技術(shù)編號(hào)：11459439
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本案是申請(qǐng)?zhí)枺?01180016681.5，發(fā)明名稱為：包括選擇/差分閾值電壓特征的非易失性存儲(chǔ)器感測(cè)的系統(tǒng)和方法的分案申請(qǐng)。本發(fā)明涉及MOS電路的閾值電壓特性，并且更具體地涉及與諸如閃速存儲(chǔ)器陣列中的那些的MOS器件的差分閾值電壓條件相關(guān)聯(lián)的感測(cè)系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)常規(guī)MOS系統(tǒng)和電路常常使用以指定閾值電壓和飽和特性為特征的MOS器件。此外，某些模擬信號(hào)處理系統(tǒng)、諸如與陣列感測(cè)有關(guān)的那些、通電電路、比較器、比率相關(guān)鎖存、緩沖器驅(qū)動(dòng)及其它電路常常具有諸如增強(qiáng)型裕度、增加的位線/漏泄控制等的需要，...
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