技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
公開了用于經(jīng)由具有差分閾值電壓的MOS晶體管的使用來提供選擇性閾值電壓特性的系統(tǒng)和方法。在一個示例性實(shí)施例中，提供了一種金屬氧化物半導(dǎo)體器件，其包括具有源極區(qū)、漏極區(qū)和在其之間的溝道區(qū)、在所述溝道區(qū)之上的絕緣層，以及所述絕緣層的柵極部分的半導(dǎo)體材料的襯底。此外，關(guān)于該器件，絕緣層的形狀和/或結(jié)區(qū)的形狀或注入具有在柵極至漏極與柵極至源極結(jié)之間的變化維度，以在其之間提供差分閾值電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：H.V.特倫;S.薩哈
受保護(hù)的技術(shù)使用者：硅存儲技術(shù)公司
技術(shù)研發(fā)日：2011.03.30
技術(shù)公布日：2017.08.25