技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)裝置包括：存儲(chǔ)單元，其布置在第一配線和第二配線的交叉部處，并包括可變電阻元件，可變電阻元件的電阻狀態(tài)在第一電阻狀態(tài)與第二電阻狀態(tài)之間變化；寫入電路，其將可變電阻元件從第一電阻狀態(tài)改變成第二電阻狀態(tài)，并由此將數(shù)據(jù)寫入在存儲(chǔ)單元上；以及電流控制器，其對(duì)在執(zhí)行數(shù)據(jù)的寫入時(shí)由寫入電路在第一配線或第二配線中引起的流動(dòng)的電流進(jìn)行控制，并由此將在第一配線或第二配線中流動(dòng)的電流限制成預(yù)定限制電流值。電流控制器在可變電阻元件被改變成第二電阻狀態(tài)之前的時(shí)段內(nèi)將預(yù)定限制電流值設(shè)定成第一限制電流值，并在可變電阻元件被改變成第二電阻狀態(tài)之后將預(yù)定限制電流值從第一限制電流值改變成第二限制電流值。

技術(shù)研發(fā)人員：森陽(yáng)太郎;北川真
受保護(hù)的技術(shù)使用者：索尼半導(dǎo)體解決方案公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.09.29
技術(shù)公布日：2017.09.08