技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種存儲(chǔ)單元的編程方法和裝置，該編程方法包括：對(duì)需要編程的存儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓，以控制所述存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓升高并得到第一閾值電壓，其中，所述第一閾值電壓小于預(yù)設(shè)閾值電壓；按照設(shè)定規(guī)則向所述存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制第i-1閾值電壓升高，直至達(dá)到所述預(yù)設(shè)閾值電壓，其中，i＝2，3，4，…。本發(fā)明通過多次編程過程對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，以及在不同編程過程中向存儲(chǔ)單元上施加不同的柵極電壓以逐步提高存儲(chǔ)單元的閾值電壓，使其達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓，則每一次編程過程中的柵源電壓與閾值電壓的差值較小，相應(yīng)所需的編程電流較低，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)芯片的低功耗編程。

技術(shù)研發(fā)人員：舒清明;卜爾龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510886221
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.04
技術(shù)公布日：2017.06.13