本實用新型涉及溫度采樣硬件模塊、硬盤加熱硬件模塊，具體是一種硬盤恒溫加熱裝置。

背景技術(shù)：

硬盤(大容量存儲設(shè)備)作為一種存儲設(shè)備，或存儲了重要的數(shù)據(jù)，或存儲了操作系統(tǒng)，在一些設(shè)備中，如果硬盤不能正常工作，則整個系統(tǒng)也無法正常運行。所以在一個需要硬盤工作的系統(tǒng)中，我們必須設(shè)法保護硬盤，使其穩(wěn)定可靠的工作。

通過我們大量設(shè)備的運行情況可得知，硬盤工作受溫度的影響特別大，在中國北方或者俄羅斯等北方國家冬天的溫度可能會達到零下20℃，然而硬盤的安全工作溫度在0～60攝氏度，如果在低溫的情況下使用硬盤可能出現(xiàn)以下故障：

1.系統(tǒng)初始啟動，硬盤初始化失敗，無法工作。

2.系統(tǒng)運行時工作不穩(wěn)定，經(jīng)常丟失數(shù)據(jù)，出現(xiàn)系統(tǒng)死機等現(xiàn)象。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實用新型目的在于提供一種提高硬盤工作的穩(wěn)定性的硬盤恒溫加熱裝置。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種硬盤恒溫加熱裝置，包括：單片機；溫度傳感器，所述溫度傳感器設(shè)置在硬盤上，所述溫度傳感器通過I/O線與所述單片機連接；加熱機構(gòu)，所述加熱機構(gòu)設(shè)置在硬盤上，所述加熱機構(gòu)與所述單片機連接；其中所述加熱機構(gòu)包括：三極管Q14，所述三極管Q14的基極與所述單片機連接；場效應晶體管U31，所述場效應晶體管U31的柵極與所述三極管Q14的集電極連接，所述場效應晶體管U31的源極連接系統(tǒng)電源，所述場效應晶體管U31的漏極與所述加熱電源連接。

優(yōu)選地，所述加熱機構(gòu)包括電阻R308，所述電阻R308的一端與所述單片機連接，所述電阻R308的另一端與所述三極管Q14的基極連接。

優(yōu)選地，所述加熱機構(gòu)包括電阻R309，所述電阻R309的一端與所述三極管Q14的基極連接，所述電阻R309的另一端接地。

優(yōu)選地，所述加熱機構(gòu)包括電阻R310，所述電阻R310的一端與所述三極管Q14的集電極連接，所述電阻R310的另一端與所述場效應晶體管U31的柵極連接。

優(yōu)選地，所述加熱機構(gòu)包括電阻R307，所述電阻R307的一端與所述場效應晶體管U31的柵極連接，所述電阻R308的另一端與所述場效應晶體管U31的源極連接。

優(yōu)選地，所述場效應晶體管U31的型號為NTMS4176PR2G。

優(yōu)選地，所述單片機的型號為新唐NUC100RDN1。

優(yōu)選地，所述溫度傳感器采用DS18B20模塊。

優(yōu)選地，所述三極管Q14的型號為MMBT3904。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有以下優(yōu)點：使系統(tǒng)硬盤(存儲設(shè)備)工作在安全的溫度范圍，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本實用新型的其它特征目的和優(yōu)點將會變得更明顯。

圖1為本實用新型硬盤恒溫加熱裝置原理圖；

圖2為本實用新型硬盤恒溫加熱裝置加熱機構(gòu)原理圖。

圖中：

1-溫度傳感器 2-硬盤 3-加熱機構(gòu)

4-單片機。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本實用新型進行詳細說明。以下實施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進一步理解本實用新型，但不以任何形式限制本實用新型。應當指出的是，對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變化和改。

如圖1、圖2所示，本實用新型提供一種硬盤2恒溫加熱裝置，包括：單片機4；溫度傳感器1，溫度傳感器1設(shè)置在硬盤2上，溫度傳感器1通過I/O線與單片機4連接；加熱機構(gòu)3，加熱機構(gòu)3設(shè)置在硬盤2上，加熱機構(gòu)3與單片機4連接；其中加熱機構(gòu)3包括：三極管Q14，三極管Q14的基極與單片機4連接；場效應晶體管U31，場效應晶體管U31的柵極與三極管Q14的集電極連接，場效應晶體管U31的源極連接系統(tǒng)電源，場效應晶體管U31的漏極與加熱電源連接。加熱機構(gòu)3包括電阻R308，電阻R308的一端與單片機4連接，電阻R308的另一端與三極管Q14的基極連接。加熱機構(gòu)3包括電阻R309，電阻R309的一端與三極管Q14的基極連接，電阻R309的另一端接地。加熱機構(gòu)3包括電阻R310，電阻R310的一端與三極管Q14的集電極連接，電阻R310的另一端與場效應晶體管U31的柵極連接。加熱機構(gòu)3包括電阻R307，電阻R307的一端與場效應晶體管U31的柵極連接，電阻R308的另一端與場效應晶體管U31的源極連接。場效應晶體管U31的型號為NTMS4176PR2G。單片機4的型號為新唐NUC100RDN1。溫度傳感器1采用DS18B20模塊。

單片機4為是新唐NUC100RDN1，單片機4模塊主要用來采集硬盤2的溫度，負責硬盤2的加熱，并在溫度達到安全值得時候打開主系統(tǒng)運行，在硬盤2正常工作中保持硬盤2溫度的恒定。

溫度傳感器1是DS18B20模塊，通過一根IO線連接到單片機4，根據(jù)1-wire協(xié)議和單片機4之間進行通信。

加熱機構(gòu)3是硅橡膠加熱片，其特點是可以貼在硬盤2背面上，實現(xiàn)均勻加熱，并且其加熱功率根據(jù)輸入電壓不同可調(diào)，故而通過單片機4的PWM引腳來控制輸入電壓，達到加熱功率可調(diào)，實現(xiàn)恒溫功能。

具體流程：加熱硅膠貼在硬盤2的一面，溫度傳感器1貼在硬盤2的另一面。單片機4定時通過PC0腳采用1-wire協(xié)議采集溫度傳感器1溫度，從而得知硬盤2當前的溫度。當溫度低于安全溫度時，打開PWM(1K頻率)引腳信號加熱硬盤2，當檢測到溫度過高時關(guān)閉PWM，或者降低PWM的占空比，調(diào)節(jié)加熱硅膠的輸出功率。在PWM占空比高電平時，通過R308、R309限流接入三極管Q14的基極，打開三極管，此時開關(guān)三極管Q14導通，CMOSU31柵極經(jīng)過R307和R310分壓為低電平，此時U31處于導通狀態(tài)，加熱模塊開始加熱。在PWM占空比低電平時，通過R308、R309限流接入三極管Q14的基極，關(guān)閉三極管，此時開關(guān)三極管Q14截止，CMOSU31柵極經(jīng)過R307和R310分壓為高電平，此時U31處于截止狀態(tài)，加熱模塊不工作。在定時采集溫度傳感器1的同時，通過調(diào)節(jié)單片機4PWM引腳的占空比來控制加熱模塊的輸出功率，可以起到使硬盤2工作在安全溫度范圍，提高系統(tǒng)的安全性，減低系統(tǒng)啟動故障。

以上對本實用新型的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本實用新型并不局限于上述特定實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變化或修改，這并不影響本實用新型的實質(zhì)內(nèi)容。在不沖突的情況下，本申請的實施例和實施例中的特征可以任意相互組合。