專利名稱：微型閃存儲存裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲裝置，特別涉及一種微型閃存儲存裝置。
背景技術(shù)：
數(shù)字相機、手機相機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對數(shù)字內(nèi)容的儲存需求也急速增加。由于閃存(Flash Memory)具有數(shù)據(jù)非揮發(fā)性、省電、體積小與無機械結(jié)構(gòu)等的特性，適合使用者隨身攜帶，作為數(shù)字檔案傳遞與交換的儲存媒體。隨身碟就是一種以NAND閃存作為儲存媒體的儲存裝置。
當(dāng)前市面上的3C產(chǎn)品皆朝著輕薄短小的外型設(shè)計趨勢發(fā)展，尤其是具有通用串行總線(Universal Serial Bus，USB)接口的可攜式個人裝置更為明顯，以USB接口為傳輸接口的閃存儲存裝置就衍生出薄型化設(shè)計的需求。例如，微型USB隨身碟(Mini USB FlashDrive)就是以電路板金手指的方式取代傳統(tǒng)USB連接器結(jié)合機構(gòu)鐵殼而顯露于外部，用以降低整體產(chǎn)品的高度，以達到薄型化的目的。一般來說，USB接口包括電源導(dǎo)線(VCC lead)、正信號導(dǎo)線(D+lead)、負信號導(dǎo)線(D-Iead)與接地導(dǎo)線(GND lead)。特別是，當(dāng)經(jīng)過USB接口將USB隨身碟連接至主機時，電源導(dǎo)線與接地導(dǎo)線的接腳同時電性連接主機上所配置的連接端口，以避免在將USB隨身碟插入至主機的連接端口時所產(chǎn)生的瞬間高壓燒毀USB隨身碟的電路組件。所以，傳統(tǒng)USB隨身碟的USB金手指外圍所配置的鐵殼連接至接地導(dǎo)線，以使得將USB隨身碟插入主機時，接地導(dǎo)線優(yōu)先電性連接至主機的連接端口，以避免上述瞬間高壓所導(dǎo)致的燒毀問題。然而，由于上述微型USB隨身碟并無配置鐵殼，因此微型USB隨身碟可能因使用者的不正確插拔，而使得微型USB隨身碟在與主機連接瞬間時，接地導(dǎo)線未與主機連接而導(dǎo)致瞬間高壓燒毀微型USB隨身碟。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種微型閃存儲存裝置，其在插拔于主機系統(tǒng)時，接地導(dǎo)線先與主機系統(tǒng)電性連接而將所產(chǎn)生的瞬間高壓導(dǎo)出，以防止其內(nèi)部的電路組件燒毀。本發(fā)明提出一種微型閃存儲存裝置,其包括一基板、一控制與儲存電路組件、一電源導(dǎo)線、至少一信號線、一第一接地導(dǎo)線與至少一第二接地導(dǎo)線。基板具有一前表面、一后表面與四個側(cè)表面，而控制與儲存電路組件配置在基板上。電源導(dǎo)線、信號線與接地導(dǎo)線彼此間隔地配置在基板的前表面上，且電源導(dǎo)線、信號線與第一接地導(dǎo)線分別電連接至控制與儲存電路組件。第二接地導(dǎo)線配置在基板的前表面上且位于信號線及基板的一邊緣間，并且第二接地導(dǎo)線的另一端向上述邊緣或電源導(dǎo)線的外部接腳延伸，其中第二接地導(dǎo)線與電源導(dǎo)線及信號線電性絕緣。在本發(fā)明的一實施例中，上述的電源導(dǎo)線與第一接地導(dǎo)線等長。在本發(fā)明的一實施例中，上述的電源導(dǎo)線、信號線與第一接地導(dǎo)線分別具有一內(nèi)部接腳與一外部接腳，該些內(nèi)部接腳連接至上述的控制與儲存電路組件。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二接地導(dǎo)線與上述邊緣之間的距離小于電源導(dǎo)線與上述邊緣之間的距離在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二接地導(dǎo)線的延伸方向與接地導(dǎo)線的延伸方向垂直。在本發(fā)明的一實施例中，上述的第二接地導(dǎo)線的延伸方向與第一接地導(dǎo)線的延伸方向平行。在本發(fā)明的一實施例中，上述的電源導(dǎo)線與上述邊緣之間的距離和第一接地導(dǎo)線與上述邊緣之間的距離小于正信號導(dǎo)線與上述邊緣之間的距離和負信號導(dǎo)線與上述邊緣之間的距離。在本發(fā)明的一實施例中，上述的微型閃存儲存裝置更包括一保護層，覆蓋基板的·前表面并暴露出電源導(dǎo)線、正信號導(dǎo)線、負信號導(dǎo)線、第一接地導(dǎo)線的外部接腳與第二接地導(dǎo)線。在本發(fā)明的一實施例中，上述的保護層的材質(zhì)為一防焊漆。在本發(fā)明的一實施例中，上述的微型閃存儲存裝置更包括一封裝層，覆蓋基板的后表面與四個側(cè)表面。在本發(fā)明的一實施例中，上述的封裝層的材質(zhì)為一環(huán)氧樹脂。在本發(fā)明的一實施例中，上述的信號線包括一正信號導(dǎo)線與一負信號導(dǎo)線。本發(fā)明提出一種微型閃存儲存裝置,其包括一基板、一控制與儲存電路組件、一電源導(dǎo)線、一正信號導(dǎo)線、一負信號導(dǎo)線、一接地導(dǎo)線與一凸塊?；寰哂幸磺氨砻妗⒁缓蟊砻媾c四個側(cè)表面，而控制與儲存電路組件配置在基板上。電源導(dǎo)線、正信號導(dǎo)線、負信號導(dǎo)線與接地導(dǎo)線平行地配置在基板的前表面上，其中電源導(dǎo)線、正信號導(dǎo)線、負信號導(dǎo)線與接地導(dǎo)線分別具有一內(nèi)部接腳與一外部接腳，這些內(nèi)部接腳連接至控制與儲存電路組件，并且這些外部接腳位于基板的一邊緣。凸塊配置在基板的前表面上，并且鄰近電源導(dǎo)線的外部接腳與上述邊緣。本發(fā)明提出一種閃存儲存裝置，其包括一基板、一控制與儲存電路組件、一電源導(dǎo)線、至少一信號線、一第一接地導(dǎo)線與至少一第二接地導(dǎo)線?；寰哂幸磺氨砻妫刂婆c儲存電路組件配置在基板上。電源導(dǎo)線、信號線與第一接地導(dǎo)線彼此間隔地配置在基板的前表面上，且電源導(dǎo)線、至少一信號線與第一接地導(dǎo)線分別電連接至控制與儲存電路組件。第二接地導(dǎo)線配置在前表面上且位于信號線及基板的邊緣間，其中邊緣遠離控制與儲存電路組件，且第二接地導(dǎo)線與第一接地導(dǎo)線具有相同的電位。此外，第二接地導(dǎo)線與電源導(dǎo)線及信號線電性絕緣。本發(fā)明提出一種閃存儲存裝置，其包括一基板、一控制與儲存電路組件、一電源導(dǎo)線、至少一信號線、一第一接地導(dǎo)線、一第二接地導(dǎo)線與一第三接地導(dǎo)線。基板具有一前表面，而控制與儲存電路組件配置在基板上。電源導(dǎo)線、信號線與第一接地導(dǎo)線彼此間隔地配置在基板的前表面上，且電源導(dǎo)線、至少一信號線與第一接地導(dǎo)線分別電連接至控制與儲存電路組件。第二接地導(dǎo)線及第三接地導(dǎo)線彼此間隔地配置在基板的前表面上，且位于信號線及基板的一邊緣間，其中上述邊緣遠離控制與儲存電路組件，而第二接地導(dǎo)線、第三接地導(dǎo)線與第一接地導(dǎo)線具有相同的電位，并且第二接地導(dǎo)線、第三接地導(dǎo)線與電源導(dǎo)線及信號線電性絕緣。
基于上述，本發(fā)明在微型閃存儲存裝置的基板上所配置的第二接地導(dǎo)線能夠先與主機系統(tǒng)電性連接，而將插拔過程中產(chǎn)生的瞬間高壓導(dǎo)出，以防止微型閃存儲存裝置的電路組件燒毀。另外，本發(fā)明在微型閃存儲存裝置的基板上所配置的凸塊能夠輔助使用者以正確的角度將微型閃存儲存裝置插入至主機系統(tǒng)，確保接地導(dǎo)線能夠先與主機系統(tǒng)電性連接，而將插拔過程中產(chǎn)生的瞬間高壓導(dǎo)出，以防止微型閃存儲存裝置的電路組件燒毀。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。


圖I是根據(jù)本發(fā)明第一范例實施例所繪示的微型閃存儲存裝置的立體圖。圖2是繪示圖I中A-A’的剖面圖。
圖3是繪示圖I的微型閃存儲存裝置的俯視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明另一范例實施例繪示微型閃存儲存裝置的俯視圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明另一范例實施例繪示微型閃存儲存裝置的俯視圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明另一范例實施例繪示微型閃存儲存裝置的俯視圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明一范例實施例繪示以保護層與封裝層保護的微型閃存裝置的立體圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明第二范例實施例所繪示的微型閃存儲存裝置的立體圖。圖9是繪示圖8的微型閃存儲存裝置的俯視圖。圖10是繪示圖8中B-B’的剖面圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明第三范例實施例所繪示的微型閃存儲存裝置的立體圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明第三范例實施例所繪示的微型閃存儲存裝置與主機系統(tǒng)的連接端口的連接示意圖。主要附圖標(biāo)記說明100 :微型閃存儲存裝置102 :基板102a :邊緣104 :控制與儲存電路組件106、406:電源導(dǎo)線106a :電源導(dǎo)線的內(nèi)部接腳106b :電源導(dǎo)線的外部接腳108,408 :正信號導(dǎo)線108a :正信號導(dǎo)線的內(nèi)部接腳108b :正信號導(dǎo)線的外部接腳110、410 :負信號導(dǎo)線IlOa :負信號導(dǎo)線的內(nèi)部接腳IlOb :負信號導(dǎo)線的外部接腳112、412 :第一接地導(dǎo)線112a :接地導(dǎo)線的內(nèi)部接腳
112b :接地導(dǎo)線的外部接腳114、114’、114”、414 :第二接地導(dǎo)線116:保護層118:封裝層152、154、156、158 :導(dǎo)電孔302 :基板314 :第二接地導(dǎo)線352、356、360 :絕緣層
354:接地導(dǎo)電層358:電源導(dǎo)電層372、374、376、378、380 :導(dǎo)電孔500 :微型閃存儲存裝置502:凸塊800 :主機系統(tǒng)的連接端口
具體實施例方式如前所述,現(xiàn)有的微型通用串行總線(Universal Serial Bus, USB)隨身碟,在后文以USB隨身碟稱之，省略了傳統(tǒng)USB連接器的鐵殼，而將金手指顯露于外部，可插拔地電連接于主機系統(tǒng)，本發(fā)明的一范例實施例中，為了避免現(xiàn)有的微型USB隨身碟或其它接口的記憶裝置可能因插入主機的方式不當(dāng)，而造成瞬間高壓燒毀微型USB隨身碟或其它接口的記憶裝置的電路的情況，根據(jù)本發(fā)明的一范例實施例中，USB微型隨身碟的電源導(dǎo)線(VCC lead)、正信號導(dǎo)線(D+lead)、負信號導(dǎo)線(D-Iead)與接地導(dǎo)線(GND lead)的接腳(pad)插入至主機系統(tǒng)的連接端口時，接地導(dǎo)線的接腳先電性連接至主機系統(tǒng)的連接端口。以下將以數(shù)個范例實施例來詳細說明本發(fā)明。值得一提的是，雖然下述范例實施例發(fā)以USB接口來說明，然而本發(fā)明不限于此，本發(fā)明亦可應(yīng)用于其它數(shù)據(jù)傳輸接口，如PCIe (Peripheral Component InterconnectExpress), IEEE1394 等…的接腳。圖I是根據(jù)本發(fā)明第一范例實施例所繪示的微型閃存儲存裝置的立體圖，并且圖2是繪示圖I中A-A’的剖面圖。請參照圖I與圖2，微型閃存儲存裝置100包括基板102、控制與儲存電路組件104、第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線110、電源導(dǎo)線112與第二接地導(dǎo)線114?；?02具有前表面202、后表面204、側(cè)表面206、側(cè)表面208、側(cè)表面210與側(cè)表面212?；?02的前表面202與后表面204上可配置許多電路組件，并且這些電路組件可經(jīng)過在基板102上所配置的導(dǎo)線來電性連接。控制與儲存電路組件104為微型閃存儲存裝置100的主要電路，其配置于基板102上。在本范例實施例中，控制與儲存電路組件104配置在后表面204上，然而必須了解的是，在本發(fā)明另一實施例中控制與儲存電路組件104亦可配置在前表面202上，或者部分的控制與儲存電路組件104配置在前表面202上而部分的控制與儲存電路組件104配置在后表面204上。
在本范例實施例中，控制與儲存電路組件104包括用以控制一微型閃存儲存裝置100運行的控制電路，且該控制電路具有至少一暫存記憶單元(圖未示)。在本發(fā)明另一實施例中，控制與儲存電路組件104更包括一用以儲存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性內(nèi)存，如閃存電路。在本范例實施例中，上述非揮發(fā)性內(nèi)存為閃存電路，且該閃存電路為多層存儲單元(Multi Level Cell，MLC)NAND閃存電路。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，在本發(fā)明另一實施例中，上述非揮發(fā)性內(nèi)存為單層存儲單元(Single Level Cell, SLC)NAND閃存電路。控制電路包括微處理器單元、緩沖存儲器、主機接口模塊、閃存接口模塊、錯誤檢查與校正模塊、電源管理模塊等以在閃存電路中進行數(shù)據(jù)的儲存、讀取與抹除等。電源導(dǎo)線112與第一接地導(dǎo)線106用以傳輸電源信號的金屬導(dǎo)線，而正信號導(dǎo)線108與負信號導(dǎo)線110用以傳輸一差動信號的正相部分和負相部分的金屬導(dǎo)線。在本范例 實施例中，第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線110與電源導(dǎo)線112平行地配置在基板102的前表面202上，并且分別電性連接控制與儲存電路組件104。例如，配置于基板102的前表面202上的第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線110與電源導(dǎo)線112分別經(jīng)過貫穿基板102的導(dǎo)電孔152、154、156與158來電性連接至配置于后表面204上的控制與儲存電路組件104。必須了解的是，盡管圖2的剖面圖顯示貫穿基板102的導(dǎo)電孔152、154、156與158在基板102的同一剖面上,然而本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明另一范例實施例中，導(dǎo)電孔152、154、156與158亦可配置在基板102的不同剖面中。值得一提的是，在本范例實施例中，微型閃存儲存裝置100以包括正信號導(dǎo)線108與負信號導(dǎo)線110的信號線來進行說明，然而本發(fā)明不限于此，依據(jù)不同的數(shù)據(jù)傳輸接口規(guī)格，微型閃存儲存裝置100可配置一個或更多條信號線。在本范例實施例中，第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線110與電源導(dǎo)線112分別具有內(nèi)部接腳106a、108a、IlOa與112a，用以連接控制與儲存電路組件104。此夕卜，第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線110與電源導(dǎo)線112分別具有外部接腳106b、108b、IlOb與112b，其中這些外部接腳106b、108b、IlOb與112b配置于鄰近基板102的一邊緣102a。圖3是繪示圖I的微型閃存儲存裝置的俯視圖。在本發(fā)明一范例實施例中，電源導(dǎo)線112與邊緣102a之間的距離小于正信號導(dǎo)線108與邊緣102a之間的距離，且小于負信號導(dǎo)線110與邊緣102a之間的距離。此外，第一接地導(dǎo)線106與邊緣102a之間的距離亦小于正信號導(dǎo)線108與邊緣102a之間的距離，且小于負信號導(dǎo)線110與邊緣102a之間的距離。再者，電源導(dǎo)線112與邊緣102a之間的距離等于第一接地導(dǎo)線106與邊緣102a之間的距離。第二接地導(dǎo)線114配置在基板102的前表面202上。第二接地導(dǎo)線114電性連接第一接地導(dǎo)線106，并且用以延伸第一接地導(dǎo)線106的金屬導(dǎo)線。具體來說，第二接地導(dǎo)線114電性連接至第一接地導(dǎo)線106的外部接腳112b，并且與電源導(dǎo)線112、正信號導(dǎo)線108以及負信號導(dǎo)線HO電性絕緣。詳細的說，在本范例實施例中，第二接地導(dǎo)線114與第一接地導(dǎo)線106在基板102的前表面202上直接做電性連接。另外，值得一提的是，第二接地導(dǎo)線114比正信號導(dǎo)線108的外部接腳108b以及負信號導(dǎo)線110的外部接腳IlOb更靠近邊緣102a，以致于當(dāng)使用者將微型閃存儲存裝置100插入至主機系統(tǒng)時，第二接地導(dǎo)線114先與主機系統(tǒng)的連接端口電性連接。因此，當(dāng)微型閃存儲存裝置100于插拔過程中遭遇一高電壓時，此高電壓可經(jīng)由第一接地導(dǎo)線106或第二接地導(dǎo)線114導(dǎo)出。而提供了一適當(dāng)?shù)耐緩阶屢騼Υ嫜b置與主機系統(tǒng)因不正常的接觸而引起的大電流，能由此第二接地導(dǎo)線114或第一接地導(dǎo)線106或由兩者共同導(dǎo)出，而減低電路燒毀的可能性。在本發(fā)明范例實施例中，第二接地導(dǎo)線114的延伸方向與第一接地導(dǎo)線106的延伸方向垂直。然而，本發(fā)明不限于此，在本發(fā)明另一實施例中第二接地導(dǎo)線114的延伸方向亦可與第一接地導(dǎo)線106的延伸方向平行(如圖4所示)。在本發(fā)明另一實施例中，第二接地導(dǎo)線114電連接第一接地導(dǎo)線106，并朝邊緣102a以規(guī)則或不規(guī)則方式延伸(如圖5所示)O
此外，必須了解的是，第一接地導(dǎo)線、正信號導(dǎo)線、負信號導(dǎo)線、電源導(dǎo)線與第二接地導(dǎo)線不限于上述的形狀。例如，在本發(fā)明另一范例實施例中(如圖6所示)，第一接地導(dǎo)線406、正信號導(dǎo)線408、負信號導(dǎo)線410、電源導(dǎo)線412與第二接地導(dǎo)線414亦可以不規(guī)則形狀來配置。第一接地導(dǎo)線406、正信號導(dǎo)線408、負信號導(dǎo)線410、電源導(dǎo)線412與第二接地導(dǎo)線414除形狀不同外，其功能相同于第一范例實施例，在此不再重復(fù)描述。在本發(fā)明范例實施例中，微型閃存儲存裝置100還包括保護層116與封裝層118，以保護基板102上所配置的電路組件。圖7是根據(jù)本發(fā)明一范例實施例繪示以保護層與封裝層保護微型閃存裝置的立體圖。請參照圖7，保護層116配置在基板102的前表面202上，其覆蓋基板102的前表面202并暴露出第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線110與電源導(dǎo)線112以及第二接地導(dǎo)線114。另外，封裝層118配置在基板102的后表面204、側(cè)表面206、側(cè)表面208、側(cè)表面210與側(cè)表面212上。在本范例實施例中，保護層116的材料為防焊漆，而封裝層118的材料為環(huán)氧樹月旨。必須了解的是，本發(fā)明不限于此，其它適合的保護與封裝材料如陶磁等都可應(yīng)用于本發(fā)明，且保護層116及封裝層118可應(yīng)用相同或不同之材料。再者，該保護層116的厚度可等同或小于該等導(dǎo)線厚度，使得該等導(dǎo)線108-114與該保護層116的表面位于同一或不同水平面，且該保護層116可涂布在部份第二接地導(dǎo)線114上，使得該第二接地導(dǎo)線114只有部份顯露于外，使得外觀上，該第一接地導(dǎo)線106與該第二接地導(dǎo)線114看似彼此獨立，實則卻為相互電性連接。圖8是根據(jù)本發(fā)明第二范例實施例所繪示的微型閃存儲存裝置的立體圖，圖9是繪示圖8的微型閃存儲存裝置的俯視圖，并且圖10是繪示圖8中B-B’的剖面圖。請參照圖8、圖9與圖10，微型閃存儲存裝置300包括基板302、控制與儲存電路組件104、第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線110、電源導(dǎo)線112與第二接地導(dǎo)線314?？刂婆c儲存電路組件104、第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線110與電源導(dǎo)線112的結(jié)構(gòu)已說明如前，在此不再重復(fù)描述。類似于第一范例實施例中的基板102，基板302具有前表面202、后表面204、側(cè)表面206、側(cè)表面208、側(cè)表面210與側(cè)表面212。然而，與第一范例實施例不同的是，基板302中依序配置有第一絕緣層352、接地導(dǎo)電層354、第二絕緣層356、電源導(dǎo)電層358與第三絕緣層360。
在本范例實施例中，第一接地導(dǎo)線106經(jīng)過第一導(dǎo)電孔372電性連接至接地導(dǎo)電層354，且接地導(dǎo)電層354經(jīng)過第二導(dǎo)電孔374電性連接至控制與儲存電路組件104，其中第一導(dǎo)電孔372與電源導(dǎo)電層358電性絕緣。此外，電源導(dǎo)線112經(jīng)過第三導(dǎo)電孔376電性連接至電源導(dǎo)電層358，且電源導(dǎo)電層358經(jīng)過第四導(dǎo)電孔378電性連接至控制與儲存電路組件104，其中第四導(dǎo)電孔378與接地導(dǎo)電層354電性絕緣。第二接地導(dǎo)線314配置在基板102的前表面202上。特別是，第二接地導(dǎo)線314與邊緣102a之間的距離小于正信號導(dǎo)線108與邊緣102a之間的距離，且小于負信號導(dǎo)線110與邊緣102a之間的距離。第二接地導(dǎo)線314經(jīng)過基板102中所配置的接地導(dǎo)電層354與第一接地導(dǎo)線106電性連接。具體來說，第二接地導(dǎo)線314經(jīng)過第五導(dǎo)電孔380電性連接至接地導(dǎo)電層354，由此與第一接地導(dǎo)線106電性連接。必須了解的是，雖然在本范例實施例中，電源導(dǎo)電層358配置在接地導(dǎo)電層354之上，然而本發(fā)明不限于此，在本發(fā)明另一范例實施例中，接地導(dǎo)電層354亦可配置在電源導(dǎo) 電層358之上。再者，值得說明的是，圖10只是一示意圖，其中導(dǎo)電孔372-380中之導(dǎo)電材質(zhì)可只布設(shè)于該導(dǎo)電孔的孔壁，或填滿該導(dǎo)電孔。圖11是根據(jù)本發(fā)明第三范例實施例所繪示的微型閃存儲存裝置的立體圖。請參照圖11，微型閃存儲存裝置500包括基板102、控制與儲存電路組件104、第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線110、電源導(dǎo)線112與凸塊502?；?02、控制與儲存電路組件104、第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線Iio與電源導(dǎo)線112的結(jié)構(gòu)已說明如前，在此不再重復(fù)描述。凸塊502是一突出物并且配置在基板102的前表面202上。在本范例實施例中，凸塊502是鄰近電源導(dǎo)線112的外部接腳112b和基板102的邊緣102a。但值得說明的是，該凸塊502亦可是鄰近第一接地導(dǎo)線106的外部接腳106b和基板102的邊緣102a。圖12是根據(jù)本發(fā)明第三范例實施例所繪示的微型閃存儲存裝置與主機系統(tǒng)連接端口的連接示意圖。請參照圖12，當(dāng)使用者將微型閃存儲存裝置500插入至主機系統(tǒng)的連接端口 800時，此凸塊502可發(fā)揮阻擋效果輔助微型閃存儲存裝置500以正確的角度插入至主機系統(tǒng)的連接端口 800。也就是說，倘若微型閃存儲存裝置500非正確角度插入至連接埠800時，凸塊502可導(dǎo)正微型閃存儲存裝置500的插入角度。由此，第一接地導(dǎo)線106能夠先電性連接主機系統(tǒng)的連接端口 800，而將微型閃存儲存裝置500于插拔過程中所產(chǎn)生的瞬間高壓經(jīng)由第一接地導(dǎo)線106導(dǎo)出。在本范例實施例中，凸塊502為一柱狀,且其橫向剖面為一四方形。然而,本發(fā)明不限于此，在本發(fā)明另一范例實施例中，凸塊502的橫向剖面亦可以是圓形、多邊形或其它不規(guī)則形。此外，凸塊502的材質(zhì)可以是導(dǎo)電材料或絕緣材料。類似地，在本發(fā)明一范例實施例中微型閃存儲存裝置500更包括第一范例實施例所述的保護層116與封裝層118，以保護基板102上所配置的電路組件，其中保護層116覆蓋基板102的前表面202并暴露出第一接地導(dǎo)線106、正信號導(dǎo)線108、負信號導(dǎo)線110與電源導(dǎo)線112的外部接腳106、108、110與112。綜上所述，本發(fā)明在微型閃存儲存裝置的基板上配置第二接地導(dǎo)線，其中當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的微型閃存儲存裝置插入至主機系統(tǒng)的連接端口時，此第二接地導(dǎo)線先與主機系統(tǒng)的連接端口電性連接。因此，當(dāng)微型閃存儲存裝置插拔過程中產(chǎn)生瞬間高壓時，此瞬間高壓可藉由第二接地導(dǎo)線導(dǎo)出，而避免微型閃存儲存裝置的電路組件燒毀。此外，本發(fā)明在微型閃存儲存裝置的基板上配置凸塊，由此可輔助使用者以正確的角度將微型閃存儲存裝置插入至主機系統(tǒng)的連接端口，以使接地接腳先與主機系統(tǒng)的連接端口電性連接。因此，當(dāng)微型閃存儲存裝置插拔過程中產(chǎn)生瞬間高壓時，此瞬間高壓可經(jīng)接地導(dǎo)線導(dǎo)出，而避免微型閃存儲存裝置的電路組件燒毀。最后應(yīng)說明的是以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其限制。盡管參照上述各較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而這些修改或者替換并不脫離本發(fā) 明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種微型閃存儲存裝置，包括 一基板，具有一前表面、一后表面與四個側(cè)表面； 一控制與儲存電路組件，配置在該基板上； 一電源導(dǎo)線、一正信號導(dǎo)線、一負信號導(dǎo)線與一接地導(dǎo)線，平行地配置在該基板的該前表面上，其中該電源導(dǎo)線、該正信號導(dǎo)線、該負信號導(dǎo)線與該接地導(dǎo)線分別具有一內(nèi)部接腳與一外部接腳，該些內(nèi)部接腳連接至該控制與儲存電路組件，并且該些外部接腳位于該基板的一邊緣；以及 一凸塊，配置在該前表面上并且鄰近該電源導(dǎo)線的外部接腳與該邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的微型閃存儲存裝置，更包括一保護層，覆蓋該前表面并暴露出該電源導(dǎo)線、該正信號導(dǎo)線、該負信號導(dǎo)線與該接地導(dǎo)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型閃存儲存裝置，其中該保護層的材質(zhì)為一防焊漆。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微型閃存儲存裝置，更包括一封裝層，以覆蓋該后表面與該四個側(cè)表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型閃存儲存裝置，其中該封裝層的材質(zhì)為一環(huán)氧樹脂。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種微型閃存儲存裝置，其包括基板、控制與儲存電路組件、接地導(dǎo)線、至少一信號線與電源導(dǎo)線?？刂婆c儲存電路組件、接地導(dǎo)線、信號線與電源導(dǎo)線配置在基板上，其中電源導(dǎo)線、信號線與接地導(dǎo)線分別電連接至控制與儲存電路組件。此外，微型閃存儲存裝置更包括與接地導(dǎo)線電連接的額外接地導(dǎo)線或一凸塊，以致于當(dāng)微型閃存儲存裝置插入至主機系統(tǒng)時，接地導(dǎo)線可先與主機系統(tǒng)電性連接。
文檔編號G11C16/02GK102881325SQ20121036487
公開日2013年1月16日 申請日期2009年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月8日
發(fā)明者林佑鋒, 鐘弘毅, 林諭棟, 陳耘頡 申請人:群聯(lián)電子股份有限公司