接膜是由在一個(gè)面上具有粘接層7a、在另一個(gè)面上具有導(dǎo)體層2c的絕緣層1b構(gòu)成的。之后,如圖14F所示,通過激光加工,在粘接膜中形成導(dǎo)通孔3b。
之后,進(jìn)行去除形成導(dǎo)通孔時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)某厶幚?,?shí)施導(dǎo)電性處理,再通過電解電鍍來填充導(dǎo)通孔3b,如圖14G所示,形成電鍍層4b。之后,通過對電鍍層4b進(jìn)行化學(xué)研磨而形成3~12μm的厚度,使導(dǎo)體層2c和電鍍層4b構(gòu)成的導(dǎo)體的層厚偏差為20%以下后,將未圖示的抗蝕劑圖形作為掩膜,進(jìn)行蝕刻處理,由此選擇性地去除導(dǎo)體層的不需要的部分,由此如圖14H所示,形成規(guī)定圖形的布線層6b。
之后,如圖14I所示,在具有布線圖形6b的絕緣層1b的面上,以導(dǎo)體層2d為外側(cè)層疊粘接膜,該粘接膜是由在一個(gè)面上具有粘接層7b、在另一個(gè)面上具有導(dǎo)體層2d的絕緣層1c構(gòu)成的。之后,如圖14J所示,通過激光加工,在粘接膜中形成導(dǎo)通孔3c。
之后,進(jìn)行去除形成導(dǎo)通孔時(shí)產(chǎn)生的殘?jiān)某厶幚?,?shí)施導(dǎo)電性處理,再通過電解電鍍來填充導(dǎo)通孔3c,如圖14K所示,形成電鍍層4c。之后,在去除保護(hù)層的抗蝕劑膜5后,通過對導(dǎo)體層2b、電鍍層4c進(jìn)行化學(xué)研磨而形成3~12μm的厚度,使導(dǎo)體的層厚偏差為20%以下,然后將形成于兩面的未圖示的抗蝕劑圖形作為掩膜,進(jìn)行蝕刻處理,由此選擇性地去除導(dǎo)體層的不需要的部分,由此如圖14L所示,形成規(guī)定圖形的布線層6c、6d。
通過以卷至卷方式進(jìn)行以上工序,可高效批量生產(chǎn)多層電路布線板。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明的結(jié)構(gòu),可得到以下效果。
由本實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的多層電路布線板通過例如層疊作為絕緣層的聚酰亞胺層和作為導(dǎo)體層的銅箔構(gòu)成的膜而形成。因此,絕緣層與導(dǎo)體層的粘接牢固,使用于產(chǎn)生錨定效應(yīng)的凹凸非常小。結(jié)果,可防止寬度方向的偏差,所以可高密度進(jìn)行信號輸送的高速化。
由本實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的多層電路布線板通過層疊具有撓性的膜來形成。因此,可采用使用長基材、連續(xù)形成多層電路布線板的卷至卷工序,可進(jìn)行批量生產(chǎn)。
例如,采用由聚酰亞胺層與銅箔構(gòu)成的膜時(shí),可容易形成具有微細(xì)的線和間隔的布線圖形。因此,與現(xiàn)有的多層電路布線板相比,可減小層疊數(shù)量。結(jié)果,可容易批量生產(chǎn)小型化的IC封裝。
以上根據(jù)實(shí)施方式說明了本發(fā)明,但在本發(fā)明的思想范疇內(nèi),本領(lǐng)域的技術(shù)人員可想到各種變更例和修改例,并理解這些變形例和修改例也屬于本發(fā)明的范圍。另外,各實(shí)施方式也可盡可能適當(dāng)組合后實(shí)施,此時(shí)得到組合的效果。并且,上述實(shí)施方式中包含各階段的發(fā)明,通過公開的多個(gè)構(gòu)成要件中的適當(dāng)組合,可抽取各種發(fā)明。例如,即使從實(shí)施方式所示的全部構(gòu)成要素中消除幾個(gè)構(gòu)成要素,也可解決發(fā)明要解決的問題部分中所述的問題,在得到發(fā)明效果部分所述的效果的至少一個(gè)的情況下,將消除該結(jié)構(gòu)要素后的結(jié)構(gòu)作為發(fā)明來抽取。
根據(jù)本發(fā)明的多層電路布線板的制造方法,可實(shí)現(xiàn)所具有的布線圖形具備微細(xì)的線和間隔且可批量生產(chǎn)的多層電路布線板、IC封裝和多層電路布線板的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種多層電路布線板,其中,層疊多個(gè)膜,在各膜的至少一個(gè)面上形成布線圖形,分別形成于相鄰的膜的面上的布線圖形經(jīng)形成于一個(gè)膜中的導(dǎo)通孔接觸層相互電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路布線板,其特征在于所述多個(gè)膜具有大致相同的厚度。
3.一種多層電路布線板的制造方法,其包含以下步驟在至少一個(gè)面上具有第1布線圖形的第1柔性樹脂膜的一個(gè)面上,層疊至少一個(gè)面上具有第2布線圖形的第2柔性樹脂膜,同時(shí)在所述第1柔性樹脂膜的另一個(gè)面上,層疊至少一個(gè)面上具有第3布線圖形的第3柔性樹脂膜。
4.一種多層電路布線板,其具備第1膜,具有形成于一個(gè)面上的第1布線圖形、形成于另一面上的第2布線圖形、及使所述第1布線圖形與所述第2布線圖形電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;第2膜,一個(gè)面上具有用于集成電路安裝的第3布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述一個(gè)面上;第3膜,一個(gè)面上具有用于與印制線路板取得電連接的第4布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述另一個(gè)面上;第2導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第1布線圖形與所述第3圖形;和第3導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第2布線圖形與所述第4圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層電路布線板,其特征在于所述第1膜具有聚酰亞胺樹脂層、及設(shè)置在該聚酰亞胺樹脂層上的由銅構(gòu)成的第1和第2布線圖形,所述第2膜具有聚酰亞胺樹脂層、及在該聚酰亞胺樹脂層上由銅構(gòu)成的第3布線圖形,所述第3膜具有聚酰亞胺樹脂層、及在該聚酰亞胺樹脂層上由銅構(gòu)成的第4布線圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層電路布線板,其特征在于從所述第1膜、第2膜和第3膜構(gòu)成的組中選擇的至少一個(gè)聚酰亞胺樹脂層的形成布線圖形一側(cè)的面的粗糙度,在任意十點(diǎn)平均粗糙度下為0.01μm~5.0μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層電路布線板,其特征在于從所述第1膜、第2膜和第3膜構(gòu)成的組中選擇的至少一個(gè)聚酰亞胺樹脂層上形成的布線圖形寬度為50μm以下,該聚酰亞胺樹脂層的表面粗糙度在任意十點(diǎn)平均粗糙度下為0.01μm~5.0μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層電路布線板,其特征在于還具有將所述第2膜粘接在所述第1膜上的第1粘接層、及將所述第3膜粘接在所述第1膜上的第2粘接層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層電路布線板,其特征在于所述粘接層是含有環(huán)氧固化成分的熱固化類粘接層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層電路布線板,其特征在于所述各粘接層的層厚為30μm以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層電路布線板,其特征在于所述第1導(dǎo)通孔接觸層、第2導(dǎo)通孔接觸層和第3導(dǎo)通孔接觸層是盲孔接觸層,各導(dǎo)通孔接觸層的底部直徑與開口直徑之比為0.2~1.0。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層電路布線板,其特征在于所述第1導(dǎo)通孔接觸層、第2導(dǎo)通孔接觸層和第3導(dǎo)通孔接觸層是盲孔接觸層,各導(dǎo)通孔接觸層的底部直徑與開口直徑之比為0.4~0.8。
13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層電路布線板,其特征在于(所述導(dǎo)通孔接觸層的開口直徑值)÷(導(dǎo)體層厚+第2膜或第3膜厚+布線圖形上的第1粘接層厚或第2粘接層厚的值)、或(所述導(dǎo)通孔接觸層的開口直徑值)÷(導(dǎo)體層厚+第1膜厚的值)為1.5以下。
14.一種多層電路布線板,其具有在一個(gè)面上具有第1布線圖形的第1膜;和第2膜,在一個(gè)面上具有用于集成電路安裝的第3布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述一個(gè)面上;第2膜具有電連接所述第1布線圖形與所述第3圖形的第1導(dǎo)通孔接觸層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層電路布線板,其特征在于所述第1膜具有聚酰亞胺樹脂層、及形成于該聚酰亞胺樹脂層的一個(gè)面上的由銅構(gòu)成的第1布線圖形,所述第2膜具有聚酰亞胺樹脂層、及在該聚酰亞胺樹脂層的一個(gè)面上形成的由銅構(gòu)成的第3布線圖形。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層電路布線板,其特征在于具備固定框,該固定框通過粘接劑裝配在裝載集成電路的面的、集成電路裝載部以外的部分上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的多層電路布線板,其特征在于該固定框的材料由金屬或樹脂構(gòu)成。
18.一種多層電路布線板,其具備第1膜,具有形成于一個(gè)面上的第1布線圖形、形成于另一面上的第2布線圖形、及使所述第1布線圖形與所述第2布線圖形電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;第2膜,具有形成于一個(gè)面上的第3布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述一個(gè)面上;第3膜,具有形成于一個(gè)面上的第4布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述另一個(gè)面上;第2導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第1布線圖形與所述第3布線圖形;第3導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第2布線圖形與所述第4布線圖形;第4膜,具有形成于一個(gè)面上的用于集成電路安裝的第5布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第2膜上;第5膜,在一個(gè)面上具有與印制線路板取得電連接的第6布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第3膜上;第4導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第3布線圖形與所述第5布線圖形;和第5導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第4布線圖形與所述第6布線圖形。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的多層電路布線板,其特征在于所述第1膜具有聚酰亞胺樹脂層、及設(shè)置在該聚酰亞胺樹脂上的由銅構(gòu)成的第1和第2布線圖形,所述第2膜具有聚酰亞胺樹脂層、及設(shè)置在該聚酰亞胺樹脂上的由銅構(gòu)成的第3布線圖形,所述第3膜具有聚酰亞胺樹脂層、及設(shè)置在該聚酰亞胺樹脂上的由銅構(gòu)成的第4布線圖形,所述第4膜具有聚酰亞胺樹脂層、及設(shè)置在該聚酰亞胺樹脂上的由銅構(gòu)成的第5布線圖形,所述第5膜具有聚酰亞胺樹脂層、及設(shè)置在該聚酰亞胺樹脂上的由銅構(gòu)成的第6布線圖形。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的多層電路布線板,其特征在于還具備將所述第2膜粘接到所述第1膜上的第1粘接層;將所述第3膜粘接到所述第1膜上的第2粘接層;將所述第4膜粘接到所述第2膜上的第3粘接層;及將所述第5膜粘接到所述第3膜上的第4粘接層。
21.一種多層電路布線板,其中,層疊多個(gè)膜,在各樹脂膜的至少一個(gè)面上形成布線圖形,分別形成于相鄰的樹脂膜的面上的布線圖形經(jīng)形成于一個(gè)樹脂膜上的導(dǎo)通孔接觸層相互電連接,位于一側(cè)最外側(cè)的膜的布線圖形是用于安裝集成電路的布線圖形,位于另一側(cè)最外側(cè)的膜的布線圖形是用于與印制線路板電連接的布線圖形。
22.一種集成電路封裝,包括集成電路和安裝該集成電路的多層電路布線板,其中,所述多層電路布線板具備第1膜,具有形成于一個(gè)面上的第1布線圖形、形成于另一面上的第2布線圖形、及使所述第1布線圖形與所述第2布線圖形電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;第2膜,一個(gè)面上具有用于安裝所述集成電路的第3布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述一個(gè)面上;第3膜,一個(gè)面上具有用于與印制線路板取得電連接的第4布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述另一個(gè)面上;第2導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第1布線圖形與所述第3圖形;和第3導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第2布線圖形與所述第4圖形。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的集成電路封裝,其特征在于所述第1膜具有聚酰亞胺樹脂層、及設(shè)置在該聚酰亞胺樹脂層上的由銅構(gòu)成的第1和第2布線圖形,所述第2膜具有聚酰亞胺樹脂層、及在該聚酰亞胺樹脂層上由銅構(gòu)成的第3布線圖形,所述第3膜具有聚酰亞胺樹脂層、及在該聚酰亞胺樹脂層上由銅構(gòu)成的第4布線圖形。
24.一種集成電路封裝,包括集成電路、安裝該集成電路的多層電路布線板、及及安裝該多層電路布線板的印制線路板,其中,所述多層電路布線板具備第1膜,具有形成于一個(gè)面上的第1布線圖形、形成于另一面上的第2布線圖形、及使所述第1布線圖形與所述第2布線圖形電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;第2膜,一個(gè)面上具有用于安裝所述集成電路的第3布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述一個(gè)面上;第3膜,一個(gè)面上具有用于與所述印制線路板取得電連接的第4布線圖形,另一個(gè)面層疊在所述第1膜的所述另一個(gè)面上;第2導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第1布線圖形與所述第3圖形;和第3導(dǎo)通孔接觸層,電連接所述第2布線圖形與所述第4圖形。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的集成電路封裝,其特征在于所述第1膜具有聚酰亞胺樹脂層、及設(shè)置在該聚酰亞胺樹脂層上的由銅構(gòu)成的第1和第2布線圖形,所述第2膜具有聚酰亞胺樹脂層、及在該聚酰亞胺樹脂層上由銅構(gòu)成的第3布線圖形,所述第3膜具有聚酰亞胺樹脂層、及在該聚酰亞胺樹脂層上由銅構(gòu)成的第4布線圖形。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的集成電路封裝,其特征在于還具有將所述第2膜粘接在所述第1膜上的第1粘接層、及將所述第3膜粘接在所述第1膜上的第2粘接層。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的集成電路封裝,其特征在于所述各粘接層是含有環(huán)氧固化成分的熱固化類粘接層。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的集成電路封裝,其特征在于所述粘接層的層厚為30μm以下。
29.根據(jù)權(quán)利要求22所述的集成電路封裝,其特征在于所述第1導(dǎo)通孔接觸層、第2導(dǎo)通孔接觸層和第3導(dǎo)通孔接觸層是盲孔接觸層,各導(dǎo)通孔接觸層的底部直徑與開口直徑之比為0.2~1.0。
30.根據(jù)權(quán)利要求22所述的集成電路封裝,其特征在于所述第1導(dǎo)通孔接觸層、第2導(dǎo)通孔接觸層和第3導(dǎo)通孔接觸層是盲孔接觸層,各導(dǎo)通孔接觸層的底部直徑與開口直徑之比為0.4~0.8。
31.根據(jù)權(quán)利要求22所述的集成電路封裝,其特征在于通過面朝下接合將所述集成電路電連接于所述多層電路布線板上。
32.根據(jù)權(quán)利要求22所述的集成電路封裝,其特征在于通過使用金線或鋁線的引線接合法,將所述集成電路電連接于所述多層電路布線板上。
33.根據(jù)權(quán)利要求22所述的集成電路封裝,其特征在于所述集成電路被樹脂密封。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的集成電路封裝,其特征在于使金屬板粘合在所述集成電路上來進(jìn)行密封。
35.一種多層電路布線板的制造方法,其具備以下步驟在一個(gè)面上具有第1導(dǎo)體層、另一個(gè)面上具有第2導(dǎo)體層的第1膜上,形成使所述第1導(dǎo)體層與所述第2導(dǎo)體層電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;在所述第1導(dǎo)體層上形成第1布線圖形,在所述第2導(dǎo)體層上形成第2布線圖形;在所述一個(gè)面上,在第1絕緣層側(cè)層疊具有該第1絕緣層和形成于該第1絕緣層上的第3導(dǎo)體層的第2膜;在所述第1膜的所述另一個(gè)面上,在第2絕緣層側(cè)層疊具有該第2絕緣層和形成于該第2絕緣層上的第4導(dǎo)體層的第3膜;形成使所述第3導(dǎo)體層與所述第1布線圖形電連接的第2導(dǎo)通孔接觸層、及使所述第4導(dǎo)體層與所述第2布線圖形電連接的第3導(dǎo)通孔接觸層;在所述第1導(dǎo)體層上形成用于安裝集成電路的布線圖形;在所述第2導(dǎo)體層上形成用于與印制線路板電連接的布線圖形。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于所述第1和第2布線圖形的形成、所述第1導(dǎo)通孔接觸層的形成、所述第2膜對所述第1膜的層疊、所述第3膜對所述第1膜的層疊、用于安裝所述集成電路的布線圖形的形成、用于與所述印制線路板電連接的布線圖形的形成、所述第2導(dǎo)通孔接觸層的形成、所述第3導(dǎo)通孔接觸層的形成,通過卷至卷制造法進(jìn)行。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在所述第1、第2和第3導(dǎo)通孔接觸層的形成中,通過具有第3高次諧波以上的波長的紫外線激光形成導(dǎo)通孔,通過使用所述紫外線激光的物理研磨、使用磨料的物理研磨、基于酸處理的化學(xué)研磨的至少任一方法進(jìn)行處理,來去除產(chǎn)生于所述導(dǎo)通孔開口端的飛散金屬,使所述導(dǎo)通孔的高寬比為1.5以下。
38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在所述第1、第2和第3導(dǎo)通孔接觸層的形成中,通過具有第3高次諧波以上的波長的紫外線激光形成導(dǎo)通孔,通過使用所述紫外線激光的物理研磨,去除產(chǎn)生于所述導(dǎo)通孔的開口端的飛散金屬,在所述物理研磨之前或之后,通過使用磨料的物理研磨或基于酸處理的化學(xué)研磨的至少任一方法,將所述第1、第2、第3和第4導(dǎo)體層研磨至所述導(dǎo)通孔的高寬比為1.5以下。
39.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在所述第1、第2和第3導(dǎo)通孔接觸層的形成中,通過具有第3高次諧波以上的波長的紫外線激光形成導(dǎo)通孔,進(jìn)行去除因形成所述導(dǎo)通孔而產(chǎn)生的殘?jiān)某厶幚恚瑢?shí)施使用于所述導(dǎo)通孔接觸層的孔具有導(dǎo)電性的處理,并通過電解電鍍來填充導(dǎo)通孔接觸層。
40.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在所述第1、第2和第3導(dǎo)通孔接觸層的形成中,通過具有第3高次諧波以上的波長的紫外線激光形成盲孔,通過使用過錳酸鹽的除污處理,去除因形成所述導(dǎo)通孔而產(chǎn)生的殘?jiān)?br> 41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在所述除污處理后,通過使用錫鈀膠體類催化劑、導(dǎo)電性聚合體、碳石墨至少之一的直接電鍍系統(tǒng),進(jìn)行使所述導(dǎo)通孔具有導(dǎo)電性的處理。
42.根據(jù)權(quán)利要求40所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在所述除污處理后,通過無電解銅電鍍處理,進(jìn)行使所述導(dǎo)通孔具有導(dǎo)電性的處理。
43.根據(jù)權(quán)利要求35述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在所述第1、第2和第3導(dǎo)通孔接觸層的形成中,通過具有第3高次諧波以上的波長的紫外線激光,形成盲孔接觸層孔,進(jìn)行使用過錳酸鹽來去除因形成所述導(dǎo)通孔接觸層孔而產(chǎn)生的殘?jiān)某厶幚?,使用錫鈀膠體類催化劑,實(shí)施使所述導(dǎo)通孔具有導(dǎo)電性的處理,或通過無電解電鍍,實(shí)施使所述導(dǎo)通孔具有導(dǎo)電性的處理,并通過使用兩階段以上電流密度的電解電鍍,用金屬來填充所述用于盲孔接觸層的孔內(nèi)部。
44.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在對所述第1導(dǎo)體層形成布線圖形、對所述第2導(dǎo)體層形成布線圖形、對所述第3導(dǎo)體層形成布線圖形、及對所述第4導(dǎo)體層形成布線圖形中,通過化學(xué)研磨將所述第1、第2、第3和第4導(dǎo)體層的層厚形成3~12μm,并使所述各導(dǎo)體層的層厚偏差為所述第1、第2、第3和第4導(dǎo)體層的層厚的20%以下,使用抗蝕劑來選擇地去除所述第1、第2、第3和第4導(dǎo)體層的不需要的部分,實(shí)施在所述第1、第2、第3和第4導(dǎo)體層上形成規(guī)定布線圖形的蝕刻處理。
45.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在對所述第1導(dǎo)體層形成布線圖形、對所述第2導(dǎo)體層形成布線圖形、對所述第3導(dǎo)體層形成布線圖形、及對所述第4導(dǎo)體層形成布線圖形中,通過化學(xué)研磨將所述第1、第2、第3和第4導(dǎo)體層的層厚形成0.5~3μm,并使所述各導(dǎo)體層的層厚偏差為所述第1、第2、第3和第4導(dǎo)體層的層厚的20%以下,使用抗蝕劑來對所述第1、第2、第3和第4導(dǎo)體層選擇地形成規(guī)定圖形的鍍層,在去除所述抗蝕劑后,通過化學(xué)研磨去除電鍍形成部分以外的所述第1、第2、第3和第4導(dǎo)體層,并在所述第1、第2、第3和第4導(dǎo)體層上形成規(guī)定的布線圖形。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在所述電鍍形成中,在抗蝕劑形成后,進(jìn)行酸洗處理,并在所述酸洗處理后,以電流密度1~4A/dm2來進(jìn)行Cu電鍍。
47.一種多層電路布線板的制造方法,其具備以下步驟在一個(gè)面上具有第1導(dǎo)體層、另一個(gè)面上具有第2導(dǎo)體層的第1膜中,形成使所述第1導(dǎo)體層與所述第2導(dǎo)體層電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;在所述第1導(dǎo)體層上形成第1布線圖形,在所述第2導(dǎo)體層上形成第2布線圖形;在所述第1膜的所述一個(gè)面上,在第1絕緣層側(cè)層疊具有該第1絕緣層和形成于該第1絕緣層上的第3導(dǎo)體層的第2膜;在所述第1膜的所述另一個(gè)面上,在第2絕緣層側(cè)層疊具有該第2絕緣層和形成于該第2絕緣層上的第4導(dǎo)體層的第3膜;形成使所述第3導(dǎo)體層與所述第1布線圖形電連接的第2導(dǎo)通孔接觸層、及使所述第4導(dǎo)體層與所述第2布線圖形電連接的第3導(dǎo)通孔接觸層;在所述第3導(dǎo)體層和所述第4導(dǎo)體層上形成規(guī)定的布線圖形;在所述第3導(dǎo)體層的布線圖形側(cè),層疊具有第3絕緣層和形成于該第3絕緣層上的第5導(dǎo)體層的第4膜;在所述第4導(dǎo)體層的布線圖形側(cè),層疊具有第4絕緣層和形成于該第4絕緣層上的第6導(dǎo)體層的第5膜;形成使所述第3導(dǎo)體層的布線圖形與所述第5導(dǎo)體層電連接的第4導(dǎo)通孔接觸層、及使所述第4導(dǎo)體層的布線圖形與所述第6導(dǎo)體層電連接的第5導(dǎo)通孔接觸層;在所述第5導(dǎo)體層上形成用于安裝集成電路的布線圖形;在所述第6導(dǎo)體層上形成用于與印制線路板電連接的布線圖形。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在所述第1導(dǎo)體層、所述第2導(dǎo)體層、所述第3導(dǎo)體層、所述第4導(dǎo)體層、所述第5導(dǎo)體層、所述第6導(dǎo)體層的各布線圖形的形成中,形成的布線圖形的布線加工節(jié)距在比30μm還微細(xì)的層上,通過化學(xué)研磨使該層厚為0.5~3μm,使該微細(xì)的層上的層厚的偏差為20%以下,使用抗蝕劑來對該微細(xì)的層選擇地形成規(guī)定圖形的鍍層,在去除所述抗蝕劑后,通過化學(xué)研磨去除電鍍形成部分以外的所述該微細(xì)的層,并在所述微細(xì)的層上形成規(guī)定的布線圖形,對于所述該微細(xì)的層以外的剩余層,通過化學(xué)研磨使層厚為3~12μm,使層厚的偏差為20%以下,使用抗蝕劑來選擇地去除所述剩余層的不需要的部分,并實(shí)施在所述剩余層上形成規(guī)定的布線圖形的蝕刻處理。
49.一種多層電路布線板的制造方法,其具備以下步驟(a)在一個(gè)面上具有第1導(dǎo)體層、另一個(gè)面上具有第2導(dǎo)體層的第1膜中,形成使所述第1導(dǎo)體層與所述第2導(dǎo)體層電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;(b)在所述第1導(dǎo)體層上形成第1布線圖形,在所述第2導(dǎo)體層上形成第2布線圖形;(c)在所述第1膜的所述一個(gè)面上,在第1絕緣層側(cè)層疊具有該第1絕緣層和形成于該第1絕緣層上的第3導(dǎo)體層的第2膜;(d)在所述第1膜的所述另一個(gè)面上,在第2絕緣層側(cè)層疊具有該第2絕緣層和形成于該第2絕緣層上的第4導(dǎo)體層的第3膜;(e)形成使所述第3導(dǎo)體層與所述第1布線圖形電連接的第2導(dǎo)通孔接觸層、及使所述第4導(dǎo)體層與所述第2布線圖形電連接的第3導(dǎo)通孔接觸層;(f)在所述第3導(dǎo)體層和所述第4導(dǎo)體層上形成規(guī)定的布線圖形;(g)在所述第3導(dǎo)體層的布線圖形側(cè),層疊具有第3絕緣層和形成于該第3絕緣層上的第5導(dǎo)體層的第4膜;(h)在所述第4導(dǎo)體層的布線圖形側(cè),層疊具有第4絕緣層和形成于該第4絕緣層上的第6導(dǎo)體層的第5膜;(i)形成使所述第3導(dǎo)體層的布線圖形與所述第5導(dǎo)體層電連接的第4導(dǎo)通孔接觸層、及使所述第4導(dǎo)體層的布線圖形與所述第6導(dǎo)體層電連接的第5導(dǎo)通孔接觸層;對需要的層數(shù)重復(fù)所述(g)至所述(i)的工序;在位于所述一個(gè)面最外側(cè)的導(dǎo)體層上,形成用于安裝集成電路的布線圖形;在位于所述另一面最外側(cè)的導(dǎo)體層上,形成用于與印制線路板電連接的布線圖形。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的多層電路布線板的制造方法,其特征在于在所述各導(dǎo)體層的各布線圖形的形成中,形成的布線圖形的布線加工節(jié)距在比30μm還微細(xì)的層上,通過化學(xué)研磨使該層厚為0.5~3μm,使用抗蝕劑來對該微細(xì)的層選擇地形成規(guī)定圖形的鍍層,在去除所述抗蝕劑后,通過化學(xué)研磨去除電鍍形成部分以外的該微細(xì)的層,并在所述微細(xì)的層上形成規(guī)定的布線圖形,使該微細(xì)的層上的層厚的偏差為20%以下,對于該微細(xì)的層以外的剩余層,通過化學(xué)研磨使層厚為3~12μm,使層厚的偏差為20%以下,使用抗蝕劑來選擇地去除所述剩余層的不需要的部分,并實(shí)施在所述剩余層上形成規(guī)定的布線圖形的蝕刻處理。
51.一種多層電路布線板的制造方法,其具備以下步驟在一個(gè)面上具有第1導(dǎo)體層、另一個(gè)面上具有第2導(dǎo)體層的第1膜中,形成使所述第1導(dǎo)體層與所述第2導(dǎo)體層電連接的第1導(dǎo)通孔接觸層;對所述第1導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖,形成第1布線圖形;在所述第1布線圖形上,以使所述第1絕緣層在所述第1布線圖形上的方式,來層疊具有第1絕緣層與第3導(dǎo)體層的第2膜;形成使所述第3導(dǎo)體層與所述第1布線圖形電連接的第2導(dǎo)通孔接觸層;對所述第3導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖,形成第2布線圖形;在所述第2布線圖形上,以使所述第2絕緣層在所述第2布線圖形上的方式,層疊具有第2絕緣層與第4導(dǎo)體層的第3膜;形成使所述第4導(dǎo)體層與所述第2布線圖形電連接的第3導(dǎo)通孔接觸層;對所述第4導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖,形成第3布線圖形;對所述第2導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖,形成第4布線圖形。
全文摘要
本發(fā)明提供多層電路布線板、集成電路封裝及多層電路布線板的制造方法。該多層電路布線板,層疊多個(gè)膜(131a、131b、131c),在各膜(131a、131b、131c)的至少一個(gè)面上形成布線圖形(17a、17b、21、23),在分別形成于相鄰的膜(131a、131b、131c)的面上的布線圖形(17a、17b、21、23),經(jīng)由形成于一個(gè)膜(131a、131b、131c)中的導(dǎo)通孔接觸層(19a、19b)相互電連接。
文檔編號H01L23/498GK1559162SQ0281889
公開日2004年12月29日 申請日期2002年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月28日
發(fā)明者塚本健人, 本健人, 孝, 松澤宏, 之, 秋本聰, 前原正孝, 末本匠, 大出雅之, 榊祐一 申請人:凸版印刷株式會(huì)社
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