專利名稱：具有靜電防護(hù)的封裝模具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝模具，具體地說，本發(fā)明涉及一種具有靜電防護(hù)的封裝模具。
二承載部12、13用以承載具有芯片的基底，一個(gè)承載部12承載五個(gè)基底，該等承載部12、13連接至該等流道116、117，接收來自流道的封膠，以封裝承載部12、13上所承載的基底及芯片。該現(xiàn)有的承載部12、13分別具有承載面121、131與基底接觸，且該承載面121、131的表面均為光滑的鏡面。
由于不同材質(zhì)間物體接觸后再分離時(shí)，通常在兩者的接觸面間會(huì)產(chǎn)生靜電。因此，當(dāng)封膠封裝后，要與該下模具1分離時(shí)，基底與該承載部的承載面121、131間會(huì)產(chǎn)生極大的靜電，通常分離時(shí)產(chǎn)生的靜電約為1KV/in。且若兩者的接觸面積越大，則分離時(shí)所產(chǎn)生的靜電就越大。
同樣地，在流道內(nèi)的封膠與該模具1的流道116、117分離時(shí)，也會(huì)在兩者的接觸面產(chǎn)生靜電，通常該靜電約為2KV/in。
因此，有必要提供一種創(chuàng)新且富進(jìn)步性的具有靜電防護(hù)的封裝模具，以解決上述問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種具有靜電防護(hù)的封裝模具，包括一套筒區(qū)及至少一承載部。該套筒區(qū)具有多個(gè)套筒及流道，每一個(gè)套筒分支連通至該等流道，封膠由各該等套筒壓注至該等流道。承載部用以承載多個(gè)基底，承載部連接至該等流道，接收來自流道的封膠，以封裝該等基底上的芯片，各該等承載部具有一承載面與該等基底接觸，該承載面具有表面粗糙化處理，從而減少封裝后離模時(shí)該等基底與該承載面間的靜電，使封裝后的芯片不致因靜電過高而損壞。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有靜電防護(hù)的封裝模具，該封裝模具的該等流道具有表面粗糙化處理，從而減少封裝后離模時(shí)流道內(nèi)的封膠與流道間的靜電。
二承載部22、23用以承載具有芯片的基底(圖未示出)，每一個(gè)承載部22或23承載五個(gè)基底，該等承載部22、23連接至該等流道，接收來自流道的封膠，以封裝承載部22、23上所承載的基底及芯片。該等承載部22、23分別具有一承載面221、231，分別用以與基底接觸。
為減少與該等基底接觸的面積，將承載面221、231的表面施以粗糙化處理(roughing)。因此，當(dāng)封膠封裝后，基底與該封裝模具2分離時(shí)，基底與該承載部的承載面間的接觸面積大大地降低，而使得分離時(shí)基底與該承載面間產(chǎn)生的靜電大幅地降低。經(jīng)實(shí)驗(yàn)量測(cè)所得的結(jié)果，該靜電可降低至25V/in以下。相較于現(xiàn)有的封裝模具1(如

圖1所示)于分離時(shí)所產(chǎn)生的靜電通常約為1KV/in，本發(fā)明的封裝模具2對(duì)于基底與承載面221、231間靜電的改善相當(dāng)顯著。
同樣地，本發(fā)明將封裝模具2的流道216、217等的表面作粗糙化處理，以減少流道內(nèi)的封膠與流道216、217表面的接觸面積，使在流道內(nèi)的封膠與流道216、217分離時(shí)，在封膠與流道216、217表面的靜電能被降低。經(jīng)實(shí)驗(yàn)量測(cè)所得的結(jié)果，該靜電可降低至400V/in以下。相較于現(xiàn)有的封裝模具1于其分離時(shí)所產(chǎn)生的靜電約為2KV/in，本發(fā)明的封裝模具2對(duì)于封膠與流道216、217間靜電的改善也相當(dāng)顯著。
為使承載部的承載面及流道的表面粗糙化處理數(shù)據(jù)化，茲以中心線平均粗糙度(Ra)表示該表面粗糙化的處理程度，參考圖3，該中心線平均粗糙度的定義為若從加工面的粗糙曲線上，截取一段測(cè)量長(zhǎng)度L，并以該長(zhǎng)度內(nèi)粗糙深的中心線為x軸，取中心線的垂直線為y軸，則粗糙曲線可用y＝f(x)表示。以中心線為基準(zhǔn)將下方曲線反折。然后計(jì)算中心線上方經(jīng)反折后的全部曲線所涵蓋面積(圖中的斜線部份)，再以測(cè)量長(zhǎng)度除之。所得數(shù)值以μm為單位，即為該加工面測(cè)量長(zhǎng)度范圍內(nèi)的中心線平均粗糙度值，其公式定義如下式(1)所示Ra=1L∫0t|f(x)|dx---(1)]]>參考圖4，將圖3的粗糙曲線y＝f(x)沿中心線方向細(xì)分等間隔后取各分段點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的y值，利用下列式(2)可得到Ra的近似值Ra≅y1+y2+y3+···+ynnΣt=1ytn---(2)]]>依據(jù)上述中心線平均粗糙度的定義，現(xiàn)有的封裝模具1承載部12的承載面121為光滑如鏡的表面，其中心線平均粗糙度的范圍為0.010至0.20之間。本發(fā)明的最佳表面粗糙化處理的中心線平均粗糙度的范圍為0.25至1.6之間。實(shí)際上，并非該表面粗糙化處理的中心線平均粗糙度的范圍值越高就越好，若該中心線平均粗糙度的值過高，參考圖5所示，則軟化的熱封膠51將順著該粗糙化表面52的起伏流動(dòng)，并依該表面的粗糙化形狀逐漸硬化，故若該中心線平均粗糙度的值很高，反而將加大封膠51與粗糙化表面52的接觸面積，將造成更差的結(jié)果。
參考圖6所示，若該中心線平均粗糙度適當(dāng)，則封膠61不會(huì)順著該粗糙化表面62的起伏流動(dòng)，封膠61與粗糙化表面62的接觸面積由面的接觸減少至點(diǎn)的接觸，因而減少兩者分離時(shí)所產(chǎn)生的靜電。經(jīng)多次實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，本發(fā)明的最佳表面粗糙化處理的中心線平均粗糙度的范圍為0.25至1.6之間，且可利用噴砂等方式完成該表面粗糙化處理。
如圖7所示，本發(fā)明第二實(shí)施例的具有靜電防護(hù)的封裝模具7的套筒區(qū)71除了套筒711、712所在位置外，其余均做表面粗糙化處理。亦即，不僅該封裝模具7的流道做粗糙化處理，該套筒區(qū)71的所有表面均做粗糙化處理。無論流道的形狀如何(流道的形狀由封裝模具的上模具決定)，本發(fā)明的第二實(shí)施例封裝模具7均可適用，以達(dá)到降低靜電的功效。
上述實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的原理及其功效，而非限制本發(fā)明。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可在不違背本發(fā)明的精神的情況下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化。本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具有靜電防護(hù)的封裝模具，其特征在于，包括一套筒區(qū)，具有多個(gè)套筒及流道，每一個(gè)套筒分支連通至該等流道，封膠即由各該等套筒壓注至該等流道；及至少一承載部，用以承載多個(gè)具有芯片的基底，該等承載部連接至該等流道，接收來自流道的封膠，以封裝該等基底上的芯片，各該等承載部具有一承載面與該等基底接觸，該等承載面具有表面粗糙化處理，從而減少封裝后離模時(shí)該等基底與該承載面間所產(chǎn)生的靜電。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝模具，其特征在于該套筒區(qū)具有表面粗糙化處理，從而減少封裝后離模時(shí)流道內(nèi)的封膠與流道間的靜電。
3.如權(quán)利要求1所述的封裝模具，其特征在于該等流道具有表面粗糙化處理，從而減少封裝后離模時(shí)流道內(nèi)的封膠與流道間的靜電。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述封裝模具，其特征在于該等承載面及流道的表面粗糙化處理的中心線平均粗糙度范圍為0.25至1.6之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有靜電防護(hù)的封裝模具，包括一套筒區(qū)及至少一承載部。該套筒區(qū)具有多個(gè)套筒及流道，每一個(gè)套筒分支連通至該等流道，封膠即由各該等套筒壓注至該等流道。承載部用以承載多個(gè)基底，并連接至該等流道，接收來自流道的封膠，以封裝該等基底上的芯片。各該等承載部具有一承載面與該等基底接觸，該承載面具有表面粗糙化處理，從而減少封裝后離模時(shí)該等基底與該承載面間的靜電。此外，該封裝模具的該等流道具有表面粗糙化處理，從而減少封裝后離模時(shí)流道內(nèi)的封膠與流道間的靜電。使封裝后的芯片不致因靜電過高而損壞，從而提高封裝的良好率。
文檔編號(hào)H01L21/56GK1479358SQ0214207
公開日2004年3月3日 申請(qǐng)日期2002年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月26日
發(fā)明者李孟蒼, 羅光淋 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司