專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例總體而言涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體而言，涉及一種使用高壓的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
為了減小半導(dǎo)體器件中的功耗，供應(yīng)到半導(dǎo)體器件的外部電壓有所降低。然而，有時(shí)也需要比外部電壓更高的內(nèi)部電壓以操作半導(dǎo)體器件。例如，在諸如NAND快閃存儲(chǔ)器件的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，供應(yīng)大約2V的外部電壓，但是為了執(zhí)行編程操作或擦除操作，15V至20V的高壓也是必要的。因此，在半導(dǎo)體器件中要使用用于從外部電壓產(chǎn)生高壓的高壓發(fā)生器(例如，電荷泵電路)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種包括高壓發(fā)生器的半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括:高壓發(fā)生器，所述高壓發(fā)生器用于通過升高電源電壓來產(chǎn)生高壓；內(nèi)部電路，所述內(nèi)部電路借助于高壓來操作；以及放電電路，所述放電電路用于在電源電壓下降時(shí)對(duì)高壓發(fā)生器的輸出節(jié)點(diǎn)的高壓放電。所述放電電路包括:第一二極管，所述第一二極管被配置成具有供應(yīng)到其的使能信號(hào)；晶體管，所述晶體管被配置成具有與高壓發(fā)生器的輸出節(jié)點(diǎn)耦接的漏極和與第一二極管的輸出端子耦接的柵極；以及第二二極管，所述第二二極管耦接在第一晶體管的源極與供應(yīng)電源電壓的電源電壓端子之間。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的框圖；圖2A和圖2B是說明圖1所示的半導(dǎo)體器件的操作的波形圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的框圖；圖4是圖3所示的放電電路的電路圖；以及圖5A和圖5B是說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的操作的波形圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本公開的一些示例性實(shí)施例。提供附圖是為了允許本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明實(shí)施例的范圍。圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的框圖。
參見圖1，半導(dǎo)體器件可以包括高壓發(fā)生器110、一個(gè)或更多個(gè)傳送電路(為了簡(jiǎn)便起見，僅示出兩個(gè)傳送電路120A和120B)、放電電路140以及內(nèi)部電路130。高壓發(fā)生器110響應(yīng)于使能信號(hào)EN而利用電源電壓EXT_VDD來產(chǎn)生比電源電壓EXT_VDD更高的高壓。高壓發(fā)生器110可以是已知的電荷泵電路。傳送電路120A和120B起到將產(chǎn)生的高壓傳送到內(nèi)部電路130的作用。傳送電路120A和120B在保持高壓的同時(shí)傳送高壓。例如，第一節(jié)點(diǎn)N0DE1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3可以與其他的外圍電路(未示出)耦接，傳送電路120A和120B還將高壓傳送到需要高壓的電路。內(nèi)部電路130在其操作時(shí)使用高壓，并且可以包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件(諸如NAND快閃存儲(chǔ)器件)的單元陣列。在需要高壓的操作完成時(shí)，放電電路140起到對(duì)來自第一節(jié)點(diǎn)N0DE1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3的高壓放電的作用。放電電路140響應(yīng)于放電信號(hào)DISCH而將第一節(jié)點(diǎn)N0DE1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3處的高壓放電到接地端子。放電電路140例如包括第一晶體管NlOl、第二晶體管N103以及第三晶體管N105，上述晶體管中的每個(gè)耦接在相應(yīng)的節(jié)點(diǎn)N0DE1、N0DE2或N0DE3與接地端子之間。另外，第一節(jié)點(diǎn)N0DE1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3可以響應(yīng)于放電信號(hào)DISCH而操作。圖2A和圖2B是說明圖1所示的半導(dǎo)體器件的操作的波形圖。參見圖2A，當(dāng)在第一時(shí)間點(diǎn)tl施加電源電壓EXT_VDD并且在第二時(shí)間點(diǎn)t2激活使能信號(hào)EN時(shí)，高壓發(fā)生器110產(chǎn)生比電源電壓EXT_VDD更高的高壓，并且傳送電路120A和120B將高壓傳送到與內(nèi)部電路130或外圍電路耦接的第二節(jié)點(diǎn)N0DE2和第三節(jié)點(diǎn)N0DE3。因而，第一節(jié)點(diǎn)N0DE1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3的電壓升高。內(nèi)部電路130或外圍電路執(zhí)行需要高壓的各種操作(例如，編程操作、讀取操作以及擦除操作)。如果內(nèi)部電路130或外圍電路需要高壓的特定操作完成或者不再需要高壓，則在第三時(shí)間點(diǎn)t3去激活使能信號(hào)EN并激活放電信號(hào)DISCH。當(dāng)使能信號(hào)EN被去激活時(shí)，高壓發(fā)生器110停止產(chǎn)生高壓，并且第一節(jié)點(diǎn)NODEl、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3的高壓借助于放電電路140被放電到接地端子。結(jié)果，節(jié)點(diǎn)N0DE1、N0DE2以及N0DE3的高壓下降。如上所述，高壓被施加到內(nèi)部電路130，且在正常情況下完成操作之后第一節(jié)點(diǎn)N0DE1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3的各高壓被放電。然而，電源電壓EXT_VDD的供應(yīng)也可能異常地停止。參見圖2B，如果在第三時(shí)間點(diǎn)t3或在第三時(shí)間點(diǎn)t3之前電源電壓EXT_VDD的供應(yīng)異常地停止或電源電壓EXT_VDD異常地下降，則放電信號(hào)DISCH不被激活。另外，使能信號(hào)EN可能被去激活。在這種情況下，由于放電電路140不操作，所以第一節(jié)點(diǎn)N0DE1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3中的一個(gè)或更多個(gè)節(jié)點(diǎn)處的高壓可能不被放電，因而第一節(jié)點(diǎn)N0DE1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3中的一個(gè)或更多個(gè)節(jié)點(diǎn)可能保持高壓。因此，由高壓所導(dǎo)致的應(yīng)力可能在保持高壓的第一節(jié)點(diǎn)N0DE1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3中的一個(gè)或更多個(gè)節(jié)點(diǎn)處產(chǎn)生，或者在不直接被供應(yīng)電源電壓EXT_VDD而是與保持高壓的節(jié)點(diǎn)N0DE1、N0DE2以及N0DE3耦接的所有外圍電路上產(chǎn)生。因此，電路的電學(xué)特性可能惡化。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，以下將描述即使電源電壓EXT_VDD如上所述異常地下降也可以將電路的電學(xué)特性惡化最小化。圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的框圖。參見圖3，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括高壓供應(yīng)電路310、內(nèi)部電路320以及第一放電電路340。半導(dǎo)體器件還可以包括第二放電電路330。高壓供應(yīng)電路310通過升高電源電壓EXT_VDD來產(chǎn)生高壓。高壓供應(yīng)電路310包括高壓發(fā)生器311和一個(gè)或更多個(gè)傳送電路(為了簡(jiǎn)便起見，僅示出兩個(gè)傳送電路312A和321B)。高壓供應(yīng)電路310還可以包括第三放電電路314和第四放電電路313。高壓發(fā)生器311響應(yīng)于被激活的使能信號(hào)EN而利用電源電壓EXT_VDD來產(chǎn)生比電源電壓EXT_VDD更高的高壓。高壓發(fā)生器311可以是已知的電荷泵電路。傳送電路312A和312B起到將高壓傳送到內(nèi)部電路320的作用。傳送電路312A和312B在保持高壓的同時(shí)傳送高壓。第一節(jié)點(diǎn)NODEl和第二節(jié)點(diǎn)N0DE2可以與高壓發(fā)生器311的外圍電路(未示出)耦接，傳送電路312A和312B將高壓傳送到需要高壓的電路。如果電源電壓EXT_VDD異常地下降或電源電壓EXT_VDD的供應(yīng)停止，則第三放電電路314起到對(duì)高壓供應(yīng)電路310的第一節(jié)點(diǎn)NODEl和第二節(jié)點(diǎn)N0DE2放電的作用。第三放電電路314可以具有與第一放電電路340相同的配置，且執(zhí)行與第一放電電路340相同的功能。在需要高壓的操作完成之后，第四放電電路313執(zhí)行對(duì)第一節(jié)點(diǎn)NODEl和第二節(jié)點(diǎn)N0DE2的高壓放電的操作。放電電路313起到響應(yīng)于放電信號(hào)DISCH而將每個(gè)節(jié)點(diǎn)NODEl和N0DE2的高壓放電到接地端子的作用。第四放電電路313可以包括耦接在相應(yīng)的節(jié)點(diǎn)NODEl和N0DE2與接地端子之間的晶體管N301和N303，并且響應(yīng)于放電信號(hào)DISCH而操作。內(nèi)部電路320在其操作時(shí)需要高壓，并且可以包括單元陣列。單元陣列可以包括浮柵存儲(chǔ)器陣列或電荷捕獲存儲(chǔ)器單元陣列。第一放電電路340在電源電壓EXT_VDD下降時(shí)對(duì)耦接在高壓供應(yīng)電路310的輸出節(jié)點(diǎn)與內(nèi)部電路320的輸入節(jié)點(diǎn)之間的第三節(jié)點(diǎn)N0DE3放電。具體地，第一放電電路340可以將第三節(jié)點(diǎn)N0DE3的高壓放電到供應(yīng)電源電壓EXT_VDD的電源電壓端子。在需要高壓的操作完成之后，第二放電電路330響應(yīng)于放電信號(hào)DISCH而執(zhí)行將耦接在高壓供應(yīng)電路310的輸出節(jié)點(diǎn)與內(nèi)部電路320的輸入節(jié)點(diǎn)之間的第三節(jié)點(diǎn)N0DE3的高壓放電到接地端子的操作。第二放電電路330可以包括耦接在節(jié)點(diǎn)N0DE3與接地端子之間的晶體管N305，并且響應(yīng)于放電信號(hào)DISCH而操作。與不同的節(jié)點(diǎn)耦接的第一放電電路340以及放電單元314A和314B可以具有相同的配置和功能。以下描述第一放電電路340的配置作為一個(gè)實(shí)例。圖4是圖3所示的放電電路的電路圖。參見圖4，第一放電電路340包括第一二極管Dl、晶體管N307以及第二二極管D2。第一放電電路340還可以包括電容器Cl。使能信號(hào)EN施加到第一二極管Dl。更具體地，使能信號(hào)EN施加到第一二極管Dl的正極。第一二極管Dl可以由如下的晶體管形成，所述晶體管具有彼此耦接的漏極和柵極以及具有與晶體管N307耦接的源極。這里，第一二極管Dl的晶體管可以是NMOS晶體管。這里，上述晶體管的柵極和漏極成為第一二極管Dl的正極，且上述晶體管的源極成為第一二極管Dl的負(fù)極。第一晶體管N307的漏極與第三節(jié)點(diǎn)耦接，即耦接在電壓供應(yīng)電路310的輸出節(jié)點(diǎn)和內(nèi)部電路320的輸入節(jié)點(diǎn)之間，第一晶體管N307的柵極與第一二極管Dl耦接，第一晶體管N307的源極與第二二極管D2耦接。第二二極管D2與晶體管N307以及供應(yīng)電源電壓EXT_VDD的電源電壓端子耦接。更具體地，第二二極管D2的正極與晶體管N307耦接，第二二極管D2的負(fù)極與電源電壓端子耦接。第二二極管D2可以由如下的晶體管形成，所述晶體管具有與第一晶體管N307耦接的漏極和柵極以及具有與電源電壓端子耦接的源極。這里，第二二極管D2的晶體管可以是NMOS晶體管。此外，上述晶體管的柵極和漏極成為第二二極管D2的正極，且上述晶體管的源極成為第二二極管D2的負(fù)極。電容器Cl耦接在晶體管N307的柵極與接地端子之間。電容器Cl起到在使能信號(hào)EN被激活時(shí)儲(chǔ)存電荷的作用，還起到即使在使能信號(hào)EN被去激活時(shí)也能將與晶體管N307的柵極耦接的節(jié)點(diǎn)VA的電壓電平保持為高電平的作用。以上描述了將使能信號(hào)EN施加到第一二極管Dl的實(shí)例，但是也可以取代使能信號(hào)EN而將電源電壓EXT_VDD施加到第一二極管Dl。以下將描述參照?qǐng)D4所述的放電電路340的操作。圖5A和圖5B是說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的操作的波形圖。參見圖5A，當(dāng)在第一時(shí)間點(diǎn)tl供應(yīng)電源電壓EXT_VDD且在第二時(shí)間點(diǎn)t2激活使能信號(hào)EN時(shí)，高壓供應(yīng)電路310產(chǎn)生比電源電壓EXT_VDD更高的高壓，并將高壓輸出到與內(nèi)部電路320或外圍電路耦接的第三節(jié)點(diǎn)N0DE3。因而，每個(gè)節(jié)點(diǎn)N0DE1、N0DE2以及N0DE3的電壓升聞。內(nèi)部電路320或外圍電路執(zhí)行需要高壓的各種操作(例如，編程操作、讀取操作以及擦除操作)。如果內(nèi)部電路320或外圍電路的操作完成或者如果內(nèi)部電路320或外圍電路不再需要高壓，則在第三時(shí)間點(diǎn)t3將使能信號(hào)EN去激活并將放電信號(hào)DISCH激活。當(dāng)使能信號(hào)EN被去激活時(shí)，高壓供應(yīng)電路310停止產(chǎn)生高壓，并且放電電路313和330將第一節(jié)點(diǎn)NODEl、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3的高壓放電到接地端子。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)NODE 1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2以及第三節(jié)點(diǎn)N0DE3的電壓下降。此時(shí)，放電電路340的與晶體管N307的柵極耦接的節(jié)點(diǎn)VA保持為如下的電壓電平:即從大約2.3V的使能信號(hào)下降了第一二極管Dl的閾值電壓的電壓電平。例如，放電電路340的節(jié)點(diǎn)VA保持為1.7V。另外，與第二二極管D2和晶體管N307耦接的耦接節(jié)點(diǎn)VB可以保持為如下的電壓電平:即從晶體管N307的柵極電壓下降了晶體管N307的閾值電壓的電壓電平。例如，耦接節(jié)點(diǎn)VB保持為1.1V。第二二極管D2截止，因?yàn)?.6V到3.7V的電源電壓EXT_VDD比耦接節(jié)點(diǎn)VB的電壓高。因此，放電電路340對(duì)節(jié)點(diǎn)N0DE3沒有影響。如上所述，在操作完成之后，施加到內(nèi)部電路320以及第一節(jié)點(diǎn)N0DE1、第二節(jié)點(diǎn)N0DE2和第三節(jié)點(diǎn)N0DE3的高壓正常地放電。以下描述當(dāng)電源電壓EXT_VDD的供應(yīng)異常地停止或電源電壓EXT_VDD異常地下降時(shí)的操作。參見圖5B，當(dāng)在第三時(shí)間點(diǎn)t3或在第三時(shí)間點(diǎn)t3之前電源電壓EXT_VDD的供應(yīng)異常地停止或電源電壓EXT_VDD異常地下降時(shí)，放電信號(hào)DISCH不被激活。此外，使能信號(hào)EN也可能被去激活。在放電電路340中當(dāng)使能信號(hào)EN被去激活之前，晶體管N307的柵極因?yàn)轫憫?yīng)于被激活的使能信號(hào)EN而被充電到電容器Cl中的電荷而保持大約1.7V的電壓。因此，晶體管N307保持導(dǎo)通。當(dāng)電源電壓EXT_VDD下降到OV時(shí)，第二二極管D2被導(dǎo)通。因此，節(jié)點(diǎn)N0DE3的高壓通過保持導(dǎo)通的晶體管N307和第二二極管D2而被放電到電源電壓端子。此時(shí)，第二二極管D2和晶體管N307的耦接節(jié)點(diǎn)VB可以保持與第二二極管D2的閾值電壓相對(duì)應(yīng)的大約1.1V。因而，節(jié)點(diǎn)N0DE3可以保持大約1.1V的電壓而不完全放電到0V。如果保持1.1V的電壓，則施加到外圍電路的應(yīng)力小得可以忽略。如上所述，即使電源電壓異常地下降或電源電壓的供應(yīng)停止，節(jié)點(diǎn)的高壓也可以穩(wěn)定地放電。因此,可以使外圍電路中的應(yīng)力最小化。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，可以改善半導(dǎo)體器件的操作特性。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 高壓發(fā)生器，所述高壓發(fā)生器被配置成通過升高電源電壓來產(chǎn)生高壓； 傳送電路，所述傳送電路被配置成響應(yīng)于傳送信號(hào)而將所述高壓傳送到內(nèi)部電路；以及 第一放電電路，所述第一放電電路被配置成在所述電源電壓下降時(shí)將所述高壓發(fā)生器的輸出節(jié)點(diǎn)的高壓或所述傳送電路的輸入節(jié)點(diǎn)或輸出節(jié)點(diǎn)的高壓放電。
2.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一放電電路將所述輸入節(jié)點(diǎn)或所述輸出節(jié)點(diǎn)的高壓放電到供應(yīng)所述電源電壓的電源電壓端子。
3.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一放電電路包括: 第一二極管，所述第一二極管被配置成接收使能信號(hào)； 第一晶體管，所述第一晶體管包括第一漏極和第一柵極，其中，所述第一漏極與所述傳送電路的輸入節(jié)點(diǎn)或輸出節(jié)點(diǎn)耦接，所述第一柵極與所述第一二極管的輸出端子耦接；以及 第二二極管，所述第二二極管耦接在所述第一晶體管的源極與供應(yīng)所述電源電壓的電源電壓端子之間。
4.按權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，還包括電容器，所述電容器耦接在所述第一晶體管的柵極與接地端子之間。
5.按權(quán)利要求3所述的 半導(dǎo)體器件，其中，所述第一二極管包括第二晶體管，所述第二晶體管具有與施加所述使能信號(hào)的節(jié)點(diǎn)耦接的第二漏極和第二柵極，并具有與所述第一晶體管的柵極耦接的第二源極。
6.按權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二二極管包括第三晶體管，所述第三晶體管具有與所述第一晶體管的源極耦接的第三漏極和第三柵極，并具有與所述電源電壓端子耦接的第三源極。
7.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括第二放電電路，所述第二放電電路被配置成響應(yīng)于放電信號(hào)而將所述輸入節(jié)點(diǎn)或所述輸出節(jié)點(diǎn)的高壓放電到接地端子。
8.按權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二放電電路包括第四晶體管，所述第四晶體管耦接在所述傳送電路的輸入節(jié)點(diǎn)或輸出節(jié)點(diǎn)與所述接地端子之間，并響應(yīng)于所述放電信號(hào)而操作。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括: 高壓供應(yīng)電路，所述高壓供應(yīng)電路被配置成通過升高電源電壓而產(chǎn)生高壓； 內(nèi)部電路，所述內(nèi)部電路借助于所述高壓操作；以及 第一放電電路，所述第一放電電路被配置成在所述電源電壓下降時(shí)對(duì)所述高壓供應(yīng)電路的輸出節(jié)點(diǎn)的高壓放電。
10.按權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一放電電路將所述高壓供應(yīng)電路的輸出節(jié)點(diǎn)的高壓放電到供應(yīng)所述電源電壓的電源電壓端子。
11.按權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一放電電路包括: 第一二極管，所述第一二極管被配置成接收使能信號(hào)； 第一晶體管，所述第一晶體管包括第一漏極和第一柵極，其中，所述第一漏極與所述高壓供應(yīng)電路的輸出節(jié)點(diǎn)耦接，所述第一柵極與所述第一二極管的輸出端子耦接；以及第二二極管，所述第二二極管耦接在所述第一晶體管的源極與供應(yīng)所述電源電壓的電源電壓端子之間。
12.按權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，還包括電容器，所述電容器耦接在所述第一晶體管的柵極與接地端子之間。
13.按權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一二極管包括第二晶體管，所述第二晶體管具有與施加所述使能信號(hào)的節(jié)點(diǎn)耦接的第二漏極和第二柵極，并具有與所述第一晶體管的柵極耦接的第二源極。
14.按權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二二極管包括第三晶體管，所述第三晶體管具有與所述第一晶體管的源極耦接的第三漏極和第三柵極，并具有與所述電源電壓端子耦接的第三源極。
15.按權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括第二放電電路，所述第二放電電路被配置成響應(yīng)于放電信號(hào)而將所述高壓供應(yīng)電路的輸出節(jié)點(diǎn)的高壓放電到接地端子。
16.按權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二放電電路包括第四晶體管，所述第四晶體管耦接在所述高壓供應(yīng)電路的輸出節(jié)點(diǎn)與所述接地端子之間，并響應(yīng)于所述放電信號(hào)而操作。
17.按權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述高壓供應(yīng)電路包括: 高壓發(fā)生器，所述高壓發(fā)生器被配置成通過升高所述電源電壓而產(chǎn)生所述高壓；以及 傳送電路，所述傳送電路被配置 成響應(yīng)于傳送信號(hào)而將所述高壓傳送到所述輸出節(jié)點(diǎn)。
18.按權(quán)利要求17所述半導(dǎo)體器件，其中，所述高壓供應(yīng)電路還包括第三放電電路，所述第三放電電路被配置成在所述電源電壓下降時(shí)對(duì)所述高壓發(fā)生器的輸出節(jié)點(diǎn)的高壓或所述傳送電路的輸入節(jié)點(diǎn)或輸出節(jié)點(diǎn)的高壓放電。
19.按權(quán)利要求17所述半導(dǎo)體器件，其中，所述高壓供應(yīng)電路還包括第四放電電路，所述第四放電電路被配置成響應(yīng)于放電信號(hào)而將所述高壓發(fā)生器的輸出節(jié)點(diǎn)的高壓或所述傳送電路的輸入節(jié)點(diǎn)或輸出節(jié)點(diǎn)的高壓放電。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括高壓發(fā)生器，所述高壓發(fā)生器用于通過升高電源電壓來產(chǎn)生高壓；傳送電路，所述傳送電路用于響應(yīng)于傳送信號(hào)而將高壓傳送到內(nèi)部電路；以及第一放電電路，所述第一放電電路用于在電源電壓下降時(shí)對(duì)高壓發(fā)生器的輸出節(jié)點(diǎn)的高壓或傳送單元的輸入節(jié)點(diǎn)或輸出節(jié)點(diǎn)的高壓放電。
文檔編號(hào)G11C16/02GK103093813SQ20121036221
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者柳濟(jì)一 申請(qǐng)人:愛思開海力士有限公司