本發(fā)明實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器技術(shù)，尤其涉及一種存儲(chǔ)單元的編程方法和裝置。

背景技術(shù)：

眾所周知，非易失性存儲(chǔ)器芯片中包括復(fù)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元，而存儲(chǔ)單元的狀態(tài)又包括編程狀態(tài)和擦除狀態(tài)，對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程即是將存儲(chǔ)單元的擦除狀態(tài)編程至編程狀態(tài)，其中，存儲(chǔ)單元狀態(tài)的變化與其閾值電壓相關(guān)。

現(xiàn)有技術(shù)中編程存儲(chǔ)單元的方法為：在存儲(chǔ)單元上施加很高的柵極電壓，通過一次編程的方式將擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)單元直接編程至編程狀態(tài)，即是通過很高的柵極電壓將存儲(chǔ)單元的低閾值電壓升高至高閾值電壓。當(dāng)存儲(chǔ)單元升高至高閾值電壓時(shí)，存儲(chǔ)單元處于編程狀態(tài)，此時(shí)該存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)發(fā)生改變。

在此編程過程中，由于擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓(VTH)較低，柵極電壓(VG)很高、相應(yīng)的柵源電壓(VGS)很高，且編程電流與(VGS-VTH)成正比，因此存儲(chǔ)單元在編程過程中所需的編程電流很大，導(dǎo)致存儲(chǔ)器芯片總體編程功耗較大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)單元的編程方法和裝置，以減小存儲(chǔ)單元的編程電流、降低存儲(chǔ)器芯片的編程功耗。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)單元的編程方法，該編程方法包 括：

對(duì)需要編程的存儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓，以控制所述存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓升高并得到第一閾值電壓，其中，所述第一閾值電壓小于預(yù)設(shè)閾值電壓；

按照設(shè)定規(guī)則向所述存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制第i-1閾值電壓升高，直至達(dá)到所述預(yù)設(shè)閾值電壓，其中，i＝2，3，4，…。

進(jìn)一步地，對(duì)需要編程的存儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓之前，還包括：

檢測(cè)所述存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓是否小于所述預(yù)設(shè)閾值電壓；

若是，則判定所述存儲(chǔ)單元需要編程。

進(jìn)一步地，所述第一柵極電壓大于所述存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓。

進(jìn)一步地，所述設(shè)定規(guī)則包括：第i柵極電壓大于第i-1柵極電壓；或者，

所述設(shè)定規(guī)則包括：以設(shè)定電壓值為步長(zhǎng)，提高第i-1柵極電壓的電壓值以形成第i柵極電壓。

進(jìn)一步地，按照設(shè)定規(guī)則向所述存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制第i-1閾值電壓升高，直至達(dá)到所述預(yù)設(shè)閾值電壓包括：

按照設(shè)定規(guī)則向所述存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制所述第i-1閾值電壓升高，并得到第i閾值電壓；

檢測(cè)所述第i閾值電壓是否達(dá)到所述預(yù)設(shè)閾值電壓；

若否，則返回并繼續(xù)按照設(shè)定規(guī)則向所述存儲(chǔ)單元施加?xùn)艠O電壓。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種存儲(chǔ)單元的編程裝置，該編程裝置包括：

第一閾值電壓控制模塊，用于對(duì)需要編程的存儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓， 以控制所述存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓升高并得到第一閾值電壓，其中，所述第一閾值電壓小于預(yù)設(shè)閾值電壓；

預(yù)設(shè)閾值電壓控制模塊，用于按照設(shè)定規(guī)則向所述存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制第i-1閾值電壓升高，直至達(dá)到所述預(yù)設(shè)閾值電壓，其中，i＝2，3，4，…。

進(jìn)一步地，還包括：

編程檢測(cè)模塊，用于在對(duì)需要編程的存儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓之前，檢測(cè)所述存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓是否小于所述預(yù)設(shè)閾值電壓；

編程判定模塊，用于當(dāng)檢測(cè)到所述存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓小于所述預(yù)設(shè)閾值電壓時(shí)，判定所述存儲(chǔ)單元需要編程。

進(jìn)一步地，所述第一柵極電壓大于所述存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓。

進(jìn)一步地，所述設(shè)定規(guī)則包括：第i柵極電壓大于第i-1柵極電壓；或者，

所述設(shè)定規(guī)則包括：以設(shè)定電壓值為步長(zhǎng)，提高第i-1柵極電壓的電壓值以形成第i柵極電壓。

進(jìn)一步地，所述預(yù)設(shè)閾值電壓控制模塊包括：

閾值電壓控制單元，用于按照設(shè)定規(guī)則向所述存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制所述第i-1閾值電壓升高，并得到第i閾值電壓；

閾值電壓檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述第i閾值電壓是否達(dá)到所述預(yù)設(shè)閾值電壓；

柵極電壓控制單元，用于當(dāng)檢測(cè)到所述第i閾值電壓未達(dá)到所述預(yù)設(shè)閾值電壓時(shí)，返回并繼續(xù)按照設(shè)定規(guī)則向所述存儲(chǔ)單元施加?xùn)艠O電壓。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)單元編程方法和裝置，通過對(duì)需要編程的存 儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓，以控制存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓升高并得到第一閾值電壓，其中，第一閾值電壓小于預(yù)設(shè)閾值電壓，再按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制第i-1閾值電壓升高，直至達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明中通過多次編程過程對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，以及在不同編程過程中向存儲(chǔ)單元上施加不同的柵極電壓以逐步提高存儲(chǔ)單元的閾值電壓，使其達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓，則每一次編程過程中的柵源電壓與閾值電壓的差值較小，相應(yīng)所需的編程電流較低，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)芯片的低功耗編程。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖做一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種存儲(chǔ)單元編程方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種存儲(chǔ)單元編程方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種存儲(chǔ)單元編程裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下將參照本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，通過實(shí)施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施 例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所述，為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種存儲(chǔ)單元編程方法的流程圖。本實(shí)施例的技術(shù)方案適用于降低存儲(chǔ)芯片編程功耗的情況，該方法可以由存儲(chǔ)單元編程裝置來執(zhí)行，并配置在存儲(chǔ)芯片中應(yīng)用，存儲(chǔ)芯片優(yōu)選為非易失性存儲(chǔ)芯片。

本實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)單元的編程方法，具體包括如下步驟：

S110、對(duì)需要編程的存儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓，以控制存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓升高并得到第一閾值電壓，其中，第一閾值電壓小于預(yù)設(shè)閾值電壓。

如上所述，存儲(chǔ)芯片上包括復(fù)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元，在此存儲(chǔ)單元是指存儲(chǔ)芯片中的任意一個(gè)需要編程的存儲(chǔ)單元。存儲(chǔ)芯片內(nèi)預(yù)先設(shè)置有預(yù)設(shè)閾值電壓，對(duì)存儲(chǔ)單元的編程即是將存儲(chǔ)單元的閾值電壓調(diào)整為預(yù)設(shè)閾值電壓，在此需要編程的存儲(chǔ)單元即是閾值電壓未達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓的存儲(chǔ)單元。

具體首先在該需要編程的存儲(chǔ)單元上施加第一柵極電壓以使其閾值電壓升高，可通過在存儲(chǔ)單元上施加至少一次第一柵極電壓以使存儲(chǔ)單元的閾值電壓逐漸升高。如僅在存儲(chǔ)單元上施加2μs的第一柵極電壓使得閾值電壓升高，該次編程結(jié)束；或者，先在存儲(chǔ)單元上施加2μs的第一柵極電壓使得閾值電壓升高，間隔一定時(shí)間后再次施加5μs的第一柵極電壓使得閾值電壓升高，該次編程結(jié)束。因此在向存儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓的過程中，存儲(chǔ)單元的閾值電壓為動(dòng)態(tài)變化，將編程結(jié)束后的閾值電壓設(shè)定為第一閾值電壓。

上述操作中，柵源電壓和閾值電壓的差值與編程電流成正比，在存儲(chǔ)單元上施加第一柵極電壓且得到的第一閾值電壓小于預(yù)設(shè)閾值電壓，則與現(xiàn)有技術(shù) 相比，第一柵極電壓較小，相應(yīng)的柵源電壓與存儲(chǔ)單元初始閾值電壓差值小，所需編程電流較低。

S120、按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制第i-1閾值電壓升高，直至達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓，其中，i＝2，3，4，…。

如上所述，按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，當(dāng)前依次為第二柵極電壓，即進(jìn)行第二次編程，在存儲(chǔ)單元上施加至少一次第二柵極電壓的過程中，第一閾值電壓逐步升高，編程結(jié)束后得到第二閾值電壓。當(dāng)?shù)诙撝惦妷何催_(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓時(shí)，繼續(xù)按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第三柵極電壓，進(jìn)行第三次編程，以控制存儲(chǔ)單元的閾值電壓升高。依次類推，按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，進(jìn)行第i次編程，以控制第i-1閾值電壓升高，直至存儲(chǔ)單元的閾值電壓升高至預(yù)設(shè)閾值電壓為止，對(duì)存儲(chǔ)單元的編程完成。

上述操作中，第i柵極電壓與第i-1閾值電壓的差值小，則在該次編程過程中，相應(yīng)的柵源電壓與閾值電壓差值小、所需編程電流較低，且在該次編程過程中，隨著閾值電壓的逐步升高相應(yīng)的編程電流越來越低。通過S110～S120可對(duì)存儲(chǔ)芯片中任意一個(gè)需要編程的存儲(chǔ)單元進(jìn)行多次編程過程，以實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)單元的編程，使其閾值電壓逐步提高至預(yù)設(shè)閾值電壓。

本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種存儲(chǔ)單元編程方法，通過對(duì)需要編程的存儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓，以控制存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓升高并得到第一閾值電壓，其中，第一閾值電壓小于預(yù)設(shè)閾值電壓，再按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制第i-1閾值電壓升高，直至達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例中通過多次編程過程對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，以及在不同編程過程中向存儲(chǔ)單元上施加不同的柵極電壓以逐步提高存儲(chǔ)單元的閾值電壓，使 其達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓，則每一次編程過程中的柵源電壓與閾值電壓的差值較小，相應(yīng)所需的編程電流較低，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)芯片的低功耗編程。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，如圖2所示，在步驟S110之前，優(yōu)選還包括：

S101、檢測(cè)存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓是否小于預(yù)設(shè)閾值電壓。

如上所述，存儲(chǔ)芯片中還可能包括不需要編程的存儲(chǔ)單元，為了降低存儲(chǔ)芯片的功耗，存儲(chǔ)芯片僅對(duì)需要編程的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，因此在對(duì)選址的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程之前，存儲(chǔ)芯片需要檢測(cè)該存儲(chǔ)單元是否需要編程。在此具體檢測(cè)過程為存儲(chǔ)芯片檢測(cè)該存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓是否小于預(yù)設(shè)閾值電壓，以根據(jù)檢測(cè)結(jié)果判斷是否需要進(jìn)行編程。

S102、若是，則判定存儲(chǔ)單元需要編程。

如上所述，當(dāng)存儲(chǔ)芯片檢測(cè)到該存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓小于預(yù)設(shè)閾值電壓時(shí)，存儲(chǔ)芯片判定該存儲(chǔ)單元需要進(jìn)行編程，則存儲(chǔ)芯片通過后續(xù)操作對(duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，使其閾值電壓達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓。當(dāng)存儲(chǔ)芯片檢測(cè)到該存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓即為預(yù)設(shè)閾值電壓時(shí)，存儲(chǔ)芯片判定該存儲(chǔ)單元不需要編程。

需要說明的是，當(dāng)存儲(chǔ)芯片對(duì)當(dāng)前存儲(chǔ)單元編程完成后或檢測(cè)到該當(dāng)前存儲(chǔ)單元不需要編程時(shí)，存儲(chǔ)芯片尋址下一個(gè)存儲(chǔ)單元，并對(duì)該下一個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程檢測(cè)。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，第一柵極電壓大于存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓。存儲(chǔ)芯片在判定當(dāng)前存儲(chǔ)單元需要編程時(shí)，說明該存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓小 于預(yù)設(shè)閾值電壓，則存儲(chǔ)芯片通過對(duì)該存儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓使其閾值電壓升高，因此第一柵極電壓需大于存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓才能使存儲(chǔ)單元的閾值電壓升高。

示例性的，在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，設(shè)定規(guī)則包括：第i柵極電壓大于第i-1柵極電壓。如上所述，存儲(chǔ)芯片通過在存儲(chǔ)單元上施加不同的柵極電壓以逐步提高存儲(chǔ)單元的閾值電壓，因此存儲(chǔ)芯片通過在存儲(chǔ)單元上施加逐步提高的柵極電壓，可使存儲(chǔ)單元的閾值電壓逐步提高，直至達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓。在每一次編程過程中，由于柵源電壓與閾值電壓的差值較小，因此所需的編程電流較低，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)芯片的低功耗編程。在此測(cè)試人員可根據(jù)需要自行設(shè)計(jì)不同柵極電壓的電壓值大小，以在不同柵極電壓的作用下，使存儲(chǔ)單元的閾值電壓逐步提高。

或者，示例性的，設(shè)定規(guī)則包括：以設(shè)定電壓值為步長(zhǎng)，提高第i-1柵極電壓的電壓值以形成第i柵極電壓。在此測(cè)試人員預(yù)先設(shè)定電壓值，如1V，則在第一柵極電壓的電壓值上增加設(shè)定電壓值(1V)后將得到的電壓值作為第二柵極電壓的電壓值施加在存儲(chǔ)單元上，使得存儲(chǔ)單元的閾值電壓升高。依次類推，直至存儲(chǔ)單元的閾值電壓升高至預(yù)設(shè)閾值電壓。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，如圖2所示，步驟S120可通過以下方式實(shí)現(xiàn)：

S121、按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制第i-1閾值電壓升高，并得到第i閾值電壓。

如上所述，按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，依次地，當(dāng)前施 加第二柵極電壓后可得到第二閾值電壓。在此可通過多次施加第二柵極電壓以使存儲(chǔ)單元的第一閾值電壓升高，并得到第二閾值電壓。

S122、檢測(cè)第i閾值電壓是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓。

如上所述，根據(jù)預(yù)設(shè)閾值電壓對(duì)第二閾值電壓進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)第二閾值電壓是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓。

S123、若否，則返回并繼續(xù)按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加?xùn)艠O電壓。

如上所述，若檢測(cè)到第二閾值電壓達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓，則對(duì)該存儲(chǔ)單元的編程完成，此時(shí)該存儲(chǔ)單元通過分兩次編程過程，使存儲(chǔ)單元達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓。若檢測(cè)到第二閾值電壓未達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓，則通過返回S111并按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第三柵極電壓以進(jìn)行后續(xù)流程，通過S111～S123的循環(huán)，逐步提高存儲(chǔ)單元的閾值電壓，直至存儲(chǔ)單元的閾值電壓達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓時(shí)，該存儲(chǔ)單元的編程完成。

上述操作中，在每一次編程過程中，柵源電壓與閾值電壓的差值較小，因此編程過程中所需的編程電流較小，相應(yīng)降低了存儲(chǔ)芯片的功耗。

如圖3所述，為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種存儲(chǔ)單元編程裝置的示意圖。本實(shí)施例的技術(shù)方案適用于降低存儲(chǔ)芯片編程功耗的情況，該裝置可以執(zhí)行上述實(shí)施例所述的存儲(chǔ)單元編程方法，并配置在存儲(chǔ)芯片中應(yīng)用，存儲(chǔ)芯片優(yōu)選為非易失性存儲(chǔ)芯片。

本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)單元的編程裝置，包括：第一閾值電壓控制模塊210和預(yù)設(shè)閾值電壓控制模塊220。

其中，第一閾值電壓控制模塊210用于對(duì)需要編程的存儲(chǔ)單元施加第一柵 極電壓，以控制存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓升高并得到第一閾值電壓，其中，第一閾值電壓小于預(yù)設(shè)閾值電壓；預(yù)設(shè)閾值電壓控制模塊220用于按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制第i-1閾值電壓升高，直至達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓，其中，i＝2，3，4，…。

可選地，還包括：編程檢測(cè)模塊201和編程判定模塊202。

其中，編程檢測(cè)模塊201用于在對(duì)需要編程的存儲(chǔ)單元施加第一柵極電壓之前，檢測(cè)所述存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓是否小于所述預(yù)設(shè)閾值電壓；編程判定模塊202用于當(dāng)檢測(cè)到所述存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓小于所述預(yù)設(shè)閾值電壓時(shí)，判定所述存儲(chǔ)單元需要編程。

可選地，第一柵極電壓大于存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓。

可選地，設(shè)定規(guī)則包括：第i柵極電壓大于第i-1柵極電壓；或者，設(shè)定規(guī)則包括：以設(shè)定電壓值為步長(zhǎng)，提高第i-1柵極電壓的電壓值以形成第i柵極電壓。

可選地，預(yù)設(shè)閾值電壓控制模塊220包括：閾值電壓控制單元221、閾值電壓檢測(cè)單元222和柵極電壓控制單元223。

其中，閾值電壓控制單元221用于按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加第i柵極電壓，以控制第i-1閾值電壓升高，并得到第i閾值電壓；閾值電壓檢測(cè)單元222用于檢測(cè)第i閾值電壓是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓；柵極電壓控制單元223用于當(dāng)檢測(cè)到第i閾值電壓未達(dá)到預(yù)設(shè)閾值電壓時(shí)，返回并繼續(xù)按照設(shè)定規(guī)則向存儲(chǔ)單元施加?xùn)艠O電壓。

該裝置的工作過程為：首先檢測(cè)該存儲(chǔ)單元的初始閾值電壓是否小于預(yù)設(shè)閾值電壓，若是則判定該存儲(chǔ)單元需要編程；對(duì)該需要編程的存儲(chǔ)單元先施加 較低的第一柵極電壓進(jìn)行編程，以提高其閾值電壓；逐步提高施加在存儲(chǔ)單元上的柵極電壓，直至將存儲(chǔ)單元的閾值電壓提高至預(yù)設(shè)閾值電壓值。每次編程過程中所需的編程電流與(VGS-VTH)成正比，由于存儲(chǔ)單元的柵極電壓按設(shè)定規(guī)則增加以使閾值電壓逐步提高，因此每一次編程過程中柵源電壓與閾值電壓的差值較小。以第三次編程過程為例，柵源電壓與第二閾值電壓的差值較小，編程電流較低，隨著第二閾值電壓的升高，在該次編程過程中所需的編程電流越來越低。

具體地，當(dāng)存儲(chǔ)單元編程完成后，存儲(chǔ)單元的閾值電壓為預(yù)設(shè)閾值電壓，存儲(chǔ)單元的狀態(tài)為編程狀態(tài)，在后續(xù)的使用過程中，根據(jù)閾值電壓對(duì)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)進(jìn)行判斷。如在存儲(chǔ)單元上施加6V的柵極電壓，讀出來為0則判定存儲(chǔ)單元為編程單元，讀出來為1則判定存儲(chǔ)單元為擦除單元。

本實(shí)施例提供的存儲(chǔ)單元編程裝置通過分多次對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，逐步提高其閾值電壓，相應(yīng)減小了每次編程時(shí)所需的編程電流，也降低了編程功耗。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。