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磁盤裝置及下觸判定方法

文檔序號:8320308閱讀:347來源:國知局
磁盤裝置及下觸判定方法
【專利說明】磁盤裝置及下觸判定方法
[0001]本申請要求以美國臨時專利申請61 / 904118號(申請日:2013年11月14日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請包括基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明的實施方式涉及磁盤裝置及下觸判定方法。
【背景技術(shù)】
[0003]在具有磁盤的硬盤驅(qū)動器(HDD)中,磁頭一邊與磁盤空出間隙即一邊相對于磁盤懸浮,一邊相對于磁盤進行記錄再現(xiàn)。可是,起因于HDD的使用環(huán)境的溫度、濕度或高度、或者磁盤上的部分的突起等,而未能良好地進行懸浮控制,存在發(fā)生磁頭接觸磁盤的稱為下觸(touch down)的現(xiàn)象(以下,稱為TD)的情況。
[0004]在發(fā)生了該TD的情況下,由于與TD相伴的磁頭的高懸浮、磁頭的定位精度的下降等,會發(fā)生記錄錯誤和再現(xiàn)錯誤。因此,要求高精度地進行磁頭相對于磁盤的懸浮設(shè)計,使得在用戶的HDD使用環(huán)境中不會發(fā)生TD。
[0005]現(xiàn)有,關(guān)于采用HDI(Head-Disk Interface,磁頭-磁盤界面)傳感器的AC輸出的TD檢測方法已經(jīng)作了公開。HDI傳感器是在磁頭具備有電阻元件的傳感器,通過HDI傳感器的電阻值的變化能夠?qū)D進行檢測。另一方面作為未使用HDI傳感器的TD檢測方法,存在利用伺服位置誤差信息的方法。不管是哪種方法都要求高精度地進行TD檢測。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實施方式提供容易進行高精度的TD檢測的磁盤裝置及下觸判定方法。
[0007]實施方式的磁盤裝置具備滑動器、加熱器、控制部、傳感器和判定部。所述滑動器具備相對于所述磁盤進行記錄或再現(xiàn)的磁頭元件。所述加熱器設(shè)置于所述滑動器,用于通過被供給電力而對所述滑動器進行加熱,并通過伴隨于該加熱的所述滑動器的熱變形而使所述磁頭元件相對于所述磁盤的突出量變化。所述控制部進行使與供給于所述加熱器的電力相關(guān)的控制量按一定周期變動的DHKDynamic Flying Height,動態(tài)飛行高度)控制。所述傳感器設(shè)置于所述滑動器,輸出與相應(yīng)于所述DHl控制的所述磁頭元件的突出量相對應(yīng)的信號。所述判定部基于相應(yīng)于所述DHl控制的所述傳感器的直流輸出分量即DC輸出信號的峰值,對是否發(fā)生了所述磁盤和所述滑動器的一部分相接觸的下觸進行判定。
【附圖說明】
[0008]圖1是表示一個實施方式涉及的磁盤裝置的構(gòu)成的框圖。
[0009]圖2A是表示從磁盤的記錄面?zhèn)瓤吹降拇蓬^的構(gòu)成的圖。
[0010]圖2B是表示從磁盤的周緣部側(cè)看到的磁頭的構(gòu)成的圖。
[0011]圖3是示意地示出HDI傳感器和檢測電路的電路圖。
[0012]圖4是用于對通過DHl進行的磁頭懸浮量控制的概念進行說明的圖。
[0013]圖5是用于對下觸的狀態(tài)進行說明的圖。
[0014]圖6是用于關(guān)于進行下觸檢測并對磁頭懸浮量進行調(diào)整的方法進行說明的圖。
[0015]圖7是DHl的控制量與實際的DHl突出量的關(guān)系的概念圖。
[0016]圖8是表示對加熱電力進行了脈沖控制的情況下Dra的控制量與實際的Dra突出量的關(guān)系的概念圖。
[0017]圖9是表示通過HDI傳感器的DC輸出對脈沖控制加熱電力的情況下的實際的DHl突出量進行監(jiān)控的例子的圖。
[0018]圖10是關(guān)于TD附近的Dra控制量表示與圖9同樣的監(jiān)控值的圖。
[0019]圖11是關(guān)于各DFH的值表不相對于各DFH控制量的HDI傳感器輸出振幅的峰值平均值和谷值平均值的圖。
[0020]圖12是關(guān)于在圖10進行了說明的TD判定方法表示實際的測定例的圖。
[0021]圖13表示對DHl的突出量進行脈沖控制、通過HDI傳感器進行下觸檢測的流程。
【具體實施方式】
[0022]以下,基于附圖對磁盤裝置及TD判定方法的實施方式詳細地進行說明。
[0023]圖1是表示本實施方式涉及的磁盤裝置I的構(gòu)成的框圖。本實施方式的磁盤裝置I作為簡要構(gòu)成,在殼體(未圖示)的內(nèi)部具備磁盤11、使磁盤11旋轉(zhuǎn)的主軸電動機(SPM)12、磁頭22、致動臂15、音圈電動機(VCM) 16和燈23等。
[0024]通過SPM12使磁盤11旋轉(zhuǎn)。致動臂15轉(zhuǎn)動自如地安裝于樞軸17。在該致動臂15的一端安裝有磁頭22。在致動臂15的另一端連接有VCM16。該VCM16使致動臂15繞樞軸17旋轉(zhuǎn),將磁頭22在懸浮于磁盤11的任意半徑位置上的狀態(tài)下定位。
[0025]并且,本實施方式涉及的磁盤裝置I中作為電子硬件構(gòu)成,如圖1瑣事,具備電動機驅(qū)動器 21、磁頭放大器 24、RDC (Read Write Channel,讀寫通道)25、HDC (Hard DiskController,硬盤控制器)、CPU (Central Processing Unit,中央處理單兀)26、工作用存儲器SRAM (Random Access Memory,隨機存取存儲器)、非易失性存儲器即閃存ROM (ReadOnly Memory,只讀存儲器)28和暫時存儲用的緩沖RAM29。
[0026]電動機驅(qū)動器21根據(jù)來自CPU26的指令,對SPM12進行驅(qū)動,使磁盤11以旋轉(zhuǎn)軸為中心按預定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。并且,電動機驅(qū)動器21根據(jù)來自CPU26的指令,對VCM16進行驅(qū)動,使致動臂15的前端的磁頭22沿磁盤11的半徑方向移動。
[0027]磁頭22相對于磁盤11寫入數(shù)據(jù),并且讀出磁盤11所記錄的數(shù)據(jù)。
[0028]圖2A及圖2B是磁頭22的簡要構(gòu)成圖。圖2A表示從磁盤11的記錄面?zhèn)瓤吹降拇蓬^22的構(gòu)成,圖2B表示從磁盤11的周緣部側(cè)看到的磁頭22的構(gòu)成。
[0029]如圖2A、2B所示,本實施方式的磁頭22構(gòu)成為,在磁頭滑動器205上設(shè)置有記錄頭201、再現(xiàn)頭202、作為加熱部的加熱器204和作為檢測部的HDI傳感器203。
[0030]記錄頭201利用從其磁極發(fā)生的磁場,在磁盤11的數(shù)據(jù)區(qū)域進行數(shù)據(jù)的寫入。再現(xiàn)頭202通過讀取磁盤11上的磁場的變化,讀出磁盤11所記錄的數(shù)據(jù)。還有,在磁盤11旋轉(zhuǎn)停止等時,磁頭22退讓到燈23 (參照圖1)上。
[0031]HDI傳感器203具備電阻元件(在圖2A、2B中未圖示),通過該電阻元件對記錄頭201或再現(xiàn)頭202與磁盤11的接觸進行檢測。還有,關(guān)于通過HDI傳感器203進行的檢測的詳情將后述。
[0032]加熱器204接受來自電力供給部33的電力供給而對磁頭22的磁頭滑動器205進行加熱。通過該加熱,磁頭22因為磁頭滑動器205熱變形,所以磁頭22的距離磁盤11的懸浮量變化。
[0033]返回到圖1,電力供給部33根據(jù)來自CPU26的指令對加熱器204進行電力供給。關(guān)于通過加熱器204的加熱所進行的磁頭22的懸浮量的控制的詳情將后述。
[0034]磁頭放大器24對再現(xiàn)頭202從磁盤11讀取到的再現(xiàn)信號波形的信號進行放大并輸出到RDC25。并且,磁頭放大器24對從RDC25所供給的寫入信號進行放大并輸出到記錄頭 201。
[0035]磁頭放大器24除了具有如此的放大功能之外,如圖1所示,還具備作為檢測部的檢測電路101。檢測電路101通過對HDI傳感器
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