技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種半導體存儲器件。所述半導體存儲器件包括：存儲單元單位，其包括多個存儲單元，所述多個存儲單元連接在多個字線和多個位線之間并且構(gòu)造成響應(yīng)于受激發(fā)的字線而提供讀出值；基準值生成單位，其包括多個基準值生成單元，所述多個基準值生成單元連接在所述多個字線和基準位線之間并且構(gòu)造成響應(yīng)于受激發(fā)的字線而提供單個基準值；以及讀出電路，其構(gòu)造成基于所述單個基準值和所述讀出值提供讀出輸出信號。

技術(shù)研發(fā)人員：李昇鉉
受保護的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
文檔號碼：201310022707
技術(shù)研發(fā)日：2013.01.22
技術(shù)公布日：2017.08.11