本發(fā)明涉及帶電路的懸掛基板及其制造方法、詳細而言涉及硬盤驅(qū)動器中使用的帶電路的懸掛基板及其制造方法。

背景技術(shù)：

以往，在硬盤驅(qū)動器中能夠安裝供具有磁頭的滑橇搭載的帶電路的懸掛基板。

在這樣的帶電路的懸掛基板中，利用軟釬料球?qū)⒋蓬^側(cè)端子與滑橇的磁頭的端子電連接(參照例如日本特開2012－099204號公報)。

然而，在日本特開2012－099204號公報所記載的帶電路的懸掛基板中，磁頭側(cè)端子與磁頭的端子在厚度方向上分開，在其分開程度較大的情況下，在使軟釬料球溶融了時，存在無法確保磁頭側(cè)端子與磁頭的端子之間的接觸面積、引起接觸不良的情況。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供能夠使連接端子與滑橇的端子可靠地連接的帶電路的懸掛基板和帶電路的懸掛基板的制造方法。

本發(fā)明[1]包括一種帶電路的懸掛基板，其包括：金屬支承基板；基底絕緣層，其配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè)；導體層，其配置于基底絕緣層的厚度方向一側(cè)，具有與滑橇電連接的連接端子；覆蓋絕緣層，其以使連接端子暴露的方式包覆導體層，配置于基底絕緣層的厚度方向一側(cè)；鍍層，其包覆連接端子，覆蓋絕緣層具有配置于基底絕緣層的厚度方向一側(cè)的第1覆蓋絕緣層和配置于第1覆蓋絕緣層的厚度方向一側(cè)的第2覆蓋絕緣層，鍍層的厚度是第1覆蓋絕緣層的厚度和第2覆蓋絕緣層的厚度的總和以下。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠利用第1覆蓋絕緣層和第2覆蓋絕緣層可靠地保護用于包覆連接端子的鍍層。

另外，能夠根據(jù)滑橇的位置在第1覆蓋絕緣層的厚度和第2覆蓋絕緣層的厚度的總和的范圍內(nèi)對鍍層的厚度進行適當調(diào)整，在厚度方向上使鍍層接近滑橇的端子。

因此，能夠使連接端子與滑橇的端子可靠地連接。

本發(fā)明[2]包括上述[1]的帶電路的懸掛基板，其還具有用于支承滑橇的底座，底座包括：基底底座層，其由基底絕緣層形成，配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè)；第1覆蓋底座層，其由第1覆蓋絕緣層形成，配置于基底底座層的厚度方向一側(cè)；第2覆蓋底座層，其由第2覆蓋絕緣層形成，配置于第1覆蓋底座層的厚度方向一側(cè)。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，基底底座層由基底絕緣層形成，第1覆蓋底座層由第1覆蓋絕緣層形成，第2覆蓋底座層由第2覆蓋絕緣層形成，因此，不另外設(shè)置用于支承滑橇的構(gòu)件，就能夠形成底座。

另外，覆蓋絕緣層由第1覆蓋絕緣層和第2覆蓋絕緣層這兩層形成，能夠精度良好地調(diào)整底座的厚度。

本發(fā)明[3]包括一種帶電路的懸掛基板的制造方法，其是上述[2]的帶電路的懸掛基板的制造方法，其包括如下工序：準備金屬支承基板的工序；在金屬支承基板的厚度方向一側(cè)形成具有基底底座層的基底絕緣層的工序；在基底絕緣層的厚度方向一側(cè)形成具有連接端子的導體層的工序；以在基底底座層的厚度方向一側(cè)配置第1覆蓋底座層的方式在基底絕緣層的厚度方向一側(cè)形成第1覆蓋絕緣層的工序；以在第1覆蓋底座層的厚度方向一側(cè)配置第2覆蓋底座層的方式在第1覆蓋絕緣層的厚度方向一側(cè)形成第2覆蓋絕緣層的工序；以及在連接端子形成鍍層的工序。

根據(jù)這樣的方法，在形成用于保護連接端子的鍍層的第1覆蓋絕緣層和第2覆蓋絕緣層的工序中，能夠同時形成第1覆蓋底座層和第2覆蓋底座層。

因此，能夠一邊利用覆蓋絕緣層保護鍍層，一邊不另外增加工序就能夠效率良好地形成底座。

附圖說明

圖1表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的第1實施方式的俯視圖。

圖2表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的懸架部的俯視圖。

圖3A表示沿著圖2所示的懸架部的A－A線的剖視圖；圖3B表示沿著圖2所示的懸架部的B－B線的剖視圖。

圖4A～圖4C是用于說明圖3B所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，圖4A表示準備金屬支承基板的工序，圖4B表示形成基底絕緣層的工序，圖4C表示形成導體層的工序。

圖5A～圖5C是用于接著圖4C說明圖3B所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，圖5A表示形成第1覆蓋絕緣層的工序，圖5B表示形成第2覆蓋絕緣層的工序，圖5C表示對金屬支承基板進行外形加工的工序。

圖6A～圖6C是用于接著圖5C對圖3B所示的帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖，圖6A表示將基底絕緣層局部地去除的工序，圖6B表示形成鍍層的工序，圖6C表示安裝滑橇的工序。

圖7是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的第2實施方式的剖視圖，表示與圖3B相對應的剖視圖。

具體實施方式

＜第1實施方式＞

圖1所示的帶電路的懸掛基板1用于安裝搭載磁頭3的滑橇4和壓電元件5，與外部基板6和電源7連接，而搭載于硬盤驅(qū)動器(未圖示)。

此外，在圖1中，紙面左右方向是前后方向(第1方向)，紙面左側(cè)是前側(cè)(第1方向一側(cè))，紙面右側(cè)是后側(cè)(第1方向另一側(cè))。另外，紙面上下方向是左右方向(寬度方向、第2方向)，紙面上側(cè)是左側(cè)(寬度方向一側(cè)、第2方向一側(cè))，紙面下側(cè)是右側(cè)(寬度方向另一側(cè)、第2方向另一側(cè))。另外，紙面紙厚方向是上下方向(厚度方向、第3方向)，紙面跟前側(cè)是上側(cè)(厚度方向一側(cè)、第3方向一側(cè))，紙面進深側(cè)是下側(cè)(厚度方向另一側(cè)、第3方向另一側(cè))。具體而言，依據(jù)各圖的方向箭頭。

另外，在圖1中，省略了橋接部36(隨后論述)以外的基底絕緣層9(隨后論述)、覆蓋絕緣層11(第1覆蓋絕緣層71(隨后論述)、以及第2覆蓋絕緣層72(隨后論述))。另外，在圖2中，圖示了基底絕緣層9(隨后論述)和第2覆蓋絕緣層72(隨后論述)，省略了第1覆蓋絕緣層71(隨后論述)。

如圖1所示，帶電路的懸掛基板1形成為沿著前后方向延伸的平帶形狀。如圖3A和圖3B所示，帶電路的懸掛基板1包括：金屬支承基板8；在金屬支承基板8之上形成的基底絕緣層9；在基底絕緣層9之上形成的導體層10；在基底絕緣層9之上以包覆導體層10的方式形成的覆蓋絕緣層11、以及包覆導體層10的隨后論述的多個端子(外部側(cè)端子57、磁頭側(cè)端子58、壓電側(cè)端子59)的表面的鍍層12。

如圖1所示，金屬支承基板8形成為沿著前后方向延伸的平帶形狀，一體地具有主體部13和在主體部13的前側(cè)形成的懸架部14。

主體部13形成為沿著前后方向延伸的俯視大致矩形形狀。主體部13在帶電路的懸掛基板1搭載于硬盤驅(qū)動器時支承于硬盤驅(qū)動器的載荷臂(未圖示)。

如圖2所示，懸架部14以從主體部13的前端朝向前側(cè)延伸的方式形成。

懸架部14包括一對懸臂部17、搭載部18以及一對連結(jié)部19。

懸臂部17呈俯視細長矩形形狀，以從主體部13的寬度方向兩端部朝向前側(cè)呈直線狀延伸的方式形成為一對。

搭載部18以在寬度方向內(nèi)側(cè)與一對懸臂部17隔開間隔且沿著前后方向與主體部13的前端緣隔開間隔的方式配置。搭載部18形成為朝向?qū)挾确较騼蓚?cè)敞開的俯視大致H字狀。即、搭載部18的前后方向中央部的寬度方向兩端部被局部切除(開口)。具體而言，搭載部18一體地具有基部21、載物臺22以及中央部23。

基部21配置于搭載部18的后端部，形成為寬度方向較長地延伸的俯視大致矩形形狀。

載物臺22與基部21隔開間隔地配置于基部21的前側(cè)，形成為寬度方向較長地延伸的俯視大致矩形形狀。另外，載物臺22具有載物臺開口部27。

如圖2和圖3A所示，載物臺開口部27形成為沿著厚度方向呈俯視大致矩形形狀貫通載物臺22。

如圖2所示，中央部23將基部21和載物臺22的寬度方向中央連接，形成為沿著前后方向延伸的俯視細長矩形形狀。中央部23形成為能夠向?qū)挾确较驈澢恼?/p>

此外，在搭載部18中，被切除的部分劃分出一對連通空間24。一對連通空間24被劃分在中央部23的寬度方向兩側(cè)，以沿著厚度方向貫通金屬支承基板8的方式形成。

一對連結(jié)部19分別從一對懸臂部17各自的前端部以與基部21的寬度方向兩端部連結(jié)的方式向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)斜后方延伸。由此，一對連結(jié)部19將一對懸臂部17和搭載部18連結(jié)起來。另外，由此，在一對連結(jié)部19與一對懸臂部17之間以及搭載部18與主體部13之間開設(shè)有俯視時朝向前側(cè)敞開的大致U字狀的基板開口部16。

金屬支承基板8由例如不銹鋼、42合金、鋁、銅－鈹、磷青銅等金屬材料形成。優(yōu)選由不銹鋼形成。

金屬支承基板8的厚度例如是5μm以上，優(yōu)選是10μm以上，例如是30μm以下，優(yōu)選是25μm以下。

基底絕緣層9在金屬支承基板8的上表面形成為與導體層10相對應的圖案。具體而言，基底絕緣層9具有與主體部13相對應的主體部絕緣層31和與懸架部14相對應的懸架部絕緣層32。

主體部絕緣層31以與導體層10的位于圖1所示的主體部13的部分(具體而言，隨后論述的外部側(cè)端子57和配線60)相對應的方式形成。

懸架部絕緣層32具有與基板開口部16相對應的基板開口部絕緣層34、與搭載部18相對應的搭載部絕緣層35、以及橋接部36。

基板開口部絕緣層34以沿著前后方向跨著基板開口部16的方式形成。具體而言，基板開口部絕緣層34以從主體部絕緣層31的寬度方向兩端部的前端連續(xù)而通過基板開口部16的方式朝向前側(cè)延伸，在基板開口部16的后側(cè)向?qū)挾确较騼蓚?cè)分支，在比基部21靠后側(cè)的位置合二為一，形成為延伸到基部21的前后方向中途的俯視大致Y字狀。

搭載部絕緣層35與搭載部18相對應地形成為俯視大致H字狀。具體而言，搭載部絕緣層35具有基部絕緣層38、載物臺絕緣層39以及中央部絕緣層40。

基部絕緣層38與導體層10的位于搭載部18的基部21的部分相對應地形成?；拷^緣層38形成為在搭載部18的基部21的前側(cè)從基板開口部絕緣層34連續(xù)而向?qū)挾确较騼赏鈧?cè)延伸的俯視大致矩形形狀。另外，基部絕緣層38以延伸到比基部21的前端緣靠前方的位置的方式形成。在基部絕緣層38中，跨著搭載部18的中央部23而從連通空間24暴露的部分被劃分為一對后壓電側(cè)端子形成部43。

載物臺絕緣層39與導體層10的位于搭載部18的載物臺22的部分相對應地形成。載物臺絕緣層39與基部絕緣層38隔開間隔地配置于基部絕緣層38的前側(cè)，形成為從搭載部18的載物臺22的前側(cè)延伸到比載物臺22的后端緣靠后方的位置的俯視大致矩形形狀。在載物臺絕緣層39中，跨著搭載部18的中央部23而從連通空間24暴露的部分被劃分為一對前壓電側(cè)端子形成部44。另外，載物臺絕緣層39具有與載物臺開口部27相對應的連接端子開口部45、凹陷部48(參照圖3B)、以及多個(兩個)接地開口部46。

如圖2和圖3A所示，連接端子開口部45以沿著厚度方向呈大致矩形貫通載物臺絕緣層39的方式形成。連接端子開口部45的寬度方向兩端緣和后端緣在沿著厚度方向投影時與載物臺開口部27的寬度方向兩端緣和后端緣對齊。連接端子開口部45的前端緣位于比載物臺開口部27的前端緣靠后方的位置。

凹陷部48形成為，在比連接端子開口部45的前端緣靠前方的位置且是在沿著厚度方向投影時與載物臺開口部27重疊的部分，從載物臺絕緣層39的下表面朝向上側(cè)凹陷。

接地開口部46形成為，在沿著厚度方向投影時與搭載部18的載物臺22的后端部重疊的部分，沿著厚度方向貫通載物臺絕緣層39。

如圖2所示，中央部絕緣層40與導體層10的位于搭載部18的中央部23的部分對應地形成。中央部絕緣層40將基部絕緣層38和載物臺絕緣層39的寬度方向中央連接，形成為沿著前后方向延伸的俯視細長矩形形狀。

此外，將一對后壓電側(cè)端子形成部43和一對前壓電側(cè)端子形成部44一起作為壓電側(cè)端子形成部47。

如圖2和圖3A所示，壓電側(cè)端子形成部47具有端子開口部49。

端子開口部49在基部絕緣層38的一對后壓電側(cè)端子形成部43中的每一個和載物臺絕緣層39的一對前壓電側(cè)端子形成部44中的每一個各形成有1個。端子開口部49以沿著厚度方向呈大致矩形貫通后壓電側(cè)端子形成部43和前壓電側(cè)端子形成部44的方式形成。

如圖2所示，橋接部36具有將一對懸臂部17的前端和載物臺22的寬度方向兩端呈彎曲狀連結(jié)的一對彎曲部52以及將一對懸臂部17的前端和載物臺22的前端連結(jié)的E字部53。

彎曲部52從懸臂部17的前端朝向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)斜前側(cè)呈彎曲狀延伸，直至載物臺22的寬度方向兩端。

E字部53呈俯視大致E字狀，具體而言，從兩懸臂部17的前端朝向前側(cè)延伸，之后，向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)彎曲，向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)延伸而合二為一之后，向后側(cè)彎曲而直至載物臺22的前端的寬度方向中央。

基底絕緣層9由例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂等的絕緣材料形成。優(yōu)選由聚酰亞胺樹脂形成。

基底絕緣層9的厚度(最大厚度)例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，例如是35μm以下，優(yōu)選是33μm以下。

如圖1所示，導體層10具有外部側(cè)端子57、作為連接端子的一個例子的磁頭側(cè)端子58、壓電側(cè)端子59以及配線60。

在與主體部13相對應主體部絕緣層31的后端部配置有多個(6個)外部側(cè)端子57。外部側(cè)端子57具有信號端子57A和電源端子57B。

信號端子57A是多個(6個)外部側(cè)端子57內(nèi)的配置于后方的4個，沿著寬度方向彼此隔開間隔地配置。信號端子57A與外部基板6電連接。

電源端子57B是多個(6個)外部側(cè)端子57內(nèi)的配置于前方的兩個，沿著寬度方向彼此隔開間隔地配置。電源端子57B與電源7電連接。

如圖2所示，磁頭側(cè)端子58設(shè)于與載物臺22相對應的載物臺絕緣層39的前端部的上表面，沿著寬度方向彼此隔開間隔地配置有多個(4個)磁頭側(cè)端子58。如圖3A和圖3B所示，磁頭側(cè)端子58以跨著載物臺開口部27的前端緣和連接端子開口部45的前端緣的方式沿著前后方向延伸。磁頭側(cè)端子58借助隨后論述的磁頭接合材料66與磁頭3電連接。磁頭側(cè)端子58具有前側(cè)部58A、中央部58B以及后側(cè)部58C。

前側(cè)部58A是磁頭側(cè)端子58中的比載物臺開口部27的前端緣靠前側(cè)的前側(cè)部分。前側(cè)部58A在沿著厚度方向投影時與金屬支承基板8和基底絕緣層9重疊。前側(cè)部58A支承著磁頭側(cè)端子58。

中央部58B是磁頭側(cè)端子58中的位于載物臺開口部27的前端緣與連接端子開口部45的前端緣之間的部分。中央部58B從前側(cè)部58A的后端部連續(xù)地延伸。中央部58B在沿著厚度方向投影時與基底絕緣層9重疊。中央部58B配置于載物臺開口部27內(nèi)，由基底絕緣層9支承。

后側(cè)部58C是磁頭側(cè)端子58中的比連接端子開口部45的前端緣靠后側(cè)的后側(cè)部分。后側(cè)部58C從中央部58B的后端部連續(xù)而向下方彎曲之后，向后方延伸。由此，后側(cè)部58C的上表面與中央部58B的上表面之間形成有臺階。另外，后側(cè)部58C的下表面與凹陷部48平齊。后側(cè)部58C配置于載物臺開口部27內(nèi)，能夠更位于磁頭3的附近。

在連通空間24中的基底絕緣層9的壓電側(cè)端子形成部47配置有多個(4個)壓電側(cè)端子59。具體而言，壓電側(cè)端子59落入并填充于基部絕緣層38的一對后壓電側(cè)端子形成部43各自的端子開口部49以及載物臺絕緣層39的一對前壓電側(cè)端子形成部44各自的端子開口部49。此外，如圖2和圖3A所示，在壓電側(cè)端子59中，將向一對后壓電側(cè)端子形成部43各自的端子開口部49填充的壓電側(cè)端子59設(shè)為后壓電側(cè)端子59A，將向一對前壓電側(cè)端子形成部44各自的端子開口部49填充的壓電側(cè)端子59設(shè)為前壓電側(cè)端子59B。壓電側(cè)端子59借助隨后論述的壓電接合材料68與壓電元件5電連接。

如圖1所示，配線60在與主體部13相對應的主體部絕緣層31(參照圖2)以及與懸架部14相對應的懸架部絕緣層32(參照圖2)中沿著寬度方向彼此隔開間隔地形成有多個(6個)。配線60具有信號配線60A和電源配線60B。

信號配線60A是多個(6個)配線60內(nèi)的寬度方向內(nèi)側(cè)的4個，與信號端子57A和磁頭側(cè)端子58電連接。信號配線60A在磁頭3(參照圖3A和圖3B)和外部基板6之間傳遞電信號。

具體而言，信號配線60A形成為，在與主體部13相對應的主體部絕緣層31(參照圖2)的后端部從信號端子57A朝向前側(cè)延伸之后，如圖2所示，在基板開口部絕緣層34和搭載部絕緣層35之上依次通過而直至磁頭側(cè)端子58。

如圖1所示，電源配線60B是多個(6個)配線60內(nèi)的、比信號配線60A靠寬度方向兩外側(cè)的兩個，與電源端子57B和后壓電側(cè)端子59A電連接。電源配線60B將電力從電源7向壓電元件5供給。

具體而言，電源配線60B形成為，在與主體部13相對應的主體部絕緣層31(參照圖2)的后端部從電源端子57B朝向前側(cè)延伸之后，如圖2所示，在基板開口部絕緣層34和搭載部絕緣層35依次通過而直至后壓電側(cè)端子59A。

另外，配線60在與懸架部14相對應的懸架部絕緣層32具有沿著寬度方向彼此隔開間隔地形成有多個(兩個)的接地配線60C。

接地配線60C是為了使前壓電側(cè)端子59B接地而設(shè)置的。具體而言，如圖2和圖3A所示，接地配線60C從前壓電側(cè)端子59B朝向前側(cè)延伸，以在信號配線60A的后側(cè)落入并填充到接地開口部46的方式向下側(cè)彎曲，與金屬支承基板8接觸。

導體層10由例如銅、鎳、金、軟釬料、或它們的合金等導體材料形成。優(yōu)選由銅形成。

導體層10的厚度例如是3μm以上，優(yōu)選是5μm以上，例如是50μm以下，優(yōu)選是20μm以下。

如圖3A和圖3B所示，覆蓋絕緣層11具有第1覆蓋絕緣層71和第2覆蓋絕緣層72。

如參照圖1那樣，第1覆蓋絕緣層71跨著主體部13和懸架部14地形成，如圖3A和圖3B所示，第1覆蓋絕緣層71配置于基底絕緣層9之上，形成為俯視時包含導體層10在內(nèi)的圖案。

具體而言，第1覆蓋絕緣層71形成為包覆配線60的上表面并使外部側(cè)端子57(參照圖1)和磁頭側(cè)端子58的上表面暴露的圖案。

第1覆蓋絕緣層71由與形成基底絕緣層9的絕緣材料相同的絕緣材料形成。第1覆蓋絕緣層71的厚度比鍍層12的厚度薄，相對于鍍層12的厚度100％而言，例如是10％以上、優(yōu)選是30％以上，例如是99％以下，優(yōu)選是90％以下。具體而言，第1覆蓋絕緣層71的厚度例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，例如是40μm以下，優(yōu)選是10μm以下。

第2覆蓋絕緣層72配置于第1覆蓋絕緣層71之上。第2覆蓋絕緣層72包括端子周邊層77、作為第2覆蓋底座層的一個例子的一對前側(cè)滑橇接觸層78以及作為第2覆蓋底座層的一個例子的后側(cè)滑橇接觸層79。

端子周邊層77以使磁頭側(cè)端子58的上表面暴露的方式配置于第1覆蓋絕緣層71的比磁頭側(cè)端子58靠前側(cè)的部分之上。端子周邊層77以在沿著厚度方向投影時與信號配線60A重疊的方式形成。端子周邊層77在4個磁頭側(cè)端子58的前側(cè)以在沿著前后方向投影時與4個磁頭側(cè)端子58全部重疊的方式形成為沿著寬度方向延伸的俯視大致矩形形狀。

一對前側(cè)滑橇接觸層78分別在兩個接地開口部46與連接端子開口部45之間配置于第1覆蓋絕緣層71之上。前側(cè)滑橇接觸層78以在沿著厚度方向投影時與信號配線60A重疊的方式形成。前側(cè)滑橇接觸層78形成為俯視大致矩形形狀。一對前側(cè)滑橇接觸層78在寬度方向上彼此隔開間隔地配置。

此外，在沿著厚度方向投影時，第1覆蓋絕緣層71的與一對前側(cè)滑橇接觸層78分別重疊的部分是作為第1覆蓋底座層的一個例子的前側(cè)滑橇支承層81。

另外，在沿著厚度方向投影時，基底絕緣層9的與一對前側(cè)滑橇接觸層78重疊的部分是作為基底底座層的一個例子的前側(cè)基底層82。

這樣，前側(cè)基底層82由基底絕緣層9形成，配置于金屬支承基板8之上，前側(cè)滑橇支承層81由第1覆蓋絕緣層71形成，配置于前側(cè)基底層82之上，前側(cè)滑橇接觸層78由第2覆蓋絕緣層72形成，配置于前側(cè)滑橇支承層81之上。

并且，由前側(cè)滑橇接觸層78、前側(cè)滑橇支承層81以及前側(cè)基底層82形成作為底座的一個例子的第1底座88。也就是說，第1底座88設(shè)有一對。一對第1底座88在寬度方向上彼此隔開間隔地配置。

后側(cè)滑橇接觸層79形成于中央部絕緣層40之上。后側(cè)滑橇接觸層79以在沿著厚度方向投影時與信號配線60A重疊的方式形成。后側(cè)滑橇接觸層79形成為俯視大致矩形形狀。

此外，在沿著厚度方向投影時，第1覆蓋絕緣層71的與后側(cè)滑橇接觸層79重疊的部分是作為第1覆蓋底座層的一個例子的后側(cè)滑橇支承層84。

另外，在沿著厚度方向投影時，基底絕緣層9的與后側(cè)滑橇接觸層79重疊的部分是作為基底底座層的一個例子的后側(cè)基底層85。

這樣，后側(cè)基底層85由基底絕緣層9形成，配置于金屬支承基板8之上，后側(cè)滑橇支承層84由第1覆蓋絕緣層71形成，配置于后側(cè)基底層85之上，后側(cè)滑橇接觸層79由第2覆蓋絕緣層72形成，配置于后側(cè)基底層85之上。

并且，由后側(cè)滑橇接觸層79、后側(cè)滑橇支承層84以及后側(cè)基底層85形成作為底座的一個例子的第2底座89。第2底座89配置于比一對第1底座88靠后側(cè)的位置且配置于一對第1底座88的寬度方向大致中央。也就是說，第2底座89和一對第1底座88配置成以各自為頂點的大致三角形狀。

第2覆蓋絕緣層72由與形成基底絕緣層9的絕緣材料相同的絕緣材料形成。第2覆蓋絕緣層72的厚度比鍍層12的厚度薄，相對于鍍層12的厚度100％而言，例如是10％以上，優(yōu)選是30％以上，例如是99％以下，優(yōu)選是90％以下。具體而言，第2覆蓋絕緣層72的厚度例如是1μm以上，優(yōu)選是3μm以上，例如是10μm以下，優(yōu)選是5μm以下。

鍍層12形成于多個端子的表面、具體而言形成于外部側(cè)端子57、磁頭側(cè)端子58、壓電側(cè)端子59的表面。鍍層12利用例如非電解鍍、電解鍍等鍍處理、優(yōu)選電解鍍形成。鍍層12由例如鎳、金等金屬材料形成，優(yōu)選由金形成。另外，鍍層12的厚度是第1覆蓋絕緣層71的厚度和第2覆蓋絕緣層72的厚度的總和以下。具體而言，相對于第1覆蓋絕緣層71的厚度和第2覆蓋絕緣層72的厚度的總和100％而言，是5％以上，優(yōu)選是30％以上，例如是99％以下，優(yōu)選是95％以下。具體而言，鍍層12的厚度例如是0.3μm以上，優(yōu)選是2μm以上，例如是10μm以下，優(yōu)選是5μm以下。

另外，將鍍層12的在磁頭側(cè)端子58的表面形成的部分設(shè)為磁頭鍍層91。

磁頭鍍層91與磁頭側(cè)端子58的形狀相對應地設(shè)置。具體而言，磁頭鍍層91包覆磁頭側(cè)端子58的前側(cè)部58A的上表面和兩側(cè)面、中央部58B的上表面和兩側(cè)面、后側(cè)部58C的上表面、兩側(cè)面、后表面和下表面。也就是說，磁頭鍍層91以從磁頭側(cè)端子58的上表面繞到下表面的方式形成。另外，磁頭鍍層91的包覆中央部58B的上表面的部分與磁頭鍍層91的包覆后側(cè)部58C的上表面的部分之間形成有臺階。

滑橇4在其前端搭載有能夠讀寫硬盤的信息的磁頭3，形成為俯視大致矩形箱形狀。此外，在磁頭3的前端，與多個磁頭側(cè)端子58相對應地設(shè)有多個(4個)磁頭端子65。

磁頭端子65配置于磁頭3的前端面，位于比磁頭3的下端部靠上側(cè)的位置，在厚度方向具有長度，以面對前側(cè)的方式設(shè)置。

滑橇4借助粘接劑等載置于一對第1底座88和第2底座89，磁頭端子65以面對磁頭側(cè)端子58的上表面的方式與磁頭側(cè)端子58隔開微小間隔地配置于磁頭側(cè)端子58的上側(cè)。

并且，在磁頭側(cè)端子58的上表面設(shè)有磁頭接合材料66。

磁頭接合材料66由例如軟釬料、導電性粘接劑等導電性材料形成。優(yōu)選由低融點的軟釬料形成。作為該低融點的軟釬料，可列舉出例如由錫、銀、銅的合金構(gòu)成的軟釬料、由錫、銀、鉍、銦的合金構(gòu)成的軟釬料、由錫、鋅的合金構(gòu)成的軟釬料、由錫、鉍的合金構(gòu)成的軟釬料、由錫、鉍、銀的合金構(gòu)成的軟釬料等。低融點的軟釬料的融點優(yōu)選是220℃以下。另外，作為導電性粘接劑，可列舉出例如銀糊劑等。

磁頭接合材料66將磁頭側(cè)端子58和磁頭3的磁頭端子65電連接起來。

這樣，通過對鍍層12的厚度進行調(diào)整，使鍍層12接近滑橇4所搭載的磁頭3的磁頭端子65。

壓電元件5是能夠沿著前后方向伸縮的致動器，形成為沿著前后方向延伸的俯視大致矩形形狀。壓電元件5被供給電力，通過對該電力的電壓進行控制，壓電元件5伸縮。此外，在壓電元件5的上部的前側(cè)和后側(cè)分別設(shè)有壓電端子67。如圖2和圖3A所示，沿著寬度方向隔開間隔配置有一對壓電元件5。此時，壓電元件5配置成，從帶電路的懸掛基板1的下側(cè)架設(shè)于后壓電側(cè)端子59A和前壓電側(cè)端子59B，壓電端子67面對壓電側(cè)端子59的下表面。

并且，在壓電側(cè)端子59的上表面設(shè)有壓電接合材料68。壓電接合材料68由例如與形成磁頭接合材料66的導電性材料相同的導電性材料形成。

壓電接合材料68將壓電側(cè)端子59和壓電元件5的壓電端子67電連接起來。

接著，參照圖4A～圖6C對帶電路的懸掛基板1的制造方法進行說明。

在該方法中，如圖4A所示，首先，準備金屬支承基板8。

接下來，如圖4B所示，在金屬支承基板8之上形成基底絕緣層9。

具體而言，在金屬支承基板8之上形成基底絕緣層9作為與主體部絕緣層31(參照圖1)和懸架部絕緣層32相對應的圖案。在懸架部絕緣層32中，基底絕緣層9形成為具有前側(cè)基底層82、后側(cè)基底層85、連接端子開口部45以及位于與磁頭側(cè)端子58相對應的部分的凹部93的圖案。

凹部93以從基底絕緣層9的上表面朝向下側(cè)凹陷的方式形成于連接端子開口部45的前端部。

為了形成形成有凹部93和連接端子開口部45的基底絕緣層9，在金屬支承基板8之上涂敷感光性的絕緣材料的清漆而使該清漆干燥，形成基底覆膜。

之后，隔著未圖示的光掩模對基底覆膜進行曝光。光掩模以圖案具有遮光部分、半透光部分以及全透光部分，使全透光部分與基底覆膜的形成基底絕緣層9(除了形成凹部93和連接端子開口部45的部分。)的部分相對配置，使半透光部分與基底覆膜的形成凹部93的部分相對配置，使遮光部分與基底覆膜的不形成基底絕緣層9的部分和形成連接端子開口部45的部分相對配置來對基底覆膜進行曝光。

之后，通過對基底覆膜進行顯影，根據(jù)需要對其進行加熱固化，以上述的圖案形成具有前側(cè)基底層82、后側(cè)基底層85、凹部93以及連接端子開口部45的基底絕緣層9。

接下來，圖4C所示，在基底絕緣層9的上表面形成導體層10。詳細而言，利用添加法或消減法等圖案形成法、優(yōu)選添加法在基底絕緣層9的上表面形成導體層10。

由此，如參照圖1那樣，導體層10形成為在基底絕緣層9的上表面具有外部側(cè)端子57、磁頭側(cè)端子58、壓電側(cè)端子59以及配線60。此外，磁頭側(cè)端子58的后側(cè)部分以落入凹部93的方式形成。

接下來，如圖5A所示，在基底絕緣層9之上形成第1覆蓋絕緣層71作為具有一對前側(cè)滑橇支承層81和后側(cè)滑橇支承層84的圖案。為了形成具有一對前側(cè)滑橇支承層81和后側(cè)滑橇支承層84的第1覆蓋絕緣層71，在基底絕緣層9和導體層10之上涂敷感光性的絕緣材料的清漆并使該清漆干燥而形成覆蓋覆膜，之后，對覆蓋覆膜進行曝光，接下來，通過顯影而加熱固化，從而以上述的圖案形成。

接下來，如圖5B所示，在第1覆蓋絕緣層71之上形成第2覆蓋絕緣層72。

具體而言，將第2覆蓋絕緣層72形成為具有端子周邊層77、一對前側(cè)滑橇接觸層78(參照圖2和圖3A)以及后側(cè)滑橇接觸層79的圖案。為了形成具有端子周邊層77、一對前側(cè)滑橇接觸層78(參照圖2和圖3A)以及后側(cè)滑橇接觸層79的第2覆蓋絕緣層72，在第1覆蓋絕緣層71之上涂敷感光性的絕緣材料的清漆并使該清漆干燥而形成覆蓋覆膜，之后，對覆蓋覆膜進行曝光，接下來，通過顯影而加熱固化，從而以上述的圖案形成。

由此，如參照圖3A那樣，前側(cè)滑橇接觸層78與所對應的第1覆蓋絕緣層71的前側(cè)滑橇支承層81和基底絕緣層9的前側(cè)基底層82一起構(gòu)成第1底座88。

另外，如圖5B所示，后側(cè)滑橇接觸層79與所對應的第1覆蓋絕緣層71的后側(cè)滑橇支承層84和基底絕緣層9的后側(cè)基底層85一起構(gòu)成第2底座89。

接下來，圖5C所示，利用例如蝕刻等以形成基板開口部16(參照圖1和圖2)和載物臺開口部27的方式對金屬支承基板8進行外形加工。

由此，基底絕緣層9的下表面的形成有凹部93的部分從載物臺開口部27暴露。

接下來，如圖6A所示，將基底絕緣層9中的形成有從載物臺開口部27暴露的凹部93的部分和基底絕緣層9的比凹部93靠前側(cè)的前側(cè)部分局部地去除。具體而言，利用蝕刻、優(yōu)選濕蝕刻等去除。

由此，形成有凹陷部48且磁頭側(cè)端子58的后側(cè)部58C的下表面暴露。

接下來，如圖6B所示，在多個端子、具體而言在外部側(cè)端子57、磁頭側(cè)端子58、壓電側(cè)端子59的表面形成鍍層12。

具體而言，利用非電解鍍、電解鍍等鍍處理、優(yōu)選、電解鍍形成鍍層12。

由此，帶電路的懸掛基板1完成。

接下來，如圖6C所示，在將搭載有磁頭3的滑橇4連接于帶電路的懸掛基板1時，首先，在磁頭側(cè)端子58(鍍層12)之上形成磁頭接合材料66。具體而言，通過利用公知的印刷機印刷上述的導電性材料、或、利用分配器涂敷上述的導電性材料，形成磁頭接合材料66。

接下來，將搭載有磁頭3的滑橇4以由一對第1底座88(參照圖2和圖3A)和第2底座89支承、磁頭端子65位于磁頭側(cè)端子58的上側(cè)的方式配置于帶電路的懸掛基板1的上側(cè)。

并且，利用激光(Xe燈激光)照射、或烙鐵等加熱方法將磁頭接合材料66加熱到其溶融溫度以上。優(yōu)選利用激光照射加熱磁頭接合材料66。

由此，如圖3A和圖3B所示，磁頭接合材料66溶融而流動，磁頭側(cè)端子58和磁頭3的磁頭端子65被電連接。

此時，通過使磁頭接合材料66形成焊腳(日文：フィレット)，能夠?qū)⒋蓬^接合材料66可靠地配置到磁頭端子65的上端部，能夠使磁頭側(cè)端子58和磁頭端子65可靠地電連接。

另外，如圖3A所示，在將壓電元件5連接于帶電路的懸掛基板1時，首先，在壓電側(cè)端子59之下形成壓電接合材料68。具體而言，通過利用公知的印刷機印刷上述的導電性材料、或、利用分配器涂敷上述的導電性材料，形成壓電接合材料68。

并且，將一對壓電元件5以壓電端子67位于所對應的壓電側(cè)端子59的下側(cè)的方式配置于帶電路的懸掛基板1的下側(cè)。

接下來，將配置有壓電元件5的帶電路的懸掛基板1的懸架部14放入回流焊爐內(nèi)而進行加熱，對壓電接合材料68進行回流焊。

回流焊溫度是壓電接合材料68可溶融的溫度以上，例如是100℃以上，優(yōu)選是130℃以上，例如是350℃以下，優(yōu)選是300℃以下。

另外，回流焊時間例如是5秒以上，優(yōu)選是10秒以上，例如是500秒以下，優(yōu)選是300秒以下。

由此，壓電接合材料68由于溶融而流動，將壓電側(cè)端子59和壓電元件5的壓電端子67粘接。

借助壓電側(cè)端子59從電源7向壓電元件5供給電力，通過對該電力的電壓進行控制，壓電元件5沿著前后方向伸縮。通過壓電元件5伸縮，能夠?qū)?的位置進行微調(diào)整。

根據(jù)該帶電路的懸掛基板1，如圖3A和圖3B所示，即使為了進行高度調(diào)整而將包覆磁頭側(cè)端子58的鍍層12形成得較厚，也能夠利用在磁頭側(cè)端子58的周圍形成的第1覆蓋絕緣層71和第2覆蓋絕緣層72的端子周邊層77可靠地保護鍍層12。

另外，能夠根據(jù)滑橇4的位置在第1覆蓋絕緣層71的厚度和第2覆蓋絕緣層72的端子周邊層77的厚度的總和的范圍內(nèi)對鍍層12的厚度進行適當調(diào)整，在厚度方向上使鍍層12接近滑橇4所搭載的磁頭3的磁頭端子65。

因此，能夠使磁頭側(cè)端子58與滑橇4所搭載的磁頭3的磁頭端子65可靠地連接。

另外，根據(jù)該帶電路的懸掛基板1，如圖3A和圖3B所示，前側(cè)基底層82和后側(cè)基底層85由基底絕緣層9形成，前側(cè)滑橇支承層81和后側(cè)滑橇支承層84由第1覆蓋絕緣層71形成，前側(cè)滑橇接觸層78和后側(cè)滑橇接觸層79由第2覆蓋絕緣層72形成，因此，不另外設(shè)置用于支承滑橇4的構(gòu)件，就能夠以包覆配線60的方式形成第1底座88和第2底座89。

根據(jù)該帶電路的懸掛基板1的制造方法，在形成用于保護磁頭側(cè)端子58的鍍層12的第1覆蓋絕緣層71和第2覆蓋絕緣層72的工序中，能夠同時形成前側(cè)滑橇支承層81和后側(cè)滑橇支承層84、前側(cè)滑橇接觸層78和后側(cè)滑橇接觸層79。

因此，能夠一邊利用覆蓋絕緣層11保護鍍層12，一邊不另外增加工序就能夠效率良好地形成第1底座88和第2底座89。

＜第2實施方式＞

接下來，參照圖7對本發(fā)明的第2實施方式的帶電路的懸掛基板1進行說明。此外，在第2實施方式中，對與上述的第1實施方式同樣的構(gòu)件標注同樣的附圖標記，省略其說明。

在上述的第1實施方式中，通過對鍍層12的厚度進行調(diào)整，使鍍層12接近滑橇4所搭載的磁頭3的磁頭端子65。

相對于此，在第2實施方式中，如圖7所示，帶電路的懸掛基板1在磁頭側(cè)端子58與鍍層12之間設(shè)置有作為鍍層的一個例子的追加鍍層99。

追加鍍層99在磁頭側(cè)端子58之上形成。具體而言，以跨著磁頭側(cè)端子58的前側(cè)部58A和中央部58B的方式配置。追加鍍層99由例如銅、鎳、金、軟釬料或它們的合金等導體材料形成，優(yōu)選由銅形成。追加鍍層99的厚度例如是1μm以上，優(yōu)選是2μm以上，例如是10μm以下，優(yōu)選是5μm以下。

另外，在第2實施方式中，鍍層12的厚度例如是0.3μm以上，優(yōu)選是2μm以上，例如是10μm以下，優(yōu)選是5μm以下。

此外，追加鍍層99比鍍層12厚，相對于鍍層12的厚度100％而言，例如是110％以上，優(yōu)選是200％以上，例如是1000％以下，優(yōu)選是500％以下。

并且，追加鍍層99的厚度與在追加鍍層99的表面形成的鍍層12的厚度的總和是第1覆蓋絕緣層71的厚度與第2覆蓋絕緣層72的厚度的總和以下。具體而言，相對于第1覆蓋絕緣層71的厚度與第2覆蓋絕緣層72的厚度的總和100％，是5％以上，優(yōu)選是30％以上，例如是99％以下，優(yōu)選是95％以下。

追加鍍層99在將導體層10形成于基底絕緣層9的上表面之后利用鍍處理形成。鍍處理也可以是電解鍍、非電解鍍中的任一者，但優(yōu)選使用電解鍍，尤其是，優(yōu)選使用電解鍍銅。

在這樣的第2實施方式中，也能夠獲得與第1實施方式同樣的作用效果。

＜變形例＞

在上述的第1實施方式和第2實施方式中，帶電路的懸掛基板1具有用于支承滑橇4的第1底座88和第2底座89，但也可以不具有第1底座88和第2底座89而利用粘接劑層等支承滑橇4。

在這樣的變形例中也能夠獲得與第1實施方式和第2實施方式同樣的作用效果。

此外，作為本發(fā)明的例示的實施方式提供了上述發(fā)明，但這只不過是例示，并不進行限定性解釋。本領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚的本發(fā)明的變形例包含于權(quán)利要求書中。