專利名稱：晶片切割研磨制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片切割研磨制作方法，且特別是涉及一種可去除芯片因切割所產(chǎn)生的裂縫的晶片切割研磨制作方法。
現(xiàn)今半導(dǎo)體元件建構(gòu)于一單晶硅晶片(silicon wafer)上，為了提高產(chǎn)量及降低制造成本，晶片直徑已由過去四英寸、五英、六英寸演變到現(xiàn)行的八英寸晶片，使在一片晶片上能同時生產(chǎn)更多的芯片。然而由于晶片的長晶切割技術(shù)的限制，以及為防止后續(xù)制作工藝晶片因受力或受熱產(chǎn)生變形或破裂，一般硅晶片的厚度，以八英寸晶片為例，約為700至800微米。然后對晶片的一表面進(jìn)行拋光，使其形成鏡面(mirror surface)。
現(xiàn)有半導(dǎo)體制作工藝，即在晶片的鏡面上進(jìn)行，包括沉積、微影、蝕刻，摻雜，熱制作工藝等，而在其上形成元件及內(nèi)連線(interconnection)。對于現(xiàn)今要求輕薄短小的封裝工藝(packaging)而言，比如薄小外型封裝件(ThinSmall Outline Package，TSOP)，晶片的厚度遠(yuǎn)超過封裝時所要求的厚度，因此晶片在封裝作業(yè)的切割作業(yè)(Die Sawing)前，需先行于晶片的主動表面(active surface)上貼上貼帶，進(jìn)行研磨(grinding)，使晶片厚度變薄至約100-300微米左右。而晶片研磨后，先去除貼帶，并于晶片背面貼上貼帶，以進(jìn)行晶片的切割，將每一個芯片(chip)分離開來。由于晶片研磨后厚度變薄，其面積與厚度比變大，運送上及后續(xù)的去除主動表面的貼帶，及再貼上貼帶于晶片背面的作業(yè)，極易造成晶片破裂，造成產(chǎn)品的損害。
另現(xiàn)有晶片切割在晶片研磨后進(jìn)行，請參照

圖1，其繪示現(xiàn)有晶片切割后的剖面示意圖。晶片切割(wafer sawing)由晶片10的主動表面12(acivesurface)，沿著芯片16間的切割道18(kerf)向背面14切割。由于晶片10厚度變薄，在切割時容易形成應(yīng)力，而導(dǎo)致在切割道18靠近背面14的附近形成裂縫20(crack)。請同時參照圖2，其繪示對應(yīng)圖1的芯片的立體示意圖。芯片切割時除了會造成裂縫20，還會造成缺角22(chipping)的情形，形成芯片16背面14的損傷。對于后續(xù)構(gòu)成或組裝制作工藝而言，由于芯片16會受熱，比如灌膠(molding or encapsulating)，或表面安裝工藝(surface mounttechnology，SMT)，裂縫20因熱應(yīng)力而變大，以至于影響產(chǎn)品的可靠度(reliability)。
因此本發(fā)明的一目的就是在提出一種晶片切割研磨制作方法，避免晶片切割作業(yè)產(chǎn)生破裂的情形。
本發(fā)明的另一目的在于提出一種晶片切割研磨制作方法，可去除芯片因切割造成的裂縫及缺角。
為達(dá)成本發(fā)明的上述目的，提出一種晶片切割研磨制作方法，其步驟包括在晶片的背面粘貼第一貼帶；然后沿芯片間的切割道進(jìn)行一切割步驟；接著，粘貼第二貼帶于晶片的主動表面上后，再去除第一貼帶。接著，研磨晶片的背面，使晶片達(dá)一預(yù)定的厚度。最后再粘貼第三貼帶于研磨后晶片背面后；去除第二貼帶，完成晶片的切割研磨制作工藝。
由于晶片背面的研磨在晶片切割后進(jìn)行，因此研磨時可將芯片中因切割造成的裂縫及缺角磨除。同時，切割作業(yè)前的貼帶及運送，皆在有一定厚度的晶片上作業(yè)，因此可避免晶片破裂的情形。
為使本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明。附圖中圖1繪示現(xiàn)有晶片切割后的剖面示意圖。
圖2繪示對應(yīng)圖1的芯片的立體示意圖。
圖3繪示晶片的俯視圖。
圖4繪示對應(yīng)于圖3的晶片的部分剖面示意圖。
圖4至圖7繪示依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例的一種晶片切割研磨制作方法的流程剖面示意圖。
附圖的標(biāo)示說明10、100晶片12、106主動表面14、108、103a背面16、102、102a芯片18、104切割道20、112裂縫22缺角110第一貼帶114第二貼帶
116第三貼帶D1晶片厚度D2芯片厚度實施例請同時參照圖3及圖4，圖3繪示晶片的俯視圖；圖4繪示對應(yīng)于圖3的晶片的部分剖面示意圖。晶片100由多個芯片102所組成，而芯片102間則以切割道104相隔。而晶片100中形成元件、疊層、內(nèi)連線、焊墊等的表面，稱主動表面106(active surface)，另一面則成為晶片的背面108。
請同時參照圖4至圖7，其繪示依照本發(fā)明的一優(yōu)選實施例的一種晶片切割研磨制作方法的流程剖面示意圖。請先參照圖4，本發(fā)明的晶片切割研磨制作方法，于晶片100完成半導(dǎo)體制作工藝后進(jìn)行，也就是晶片100的主動表面106上，已形成諸多的元件、疊層、內(nèi)連線、焊墊及保護層等。而晶片100的厚度D1約為700至800微米。
請參照圖5，先在晶片100的背面108貼上一第一貼帶110(tape)，其材質(zhì)比如是聚烯類合成樹脂(polyolefinic synthetic resin)。接著，比如以切割刀(sawing blade)沿著芯片102間的切割道104，自主動表面106向背面108進(jìn)行切割步驟，使芯片102分離，形成獨立的芯片。由于切割步驟中，晶片100在切割道104附近會承受應(yīng)力，且晶片屬于脆性材料(brittle material)，因此在切割道104接近背面108附近會形成裂縫112。此切割步驟中，切割的深度可以等于晶片100的厚度；或是略大于晶片100的厚度，但不切穿第一貼帶110。為了便于后續(xù)制作工藝，還可以使切割深度小于晶片100的厚度，亦即芯片102間并未完全分離，而是利用后續(xù)研磨制作工藝，磨去相連部分，使芯片102分離，因而此時切割深度還需大于預(yù)定的晶片研磨后厚度。
請參照圖6，先在晶片100的主動表面106粘貼第二貼帶114，以固定分離的芯片，再剝除晶片100背面108的第一貼帶110。其中第二貼帶114的材質(zhì)可以與第一貼帶110相同，而在切割步驟及剝除步驟后例行的清洗步驟，在此不再贅述。接著，進(jìn)行晶片100的研磨，比如以磨輪研磨晶片100的背面108，以達(dá)到所需的厚度D2。其中磨輪(grinding wheel)表面由許多的金剛石(鉆石)微粒，及樹脂制的粘合劑(resinous binder)所構(gòu)成。一般封裝工藝所需的芯片厚度D2約介于100至200微米間。然而，由于本發(fā)明中研磨步驟在晶片切割后進(jìn)行，因此切割過程中所形成的裂縫112，會在此步驟中同時被磨除，所以成品中的芯片102a背面108a無任何裂縫及缺角，可提高產(chǎn)品品質(zhì)。
請參照圖7，接著于晶片100的背面108a先粘貼一第三貼帶116，以固定分離的片102a，再剝除晶片100主動表面106上的第二貼帶114，至此即完成本發(fā)明的晶片切割研磨制作方法。
綜上所述，本發(fā)明的晶片切割研磨制作方法至少具有下列優(yōu)點1.本發(fā)明的晶片切割研磨制作方法，由于晶片背面的研磨在晶片切割后進(jìn)行，因此研磨時可將芯片中因切割造成的裂縫及缺角磨除。所以本發(fā)明可提高產(chǎn)品品質(zhì)，并且有利于現(xiàn)行封裝產(chǎn)品中，需暴露芯片背面以增強散熱效果的封裝方式，本發(fā)明所生產(chǎn)的芯片背面無裂縫及缺角，可提高產(chǎn)品可靠度。
2.本發(fā)明的晶片切割研磨制作方法，切割作業(yè)在研磨制作方法前進(jìn)行，切割作業(yè)前的貼帶及運送，皆在有一定厚度的晶片上作業(yè)，因此可避免晶片破裂的情形。
雖然本發(fā)明已結(jié)合一優(yōu)選實施列揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作出更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)由后附的權(quán)利要求的范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種晶片切割研磨制作方法，包括提供一晶片，該晶片具有一主動表面及一背面，該晶片由多個芯片所組成，該些芯片之間具有一切割道；沿該切割道進(jìn)行一切割步驟；以及研磨該晶片的該背面，使該晶片達(dá)一預(yù)定的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片切割研磨制作方法，其中進(jìn)行該切割步驟前還包括在該晶片的該背面粘貼一第一貼帶；且在該切割步驟后還包括在該晶片的該主動表面粘貼一第二貼帶；且去除該第一貼帶，以進(jìn)行該研磨步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片切割研磨制作方法，其中該切割步驟中，切割深度等于該晶片厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片切割研磨制作方法，其中該切割步驟中，切割深度大于該晶片厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的晶片切割研磨制作方法，其中該切割步驟中，切割深度小于晶片厚度，但大于研磨后的該預(yù)定厚度。
6.如權(quán)利要求1所述的晶片切割研磨制作方法，其中該預(yù)定厚度小于該晶片厚度。
7.一種晶片切割研磨制作方法，包括提供一晶片，該晶片具有一主動表面及一背面，該晶片由多個芯片所組成，該些芯片之間具有一切割道；粘貼一第一貼帶于該晶片的該背面；沿該切割道進(jìn)行一切割步驟；粘貼一第二貼帶于該晶片的該主動表面，去除該第一貼帶；研磨該晶片的該背面，使該晶片達(dá)一預(yù)定的厚度；以及粘貼一第三貼帶于該晶片研磨后的該背面，去除該第二貼帶。
8.如權(quán)利要求7所述的晶片切割研磨制作方法，其中該切割步驟中，切割深度等于該晶片厚度。
9.如權(quán)利要求7所述的晶片切割研磨制作方法，其中該切割步驟中，切割深度大于該晶片厚度。
10.如權(quán)利要求7所述的晶片切割研磨制作方法，其中該切割步驟中，切割深度小于晶片厚度，但大于研磨后的該預(yù)定厚度。
11.如權(quán)利要求7所述的晶片切割研磨制作方法，其中該預(yù)定厚度小于該晶片厚度。
全文摘要
一種晶片切割研磨制作方法,用以去除芯片因切割時所產(chǎn)生的裂縫。其制作方法包括:在晶片的背面粘貼第一貼帶;沿芯片間的切割道進(jìn)行一切割步驟;粘貼第二貼帶于晶片的主動表面上后,去除第一貼帶;接著,研磨晶片的背面,使晶片達(dá)一預(yù)定的厚度;最后再粘貼第三貼帶于研磨后晶片背面后;去除第二貼帶,完成晶片的切割研磨制作工藝。
文檔編號H01L21/02GK1355553SQ00133368
公開日2002年6月26日 申請日期2000年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月27日
發(fā)明者張仕育, 陳錦德, 蔡文達(dá) 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司