專利名稱：具有靜電放電防護的封裝基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種封裝基板，具體地說，本發(fā)明涉及一種具有靜電放電防護的封裝基板。
另外，在芯片封裝或封膠的過程中，由于在注入封膠至芯片的程序中，封膠與基板或其它介質(zhì)摩擦、感應、接觸時，將可能產(chǎn)生靜電，該靜電放電的破壞將使芯片失效損壞，而造成封裝產(chǎn)品失敗。
因此，有必要提供一種創(chuàng)新且富進步性的封裝基板，以解決上述問題。
本發(fā)明的具有靜電放電防護的封裝基板，還包括至少一貫穿孔，由第一銅網(wǎng)層貫穿該介質(zhì)層至該第二銅網(wǎng)層，并電氣連接該第一銅網(wǎng)層與該第二銅網(wǎng)層，從而使靜電電荷經(jīng)由該第一銅網(wǎng)層、該貫穿孔、該第二銅網(wǎng)層、該金屬墊傳導至該承載具。
本發(fā)明的具有靜電放電防護的封裝基板，還包括多個銅網(wǎng)層，平均間隔地設置于該第一銅網(wǎng)層與該第二銅網(wǎng)層之間，各銅網(wǎng)層之間分別以介質(zhì)層區(qū)隔，并以至少一貫穿孔貫穿及電氣連接該等銅網(wǎng)層。
因采用上述方案，本發(fā)明提供的具有靜電放電防護的封裝基板，該封裝基板的每一注?？陔姎膺B接至設置于該封裝基板頂面周邊的第一銅網(wǎng)層。當芯片封裝過程中產(chǎn)生靜電時，靜電電荷將由注模口引導至第一銅網(wǎng)層，靜電電荷聚集并限制于第一銅網(wǎng)層、介質(zhì)層與第二銅網(wǎng)層所形成的電容，并經(jīng)由金屬墊及承載具引導出靜電電荷。因此，利用電容效應，可將封裝過程中所產(chǎn)生的靜電安全地導引出封裝基板外，從而使封裝中的芯片可免于靜電放電的破壞，以提高封裝產(chǎn)品的良好率。
本發(fā)明提供的具有靜電放電防護的封裝基板，該封裝基板利用一貫穿孔，由第一銅網(wǎng)層貫穿該介質(zhì)層至該第二銅網(wǎng)層，并電氣連接該第一銅網(wǎng)層與該第二銅網(wǎng)層。當芯片封裝過程中產(chǎn)生靜電時，靜電電荷將由注?？谝龑е恋谝汇~網(wǎng)層，并經(jīng)由貫穿孔、第二銅網(wǎng)層、金屬墊傳導至承載具。因此，利用傳導效應，將封裝過程中所產(chǎn)生的靜電安全地傳導出封裝基板外，從而防護封裝中的芯片免于靜電電荷的損害。
圖號說明1第一實施例的封裝基板 11芯片座12注?？?3第一銅網(wǎng)層14介質(zhì)層15第二銅網(wǎng)層16金屬墊2第二實施例的封裝基板22注?？?3第一銅網(wǎng)層24介質(zhì)層25第二銅網(wǎng)層26金屬墊27貫穿孔3第三實施例的封裝基板 31注模口32第一銅網(wǎng)層33第二銅網(wǎng)層34金屬墊35第三銅網(wǎng)層36第四銅網(wǎng)層37、38、39介質(zhì)層40貫穿孔具體實施方式
參考
圖1、圖2及圖3，本發(fā)明第一實施例的具有靜電放電防護的封裝基板1包括五個芯片座11、五個注?？?2、一第一銅網(wǎng)層13、一介質(zhì)層14、一第二銅網(wǎng)層15及一金屬墊16。芯片座11用以承載欲封裝的芯片。每一注?？?2由該封裝基板1的邊緣連接至各芯片座11，用以引導封膠注入各芯片座11。該等注?？?2設置于該封裝基板1的頂面。金屬墊16設置于該封裝基板1的底面。
第一銅網(wǎng)層13設置于該封裝基板1的周邊，該第一銅網(wǎng)層13在該封裝基板1的周邊與各注?？?2電氣連接。如圖3所示，在該封裝基板1的周邊，第一銅網(wǎng)層13設置于注?？?2之下，并與注?？?2電氣連接。
第二銅網(wǎng)層15設置于該封裝基板1的底面的周邊。介質(zhì)層14形成于該第一銅網(wǎng)層13與該第二銅網(wǎng)層15之間。該金屬墊16設置于第二銅網(wǎng)層15之下，該第二銅網(wǎng)層15在該封裝基板1的底面周邊與該金屬墊16電氣連接。該金屬墊16用以與承載該封裝基板1的承載具(圖未示出)接觸，并電氣連接至該承載具。
如圖3所示，第一銅網(wǎng)層13、介質(zhì)層14與第二銅網(wǎng)層15形成一電容效應。當芯片封裝或封膠的過程時，若封膠與封裝基板1或其它介質(zhì)摩擦、感應、接觸，產(chǎn)生靜電時，靜電電荷將由注模口12引導至第一銅網(wǎng)層13，靜電電荷聚集并限制于第一銅網(wǎng)層13、介質(zhì)層14與第二銅網(wǎng)層15所形成的電容，并經(jīng)由金屬墊16及承載具引導出靜電電荷。因此，利用本發(fā)明的封裝基板1，可將封裝過程中所產(chǎn)生的靜電安全地導引出封裝基板1外，從而使封裝中的芯片可免于靜電放電的破壞，以提高封裝的良好率。
參考圖4，本發(fā)明第二實施例的具有靜電放電防護的封裝基板2與第一實施例的封裝基板1均具有芯片座(圖未示出)、注模口22、一第一銅網(wǎng)層23、一介質(zhì)層24、一第二銅網(wǎng)層25及一金屬墊26。其在空間上的設置位置與第一實施例的封裝基板1大致相同。
本發(fā)明的第二實施例的具有靜電放電防護的封裝基板2還包括一貫穿孔27，由第一銅網(wǎng)層23貫穿該介質(zhì)層24至該第二銅網(wǎng)層25，并電氣連接該第一銅網(wǎng)層23與該第二銅網(wǎng)層25。當芯片封裝或封膠的過程中，產(chǎn)生靜電時，靜電電荷將由注?？?2引導至第一銅網(wǎng)層23，并經(jīng)由貫穿孔27、第二銅網(wǎng)層25、金屬墊26傳導至承載具。因此，本發(fā)明的第二實施例可利用傳導效應，將靜電電荷安全地傳導出封裝基板2。
參考圖5，本發(fā)明具有靜電放電防護的封裝基板可應用至球格數(shù)組(BGA)多層板。本發(fā)明第三實施例的具有靜電放電防護的封裝基板3除了具有芯片座(圖未示出)、注?？?1、一第一銅網(wǎng)層32、一第二銅網(wǎng)層33及一金屬墊34之外，該封裝基板3還包括一第三銅網(wǎng)層35及一第四銅網(wǎng)層36，平均間隔地設置于該第一銅網(wǎng)層32與該第二銅網(wǎng)層33之間。各銅網(wǎng)層之間分別以介質(zhì)層37、38、39區(qū)隔，并以貫穿孔40貫穿及電氣連接該等銅網(wǎng)層。同樣地，利用傳導效應可將靜電電荷安全地傳導出封裝基板3。
上述實施例僅為說明本發(fā)明的原理及其功效，而非限制本發(fā)明。因此，本領域普通技術人員可在不違背本發(fā)明的精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。本發(fā)明的保護范圍應以權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求
1.一種具有靜電放電防護的封裝基板，其特征在于，包括一頂面及一底面；至少一芯片座，用以承載欲封裝的芯片；至少一注模口，設置于該封裝基板的頂面，每一注模口由該封裝基板的邊緣連接至各芯片座，用以引導封膠注入各芯片座；一第一銅網(wǎng)層，設置于該封裝基板的頂面的周邊，該第一銅網(wǎng)層在該封裝基板的周邊與各注模口電氣連接；一第二銅網(wǎng)層，設置于該封裝基板的底面的周邊；一介質(zhì)層，形成于該第一銅網(wǎng)層與該第二銅網(wǎng)層之間；至少一金屬墊，設置于該封裝基板的底面的周邊，該第二銅網(wǎng)層在該封裝基板的底面周邊與該金屬墊電氣連接，該金屬墊用以與一承載該封裝基板的承載具接觸并電氣連接；藉此當封膠過程中產(chǎn)生靜電時，靜電電荷將由注?？谝龑е猎摰谝汇~網(wǎng)層，并由該承載具引導出靜電電荷。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于還包括至少一貫穿孔，由第一銅網(wǎng)層貫穿該介質(zhì)層至該第二銅網(wǎng)層，并電氣連接該第一銅網(wǎng)層與該第二銅網(wǎng)層，從而使靜電電荷經(jīng)由該第一銅網(wǎng)層、該貫穿孔、該第二銅網(wǎng)層、該金屬墊傳導至該承載具。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝基板，其特征在于還包括多個銅網(wǎng)層，平均間隔地設置于該第一銅網(wǎng)層與該第二銅網(wǎng)層之間，各銅網(wǎng)層之間分別以介質(zhì)層區(qū)隔，并以至少一貫穿孔貫穿及電氣連接該等銅網(wǎng)層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有靜電放電防護的封裝基板。該封裝基板的每一注模口電氣連接至設置于該封裝基板頂面周邊的第一銅網(wǎng)層。當芯片封裝過程中產(chǎn)生靜電時，靜電電荷將由注?？谝龑е恋谝汇~網(wǎng)層，靜電電荷聚集并限制于第一銅網(wǎng)層、介質(zhì)層與第二銅網(wǎng)層所形成的電容，或者利用貫穿孔電氣連接第一銅網(wǎng)層與第二銅網(wǎng)層，并經(jīng)由金屬墊及承載具引導出靜電電荷。因此，利用電容效應或傳導效應，可將封裝過程中所產(chǎn)生的靜電安全地導引出封裝基板外，從而使封裝中的芯片可免于靜電放電的破壞，以提高封裝產(chǎn)品的良好率。
文檔編號H01L23/60GK1479370SQ0214207
公開日2004年3月3日 申請日期2002年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月26日
發(fā)明者蔣榮生 申請人:日月光半導體制造股份有限公司