技術總結
本文提供了一種半導體存儲器件及其操作方法，該半導體存儲器件包括：存儲單元陣列，包括多個存儲單元；外圍電路，被配置成執(zhí)行對存儲單元陣列的編程操作或擦除操作；以及控制邏輯，被配置成控制外圍電路，使得在編程操作的第一編程操作期間施加給存儲單元陣列的位線的第一編程容許電壓與在編程操作的第二編程操作期間施加的第二編程容許電壓彼此不同。

技術研發(fā)人員：李映勛
受保護的技術使用者：愛思開海力士有限公司
文檔號碼：201610121875
技術研發(fā)日：2016.03.03
技術公布日：2017.03.22