專利名稱：Sic雙極半導(dǎo)體器件的退化最小化的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明設(shè)計(jì)提高用于電子器件，尤其是功率電子器件中的半導(dǎo)體材料的質(zhì)量和所需特性。特別地，本發(fā)明設(shè)計(jì)用于使碳化硅中晶體缺陷最小化的改善工藝，以及所得的改善的結(jié)構(gòu)和器件。
背景技術(shù)：
術(shù)語“半導(dǎo)體”指的是電子特性介于那些稱為導(dǎo)體的材料——例如金屬——和那些在任何合理情況下都幾乎不傳導(dǎo)電流的通常稱為絕緣體的材料之間的材料。半導(dǎo)體材料幾乎永遠(yuǎn)是固體材料，因而它們?cè)陔娮悠骷械氖褂脤?dǎo)致了使用術(shù)語“固態(tài)”來一般性描述半導(dǎo)體制成的、而不是由更早的技術(shù)——例如真空管——制成電子器件和電路。
歷史上，硅用于半導(dǎo)體目的的主要材料。硅相對(duì)容易生長(zhǎng)成大的單晶并且適合于許多電子器件。其它材料——例如砷化鎵——也廣泛用于各種半導(dǎo)體器件和應(yīng)用。然而，基于硅和砷化鎵的半導(dǎo)體具有特定的限制，通常使它們無法用于制作某些類型的器件，或者能用于某些工作條件下的器件。例如，硅和砷化鎵的帶隙太小而無法產(chǎn)生電磁譜可見或紫外范圍的某些光波長(zhǎng)。類似的，基于硅和砷化鎵的器件幾乎不能在200℃以上的溫度下工作。這極大限制了它們作為高溫應(yīng)用——例如大功率電動(dòng)機(jī)控制器、高溫內(nèi)燃機(jī)和類似應(yīng)用——中的器件或傳感器的使用。
因此，作為合適的候選半導(dǎo)體材料，碳化硅(SiC)在過去二十年中脫穎而出，它提供了許多超過硅和砷化鎵的優(yōu)點(diǎn)。特別地，碳化硅具有寬的帶隙、高的擊穿電場(chǎng)、大的熱導(dǎo)率、大的飽和電子漂移速率，而且非常堅(jiān)固。特別地，碳化硅具有極高的熔點(diǎn)，是世界上已知材料中最硬的之一。
然而，由于其物理特性，碳化硅相對(duì)來說也難于制作。因?yàn)樘蓟枘軌蛞栽S多多型生長(zhǎng)，所以它難以生長(zhǎng)成大的單晶。生長(zhǎng)碳化硅所需的高溫也使得雜質(zhì)水平(包括摻雜)的控制相對(duì)困難，同樣也增大了制作薄膜(即外延層)的難度。由于這些困難，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體晶片切割和拋光對(duì)于碳化硅來說更為困難。類似的，它的耐化學(xué)腐蝕和雜質(zhì)擴(kuò)散的特性使得它難以使用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制作技術(shù)來腐蝕和加工。
特別地，碳化硅能形成超過150種多型，這其中的許多種都由相對(duì)較小的熱力學(xué)差別來區(qū)分。結(jié)果，生長(zhǎng)碳化硅單晶襯底和高質(zhì)量外延層(“epilayer”)已經(jīng)成為——而且一直將是——困難的任務(wù)。
然而，根據(jù)這一特定領(lǐng)域的大量研究和發(fā)現(xiàn)——包括本發(fā)明的受讓人所進(jìn)行的那些，在碳化硅的生長(zhǎng)和制作成有用器件方面，已經(jīng)有了許多進(jìn)展。因此，現(xiàn)在已經(jīng)能夠得到將碳化硅作為其它有用的半導(dǎo)體——例如氮的III族化合物——的襯底而用于制作藍(lán)綠光發(fā)光二極管的商用器件，用于大功率射頻(RF)和微波應(yīng)用，以及其它大功率、高電壓應(yīng)用。
由于碳化硅技術(shù)的成功增大了某些SiC基器件的可用性，那些器件的特定方面變得更為清晰。特別地，觀察到一定數(shù)量的碳化硅基雙極器件的正向電壓(Vf)在這些器件長(zhǎng)時(shí)間工作后會(huì)顯著增大。在這點(diǎn)上，術(shù)語“雙極”以其通?；驊T例意義來使用，指任何這樣的器件至少部分通過少數(shù)載流子注入從而同時(shí)利用電子和空穴作為載流子在器件某些區(qū)域中達(dá)成傳導(dǎo)來實(shí)現(xiàn)工作；或者指這樣的器件在正向傳導(dǎo)過程中，至少存在一個(gè)正向偏置p-n結(jié)。正向電壓的這一基本改變提出了會(huì)妨礙碳化硅基雙極器件在許多應(yīng)用中的完全利用的問題。盡管過多的缺陷也許是導(dǎo)致所觀察導(dǎo)的Vf退化(也稱作Vf漂移)的原因，但是最近的研究指出，正向偏壓增大的原因之一在于雙極器件中施加正向電流情況下碳化硅結(jié)構(gòu)中面缺陷——例如堆垛層錯(cuò)——的生長(zhǎng)。換句話說，電流通過碳化硅雙極器件會(huì)引起或傳播(或二者都有)晶體結(jié)構(gòu)上的改變。如上所述，許多SiC多型在熱力學(xué)特性上很接近，很可能發(fā)生固態(tài)相變。當(dāng)堆垛層錯(cuò)大范圍擴(kuò)展時(shí)，會(huì)導(dǎo)致正向電壓以不需要的方式增大，在許多應(yīng)用中會(huì)使得器件無法像需要或希望的那樣精確工作。其它類型的結(jié)晶缺陷也會(huì)導(dǎo)致退化。上面所討論的“Vf漂移”退化問題是眾所周知的，也是SiC功率器件的設(shè)計(jì)者所要認(rèn)真考慮的問題。
正如熟知晶體結(jié)構(gòu)和生長(zhǎng)的那些人所清楚知道的，永遠(yuǎn)不可能獲得完美的晶體結(jié)構(gòu)。這種不足有許多基本原因所有晶體都會(huì)振動(dòng)并且含有有限數(shù)量的熱力學(xué)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)缺陷(因?yàn)榫w處于0K以上)，所有晶體通常都受到光或者其它電磁輻射的影響，所有晶體都含有一些(即使非常少)雜質(zhì)，并且所有晶體都具有真實(shí)表面，因?yàn)樗鼈兂叽缬邢?。由于這些和其它原因，即使在最好的生長(zhǎng)環(huán)境下，晶體缺陷——包括堆垛層錯(cuò)——都會(huì)出現(xiàn)。
因此，現(xiàn)在技術(shù)上需要改善的碳化硅生長(zhǎng)技術(shù)和所得結(jié)構(gòu)，能將工作過程中缺陷的傳播所導(dǎo)致的正向電壓增大(Vf漂移)問題最小化或消除，還需要形成碳化硅基雙極器件的方法，能將缺陷的不受歡迎的副作用以及它們?cè)谑┘诱螂娏鲿r(shí)的生長(zhǎng)最小化或消除。

發(fā)明內(nèi)容
在第一方面，本發(fā)明為雙極結(jié)構(gòu)，包含碳化硅襯底、襯底上的電壓阻擋區(qū)，以及限制所述電壓阻擋區(qū)的p型和n型碳化硅區(qū)。至少所述p型區(qū)和所述n型區(qū)之一的厚度大于該層中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度。
在另一方面，本發(fā)明為雙極器件，包含至少一個(gè)單晶碳化硅p型區(qū)和至少一個(gè)單晶碳化硅n型區(qū)，其中正向偏壓工作下生長(zhǎng)的堆垛層錯(cuò)的那些部分至少與p型區(qū)或n型區(qū)與器件剩余部分之間的界面之一分隔開。
在又一方面，本發(fā)明為雙極器件，包含至少一個(gè)p型區(qū)、至少一個(gè)n型區(qū)和至少一個(gè)堆垛層錯(cuò)，堆垛層錯(cuò)與器件具有足夠的缺陷密度或應(yīng)力態(tài)以支持堆垛層錯(cuò)在器件正向偏壓工作下繼續(xù)生長(zhǎng)的部分分隔開。
在又一方面，本發(fā)明為碳化硅中的雙極器件，其中任何終端層的厚度都大于該層中的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度。
根據(jù)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明及實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法的前述和其它目的及優(yōu)點(diǎn)將變得更清楚，其中


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的二極管的顯微照片，示出大群本發(fā)明所提出的類型的堆垛層錯(cuò)；圖2為現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中堆垛層錯(cuò)的示意性透視圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)的雙極器件的剖面示意圖，包括堆垛層錯(cuò)；圖3A繪出現(xiàn)有技術(shù)的雙極二極管中大正向電流工作過程中的少數(shù)載流子分布；圖4為根據(jù)本發(fā)明的雙極器件的剖視圖，包括堆垛層錯(cuò)；圖4A繪出根據(jù)本發(fā)明的雙極二極管中大正向電流工作過程中的少數(shù)載流子分布；以及圖5為根據(jù)本發(fā)明形成的二極管的顯微照片，示出三個(gè)堆垛層錯(cuò)受到抑制的側(cè)向擴(kuò)展。
圖6為根據(jù)本發(fā)明的雙極結(jié)晶體管的示意圖。
圖7為根據(jù)本發(fā)明的受控場(chǎng)閘流晶體管的示意圖。
圖8為根據(jù)本發(fā)明的閘流晶體管的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的1.2mm×1.2mm p-n二極管的顯微照片，用10標(biāo)示。繪于圖1的俯視圖中的二極管顯示出圖形頂側(cè)歐姆接觸，在工作過程中可對(duì)器件進(jìn)行肉眼檢查。
圖1示出大群堆垛層錯(cuò)11，跨越了器件的整個(gè)寬度(圖1垂直方向)。盡管在俯視圖中無法看出，但是堆垛層錯(cuò)11確實(shí)存在于器件10的多個(gè)原子平面內(nèi)。這是器件正向工作過程中所生長(zhǎng)的典型類型的堆垛層錯(cuò)，導(dǎo)致說明書背景部分所提到的問題。器件在正向偏壓條件下工作30分鐘之后就會(huì)形成堆垛層錯(cuò)11。在圖1中可以看到堆垛層錯(cuò)區(qū)域，這是因?yàn)樗鼈冏鳛閺?fù)合中心，在某些條件下，在正向偏壓工作過程中，由于電子-空穴對(duì)在層錯(cuò)處復(fù)合而產(chǎn)生可見光。層錯(cuò)處的載流子復(fù)合會(huì)降低效率并增大器件正向電壓(Vf)。圖2為標(biāo)示為10A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的示意圖。結(jié)構(gòu)10A可以是p-n二極管，但是在圖2中，為清楚起見，僅示出兩個(gè)部分(襯底和一個(gè)外延區(qū))。在圖2中，襯底示為13，而器件的外延區(qū)示為14。通常(并且如圖3和4所示)，器件10還包括緩沖層、外延n型層和外延p型層，以及各自的歐姆接觸。
為了說明本發(fā)明，將討論堆垛層錯(cuò)引入的Vf退化，盡管本發(fā)明并不僅僅適用于這一類型的缺陷，因?yàn)槠渌毕菀材軌虬凑斩讯鈱渝e(cuò)傳播的相同機(jī)制來傳播。圖2示出以虛線形成的三角形來表示的堆垛層錯(cuò)15。在正向工作下，堆垛層錯(cuò)15沿材料(0001)面?zhèn)鞑?，通常沿著箭頭A所指示的方向(盡管在類似器件中還小范圍觀察到在其它區(qū)域和方向的初始成核與生長(zhǎng))。這樣，在圖2中，用虛線多邊形16表示類似堆垛層錯(cuò)的更低(即局部)部分。堆垛層錯(cuò)16達(dá)到區(qū)域14和襯底13之間的界面12，并且按箭頭B所示的方向沿襯底-外延層界面12附近的線17繼續(xù)傳播。在最糟的情況中，正在生長(zhǎng)的堆垛層錯(cuò)會(huì)在整個(gè)器件10中產(chǎn)生更多的堆垛層錯(cuò)，導(dǎo)致其它問題。
在圖2中，示出堆垛層錯(cuò)部分15和16按向器件10A的頂表面傾斜的角度傳播。這是因?yàn)槎讯鈱渝e(cuò)傾向于沿基面生長(zhǎng)，而在許多碳化硅應(yīng)用中，作為提高晶體生長(zhǎng)質(zhì)量的一種方法，器件外延層都以稍微偏離軸向的角度生長(zhǎng)。這樣，在圖2中出現(xiàn)了堆垛層錯(cuò)的角度傾斜。U.S.4,912,063和4,912,064是這種偏離軸向生長(zhǎng)的早期實(shí)施例，盡管這些專利的特殊技術(shù)都是作為背景而不是特定實(shí)施例或限制而給出的。
通常，層錯(cuò)的兩個(gè)或更多個(gè)邊被固定，常常是固定在成核部位上，而堆垛層錯(cuò)的其余邊只沿器件結(jié)構(gòu)的深度方向擴(kuò)展，其中發(fā)生電子-空穴對(duì)復(fù)合(即，其中在器件工作過程中少數(shù)載流子濃度超過其本征值)。隨著堆垛層錯(cuò)的擴(kuò)展，成分位錯(cuò)有更多的機(jī)會(huì)爬上其它緊挨的平面并產(chǎn)生更多的堆垛層錯(cuò)，它們會(huì)以相同或相反的方向傳播。例如，如圖2所示，“不成熟的”堆垛層錯(cuò)15具有邊15a、15b和15c。邊15a和15b固定在成核部位N上，而邊15c沿方向A自由擴(kuò)展。堆垛層錯(cuò)16(只示出其下面部分)沿各個(gè)方向擴(kuò)展到區(qū)域14和襯底13之間的界面12處，在這里它發(fā)展出新的邊16d，新邊16d也固定在襯底/外延界面上，而邊16c則沿方向B繼續(xù)自由擴(kuò)展。
通過圖3和4的更多公開能夠理解面缺陷——例如堆垛層錯(cuò)——的問題和本發(fā)明處理它們的方式。特定地，可關(guān)于p-n二極管來理解本發(fā)明，盡管熟悉碳化硅和半導(dǎo)體器件的技術(shù)人員將能理解，該技術(shù)可用于許多雙極器件中，包括，但不局限于p-n二極管、p-i-n二極管、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、雙極結(jié)晶體管(BJT)和受控場(chǎng)閘流晶體管。圖3示出p-n二極管，標(biāo)示為20。二極管20形成在碳化硅襯底21上，在襯底上分別是n+型緩沖層22、n-區(qū)23、p型區(qū)24以及p型層24和襯底21上的歐姆接觸25和26。27示出一個(gè)堆垛層錯(cuò)。n+緩沖層22、n-區(qū)23和p型區(qū)24一起包含電壓阻擋區(qū)或有源區(qū)，而n+緩沖層22和p型層24包含電壓阻擋區(qū)的邊界層。也就是，區(qū)域22和24形成器件活性區(qū)的最外區(qū)域。熟練的技術(shù)人員將能理解，這些區(qū)域可以作為單獨(dú)的外延層通過外延生長(zhǎng)方法——例如化學(xué)氣相沉積(CVD)、液相外延(LPE)、氣相外延(VPE)、分子束外延(MBE)或其它合適的外延方法——來生長(zhǎng)。各個(gè)區(qū)域也可通過擴(kuò)散摻雜或注入形成在一層或多層外延層或區(qū)域中。
在器件20的大正向電流工作中，空穴從p層24注入到n-漂移區(qū)23，而電子從n-漂移層23注入到p層24。對(duì)于所示出的結(jié)構(gòu)，p+層中的少數(shù)載流子濃度在歐姆接觸處急劇下降到本征水平。這是因?yàn)闅W姆接觸作為電子-空穴對(duì)復(fù)合的無限阱。另外，大量少數(shù)載流子(空穴)到達(dá)n+緩沖層22和襯底21之間的界面28。已知這種結(jié)構(gòu)，在大正向電流工作過程中，電子-空穴對(duì)復(fù)合能夠促進(jìn)成核并通過形成堆垛層錯(cuò)邊界的位錯(cuò)(肖克利局部位錯(cuò))的滑移驅(qū)使堆垛層錯(cuò)擴(kuò)展。這一復(fù)合驅(qū)動(dòng)的層錯(cuò)擴(kuò)展在砷化鎵材料和器件中液觀察到過。
器件20的少數(shù)載流子濃度示于圖3A中。如圖3A所示，由于層24相對(duì)較窄的厚度(與該層中少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度相比)，某些注入層34中的少數(shù)載流子(在此情形中為電子)到達(dá)該層和歐姆接觸25的界面29，在這里，如上所述，少數(shù)載流子濃度急劇下降到本征水平。同樣地，某些注入層22中的少數(shù)載流子(在此情形中為空穴)到達(dá)該層和襯底21的界面28。
盡管發(fā)明者不希望被任何特定理論所束縛，但是目前確信，發(fā)生在有源區(qū)中的電子-空穴復(fù)合過程中釋放的能量促進(jìn)了在有源區(qū)內(nèi)成核的缺陷(尤其是像堆垛層錯(cuò)這樣的面缺陷)的生長(zhǎng)。一旦堆垛層錯(cuò)傳播到缺陷密度或應(yīng)力態(tài)較高的界面或區(qū)域，包括襯底-外延層界面，例如界面28，或者歐姆接觸-外延層界面，例如界面29，那么該存在缺陷的區(qū)域據(jù)信將會(huì)進(jìn)一步促進(jìn)堆垛層錯(cuò)的繼續(xù)生長(zhǎng)。除了襯底-外延層和歐姆接觸-外延層界面之外，其它界面也可能具有足夠多的缺陷或應(yīng)力態(tài)以導(dǎo)致堆垛層錯(cuò)的繼續(xù)生長(zhǎng)。
此外，目前確信碳化硅中一般的位錯(cuò)分解可使用Burgers矢量符號(hào)表示如下13<112‾0>→13<101‾0>+13<011‾0>]]>作為電子-空穴對(duì)復(fù)合的結(jié)果，堆垛層錯(cuò)——例如以27示意性示出的——將在碳化硅雙極器件——例如圖3中示出的那個(gè)——中形成并生長(zhǎng)。如上所述，由于碳化硅襯底晶片偏離軸向的表面(對(duì)于4H多型來說，通常朝<1120>方向偏移8度)，出現(xiàn)在基面上的堆垛層錯(cuò)27朝向二極管表面傾斜。作為選擇，正如圖2在某種程度上示出的，當(dāng)垂直于表面看去，堆垛層錯(cuò)27將具有三角形或四邊形的形狀。正如背景中提到的，當(dāng)出現(xiàn)層錯(cuò)的材料的范圍變得很大時(shí)，就會(huì)對(duì)器件正向傳導(dǎo)產(chǎn)生有害影響，正向電壓增大，使得器件對(duì)于特定應(yīng)用不具吸引力或者根本就不能使用。
在考慮根據(jù)本發(fā)明的器件的設(shè)計(jì)時(shí)，必須考慮許多相關(guān)因素，并且在某種程度上使它們保持平衡。例如，在pn二極管中，大多數(shù)設(shè)計(jì)參數(shù)通常都是用來保證最佳阻擋電壓(即反向偏壓)特性，而正向電壓性能在設(shè)計(jì)p-n二極管時(shí)并沒有作為主要考慮來對(duì)待。然而，當(dāng)阻擋電壓是所需的特性時(shí)，可按照下面的步驟來設(shè)計(jì)假想的5000伏特(V)p-n二極管結(jié)構(gòu)。
首先，由于n-層將承受大部分反向電壓，因而通過將物理常數(shù)用于所需的阻擋電壓來確定n-層厚度。對(duì)于5000V實(shí)施例來說，根據(jù)大約2.2E6(2.2×106)V/cm的最大電場(chǎng)計(jì)算得到45微米(μm)的最小厚度。一旦設(shè)定了n-層厚度，則計(jì)算n-層摻雜以使n-層在最大設(shè)計(jì)反向電壓下完全耗盡。對(duì)于承受5000V的45μm層的本實(shí)施例來說，表明最大摻雜2.7E15(2.7×1015cm-3)。
其次，n+緩沖層用于保證襯底——其晶格結(jié)構(gòu)從而電學(xué)特性都比外延層差——在設(shè)計(jì)最大反向阻擋電壓下不承載任何電場(chǎng)。另外，優(yōu)選地使用相對(duì)高摻雜的n+緩沖層以使二極管的串連電阻最小化并使必須的總外延層厚度最小化。由于在某一限制之上，外延層質(zhì)量通常隨著摻雜的增大而下降，因此對(duì)高摻雜的要求和好的晶格質(zhì)量之間的折衷通常將可接受的n+緩沖層摻雜范圍限制在1E18-2E19范圍內(nèi)，而對(duì)于n+緩沖層摻雜來說大約2E18是優(yōu)選的。之后，可以利用一個(gè)簡(jiǎn)單的計(jì)算來對(duì)于給定結(jié)構(gòu)確定最小的n+緩沖層厚度。根據(jù)5000V反向電壓的實(shí)施例設(shè)計(jì)，n-層為45μm摻雜到1E15，而n+緩沖層摻雜為2E18，最小n+緩沖層厚度為0.03μm。0.03μm這個(gè)值作為下限，為了可以對(duì)制作進(jìn)行控制，這一層的厚度優(yōu)選地?cái)U(kuò)大到0.5μm。
為了正確工作，p層必須向n-層注入空穴。注入效率隨著這些層之間的摻雜濃度之差的增大而增大。通常，在這樣的結(jié)構(gòu)中，必需大約兩個(gè)量級(jí)的最小摻雜濃度差。此外，在更高的摻雜水平上，將要折衷考慮p層質(zhì)量，因此對(duì)于現(xiàn)在的實(shí)施例，p摻雜被限制在1E17-1E19的范圍內(nèi)，而優(yōu)選大約1E18。類似地對(duì)于n+緩沖層，選擇p層厚度以使整個(gè)設(shè)計(jì)的阻擋電壓——而不是電場(chǎng)——顯現(xiàn)在p層頂部。在這一實(shí)施例中，直接計(jì)算得到0.11μm的最小厚度，為了可以對(duì)制作進(jìn)行控制，這一厚度優(yōu)選地提高到0.5μm。
在p層最頂上，通常使用p+接觸層，它的摻雜濃度比p層高很多以幫助低阻歐姆接觸的形成。這一層可以是極高摻雜的，通常1E19是下限，并且應(yīng)當(dāng)足夠厚以使歐姆金屬形成過程中發(fā)生的晶體結(jié)構(gòu)破壞不會(huì)到達(dá)p層的下層摻雜部分。通常，0.1μm的厚度是合適的。
最后，選擇襯底以提供在其上生長(zhǎng)器件有源區(qū)的優(yōu)質(zhì)晶體，并促進(jìn)與器件結(jié)構(gòu)的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械連接。為了減小串連電阻，優(yōu)選低阻襯底，但是過分高的摻雜會(huì)引入許多其它問題。這樣，從實(shí)際角度并考慮現(xiàn)有材料，襯底摻雜被限制在5E18-2E19的范圍。可將襯底厚度最小化以減小串連電阻，但是機(jī)械限制又要求一個(gè)最小厚度，優(yōu)選地在處理后為至少大約125μm。
總體上，按照上述基于反向阻擋的設(shè)計(jì)程序，可研發(fā)出用于理想化5kV p-i-n的合適的器件結(jié)構(gòu)，規(guī)定p+接觸層為0.10μm厚并摻雜到1E19；p層0.5μm厚并摻雜到1E18；n-層45μm厚并摻雜到1E15；n+層0.5μm厚并摻雜到2E18；以及4H n型襯底。
換句話說，在傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法中，p-n器件中n+緩沖層和p層的厚度根據(jù)反向偏壓(即電壓阻擋)條件所能接受的最小厚度來設(shè)計(jì)。然而，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法無法解決正向偏壓工作過程中層錯(cuò)傳播(以及隨之發(fā)生的Vf漂移)問題。反過來，本發(fā)明的某一方面給出了根據(jù)正向偏壓條件的附加厚度設(shè)計(jì)約束條件，緩解了層錯(cuò)傳播。
從晶體生長(zhǎng)和處理的觀點(diǎn)，本發(fā)明還加入了使器件有源區(qū)中或有源區(qū)附近的層錯(cuò)或其它潛在成核點(diǎn)的數(shù)目最小化的目標(biāo)。因此，任何提高晶體生長(zhǎng)以及所得襯底和外延層的質(zhì)量的技術(shù)在使堆垛層錯(cuò)最小化中一般都是有用的。特別地，根據(jù)本發(fā)明確定了，器件有源部分——尤其是有源部分中的外延層——的連續(xù)(而不是中斷)生長(zhǎng)會(huì)使堆垛層錯(cuò)的成核最小化，從而有助于使它們的傳播最小化。
通過圖4的示意性剖視圖是出了本發(fā)明的許多方面，圖4以剖視方式示出了一個(gè)p-n二極管，用30標(biāo)示。二極管由碳化硅襯底31和襯底31上的n+外延層32組成，n+層32的厚度大于空穴在n+層32中的擴(kuò)散長(zhǎng)度(用Lp表示)。n-碳化硅層33在n+外延層上，如前所述，其厚度和摻雜濃度由二極管反向阻擋電壓確定。p型碳化硅外延層34在n-層33上，厚度大于電子在p型層34中的擴(kuò)散長(zhǎng)度(用Ln表示)。歐姆接觸35做在p+層34上，另一歐姆接觸36做在襯底31上。
由于本發(fā)明某一方面基于層厚與少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度之間的關(guān)系，因此上面概述的設(shè)計(jì)因素開始起作用。特別地，空穴擴(kuò)散長(zhǎng)度由許多因素決定，包括摻雜，這些因素通常在技術(shù)中都已經(jīng)理解透徹了。這樣——再次使用p-n二極管作為實(shí)施例——一旦選定了所需的阻擋電壓，則器件剩余部分的許多參數(shù)都將按照理解透徹了的方式。一旦滿足了這些參數(shù)，根據(jù)本發(fā)明，p型層34和n+層32的厚度可以按照需要進(jìn)行擴(kuò)展以超過少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度。在同一方式中，通過某些方法——包括增大相關(guān)層中的多數(shù)載流子濃度——來減小少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度。正如此處其它地方所指出的，載流子濃度的上限通常是有用的，降低晶體質(zhì)量成為了限制因素。
熟練的技術(shù)人員也將理解，根據(jù)等式(1)和(2)，載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度(Lp、Ln)與其壽命相關(guān)。
(1)Lp＝(Dpτp)1/2(2)Ln＝(Dnτn)1/2這樣，也能夠理解本發(fā)明給出少數(shù)載流子壽命在其中終結(jié)的層。
以另一種方式表達(dá)，本發(fā)明包含通過在高摻雜層中至少終止層錯(cuò)的一個(gè)邊以在工作過程中阻礙堆垛層錯(cuò)的生長(zhǎng)。反過來，這又是一個(gè)設(shè)計(jì)函數(shù)，其中高摻雜層中的多數(shù)載流子濃度直接影響少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度，更高的多數(shù)載流子濃度得到更短的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度。用于此處，這樣的高摻雜層優(yōu)選地大于大約5E18cm-3，而上限由該層所要求或所需的晶體質(zhì)量來確定。
多數(shù)載流子濃度和少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度(或壽命)之間的關(guān)系在半導(dǎo)體物理中已經(jīng)理解透徹了。與半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和工作相關(guān)的這些和其它概念在這一技術(shù)領(lǐng)域已得到普遍的透徹理解，參考書有，例如Sze，半導(dǎo)體器件物理學(xué)(Physics of Semiconductor Devices)，Second Edition(1981)John Wiley & Sons，Inc.以及Sze，現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理學(xué)(Modern Semiconductor Device Physics)(1998)John Wiley & Sons，Inc.。
在優(yōu)選實(shí)施方案中，并且作為這些類型的器件中歐姆接觸的普遍結(jié)構(gòu)，二極管可進(jìn)一步包含p型層34和歐姆接觸35之間的p+型接觸層37，以便形成更好的歐姆接觸。這樣，接觸層37具有比p型層34更高的載流子濃度。
在典型和優(yōu)選實(shí)施方案中，襯底31和外延層32、33、34(以及可能的37)都是相同的多型，通常選自下列之一碳化硅的3C、4H、6H和15R多型，對(duì)于p-n二極管優(yōu)選4H多型。
如上所述，p-n二極管的現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)參數(shù)基于所要求的反向阻擋電壓，這樣，使用現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)原理，n+外延層32將只有大約0.5微米厚。反過來，在根據(jù)本發(fā)明的器件中，n+外延層32具有大約1E18和1E19之間的載流子濃度和大于Lp——該層中的空穴擴(kuò)散長(zhǎng)度——的厚度。優(yōu)選的n+層32將包含兩層，層32A和32B。層32A為0.5μm厚，摻雜濃度2E18cm-3。層32可進(jìn)一步包含層32A和襯底31之間的層32B。層32B為大約2μm厚的邊界層，摻雜濃度1E19cm-3。在這一實(shí)施方案中，p型外延層34具有大于Ln的厚度和大約1E17至1E19之間的載流子濃度。最優(yōu)選地，p+外延層34為大約1.5μm厚并具有大約3E18的載流子濃度。另外，p+接觸層37大約為2μ厚，摻雜1E19。
功能上，并且如熟練的技術(shù)人員所普遍透徹理解的，選擇p型層34使其摻雜濃度比n-層33高大約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
在包括p型接觸層37的實(shí)施方案中，接觸層37優(yōu)選地具有至少大約1E19的載流子濃度，但是低于會(huì)導(dǎo)致晶體質(zhì)量下降從而降低二極管性能的總量。在優(yōu)選實(shí)施方案中，層37通常具有大約0.1微米的厚度。
如上所述，襯底優(yōu)選地為4H多型，具有大約5E18至2E19之間的載流子濃度，并且在處理之后至少大約125微米厚。
總之，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選p-n二極管具有大約2.0微米厚、載流子濃度大約1E19的p+接觸層37。p型層為大約1.5微米厚，載流子濃度大約3E18。n-層33大約45微米厚，具有大約1E15的載流子濃度。n+層32大約2.5微米厚，包含載流子濃度大約2E18的0.5μm厚的層和載流子濃度大約1E19的2μm厚的邊界層。
這樣，在這一實(shí)施方案中，本發(fā)明可概括地作為具有碳化硅襯底的雙極結(jié)構(gòu)來考慮，電影阻擋區(qū)包含襯底上的p型和n型碳化硅外延層，p型層和n型層中至少一個(gè)具有大于該層中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的厚度。正如熟悉半導(dǎo)體技術(shù)的人員所知道的，雙極結(jié)構(gòu)可以形成許多器件的整體或某些部分，這些器件主要有p-n結(jié)二極管、p-i-n二極管、雙極晶體管和閘流晶體管。這些器件中的每一種都具有各種各樣的有關(guān)的和衍生的器件，正如在技術(shù)領(lǐng)域中所熟知的，在此將不對(duì)它們進(jìn)行詳細(xì)討論。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明所給出的碳化硅雙極結(jié)構(gòu)中的優(yōu)點(diǎn)同樣可應(yīng)用于非常多種使用雙極結(jié)構(gòu)的碳化硅器件中。
本發(fā)明的特點(diǎn)是它能夠關(guān)于所出現(xiàn)的、并通過使用本發(fā)明得以最小化的晶體缺陷的特征來理解?；氐綀D4，在器件30的剖面示意圖中示出堆垛層錯(cuò)40。在這一實(shí)施方案中，本發(fā)明包含雙極器件30，它具有至少一個(gè)單晶碳化硅p型層34和至少一個(gè)單晶碳化硅n型層33。在這一實(shí)施方案中，正向工作下生長(zhǎng)的堆垛層錯(cuò)(或缺陷)40的部分與器件30的有源區(qū)和器件30的剩余部分之間的界面中的至少一個(gè)分隔開。用于此處，術(shù)語界面用來指某些結(jié)構(gòu)部位，然而，它們都在技術(shù)中得到了透徹理解。在此，界面可以是兩層外延層之間的邊界，或者器件有源和無源部分之間的邊界、同一外延層注入和非注入部分之間的邊界，或者概括地表述為器件中材料系統(tǒng)或材料生長(zhǎng)方式發(fā)生變化的部分。
作為示例性說明而不是限制性說明，在圖4中至少可定義兩個(gè)界面。41所示的一個(gè)是n+層32和襯底31之間的物理邊界。另一個(gè)則是歐姆接觸35和p+層34之間的邊界42。圖3和4的比較顯示，在圖3中(現(xiàn)有技術(shù)的二極管)，堆垛層錯(cuò)27能夠一直延伸到p型層24與其歐姆接觸25之間的界面29處。在另一端，堆垛層錯(cuò)一直延伸到n+層22和襯底21之間的界面處。
相反，圖4示出，堆垛層錯(cuò)不會(huì)延伸到任何界面，而是在p型層34和n+層32中終止，因?yàn)榭梢赃m當(dāng)選擇那些層的厚度以使其超過那些層中的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度。圖4A示出大正向電流工作下器件30中的少數(shù)載流子分布。如圖4A所示，層34和32中的少數(shù)載流子濃度在到達(dá)界面41和界面42之前就下降到了本征水平。這樣，發(fā)生在界面41和42處的電子-空穴復(fù)合可以忽略，沒有足夠的能量讓堆垛層錯(cuò)40繼續(xù)傳播通過整個(gè)器件。
在另一方面，本發(fā)明可認(rèn)為是將堆垛層錯(cuò)與器件具有足夠的缺陷密度或應(yīng)力態(tài)以支持堆垛層錯(cuò)在器件正向偏壓工作下生長(zhǎng)的部分分隔開。這樣，因?yàn)閳D4中的器件30中的襯底31預(yù)計(jì)具有比外延層32、33和34更高的缺陷密度或應(yīng)力態(tài)，所以本發(fā)明包含將堆垛層錯(cuò)與襯底31分隔開從而將堆垛層錯(cuò)在正向工作下能夠產(chǎn)生、成核或生長(zhǎng)的機(jī)會(huì)最小化。在同一方式中，堆垛層錯(cuò)40與鄰近歐姆接觸35的p型層34的邊緣分隔開。
在又一方面考慮，本發(fā)明可認(rèn)為是任何終止層的厚度都大于該層中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的結(jié)構(gòu)，其中“終止層”指的是任何這樣的層，其中注入了少數(shù)載流子，并且該層被限制在與少數(shù)載流子被界面——特征在于高缺陷密度或應(yīng)力態(tài)——注入的那一側(cè)相對(duì)的一側(cè)上。再次回到圖4，如果終止層被認(rèn)為是p型層34和n+層32，則堆垛層錯(cuò)40在其中終止，不會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)展，因?yàn)閷?4的厚度和層32的厚度大于各層中各自的少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度。
圖5為根據(jù)本發(fā)明形成的二極管的另一顯微照片，與圖1的顯微照片相比較。在圖5中，二極管用45標(biāo)示，為了檢查方便也包括網(wǎng)格歐姆圖形。在圖5中，能夠見到的堆垛層錯(cuò)用46、47和48指示。馬上就可以注意到圖5中出現(xiàn)的堆垛層錯(cuò)的擴(kuò)展被限制了，結(jié)果，這些堆垛層錯(cuò)比圖1的堆垛層錯(cuò)更不具擴(kuò)展性，顯示出本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的二極管如下制作制備4H SiC Si面襯底，具有偏向<1120>軸的8°偏角。下面所描述的所有外延層都通過化學(xué)氣相沉積(CVD)在一次不中斷的生長(zhǎng)中完成。利用氮?dú)庾鳛閚型摻雜劑在襯底上沉積2μm厚摻雜濃度1E19cm-3的n+碳化硅外延層。然后沉積0.5μm厚載流子濃度2E18cm-3的n+層。隨后，在沒有生長(zhǎng)停止的情況下生長(zhǎng)10μm厚載流子濃度1E16cm-3的n-碳化硅厚外延層。還是使用氮?dú)庾鳛閚型摻雜劑。之后，還是沒有生長(zhǎng)停止，外延生長(zhǎng)厚度1.5μm的載流子濃度3E18cm-3的碳化硅p型層。最后，在p型層上生長(zhǎng)厚度2μm的p+外延層。p+層具有1E19cm-3的載流子濃度。然后在器件頂表面和底表面上形成歐姆接觸。
在制作并工作30分鐘之后，限制了堆垛層錯(cuò)46、47和48的生長(zhǎng)，它們沒有傳播通過二極管的整個(gè)厚度。除pn二極管之外，本發(fā)明還可以用于其它雙極器件。例如，如圖6-8所示，本發(fā)明可用于其它類型的雙極器件，例如，但不局限于，雙極結(jié)晶體管和閘流晶體管。
圖6示出本發(fā)明用于雙極結(jié)晶體管(BJT)中的一個(gè)實(shí)施方案。BJT600包含n型SiC襯底602、n+緩沖層604、n-電壓阻擋層606、p型基區(qū)608和n型發(fā)射區(qū)614。沉積歐姆接觸以形成收集區(qū)接觸620、基區(qū)接觸612和發(fā)射區(qū)接觸616。為了限制面缺陷的傳播，n+緩沖層604和n+發(fā)射區(qū)614都做得比少數(shù)載流子(空穴)在那些層中的擴(kuò)散長(zhǎng)度更厚，以防止少數(shù)載流子擴(kuò)散到緩沖層604和襯底602之間的界面，以及發(fā)射區(qū)614和歐姆接觸616之間的界面。
圖7示出本發(fā)明的又一實(shí)施方案，示出掩埋柵受控場(chǎng)閘流晶體管(FCT)700。FCT 700包含n型SiC襯底702、n+緩沖層704、其中掩埋了n+柵極710的p-漂移區(qū)706，以及p+陽極層708。歐姆接觸712和720分別形成陽極和陰極接觸。為了限制平面缺陷的傳播，n+緩沖層704和p+陽極層708都做得比少數(shù)載流子在那些層中的擴(kuò)散長(zhǎng)度更厚，以防止少數(shù)載流子擴(kuò)散到緩沖層704和襯底702之間的界面，以及p+陽極層708和歐姆接觸712之間的界面。
圖8示出本發(fā)明再閘流晶體管中的再一實(shí)施方案，其中閘流晶體管結(jié)構(gòu)800包含SiC襯底802、n+緩沖層804、p-電壓阻擋層806，以及n型層808。在n型層808上表面上形成了許多p+陽極區(qū)810。沉積歐姆接觸以形成陽極接觸812、柵極接觸814和陰極接觸820。為了限制平面缺陷的傳播，n+緩沖層804和p+層810都做得比少數(shù)載流子在那些層中的擴(kuò)散長(zhǎng)度更厚，以防止少數(shù)載流子擴(kuò)散到緩沖層804和襯底802之間的界面，以及p+層810和陽極接觸812之間的界面。
熟練的技術(shù)人員將會(huì)承認(rèn)，本發(fā)明能夠以許多不同類型的雙極器件結(jié)構(gòu)來實(shí)施。因此，本發(fā)明并不局限于此處所示的特定結(jié)構(gòu)。
在附圖和說明書中提出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，盡管使用了特定術(shù)語，但是它們只是普遍性和描述性使用，并不是為了限制的目的，本發(fā)明的領(lǐng)域在權(quán)利要求中定義。
權(quán)利要求
1.一種雙極結(jié)構(gòu)，包含碳化硅襯底；電壓阻擋區(qū)，在所述襯底上；p型和n型碳化硅區(qū)，包圍所述電壓阻擋區(qū)；其中所述p型區(qū)和所述n型區(qū)中至少一個(gè)具有大于該區(qū)域中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的厚度。
2.一種p-n二極管，包含碳化硅襯底；碳化硅n+區(qū)，在所述襯底上；碳化硅n-電壓阻擋區(qū)，在所述n+區(qū)上；碳化硅p區(qū)，在所述n-區(qū)上；其中所述p區(qū)和所述n+區(qū)中至少一個(gè)具有大于所述區(qū)域中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的p-n二極管，其中所述襯底、所述電壓阻擋區(qū)和所述p型和n型區(qū)都具有相同的多型，選自下列這些碳化硅的3C、4H、6H和15R多型。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的p-n二極管，其中所述n+區(qū)為大約2.5μm厚，具有大約1×1018至1×1019cm-3之間的載流子濃度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的p-n二極管，其中所述n+區(qū)為大約0.5微米厚，具有大約2×1018cm-3的載流子濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的p-n二極管，其中所述p型區(qū)大于大約0.5微米厚，具有大約1×1017至1×1019cm-3之間的載流子濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的p-n二極管，其中所述p型區(qū)的載流子濃度大約比所述n型區(qū)大兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的p-n二極管，進(jìn)一步包含所述歐姆接觸和所述p型區(qū)之間的p型接觸層，所述接觸層的載流子濃度大于所述p型區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的p-n二極管，其中所述接觸層具有的載流子濃度至少為大約1×1019cm-3，但是小于會(huì)導(dǎo)致晶格質(zhì)量下降從而引起二極管性能退化的總量，其厚度為至少大約1000埃。
10.根據(jù)權(quán)利要求2的p-n二極管，其中所述襯底具有大約5×1018和2×1019cm-3之間的載流子濃度，并且至少為大約125微米厚。
11.根據(jù)權(quán)利要求2的p-n二極管，進(jìn)一步包含所述p型區(qū)和所述歐姆區(qū)之間的p+型接觸層，所述接觸層為大約2微米厚，具有大約1×1019cm-3的載流子濃度。并進(jìn)一步包含所述n型區(qū)和所述襯底之間的n+型邊界層，所述邊界層為大約2微米厚，具有大約1×1019cm-3的載流子濃度。
12.一種雙極器件，包含碳化硅襯底；電壓阻擋區(qū)，在所述襯底上；p型和n型碳化硅區(qū)，包圍所述電壓阻擋區(qū)；其中所述器件中在正向偏壓工作下生長(zhǎng)的那些堆垛層錯(cuò)的那些部分至少與邊界區(qū)和器件剩余部分之間的界面之一分隔開。
13.一種雙極器件，包含至少一個(gè)p型區(qū)；至少一個(gè)n型區(qū)；以及至少一個(gè)堆垛層錯(cuò)；所述堆垛層錯(cuò)與器件具有足夠的缺陷密度或應(yīng)力態(tài)以支持堆垛層錯(cuò)在器件正向偏壓工作下生長(zhǎng)的部分分隔開。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的雙極器件，進(jìn)一步包含碳化硅襯底。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求12或權(quán)利要求14的雙極器件，其中所述襯底與所述p和n區(qū)具有相同的選自下列這些的多型碳化硅的3C、4H、6H和15R多型。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的雙極器件，進(jìn)一步包含包括所述p型區(qū)和所述n型區(qū)的有源區(qū)，所述p型區(qū)和所述n型區(qū)形成所述有源區(qū)的邊界區(qū)；以及其中所述器件中在正向偏壓工作下生長(zhǎng)的那些堆垛層錯(cuò)的那些部分與有源區(qū)和器件剩余部分之間的界面分隔開。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的雙極器件，其中所述p型層和所述n型層都具有大于該層中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的厚度。
18.碳化硅中的雙極器件，其中任何終止層的厚度都大于該層中少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的雙極器件，其中所述終止層包含鄰近襯底的外延層和鄰近歐姆接觸的外延層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的雙極器件，其中所述終止層包含至少一個(gè)n型層和至少一個(gè)p型層，其中所述外延層和所述襯底都具有相同的選自下列這些的多型碳化硅的3C、4H、6H和15R多型。
21.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求13或權(quán)利要求18的雙極器件，選自下列這些p-n結(jié)二極管、p-i-n二極管；雙極晶體管以及閘流晶體管。
22.根據(jù)權(quán)利要求18的雙極器件，包括至少一個(gè)層錯(cuò)，其中在正向偏壓工作下生長(zhǎng)的那些堆垛層錯(cuò)的那些部分至少與有源區(qū)和器件剩余部分之間的界面之一分隔開。
23.根據(jù)權(quán)利要求18的雙極器件，包括至少一個(gè)層錯(cuò)，其中所述堆垛層錯(cuò)與器件任何具有足夠的缺陷密度或應(yīng)力態(tài)以支持堆垛層錯(cuò)在器件正向偏壓工作下生長(zhǎng)的部分分隔開。
24.一種雙極結(jié)晶體管，包含碳化硅襯底；n+緩沖層，在所述襯底上；n-區(qū)，在所述緩沖層上；p型基區(qū)，鄰近所述n-區(qū)；n+發(fā)射區(qū)，鄰近所述基區(qū)；歐姆接觸，沉積在所述發(fā)射區(qū)上；其中至少所述發(fā)射區(qū)和所述緩沖層之一具有大于該層中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的厚度。
25.一種閘流晶體管，包含碳化硅襯底；n+緩沖層，在所述襯底上；p-區(qū)，在所述緩沖層上；n型區(qū)，鄰近所述p-區(qū)；p+陽極區(qū)，鄰近所述n型區(qū)；歐姆接觸，沉積在所述陽極區(qū)上；其中至少所述陽極區(qū)和所述緩沖層之一具有大于該層中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的厚度。
26.一種受控場(chǎng)閘流晶體管，包含碳化硅襯底；n+緩沖層，在所述襯底上；p-漂移區(qū)，在所述緩沖層上；p+陽極區(qū)，在所述p-漂移區(qū)上；以及歐姆接觸，沉積在所述陽極區(qū)上；其中至少所述陽極區(qū)和所述緩沖層之一具有大于該層中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的厚度。
全文摘要
一種雙極器件(30)，具有至少一層單晶碳化硅p型層(34)和至少一層單晶碳化硅n型層(33)，其中在正向工作下生長(zhǎng)的那些堆垛層錯(cuò)(40)的那些部分至少與有源區(qū)和器件剩余部分之間的界面之一分隔開。
文檔編號(hào)H01L29/24GK1559080SQ02818719
公開日2004年12月29日 申請(qǐng)日期2002年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月26日
發(fā)明者約瑟夫·J·舒馬克拉斯, 蘭博·辛格, 邁克·詹姆斯·佩斯雷, 斯蒂芬·喬治·穆勒, 哈德森·M·霍布古德, 小卡爾文·H·卡特, 小阿爾博特·奧古斯塔斯·伯克, M 霍布古德, 喬治 穆勒, 博特 奧古斯塔斯 伯克, 文 H 卡特, 約瑟夫 J 舒馬克拉斯, 詹姆斯 佩斯雷, 辛格 申請(qǐng)人:克里公司