專利名稱：提高半導(dǎo)體集成電路信號噪聲比的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體集成電路的制造工藝中，提高半導(dǎo)體集成電路信號噪聲比的方法。具體來說，涉及在電子電度表所使用的BICMOS工藝集成電路BL0932中，在其噪聲系數(shù)沒有變壞前提下，改進(jìn)電路信號線性，使小信號工作狀態(tài)時(shí)集成電路的信號和噪音的比值提高，達(dá)到提高電子電度表一級表性能。
背景技術(shù)：
BICMOS集成電路工藝在集成電路制造工業(yè)中廣泛采用，BICMOS是雙極性互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的縮寫。電子電度表中所使用的集成電路BL0932就是使用這種工藝制成。采用該工藝制造的集成電路還包括BL0931和改進(jìn)型BL0932B等電路。
在圖1A中，示出了BICMOS工藝制造的有源器件剖面圖，它有NMOS管、PMOS管、NPN管和PNP管共4種有源器件。圖1A上編號和工藝程序是一致的。下面進(jìn)行說明1是N型單晶片作襯底，電阻率0.01-0.02Ω-cm；然后，用2表示在硅片上生長N型外延，電阻率2-4Ω-cm；3是光刻，腐蝕氧化硅后，在3標(biāo)明的窗口離子注入硼，然后高溫?cái)U(kuò)散形成P型阱，P型阱是PNP管的集電區(qū)，或是NPN管的基區(qū)，同時(shí)是NMOS的襯底；4同樣是光刻，腐蝕氧化硅以打開4標(biāo)明的窗口進(jìn)行磷離子注入，高溫?cái)U(kuò)散形成PNP管基區(qū)；5是專門生長柵氧化，形成MOS管柵區(qū)；6是光刻以后，帶光刻膠的離子注入磷以形成N+區(qū)(N+是指濃度高，注入劑量5E+15cm-2)，其功能是形成NPN管發(fā)射區(qū)，NMOS管源區(qū)和漏區(qū)以及相應(yīng)的歐姆接觸；7是光刻，帶光刻膠的離子注入硼形成P+區(qū)，它是形成PNP管發(fā)射區(qū)，PMOS管源區(qū)和漏區(qū)以及相應(yīng)的歐姆接觸。
電子電度表的計(jì)量單位是“千瓦·小時(shí)”，即和輸入信號的電壓，電流和時(shí)間三者的乘積相關(guān)，其中電壓是恒定的(例如中國居民用電均是220V交流電)，時(shí)間采用專門檢測電路保證精度；唯有輸入信號電流是隨用戶的使用電器設(shè)備所消耗的功率不同而變化；對應(yīng)電子電度表BL0932的規(guī)定是“輸入信號在100μV到12.5mV范圍內(nèi)”，同時(shí)規(guī)定的線性要求是“任何一點(diǎn)相對于輸入信號1.7mV的測量非線性誤差小于±0.8％(1.7mV相當(dāng)于消耗電流5A”。實(shí)際測量中在輸入信號很小時(shí)，有較明顯的非線性；同時(shí)在輸入端有0.25μV干擾信號時(shí)就會(huì)明顯影響非線性誤差；因此輸入信號是小信號時(shí)的非線性是影響產(chǎn)品質(zhì)量的主要問題。在實(shí)際測量中在輸入信號很小時(shí)，即輸入信號是150μV以下的小信號時(shí)，其非線性誤差大于±0.8％；通常為了使非線性誤差小于±0.8％，在外圍線路上采用3個(gè)電阻組成網(wǎng)絡(luò)補(bǔ)償小信號非線性，達(dá)到小信號下非線性誤差小于±0.8％；但是該方法由于需要調(diào)試，故效率低而使用戶不滿意。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本專利目的是對設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行最簡化的調(diào)整，使PNP管在噪音系數(shù)減少或者不變大的前提下，使其線性得到改進(jìn)，以提高一級表性能。
在本發(fā)明的第1方面中，提供了一種提高半導(dǎo)體集成電路信號噪聲比的方法，所述集成電路采用BICMOS工藝制造，該方法包括下述步驟通過將在PNP管基區(qū)中的磷離子注入劑量控制在1.5E+14cm-2到3.5E+14cm-2的范圍內(nèi)，以提高基區(qū)濃度；在本發(fā)明的第2方面中，提供了一種如本發(fā)明第1方面所述的方法，所述磷離子注入劑量為3E+14cm-2。
在本發(fā)明的第3方面中，提供了一種如本發(fā)明第1或2方面所述的方法，所述方法還包括通過在第一次將硼注入到PNP管發(fā)射區(qū)之后，再次將注入劑量為2E+14cm-2到4E+14cm-2，注入能量為120KEV到160KEV的硼離子注入，以改善PNP管共發(fā)射極電流放大系數(shù)β。
在本發(fā)明的第4方面中，提供了一種如本發(fā)明第3方面所述的方法，所述硼離子的再次注入劑量為4E+14cm-2、注入能量為160KEV。
通過將BICMOS集成電路的芯片制造進(jìn)行內(nèi)部改進(jìn)，將小信號非線性從150μV降低到100μV以下，即，使用信號范圍內(nèi)其誤差能夠保證小于±0.8％，則小信號線性問題可以圓滿解決。


圖1A是BICMOS工藝制造的有源器件剖面圖。
圖1B是PNP管的輸出特性(實(shí)線部分)和歐拉電壓(虛線部分)的示意圖。
圖1C是歐拉電壓與PNP管的工作關(guān)系示意圖。
圖1D是基區(qū)調(diào)制效應(yīng)的示意圖。
圖1E是PNP管的俯視圖。
圖2是BICMOS工藝制造的有源器件的另一剖面圖。
具體實(shí)施例方式
小信號下的線性是PNP管在工作電流僅僅100nA下工作，PNP管共發(fā)射極電流放大系數(shù)β值和常規(guī)的工作電流(例如1mA下)β值應(yīng)該是基本相同的，或者小電流下β值下降不大于5％到10％；如果硅片表面的缺陷較多，就可能使小工作電流下β值明顯降低影響線性；由于本產(chǎn)品是BICMOS工藝，其CMOS器件部分對于開啟電壓等參數(shù)穩(wěn)定性都有一定要求，因此本產(chǎn)品的小電流下β值下降不是主要矛盾。
BL0932中測量功率的基本原理是采用模擬電路乘法器進(jìn)行計(jì)量，而乘法器由多組差分放大器組成，每一個(gè)差分放大器有二個(gè)對稱的PNP管組成。因此，該P(yáng)NP管本身的線性是影響該集成電路線性的基本條件。因此本文重點(diǎn)是專門討論P(yáng)NP管問題。它要求設(shè)計(jì)和工藝的任何更動(dòng)，在不影響任何其它有源器件，例如NPN管、PMOS管和NMOS管性能前提下，以最簡化的設(shè)計(jì)、工藝改進(jìn)來達(dá)到提高PNP管的信號和噪聲的比值。
PNP管工作于甲類狀態(tài)，其線性可以從PNP管的輸出特性進(jìn)行判斷。圖1B的實(shí)線部分是輸出特性，Vce是共發(fā)射極狀態(tài)下集電極到發(fā)射極輸出電壓，Ic是集電極輸出電流；虛線是實(shí)線輸出特性曲線的反向延伸，這些反向延伸曲線都和橫坐標(biāo)相交于一點(diǎn)，即這一點(diǎn)構(gòu)成的橫坐標(biāo)上的截距稱為歐拉電壓，用Va表示。從圖1B可以看到歐拉電壓越大，則輸出特性曲線越平行于橫坐標(biāo)，在輸入基極電流相同的一條曲線上(Vce是變化的)，共發(fā)射極電流放大系數(shù)β越一致，即輸出特性越線性。因此，歐拉電壓Va可以定量判斷有源器件的線性特性。
下面推導(dǎo)歐拉電壓Va。
由圖1B可以看到Va和輸出特性有下列關(guān)系Va＝Ic/(Ic/Vce) (1)圖1C是公式(1)在輸出特性上任意一個(gè)工作點(diǎn)P和歐拉電壓相關(guān)示意圖。在delta Vc、delta Ic縮小到越來越趨近于0時(shí)，其比值就變成了Ic/Vce。
Va電壓的本質(zhì)是在共發(fā)射極電路中，由于集電結(jié)的耗盡層厚度隨外加電壓的變化，引起基區(qū)寬度的變化，稱為基區(qū)調(diào)制效應(yīng)，由此公式(1)可以進(jìn)一步表示為Va＝Ic/[(Ic/Wb)*(Wb/Vce)] (2)公式(2)中Wb是基區(qū)寬度，Ic＝Qb/τ，在基區(qū)調(diào)制時(shí)基區(qū)中少子總數(shù)Qb不變，因此Qb是常數(shù)；少子渡越時(shí)間τ則是基區(qū)寬度的函數(shù)τ＝(Wb2/n*Dpb)，因此Ic/Wb＝(nQb*Dpb/Wb2)/Wb＝-2nQbDpb/Wb3(3)公式(3)中Dpb是基區(qū)少子擴(kuò)散系度，n是與濃度分布有關(guān)的常數(shù)。公式(2)中Wb/Vce部分，定義Vce＝0V時(shí)基區(qū)寬度是Wb0，Vce＞0時(shí)對應(yīng)基區(qū)寬度是Wb(可以見圖1D)。
在圖1D中，畫出影響歐拉電壓的示意圖，橫坐標(biāo)x方向是PNP管的PN結(jié)縱向分布圖，0-x1是發(fā)射區(qū)，x2-x3是基區(qū)，＞x3區(qū)域是集電區(qū)；x1-x2是發(fā)射結(jié)耗盡層，x3-x4是外加電壓Vce＝0V時(shí)集電結(jié)耗盡層；當(dāng)外加電壓Vce＞0V時(shí)，由于發(fā)射結(jié)處于正向，仍然是0.7V因此發(fā)射結(jié)位置不變；而由于集電結(jié)處于反向，因此，Vce＞0V的電壓基本上降落在集電結(jié)上，同時(shí)基區(qū)和集電區(qū)的濃度均有限，因此必然是將集電結(jié)耗盡層向二邊擴(kuò)展達(dá)到新的平衡。圖3中x3’、x4’就是新的平衡以后集電結(jié)耗盡層位置。這種新平衡引起我們所不希望產(chǎn)生的基區(qū)寬度變化(圖1D由Wb0縮小到Wb)；因此隨著外加電壓的增大，基區(qū)寬度減少而導(dǎo)致電流放大系數(shù)變大，圖1B中β隨Vce增加，輸出特性曲線向上傾斜就是電流放大系數(shù)變大的明顯特征。
而我們并不希望電流放大系數(shù)β變大的情況發(fā)生，因?yàn)槿绻娏鞣糯笙禂?shù)β值太大，往往會(huì)使晶體管的電性能不穩(wěn)定，擴(kuò)散也難以控制，基區(qū)容易被擴(kuò)穿而報(bào)廢。但這種情況卻客觀存在。
圖2是BICMOS工藝制造的有源器件剖面圖，它有NMOS管，PMOS管，NPN管和PNP管共4種有源器件。另外圖2上編號和工藝程序是一致的。21是N型單晶片作襯底，電阻率0.01-0.02Ω-cm；然后在硅片上生長N型外延22，電阻率2-4Ω-cm；23是光刻，腐蝕氧化硅后，在23標(biāo)明的窗口離子注入硼，然后高溫?cái)U(kuò)散形成P型阱；24同樣的光刻，腐蝕氧化硅打開標(biāo)明的窗口進(jìn)行磷離子注入，高溫?cái)U(kuò)散形成PNP管基區(qū)；為了改進(jìn)PNP管的線性其離子注入劑量控制在1.5E+14cm-2到3.5E+14cm-2(最好為3E+14cm-2，此時(shí)效果最好)，圖2中用黑粗線表示；25是專門生長柵氧化，形成MOS管柵區(qū)；26是光刻以后，帶光刻膠的離子注入磷，擴(kuò)散形成N+區(qū)(N+是濃度高，注入劑量達(dá)到5E+15cm-2)，形成NPN管發(fā)射區(qū)，NMOS管源區(qū)和漏區(qū)以及相應(yīng)的歐姆接觸；27是光刻，帶光刻膠的離子注入P+硼，其劑量5E+15cm-2H和能量50KEV，硼注入在PNP管發(fā)射區(qū)，PMOS管源區(qū)和漏區(qū)以及相應(yīng)的歐姆接觸。
下面對上述工藝改進(jìn)進(jìn)行半定量計(jì)算以說明上述改進(jìn)所帶來的效果。
觀察圖1D可以看到如果將基區(qū)濃度提高，則在同樣的外加工作電壓下，向基區(qū)方向的耗盡層擴(kuò)展可以減少；如果基區(qū)濃度無窮大，則在外加電壓下耗盡層幾乎沒有向基區(qū)擴(kuò)展，則歐拉電壓無窮大；這當(dāng)然僅僅從歐拉電壓的理想情況進(jìn)行考慮。繼續(xù)推導(dǎo)公式轉(zhuǎn)化為采用SUPREM3(Standford UniversityProcess Model3的縮寫)中工藝參數(shù)作變量，計(jì)算不同基區(qū)濃度下面的歐拉電壓的改進(jìn)。
集電區(qū)耗盡層總寬度Xm(圖1D中Xm＝x4’-x3’)，集電結(jié)耗盡層在基區(qū)中寬度Xmb，耗盡層寬度在基區(qū)分布為高斯分布緩變結(jié)情況下，表示為Xm＝2Xmb＝(12ε0*ε/q)1/3*{(Vd-V)/a}1/3(4)∂Wb/∂Vce=-∂Xmb/∂Vce=-12(∂Xm/∂Vce)]]>=-12(12ϵ0*ϵ)1/3a-1/3[13(Vd-V)-2/3]----(5)]]>ε0、ε分別是自由空間電容率和硅介電常數(shù)，BL0932工作電壓5V，唯有雜質(zhì)濃度梯度是變量，可以由SUPREM3工藝模擬得到下表(表1)的濃度分布在歐拉電壓表達(dá)式中，將常數(shù)用K表示；在BL0932使用條件下面，外加電壓是固定的；從公式(6)可以看到Wb越大越好，如果僅僅考慮歐拉電壓當(dāng)然是Wb大是有利，但是要保證PNP管放大特性，即要求一定的電流放大系數(shù)β，則基區(qū)寬度Wb有一定的值。因此即使基區(qū)工藝變化，其外加電壓0V時(shí)基區(qū)寬度仍然是基本不變，希望外加電壓變化時(shí)Wb變化?。粷舛忍荻萢越大，在同樣外加電壓下，基區(qū)寬度變化小有利于歐拉電壓改進(jìn)。為了可比性起見，將基區(qū)離子注入劑量1.5E14cm-2時(shí)Wb作為基數(shù)，同樣濃度梯度a也以基區(qū)離子注入劑量1.5E14cm-2時(shí)a作為基數(shù)，同時(shí)將其他常數(shù)均歸一化為1，比較相對的變化。
工藝參數(shù)的計(jì)算可以采用Standford University Process Model 3的縮寫UPREM3進(jìn)行模擬和算得到表1

表2

表1中有SUPREM的是模擬結(jié)果，其Xjb，Xje，Wb00是模擬的雜質(zhì)化學(xué)結(jié)深和基區(qū)寬度，實(shí)際上保證共發(fā)射極電流放大系數(shù)β不變而要求基區(qū)寬度不變，因此Wb是5V條件下的實(shí)際基區(qū)寬度。
表2是基區(qū)在接近集電結(jié)的某一位置Xj1和對應(yīng)的濃度Nj1，然后選取5V下勢壘寬度以外的任一點(diǎn)Xj2和對應(yīng)的濃度Nj2，經(jīng)過演算得到濃度梯度等，最后得到歐拉電壓相對的改進(jìn)。
從表1和表2中可以看出，在基區(qū)注入劑量為1.5-3.5E14cm-2時(shí)，都有所改進(jìn)，而基區(qū)注入劑量調(diào)整到3E14cm-2，半定量的演算，可以改進(jìn)90％。
僅僅提高信號的線性是不全面的，唯有噪聲系數(shù)下降或沒有變差才有實(shí)用價(jià)值。噪聲是比較復(fù)雜的，它包括(1)熱噪聲，(2)散粒噪聲，(3)配分噪聲，(4)1/f噪聲。BL0932工作于幾十KC低頻信號，據(jù)資料介紹1/f噪聲和器件的表面狀態(tài)密切相關(guān)，BL0932是BICMOS工藝，對于MOS器件參數(shù)穩(wěn)定性和重復(fù)性都有嚴(yán)格要求，因此BL0932的器件表面工藝應(yīng)該是相當(dāng)穩(wěn)定的，因此改善1/f噪聲主要已經(jīng)由CMOS工藝保證。
其他三種噪聲中，該工藝僅僅改善“熱噪聲”，而且減小基區(qū)電阻僅僅改善基區(qū)中非本征電阻，而本征電阻沒有明顯變化。這是因?yàn)闉榱吮ＷC共發(fā)射極電流放大系數(shù)β中心值恒定，隨基區(qū)濃度的提高，發(fā)射區(qū)結(jié)深必須增加，使其本征電阻無法下降引起的。
圖1E是PNP管俯視圖，其中PNP分別對應(yīng)P-Emitter(發(fā)射極)，N-Base(基極)和P-Collector(集電極)；PNP管上Se、Le分別是發(fā)射區(qū)長度、寬度；d是發(fā)射區(qū)到基區(qū)的間距；Sb是基區(qū)歐姆接觸寬度。
下面進(jìn)行噪聲系數(shù)Nf的計(jì)算Nf＝1+rb/Rg+re/2Rg+{(Rg+rb+rc)2/(2re*Rg)}*[1/β0+(f/fα)2](6)公式中，rb基區(qū)電阻，re發(fā)射結(jié)動(dòng)態(tài)電阻，Rg噪聲源內(nèi)阻，β0低頻時(shí)β，fα＝fT/k式中fT是特征頻率，β0＝40。該P(yáng)NP管fT大約100-200MHZ，工作頻率50KC，K＝0.7，發(fā)射結(jié)動(dòng)態(tài)電阻re＝KT/qIe，其中小信號時(shí)工作電流Ie＝100nA，由于K是波爾茲曼常數(shù)，q是電子電荷，則re＝260KΩ。Rg＝50Ω。故(6)式簡化為Nf＝1+rb/Rg+re/2Rg+{(Rg+rb+rc)2[1/β0]}/(2reRg)(7)現(xiàn)在關(guān)鍵是基區(qū)電阻rb。
由公式rb＝1/2[(R’[]b*Se/6Le)+R[]b*d/Le+R[]b*Sb/6Le]+(Rc/Sb*Le)]中R’[]b，R[]b由下表提供，Se＝26um、d＝9um、Le＝16um、Sb＝12um。
得到下表(表3)結(jié)果(SUPREM3計(jì)算)表3


由上表可以看到，基區(qū)劑量增加，基區(qū)本征部分電阻沒有明顯區(qū)別，基區(qū)總電阻的減小不明顯，這是因?yàn)榘l(fā)射極動(dòng)態(tài)電阻在工作電流僅僅100nA時(shí)，其電阻大到260KΩ，對噪聲影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于基區(qū)電阻的影響；如果是常規(guī)的工作電流1mA，對應(yīng)發(fā)射極動(dòng)態(tài)電阻是26Ω，這時(shí)基區(qū)電阻比發(fā)射極動(dòng)態(tài)電阻26Ω大，增加基區(qū)濃度有利于噪聲的改進(jìn)；但是在小信號工作狀態(tài)下，減小基區(qū)電阻沒有任何副作用。因此歸納起來，由于基區(qū)電阻減小，對于小信號工作即使其噪聲系數(shù)沒有改進(jìn)，但是總的信號與噪聲的比可以改善30-35％。
如果按照原來的P+擴(kuò)散工藝由于基區(qū)濃度不斷提高，PNP管β可能低于規(guī)范而在實(shí)際使用時(shí)低溫特性下降報(bào)廢；同時(shí)發(fā)射區(qū)高溫?cái)U(kuò)散工藝即P+擴(kuò)散工藝不能隨意更改，如果隨意更改，可能影響PMOS管性能以及P+N+形成擊穿電壓(作基準(zhǔn)電壓)；因此，需要采用其他方法來解決按照上述提高磷離子注入量步驟所產(chǎn)生的產(chǎn)品成品率降低的新問題。
所以，設(shè)計(jì)一塊光刻版，帶膠僅僅注入PNP管發(fā)射區(qū)稱為2P注入，圖2中28就是2P注入位置，和前面27的P+注入在PNP管發(fā)射區(qū)是同一個(gè)位置，該注入離子是硼，能量是120KEV到160KEV(最好是160KEV，此時(shí)效果最好)，注入劑量是2E+14cm-2到4E+14cm-2(最好是4E+14cm-2，此時(shí)效果最好)。即P+注入以后，2P注入然后一起進(jìn)行原來工藝規(guī)范的P+擴(kuò)散。下面是在最佳值基區(qū)磷注入劑量3E+14cm-2和發(fā)射區(qū)硼注入劑量在2-4E+14cm-2下，調(diào)節(jié)發(fā)射區(qū)注入能量的PNP管β值(表4)表4

從表4中可以看出當(dāng)硼注入劑量在4E+14cm-2，能量為160KEV時(shí)，對β值改善的效果最明顯。
采用2P注入提高注入能量工藝比P+注入工藝的優(yōu)點(diǎn)是β取決于2P工藝的能量，而沒有2P工藝的β取決于P+工藝后擴(kuò)散；目前的工藝設(shè)備精度是離子注入設(shè)備精度高，即取決于2P工藝對于β值重復(fù)性要好。
上面歐拉電壓的公式是反映歐拉電壓Va和工藝參數(shù)的關(guān)系；同時(shí)歐拉電壓Va也可以表示為和PNP管工作狀態(tài)有關(guān)的關(guān)系；簡化情況下，假設(shè)基區(qū)濃度是均勻的，則Va＝2Lpb(2Vce’)1/2/K’β1/2(8)公式(8)中Lpb是少子擴(kuò)散長度，它和公式(3)中Dpb存在關(guān)系Lpb＝(Dpb*τb)1/2，式中τb是基區(qū)少子壽命，K’是常數(shù)，Vce’就是圖1C中工作點(diǎn)P所對應(yīng)的工作電壓。
這些說明在基區(qū)濃度一定條件下和線路工作條件一定情況下Lpb、K’和Vce’都可以認(rèn)為是常量；惟有β是取決于發(fā)射區(qū)工藝而不是上面討論的由集電結(jié)，即發(fā)射結(jié)位置不同(由于離子注入能量不同)，引起β的不同，β較大則歐拉電壓下降影響線性，表5由于β不同，實(shí)際對應(yīng)Va也不同，其關(guān)系定性符合公式(8)；因此采用2P注入工藝不僅僅在2P，P+注入以后的擴(kuò)散工藝可以保證不變，保證P+N+擊穿，MOS管性能不變，同時(shí)可以單獨(dú)調(diào)節(jié)PNP管β；這樣在保證集成電路低溫性能β不能太小前提下，考慮線性性能使β盡量的小，由于離子注入設(shè)備工藝精度比擴(kuò)散爐好，通過上述步驟，既能改善電路的信噪比，又能提高產(chǎn)品合格率，從而達(dá)到矛盾的統(tǒng)一。
雖然已經(jīng)參考實(shí)施和附圖，詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是，其它不背離本發(fā)明的主旨和范圍的修改，不論是細(xì)節(jié)上或形式上的都是可以的，本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種提高半導(dǎo)體集成電路信號信噪比的方法，所述集成電路采用BICMOS工藝制造，其特征在于，所述方法包括下述步驟通過將在PNP管基區(qū)中的磷離子注入劑量控制在1.5E+14cm-2到3.5E+14cm-2的范圍內(nèi)，以提高基區(qū)濃度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷離子注入劑量為3E+14cm-2。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括通過在第一次將硼注入到PNP管發(fā)射區(qū)之后，再次將注入劑量為2E+14cm-2到4E+14cm-2，注入能量為120KEV到160KEV的硼離子注入，以改善PNP管共發(fā)射極電流放大系數(shù)β。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述硼離子的再次注入劑量為4E+14cm-2、注入能量為160KEV。
全文摘要
一種提高半導(dǎo)體集成電路信號信噪比的方法，該方法包括下述步驟通過將在PNP管基區(qū)中的磷離子注入劑量控制在1.5E+14cm
文檔編號H01L21/8228GK1503348SQ0214543
公開日2004年6月9日 申請日期2002年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月20日
發(fā)明者鮑榮生 申請人:上海貝嶺股份有限公司