一種阻變存儲器及采用其實現(xiàn)多值存儲的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種阻變存儲器及采用其實現(xiàn)多值存儲的方法，所述阻變存儲器包括：一基片；一第一端電極，設(shè)置于基片上；一經(jīng)等離子處理過的阻變存儲介質(zhì)，設(shè)置于第一端電極的右側(cè)或上方；一第二端電極，設(shè)置于阻變存儲介質(zhì)的右側(cè)。采用所述阻變存儲器實現(xiàn)多值存儲的方法為：采用限制流經(jīng)阻變存儲介質(zhì)電流的方式，對阻變存儲介質(zhì)的阻態(tài)進(jìn)行調(diào)整。通過不同限制電流獲得阻變存儲介質(zhì)的不同阻態(tài)，從而重復(fù)、穩(wěn)定地實現(xiàn)多值存儲。
【專利說明】-種阻變存儲器及采用其實現(xiàn)多值存儲的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種阻變存儲器及采用其實現(xiàn)多值 存儲的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 阻變存儲器（RRAM)通常由簡單三明治結(jié)構(gòu)（電極/存儲介質(zhì)/電極)構(gòu)成，通過施 加電信號，改變存儲材料的電阻狀態(tài)，從而實現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)的存儲功能(高阻代表" 1"，低阻代表 "〇")。信息時代對數(shù)據(jù)量有很強(qiáng)的需求，因此，如何獲得更高存儲密度是人們不斷追求的目 標(biāo)。其中一個可行的方案就是多值存儲，即，在一個存儲單元中盡可能多地存儲數(shù)據(jù)。單位 面積的存儲量也將因此提高。一般的多值存儲需要在高低阻態(tài)間尋找到若干個穩(wěn)定、可重 復(fù)的中間電阻態(tài)，從而滿足數(shù)字電路對存儲狀態(tài)數(shù)的要求（2 n個阻態(tài)，其中η是大于1的整 數(shù))。然而，這些中間電阻態(tài)的重復(fù)性和穩(wěn)定性往往不易控制，這也大大阻礙了多值存儲的 產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于提供一種可以重復(fù)、穩(wěn)定地實現(xiàn)多值存儲的阻變存儲器及采用 其實現(xiàn)多值存儲的方法。
[0004] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種阻變存儲器，包括： 一基片； 一第一端電極，設(shè)置于所述基片上； 一經(jīng)等離子處理過的阻變存儲介質(zhì)，設(shè)置于所述第一端電極的右側(cè)或上方； 一第二端電極，若所述阻變存儲介質(zhì)設(shè)置于所述第一端電極的右側(cè)，則所述第二端電 極設(shè)置于所述阻變存儲介質(zhì)的右側(cè)，若所述阻變存儲介質(zhì)設(shè)置于所述第一端電極的上方， 則所述第二端電極設(shè)置于所述阻變存儲介質(zhì)的上方。
[0005] 在本發(fā)明一實施例中，所述第一端電極和第二端電極的材質(zhì)為導(dǎo)電金屬、金屬合 金、導(dǎo)電金屬化合物或半導(dǎo)體，所述阻變存儲介質(zhì)的材質(zhì)為半導(dǎo)體或絕緣體。
[0006] 在本發(fā)明一實施例中，所述導(dǎo)電金屬為Ta、Cu、Pt、Au、W、Ni或Ag ;所述金屬合金 為 Pt/Ti、Ti/Ta、Cu/Ti、Cu/Au、Cu/Al、Ti/W 或 Al/Zr ;所述導(dǎo)電金屬化合物為 TiN、TiW、 TaN或WSi;所述半導(dǎo)體為Si、Ge、Zn0、IT0、GZ0、AZ0、FT0、Cu0、Cu 20或Ni0;所述絕緣體為 Hf02、Al203、Ti02、Mg0 或 Si02。
[0007] 在本發(fā)明一實施例中，所述阻變存儲器的制備方法包括以下步驟： A1)在基片上通過磁控濺射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD或蒸發(fā)的方法制作第一端電 極； A 2)在所述第一端電極的右側(cè)或上方設(shè)置經(jīng)等離子處理過的阻變存儲介質(zhì)，并與所述 第一端電極形成良好電接觸； A 3)在所述阻變存儲介質(zhì)的右側(cè)或上方通過磁控濺射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD* 蒸發(fā)的方法制作第二端電極，并與所述阻變存儲介質(zhì)形成良好電接觸。
[0008] 在本發(fā)明一實施例中，所述阻變存儲介質(zhì)的制備方法為：通過CVD法生長納米線 或通過光刻/曝光法圖形化加工形成線狀阻變存儲介質(zhì)。
[0009] 在本發(fā)明一實施例中，所述阻變存儲介質(zhì)的制備方法為：通過磁控濺射、PECVD、 MOCVD、ALD、MBE、PLD或蒸發(fā)的方法形成薄膜狀阻變存儲介質(zhì)。
[0010] 在本發(fā)明一實施例中，對所述阻變存儲介質(zhì)的等離子處理包括以下步驟： B1)將所述阻變存儲介質(zhì)放置于真空腔室中，并抽真空； B2)在所述真空腔室中通入Ar、N2、02、NH3、H2、CHF 3、CF4、SF6氣體中的一種或幾種，并保 持腔室氣壓為f l〇〇〇Pa ; B3)施加1(T300W功率于腔室內(nèi)的氣體，使其成為等離子，并保持等離子對阻變存儲介 質(zhì)作用l〇?3600s。 toon] 本發(fā)明還提供一種采用上述阻變存儲器實現(xiàn)多值存儲的方法，采用限制流經(jīng)阻變 存儲介質(zhì)電流的方式，對阻變存儲介質(zhì)的阻態(tài)進(jìn)行調(diào)整，通過不同限制電流獲得阻變存儲 介質(zhì)的不同阻態(tài)，從而實現(xiàn)多值存儲。
[0012] 在本發(fā)明一實施例中，實現(xiàn)阻變存儲器η個阻態(tài)的方法為： C1)在處于第1阻態(tài)Ri的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為L，阻變存儲器獲得第2阻態(tài)R2，其中IPO, R2〈Ri ; C2)在處于第i阻態(tài)氏的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為Ii，阻變存儲器獲得第i+Ι阻態(tài)Ri+1，其中ipig，Ri+1〈Ri ;i為整數(shù)，2彡i彡η-1，η為 不小于2的整數(shù)。
[0013] 在本發(fā)明一實施例中，實現(xiàn)阻變存儲器的4個阻態(tài)，包括以下步驟： D1)在處于第1阻態(tài)&的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為L，阻變存儲器獲得第2阻態(tài)R2，其中IPO, R2〈Ri ; D2)在處于第2阻態(tài)R2的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為12，阻變存儲器獲得第3阻態(tài)R3，其中I2> Ip R3〈R2 ; D3)在處于第3阻態(tài)R3的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為13，阻變存儲器獲得第4阻態(tài)R4，其中13> 12, R4〈R3 ; 從而實現(xiàn)在一個阻變存儲器中保存4個狀態(tài)，即2比特的多值存儲功能。
[0014] 本發(fā)明的有益效果是提供了一種阻變存儲器及采用其實現(xiàn)多值存儲的方法，該方 法基于經(jīng)等離子處理過的阻變存儲介質(zhì)，采用限制流經(jīng)阻變存儲介質(zhì)電流的方式，對阻變 存儲介質(zhì)的阻態(tài)進(jìn)行調(diào)整，通過不同限制電流獲得阻變存儲介質(zhì)的不同阻態(tài)，從而穩(wěn)定地 實現(xiàn)多值存儲功能，具有很強(qiáng)的實用性和廣闊的應(yīng)用前景。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1為本發(fā)明中阻變存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016] 圖2為本發(fā)明中作為阻變存儲介質(zhì)的氧化鋅納米線（Ar等離子處理和未處理樣 品）的HRTEM影像圖。
[0017] 圖3為本發(fā)明中作為阻變存儲介質(zhì)的氧化鋅納米線（Ar等離子處理和未處理樣 品）的PL譜圖。
[0018] 圖4為本發(fā)明中經(jīng)Ar等離子處理氧化鋅納米線的阻變循環(huán)擦寫特性圖。
[0019] 圖5為本發(fā)明中未經(jīng)等離子處理氧化鋅納米線的阻變循環(huán)擦寫特性圖。
[0020] 圖示說明：01_基片，02-第一端電極，03-阻變存儲介質(zhì)，04-第二端電極。

【具體實施方式】
[0021] 本發(fā)明提供優(yōu)選實施例，只用于對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明，不應(yīng)該被認(rèn)為僅限于 在此闡述的實施例，也不能理解為對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，該領(lǐng)域技術(shù)熟練人員根據(jù)上 述
【發(fā)明內(nèi)容】
對本發(fā)明做出的一些非本質(zhì)的改進(jìn)和調(diào)整，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。下述優(yōu) 選實施例中所使用的實驗方法如無特殊說明，均為常規(guī)方法；所用的材料、試劑等，如無特 殊說明，均可從商業(yè)途徑獲得。在圖示中，基片、第一端電極、阻變存儲介質(zhì)、第二端電極等 結(jié)構(gòu)為理想化模型，不應(yīng)該被認(rèn)為嚴(yán)格規(guī)定其參數(shù)、幾何尺寸。在此，參考圖是本發(fā)明理想 化實施例的示意圖，本發(fā)明所示的實施例不應(yīng)該被認(rèn)為僅限于圖中所示區(qū)域的特定形狀， 而是包括能夠?qū)崿F(xiàn)相同功能的其他形狀。
[0022] 如圖1所示，本發(fā)明提供一種阻變存儲器，包括： 一基片〇1 ; 一第一端電極(左電極或下電極）02,設(shè)置于所述基片01上； 一經(jīng)等離子處理過的阻變存儲介質(zhì)03,設(shè)置于所述第一端電極02的右側(cè)或上方； 一第二端電極(右電極或上電極）04,若所述阻變存儲介質(zhì)03設(shè)置于所述第一端電極 02的右側(cè)，則所述第二端電極04設(shè)置于所述阻變存儲介質(zhì)03的右側(cè)，若所述阻變存儲介質(zhì) 03設(shè)置于所述第一端電極02的上方，則所述第二端電極04設(shè)置于所述阻變存儲介質(zhì)03的 上方。
[0023] 其中，所述基片01可以是半導(dǎo)體或具有絕緣功能的襯底。所述第一端電極02和 第二端電極04的材質(zhì)為導(dǎo)電金屬、金屬合金、導(dǎo)電金屬化合物或?qū)щ娦粤己玫陌雽?dǎo)體等。 在本實施例中，所述導(dǎo)電金屬為Ta、Cu、Pt、Au、W、Ni或Ag，所述金屬合金為Pt/Ti、Ti/Ta、 Cu/Ti、Cu/Au、Cu/Al、Ti/W或Al/Zr，所述導(dǎo)電金屬化合物為TiN、TiW、TaN或WSi，所述半導(dǎo) 體為 Si、Ge、ZnO、IT0、GZ0、AZ0、FT0、Cu0、Cu20 或 NiO ;所述絕緣體為 Hf02、Al203、Ti02、Mg0 或Si0 2。所述阻變存儲介質(zhì)03的材質(zhì)為半導(dǎo)體或絕緣體，其阻變主要發(fā)生于介質(zhì)表面，多 值阻變特性與沿著介質(zhì)表面輸運的電荷有關(guān)。
[0024] 本發(fā)明還提供了上述阻變存儲器的制備方法，包括以下步驟： A1)在基片上通過磁控濺射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD或蒸發(fā)的方法制作第一端電 極； A 2)在所述第一端電極的右側(cè)或上方設(shè)置經(jīng)等離子處理過的阻變存儲介質(zhì)，并與所述 第一端電極形成良好電接觸； A 3)在所述阻變存儲介質(zhì)的右側(cè)或上方通過磁控濺射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD* 蒸發(fā)的方法制作第二端電極，并與所述阻變存儲介質(zhì)形成良好電接觸。
[0025] 其中，所述阻變存儲介質(zhì)的制備方法為：通過CVD法生長納米線或通過光刻/曝光 法圖形化加工形成線狀阻變存儲介質(zhì)，也可以通過磁控濺射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD* 蒸發(fā)的方法形成薄膜狀阻變存儲介質(zhì)。對所述阻變存儲介質(zhì)的等離子處理包括以下步驟： B1)將所述阻變存儲介質(zhì)放置于與等離子體發(fā)生器相連的真空腔室中，并抽真空； B2)在所述真空腔室中通入Ar、N2、02、NH3、H2、CHF 3、CF4、SF6氣體中的一種或幾種，并保 持腔室氣壓為f lOOOPa ; B3)施加1(T300W功率于腔室內(nèi)的氣體，使其成為等離子，并保持等離子對阻變存儲介 質(zhì)作用l〇?3600s。
[0026] 本發(fā)明還提供了一種采用上述阻變存儲器實現(xiàn)多值存儲的方法，該方法采用限制 流經(jīng)阻變存儲介質(zhì)電流的方式，對阻變存儲介質(zhì)的阻態(tài)進(jìn)行調(diào)整。通過不同限制電流獲得 阻變存儲介質(zhì)的不同阻態(tài)，從而實現(xiàn)多值存儲。具體的，實現(xiàn)阻變存儲器的η個阻態(tài)的方法 為： C1)在處于第1阻態(tài)Ri的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為L，阻變存儲器獲得第2阻態(tài)R2，其中IPO, R2〈Ri ; C2)在處于第i阻態(tài)氏的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為Ii，阻變存儲器獲得第i+Ι阻態(tài)Ri+1，其中Ι，Ιη，Ri+1〈Ri ;i為整數(shù)，2彡i彡η+1，η為 不小于2的整數(shù)。
[0027] 在本發(fā)明一較佳實施例中，實現(xiàn)阻變存儲器的4個，包括以下步驟： D1)在處于第1阻態(tài)&的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為L，阻變存儲器獲得第2阻態(tài)R2，其中IPO, R2〈Ri ; D2)在處于第2阻態(tài)R2的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為12，阻變存儲器獲得第3阻態(tài)R3，其中I2> Ip R3〈R2 ; D3)在處于第3阻態(tài)R3的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為13，阻變存儲器獲得第4阻態(tài)R4，其中13> 12, R4〈R3 ; 從而實現(xiàn)在一個阻變存儲器中保存4個狀態(tài)，即2比特的多值存儲功能。
[0028] 在本發(fā)明其他實施例中，可以通過進(jìn)一步細(xì)化相鄰限制電流的強(qiáng)度，獲得更多存 儲狀態(tài)。
[0029] 本發(fā)明中，采用等離子體轟擊阻變存儲介質(zhì)的表面，使其產(chǎn)生缺陷（圖2中可以看 到相較于未經(jīng)等離子處理的ZnO表面，經(jīng)Ar等離子處理的ZnO表面的平整度下降，其表面 產(chǎn)生少量可見凹凸；另外，我們也在圖3的PL光譜中看到，等離子處理過的樣品產(chǎn)生了可見 光發(fā)射，這是由缺陷導(dǎo)致。因此等離子處理能夠在樣品中引入缺陷)，從而對電荷輸運產(chǎn)生 影響，表現(xiàn)出缺陷數(shù)量與阻值的必然聯(lián)系。測試過程中，通過限制電流填補(bǔ)部分缺陷，控制 俘獲電荷缺陷的數(shù)量，最終達(dá)到多態(tài)存儲的目的。
[0030] 以下結(jié)合優(yōu)選的實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0031] 實施例1 : 一種具備多值存儲能力的阻變存儲器，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，由氧化硅片襯底01、厚 200nm的Ti作為左電極02、直徑約為60nm且長度約為10um的氧化鋅納米線03、厚200nm 的Ti作為右電極04構(gòu)成。
[0032] 該阻變存儲器的具體制作步驟和測試步驟如下： 將氧化鋅納米線放入真空腔室，通入60sccm的Ar氣，并使腔室內(nèi)部氣壓維持在120 Pa ;接著將等離子功率源調(diào)節(jié)至100W使其中氣體電離，并維持等離子體作用于氧化鋅納米 線2分鐘； 隨后取出納米線，并將其分散在氧化硅基片上； 通過微電子加工工藝將兩個間距約為3 μ m、厚度為200nm的Ti電極制作在氧化鋅納米 線的兩端并實現(xiàn)良好電接觸； 通過上述步驟可以獲得基于單根氧化鋅納米線的阻變存儲器。
[0033] 隨后，采用半導(dǎo)體參數(shù)測試儀測試相關(guān)多值阻變存儲特性，具體步驟如下： 將左電極02接地電，而右電極04施加幅值遞增的電壓信號（電壓范圍：0-20V，電壓步 進(jìn)增量：0.1V)。與此同時，我們限制通過存儲器的電流為8Χ1(Γ8Α.掃描完成后，施加極小 電壓0. 25V讀取此時的器件電阻值約為3X 108歐姆； 接著我們施加相同幅值遞增的電壓信號，適當(dāng)增加通過存儲器的電流為3 X ΗΤΑ。掃 描完成后，同樣施加〇. 25V電壓讀取此時器件電阻約為2Χ 107歐姆； 最后我們施加相同的幅值遞增電壓信號，增加通過存儲器的電流為8ΧΚΓΑ.掃描完 成后，同樣施加〇. 25V電壓讀取此時器件電阻約為5Χ 106歐姆。
[0034] 從圖4和圖5的循環(huán)測試曲線中，可以看出等離子處理后的氧化鋅納米線具備較 為穩(wěn)定的多值存儲能力，相鄰阻態(tài)之間的區(qū)分度較為明顯；而未經(jīng)等離子體處理的氧化鋅 納米線在經(jīng)過相同測試后，未見多個存儲狀態(tài)，不能實現(xiàn)多值存儲。
[0035] 實施例2 : 一種具備多值存儲能力阻變存儲器，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，由重?fù)诫s硅片襯底01、超薄Au 作為下電極02、直徑約為30nm且長度約為8 μ m的氧化鋅納米線03、覆蓋于氧化鋅納米線 03頂端的Au電極04構(gòu)成。
[0036] 該阻變存儲器的具體制作步驟和測試步驟如下： 在Si (111)襯底上沉積2nm厚Au薄膜，隨后在800°C下真空退火10分鐘，從而獲得直 徑約為20-30nm的Au顆粒； 隨后將覆蓋Au顆粒的硅基片放入CVD爐，通過CVD法在950°C下，在VLS機(jī)制下合成 Au顆粒位于頂端的氧化鋅納米線，從而形成具有Si (111)/ZnO納米線/Au結(jié)構(gòu)的阻變存儲 器； 接著將上述樣品放入真空腔室，通入80sccm的Ar氣，并使腔室內(nèi)部氣壓維持在150 Pa ;接著將等離子功率源調(diào)節(jié)至120W使氣體電離，并維持等離子體作用于納米線2分鐘； 隨后，采用實施例1中的類似方法測試該阻變存儲器，可獲得類似的多值存儲功能。
[0037] 以上是本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明技術(shù)方案所作的改變，所產(chǎn)生的功能作 用未超出本發(fā)明技術(shù)方案的范圍時，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種阻變存儲器，其特征在于，包括： 一基片； 一第一端電極，設(shè)置于所述基片上； 一經(jīng)等離子處理過的阻變存儲介質(zhì)，設(shè)置于所述第一端電極的右側(cè)或上方； 一第二端電極，若所述阻變存儲介質(zhì)設(shè)置于所述第一端電極的右側(cè)，則所述第二端電 極設(shè)置于所述阻變存儲介質(zhì)的右側(cè)，若所述阻變存儲介質(zhì)設(shè)置于所述第一端電極的上方， 則所述第二端電極設(shè)置于所述阻變存儲介質(zhì)的上方。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種阻變存儲器，其特征在于，所述第一端電極和第二端電 極的材質(zhì)為導(dǎo)電金屬、金屬合金、導(dǎo)電金屬化合物或半導(dǎo)體，所述阻變存儲介質(zhì)的材質(zhì)為半 導(dǎo)體或絕緣體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種阻變存儲器，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬為Ta、Cu、Pt、 Au、W、Ni 或 Ag ;所述金屬合金為？"11、11八&、(：11/11、(：11/^11、(：11/^1、11/1或41/21' ;所述導(dǎo) 電金屬化合物為 TiN、TiW、TaN 或 WSi ;所述半導(dǎo)體為 Si、Ge、ZnO、ITO、GZO、AZO、FTO、CuO、 Cu20 或 NiO ;所述絕緣體為 Hf02、Al203、Ti02、Mg0 或 Si02。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種阻變存儲器，其特征在于，所述阻變存儲器的制備方法 包括以下步驟： A1)在基片上通過磁控濺射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD或蒸發(fā)的方法制作第一端電 極； A2)在所述第一端電極的右側(cè)或上方設(shè)置經(jīng)等離子處理過的阻變存儲介質(zhì)，并與所述 第一端電極形成良好電接觸； A3)在所述阻變存儲介質(zhì)的右側(cè)或上方通過磁控濺射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD或 蒸發(fā)的方法制作第二端電極，并與所述阻變存儲介質(zhì)形成良好電接觸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種阻變存儲器，其特征在于，所述阻變存儲介質(zhì)的制備方 法為：通過CVD法生長納米線或通過光刻/曝光法圖形化加工形成線狀阻變存儲介質(zhì)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種阻變存儲器，其特征在于，所述阻變存儲介質(zhì)的制備方 法為：通過磁控濺射、PECVD、M0CVD、ALD、MBE、PLD或蒸發(fā)的方法形成薄膜狀阻變存儲介質(zhì)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種阻變存儲器，其特征在于，對所述阻變存儲介質(zhì)的等離 子處理包括以下步驟： B1)將所述阻變存儲介質(zhì)放置于真空腔室中，并抽真空； B2)在所述真空腔室中通入Ar、N2、02、NH3、H2、CHF 3、CF4、SF6氣體中的一種或幾種，并保 持腔室氣壓為f l〇〇〇Pa ; B3)施加1(T300W功率于腔室內(nèi)的氣體，使其成為等離子，并保持等離子對阻變存儲介 質(zhì)作用l〇?3600s。
8. -種采用如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6或7所述的阻變存儲器實現(xiàn)多值存儲的方法，其 特征在于，采用限制流經(jīng)阻變存儲介質(zhì)電流的方式，對阻變存儲介質(zhì)的阻態(tài)進(jìn)行調(diào)整，通過 不同限制電流獲得阻變存儲介質(zhì)的不同阻態(tài)，從而實現(xiàn)多值存儲。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種采用阻變存儲器實現(xiàn)多值存儲的方法，其特征在于，實 現(xiàn)阻變存儲器的η個阻態(tài)的方法為： C1)在處于第1阻態(tài)&的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為L，阻變存儲器獲得第2阻態(tài)R2，其中IPO, R2〈Ri ; C2)在處于第i阻態(tài)氏的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為Ii，阻變存儲器獲得第i+Ι阻態(tài)Ri+1，其中ipig，Ri+1〈Ri ;i為整數(shù)，2彡i彡η-1，η為 不小于2的整數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種采用阻變存儲器實現(xiàn)多值存儲的方法，其特征在于，實 現(xiàn)阻變存儲器的4個阻態(tài)，包括以下步驟： D1)在處于第1阻態(tài)&的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為L，阻變存儲器獲得第2阻態(tài)R2，其中IPO, R2〈Ri ; D2)在處于第2阻態(tài)R2的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為12，阻變存儲器獲得第3阻態(tài)R3，其中I2> Ip R3〈R2 ; D3)在處于第3阻態(tài)R3的阻變存儲器兩端施加電壓，并限制流經(jīng)阻變存儲器的最大電 流為13，阻變存儲器獲得第4阻態(tài)R4，其中13> 12, R4〈R3 ; 從而實現(xiàn)在一個阻變存儲器中保存4個狀態(tài)，即2比特的多值存儲功能。
【文檔編號】G11C11/56GK104103756SQ201410357066
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月25日
【發(fā)明者】賴云鋒, 辛璞聰, 程樹英, 林培杰, 俞金玲, 周海芳, 鄭巧, 章杰, 張紅, 賈宏杰 申請人:福州大學(xué)