技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：存儲(chǔ)單元單位，其包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元連接于并設(shè)置在多個(gè)字線和多個(gè)位線之間并且構(gòu)造成響應(yīng)于受激發(fā)的字線而提供讀出值；基準(zhǔn)值生成單位，其包括多個(gè)基準(zhǔn)值生成單元，所述多個(gè)基準(zhǔn)值生成單元連接于并設(shè)置在所述多個(gè)字線和單個(gè)基準(zhǔn)位線之間并且構(gòu)造成響應(yīng)于受激發(fā)的字線而提供單個(gè)基準(zhǔn)值，所述單個(gè)基準(zhǔn)值與確定所述讀出值的邏輯狀態(tài)的中間值相對(duì)應(yīng)；以及讀出電路，其構(gòu)造成基于所述單個(gè)基準(zhǔn)值和所述讀出值提供讀出輸出信號(hào)，其中，所述多個(gè)基準(zhǔn)值生成單元的尺寸不同于所述多個(gè)存儲(chǔ)單元的尺寸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，每個(gè)存儲(chǔ)單元和基準(zhǔn)值生成單元都包括一個(gè)晶體管和一個(gè)磁性隧道結(jié)，所述基準(zhǔn)值生成單元中包含的磁性隧道結(jié)大于所述存儲(chǔ)單元中包含的磁性隧道結(jié)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：數(shù)據(jù)確定單元，其構(gòu)造成接收所述讀出輸出信號(hào)，如果所述讀出值大于或等于所述單個(gè)基準(zhǔn)值則所述數(shù)據(jù)確定單元確定所述讀出值作為第一數(shù)據(jù)，如果所述讀出值小于所述單個(gè)基準(zhǔn)值則所述數(shù)據(jù)確定單元確定所述讀出值作為第二數(shù)據(jù)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述基準(zhǔn)值生成單元單位包括讀寫單元，所述讀寫單元構(gòu)造成利用所述基準(zhǔn)位線控制所述基準(zhǔn)值生成單元，使得所述基準(zhǔn)值生成單元具有預(yù)定電阻值。5.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：基準(zhǔn)值生成單元單位，其包括多個(gè)基準(zhǔn)值生成單元，所述多個(gè)基準(zhǔn)值生成單元連接于并設(shè)置在至少一個(gè)第一字線和多個(gè)基準(zhǔn)生成位線之間并且構(gòu)造成響應(yīng)于受激發(fā)的第一字線而提供單個(gè)基準(zhǔn)值，所述多個(gè)基準(zhǔn)值生成單元的每一個(gè)提供與所述單個(gè)基準(zhǔn)值基本相同的值，所述單個(gè)基準(zhǔn)值與確定讀出值的邏輯狀態(tài)的中間值相對(duì)應(yīng)；存儲(chǔ)單元單位，其包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元連接于并設(shè)置在多個(gè)第二字線和多個(gè)位線之間并且構(gòu)造成響應(yīng)于受激發(fā)的第二字線而提供所述讀出值；以及讀出電路，其構(gòu)造成基于所述單個(gè)基準(zhǔn)值和所述讀出值提供讀出輸出信號(hào)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：基準(zhǔn)值控制單元，其構(gòu)造成生成基準(zhǔn)控制信號(hào)，用于控制供應(yīng)給與所述多個(gè)基準(zhǔn)值生成單元相連的所述多個(gè)基準(zhǔn)生成位線或源極線的基準(zhǔn)生成信號(hào)，以便于確定所述單個(gè)基準(zhǔn)值。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，每個(gè)存儲(chǔ)單元都包括在相應(yīng)位線與相應(yīng)源極線之間串聯(lián)地連接的一個(gè)磁性隧道結(jié)和一個(gè)晶體管，所述晶體管響應(yīng)于相應(yīng)的第二字線的激發(fā)而執(zhí)行開關(guān)操作。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，每個(gè)基準(zhǔn)值生成單元都包括在相應(yīng)基準(zhǔn)生成位線與相應(yīng)源極線之間串聯(lián)地連接的一個(gè)磁性隧道結(jié)和一個(gè)晶體管，所述晶體管響應(yīng)于所述第一字線的激發(fā)而執(zhí)行開關(guān)操作。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述基準(zhǔn)值生成單元中包含的磁性隧道結(jié)大于所述存儲(chǔ)單元中包含的磁性隧道結(jié)。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述單個(gè)基準(zhǔn)值基于與受激發(fā)的第一字線相連的基準(zhǔn)值生成單元的平均電阻值而生成。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述平均電阻值通過所述基準(zhǔn)值生成單元中包含的一部分或全部基準(zhǔn)值生成單元而獲得。12.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：存儲(chǔ)單元塊，每個(gè)存儲(chǔ)單元塊包括連接于并設(shè)置在至少一個(gè)第一字線和多個(gè)位線之間的基準(zhǔn)值生成單元、以及連接在所述位線和與所述第一字線并行地設(shè)置的多個(gè)第二字線之間的存儲(chǔ)單元；字線控制單元，其構(gòu)造成控制所述存儲(chǔ)單元塊的每個(gè)字線；以及位線控制單元，其構(gòu)造成控制所述存儲(chǔ)單元塊的每個(gè)位線，其中，在讀操作中，所述字線控制單元構(gòu)造成激發(fā)所述存儲(chǔ)單元塊之中的第一存儲(chǔ)單元塊的第一字線，以便基于所述第一存儲(chǔ)單元塊中的基準(zhǔn)值生成單元的平均電阻值輸出單個(gè)基準(zhǔn)值，并且所述字線控制單元基于地址信號(hào)激發(fā)所述存儲(chǔ)單元塊之中的第二存儲(chǔ)單元塊的第二字線之一，以便于從所述第二存儲(chǔ)單元塊中通過所述地址信號(hào)而選定的存儲(chǔ)單元中輸出讀出值，所述基準(zhǔn)值生成單元的每一個(gè)提供與所述單個(gè)基準(zhǔn)值基本相同的值，所述單個(gè)基準(zhǔn)值與確定所述讀出值的邏輯狀態(tài)的中間值相對(duì)應(yīng)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，每個(gè)基準(zhǔn)值生成單元和存儲(chǔ)單元都包括在相應(yīng)位線與相應(yīng)源極線之間串聯(lián)地連接的一個(gè)晶體管和一個(gè)磁性隧道結(jié)，所述基準(zhǔn)值生成單元中包含的磁性隧道結(jié)大于所述存儲(chǔ)單元中包含的磁性隧道結(jié)。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述位線控制單元構(gòu)造成控制供應(yīng)給與所述第一存儲(chǔ)單元塊相連的位線或源極線的讀出電流，以便于確定所述單個(gè)基準(zhǔn)值。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括：數(shù)據(jù)確定單元，其構(gòu)造成將所述讀出值與所述單個(gè)基準(zhǔn)值進(jìn)行比較以便于確定在選定的所述存儲(chǔ)單元中寫入的數(shù)據(jù)的邏輯值。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述平均電阻值通過所述第一存儲(chǔ)單元塊中包含的一部分或全部基準(zhǔn)值生成單元而獲得。17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述第一存儲(chǔ)單元塊的第一字線和第二字線獨(dú)立于所述第二存儲(chǔ)單元塊的第一字線和第二字線受控制。