1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：
存儲(chǔ)單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；
外圍電路，被配置成執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)單元陣列的編程操作或擦除操作；以及
控制邏輯，被配置成控制外圍電路，使得在編程操作的第一編程操作期間施加給存儲(chǔ)單元陣列的位線的第一編程容許電壓與在編程操作的第二編程操作期間施加的第二編程容許電壓彼此不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，第一編程容許電壓具有比第二編程容許電壓低的電勢(shì)電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，外圍電路包括：
電壓發(fā)生器，被配置成產(chǎn)生在第一編程操作期間要施加給存儲(chǔ)單元陣列的字線的設(shè)定編程電壓以及在第二編程操作期間要施加給字線的正常編程電壓；以及
讀寫電路，被配置成在第一編程操作和第二編程操作期間施加第一編程容許電壓和第二編程容許電壓給位線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，設(shè)定編程電壓具有比正常編程電壓中的第一正常編程電壓高的電勢(shì)電平。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，設(shè)定編程電壓具有比正常編程電壓中的第一正常編程電壓長(zhǎng)的施加時(shí)間。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，電壓發(fā)生器產(chǎn)生具有不同電勢(shì)電平和不同施加時(shí)間的設(shè)定編程電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，在執(zhí)行第二編程操作之前執(zhí)行第一編程操作。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，控制邏輯控制外圍電路，使得在擦除操作的第一擦除操作期間施加給存儲(chǔ)單元陣列的字線的第一擦除控制電壓與在擦除操作的第二擦除操作期間施加給字線的第二擦除控制電壓彼此不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，第一擦除控制電壓具有比第二擦除控制電壓低的電勢(shì)電平。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，外圍電路包括電壓發(fā)生器，電壓發(fā)生器被配置成產(chǎn)生在第一擦除操作期間要施加給存儲(chǔ)單元陣列的源極線的設(shè)定擦除電壓以及在第二擦除操作期間要施加給源極線的正常擦除電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，設(shè)定擦除電壓具有比正常擦除電壓中的第一正常擦除電壓高的電勢(shì)電平。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，設(shè)定擦除電壓具有比正常擦除電壓中的第一正常擦除電壓長(zhǎng)的施加時(shí)間。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，電壓發(fā)生器產(chǎn)生具有不同電勢(shì)電平和不同施加時(shí)間的設(shè)定擦除電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，在執(zhí)行第二擦除操作之前執(zhí)行第一擦除操作。
15.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的編程操作方法，所述方法包括：
施加第一編程容許電壓給包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)或更多個(gè)位線；
施加設(shè)定編程電壓給從存儲(chǔ)單元陣列的多個(gè)字線之中選中的字線；
施加第二編程容許電壓給所述一個(gè)或更多個(gè)位線；以及
繼續(xù)施加正常編程電壓給選中的字線。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，
其中，第一編程容許電壓具有比第二編程容許電壓低的電勢(shì)電平。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，
其中，設(shè)定編程電壓具有比正常編程電壓中的第一正常編程電壓高的電勢(shì)電平或具有比第一正常編程電壓長(zhǎng)的施加時(shí)間。
18.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的擦除操作方法，所述方法包括：
施加第一擦除控制電壓給包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元陣列的字線；
施加設(shè)定擦除電壓給存儲(chǔ)單元陣列的源極線；
施加第二擦除控制電壓給字線；以及
繼續(xù)施加正常擦除電壓給源極線。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，
其中，第一擦除控制電壓具有比第二擦除控制電壓低的電勢(shì)電平。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，
其中，設(shè)定擦除電壓具有比正常擦除電壓中的第一擦除電壓高的電勢(shì)電平或具有比第一擦除電壓長(zhǎng)的施加時(shí)間。
21.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：
存儲(chǔ)單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；
外圍電路，被配置成執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)單元陣列的編程操作或擦除操作；以及
控制邏輯，被配置成根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的當(dāng)前溫度與預(yù)定溫度之間的差，來控制外圍電路調(diào)節(jié)在編程操作的第一編程操作期間施加給存儲(chǔ)單元陣列的設(shè)定編程電壓的電勢(shì)電平或施加時(shí)間。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，控制邏輯包括溫度檢測(cè)器，溫度檢測(cè)器被配置成檢測(cè)當(dāng)前溫度與預(yù)定溫度之間的差。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，控制邏輯控制外圍電路在第一編程操作之后執(zhí)行第二編程操作，以及
控制外圍電路，使得第二編程操作的第一正常編程電壓具有比設(shè)定編程電壓低的電勢(shì)電平或短的施加時(shí)間。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，控制邏輯控制外圍電路，使得在第一編程操作期間施加給存儲(chǔ)單元陣列的位線的第一編程容許電壓和在第二編程操作期間施加的第二編程容許電壓彼此不同。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，控制邏輯根據(jù)當(dāng)前溫度與預(yù)定溫度之間的差來調(diào)節(jié)第一編程容許電壓與第二 編程容許電壓之間的差。
26.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：
存儲(chǔ)單元陣列，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；
外圍電路，被配置成執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)單元陣列的編程操作和擦除操作；以及
控制邏輯，被配置成根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的編程/擦除循環(huán)的當(dāng)前計(jì)數(shù)與編程/擦除循環(huán)的預(yù)定計(jì)數(shù)之間的差，來控制外圍電路調(diào)節(jié)在編程操作的第一編程操作期間施加給存儲(chǔ)單元陣列的設(shè)定編程電壓的電勢(shì)電平或施加時(shí)間。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，控制邏輯包括計(jì)數(shù)器，計(jì)數(shù)器被配置成檢測(cè)編程/擦除循環(huán)的當(dāng)前計(jì)數(shù)與編程/擦除循環(huán)的預(yù)定計(jì)數(shù)之間的差。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，控制邏輯控制外圍電路來在第一編程操作之后執(zhí)行第二編程操作，以及
控制外圍電路，使得第二編程操作的第一正常編程電壓具有比設(shè)定編程電壓低的電勢(shì)電平或短的施加時(shí)間。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，控制邏輯控制外圍電路，使得在第一編程操作期間施加給存儲(chǔ)單元陣列的位線的第一編程容許電壓和在編程操作的第二編程操作中施加的第二編程容許電壓彼此不同。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，
其中，控制邏輯根據(jù)編程/擦除循環(huán)的當(dāng)前計(jì)數(shù)與編程/擦除循環(huán)的預(yù)定計(jì)數(shù)之間的差來調(diào)節(jié)第一編程容許電壓與第二編程容許電壓之間的差。