專利名稱：移位寄存器電路和芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及移位寄存器電路和芯片。
背景技術(shù)：
移位寄存器電路通?；诮饘?氧化物-半導(dǎo)體(M0S，Metal-Oxide-Semiconductor)管存儲(chǔ)器件，隨著芯片集成度的要求越來越高，移位寄存器電路的尺寸也在不斷減小，但是由于MOS管存儲(chǔ)器件本身大小的限制，因此現(xiàn)有技術(shù)中的移位寄存器電路存在著最小尺寸的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例中提供了移位寄存器電路和芯片，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的移位 寄存器電路存在著最小尺寸的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的問題。為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例公開了如下技術(shù)方案一方面，提供了一種移位寄存器電路，包括阻變憶阻器方陣和電流敏感模塊；所述阻變憶阻器方陣中同一列阻變憶阻器的正相輸入端相連接，以使所述同一列阻變憶阻器的正相輸入端作為信號(hào)輸入端口 ；所述阻變憶阻器方陣中同一行阻變憶阻器的反相輸入端與一個(gè)所述電流敏感模塊的輸入端相連接，以使所述電流敏感模塊的輸出端作為信號(hào)輸出端口 ；所述電流敏感模塊的輸入端工作時(shí)連接到低電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流大于閾值電流時(shí)，所述電流敏感模塊的輸出端輸出高電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流小于閾值電流時(shí)，所述電流敏感模塊的輸出端輸出低電平。優(yōu)選地，所述阻變憶阻器的阻態(tài)包括高阻值阻態(tài)和低阻值阻態(tài)。優(yōu)選地，所述阻變憶阻器方陣中同一行的阻變憶阻器中有一個(gè)處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器；以及，所述阻變憶阻器方陣中同一列的阻變憶阻器中有一個(gè)處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器。優(yōu)選地，所述阻變憶阻器包括單極型阻變憶阻器或雙極型阻變憶阻器。優(yōu)選地，所述阻變憶阻器包括阻變存儲(chǔ)器(RRAM, Resistive Random AccessMemory)或相變存儲(chǔ)器(PRAM,Phase-Change Random Access Memory)或鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectric Random Access Memory)或磁存儲(chǔ)器(MRAM, Magnetic Random AccessMemory)。一方面，提供了一種芯片，包括頂電極金屬條、底電極金屬條和移位寄存器電路；所述移位寄存器電路包括阻變憶阻器方陣和電流敏感模塊；所述阻變憶阻器方陣中同一列阻變憶阻器的正相輸入端通過所述頂電極金屬條相連接，以使所述同一列阻變憶阻器的正相輸入端作為信號(hào)輸入端口 ；所述阻變憶阻器方陣中同一行阻變憶阻器的反相輸入端通過所述底電極金屬條與一個(gè)所述電流敏感模塊的輸入端相連接，以使所述電流敏感模塊的輸出端作為信號(hào)輸出端口 ；所述電流敏感模塊的輸入端工作時(shí)連接到低電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流大于閾值電流時(shí)，所述電流敏感模塊的輸出端輸出高電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流小于閾值電流時(shí)，所述電流敏感模塊的輸出端輸出低電平。優(yōu)選地，所述阻變憶阻器的阻態(tài)包括高阻值阻態(tài)和低阻值阻態(tài)。優(yōu)選地，所述阻變憶阻器方陣中同一行的阻變憶阻器中有一個(gè)處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器；以及，所述阻變憶阻器方陣中同一列的阻變憶阻器中有一個(gè)處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器。優(yōu)選地，所述阻變憶阻器包括單極型阻變憶阻器或雙極型阻變憶阻器。優(yōu)選地，所述阻變憶阻器包括RRAM或PRAM或FRAM或MRAM。本發(fā)明實(shí)施例所提供的移位寄存器電路，在其電路構(gòu)成中未完全采用傳統(tǒng)的MOS管存儲(chǔ)器件，而是部分采用了阻變憶阻器這種具有兩端結(jié)構(gòu)的新型存儲(chǔ)器件，由于阻變憶 阻器具有可縮小性好、存儲(chǔ)密度高、功耗低、讀寫速度快、反復(fù)操作耐受力強(qiáng)、數(shù)據(jù)保持時(shí)間長等特點(diǎn)，因此在有效節(jié)省移位寄存器電路所占面積的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了移位寄存器電路可編程的性能。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的移位寄存器電路的原理圖；圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的電流敏感模塊的電路原理圖；圖3a是單極型阻變憶阻器的電導(dǎo)率隨電壓增大的曲線圖；圖3b是單極型阻變憶阻器的電導(dǎo)率隨電壓減小的曲線圖；圖4是雙極型阻變憶阻器的電導(dǎo)率隨電壓變化的曲線圖；圖5是移位寄存器電路在實(shí)現(xiàn)一位左移輸出功能時(shí)對(duì)應(yīng)的阻態(tài)設(shè)置示意圖；圖6是移位寄存器電路在實(shí)現(xiàn)一位右移輸出功能時(shí)對(duì)應(yīng)的阻態(tài)設(shè)置示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖I所示，為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的移位寄存器電路的原理圖。該移位寄存器電路可以包括，阻變憶阻器方陣10和電流敏感模塊11。阻變憶阻器方陣10中同一列阻變憶阻器101的正相輸入端相連接，以使同一列阻變憶阻器101的正相輸入端作為信號(hào)輸入端口，該信號(hào)輸入端口用于接收低電平或高電平信號(hào)，具體可以用于接收N位數(shù)字輸入信號(hào)(Din)中的一位，N為正整數(shù)，其數(shù)值至少為2，阻變憶阻器方陣10中同一行阻變憶阻器101的反相輸入端與一個(gè)電流敏感模塊11的輸入端相連接，以使電流敏感模塊11的輸出端作為信號(hào)輸出端口，該信號(hào)輸出端口用于輸出低電平或高電平信號(hào)，具體可以用于輸出N位數(shù)字輸出信號(hào)(Dout)中的一位。其中，阻變憶阻器101為兩端器件，參照?qǐng)D1，阻變憶阻器101的上端為正相輸入端，阻變憶阻器101的下端為反相輸入端。本發(fā)明實(shí)施例中，電流敏感模塊11的輸入端工作時(shí)連接到低電平，電流敏感模塊11的輸入端接收到的電流大于閾值電流時(shí)，電流敏感模塊11的輸出端輸出高電平，相應(yīng)地，信號(hào)輸出端口輸出高電平，即數(shù)字信號(hào)“I”；電流敏感模塊11的輸入端接收到的電流小于閾值電流時(shí)，電流敏感模塊11的 輸出端輸出低電平，相應(yīng)地，信號(hào)輸出端口輸出低電平，即數(shù)字信號(hào)“O”。其中，電流敏感模塊11可由多種方式實(shí)現(xiàn),本發(fā)明不做具體限定,例如,可以通過放大器將電流信號(hào)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)輸出，也可以使用鏡像電流源電路將電流鏡像后外接負(fù)載電阻，再對(duì)負(fù)載電阻上的電壓信號(hào)進(jìn)行處理輸出，下面針對(duì)通過鏡像電流源電路來實(shí)現(xiàn)電流敏感模塊11的方式進(jìn)行具體說明。參照?qǐng)D2，為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中電流敏感模塊11的電路原理圖，該電流敏感模塊11由鏡像電流源電路111、負(fù)載電阻112和比較器113組成，其中，鏡像電流源電路111的輸入端Iin作為電流敏感模塊11的輸入端，鏡像電流源電路111的輸出端通過負(fù)載電阻112連接到比較器113的正相輸入端，比較器113的反相輸入端接參考電平Vref，比較器113的輸出端Vout作為電流敏感模塊11的輸出端。鏡像電流源電路111接地，使得鏡像電流源電路111的輸入端在工作時(shí)連接到低電平，即電流敏感模塊11的輸入端工作時(shí)連接到低電平，所以與電流敏感模塊11的輸入端相連接的各阻變憶阻器101的反相輸入端為低電平。當(dāng)移位寄存器電路工作時(shí)，若電流敏感模塊11的輸入端接收到的電流大于閾值電流時(shí)，該電流通過鏡像電流源電路111，鏡像到輸出支路，該輸出支路上連接負(fù)載電阻112，由于負(fù)載電阻112的阻值與阻變憶阻器101處于低阻值阻態(tài)時(shí)的阻值相當(dāng)，所以在負(fù)載電阻112上產(chǎn)生的電壓相當(dāng)于移位寄存器電路的信號(hào)輸入端口接收到的高電平，為描述方便，可將移位寄存器電路工作時(shí)其信號(hào)輸入端口接收到的高電平稱為工作電壓，參考電平Vref可以設(shè)置為工作電壓的一半，具體可以通過電阻分壓實(shí)現(xiàn)，這樣由于負(fù)載電阻112上的電壓高于參考電平Vref，比較器113輸出高電平，從而實(shí)現(xiàn)了電流敏感模塊11的功能。本發(fā)明實(shí)施例所采用的阻變憶阻器101可以具有兩種阻態(tài)高阻值阻態(tài)和低阻值阻態(tài)。阻變憶阻器方陣10中同一行的阻變憶阻器101中有一個(gè)處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器，以及，阻變憶阻器方陣10中同一列的阻變憶阻器101中有一個(gè)處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器。在移位寄存器電路工作前，可以根據(jù)移位寄存器電路要實(shí)現(xiàn)的功能，對(duì)阻變憶阻器方陣10中的各阻變憶阻器101進(jìn)行編程，上述編程即將各阻變憶阻器101設(shè)置為低阻值阻態(tài)或高阻值阻態(tài)，由于本發(fā)明的移位寄存器電路可以通過編程來實(shí)現(xiàn)其相應(yīng)的功能，因此本發(fā)明的移位寄存器電路可以稱為可編程移位寄存器電路。阻變憶阻器101具有阻態(tài)記憶功能，當(dāng)阻變憶阻器101兩端施加的電壓低于閾值電壓時(shí)，阻變憶阻器101的阻態(tài)保持不變，當(dāng)阻變憶阻器101兩端施加的電壓高于閾值電壓時(shí)，阻變憶阻器101的阻態(tài)就可能發(fā)生變化。由上可見，阻變憶阻器101的工作電壓應(yīng)小于閾值電壓；相應(yīng)地，阻變憶阻器101的編程電壓應(yīng)大于閾值電壓，上述編程電壓指的是，對(duì)阻變憶阻器101進(jìn)行編程時(shí)在阻變憶阻器101兩端施加的電壓。本發(fā)明的移位寄存器電路的使用模式可以包括編程模式和工作模式。當(dāng)移位寄存器電路處于編程模式時(shí)，在阻變憶阻器101的兩端施加的編程電壓的大小應(yīng)超過阻變憶阻器101的閾值電壓，由于阻變憶阻器方陣10中包含的阻變憶阻器101的個(gè)數(shù)可能很多，例如，當(dāng)移位寄存器電路具有8個(gè)信號(hào)輸入端和8個(gè)信號(hào)輸出端時(shí)，阻變憶阻器方陣10中可以包含有64個(gè)阻變憶阻器101，對(duì)阻變憶阻器方陣10中的每個(gè)阻變憶阻器101分別編程時(shí)效率較低，并且，阻變憶阻器方陣10中大多數(shù)阻變憶阻器101都應(yīng)設(shè)置成高阻值阻態(tài)，因此可以先對(duì)阻變憶阻器方陣10中的所有阻變憶阻器101進(jìn)行統(tǒng)一編程，即通過統(tǒng)一編程使所有阻變憶阻器101都處于高阻值阻態(tài)，然后再對(duì)少數(shù)的應(yīng)設(shè)置成低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器101分別單獨(dú)編程，即通過單獨(dú)編程使經(jīng)過統(tǒng)一編程后的部分阻變憶阻器101處于低阻值阻態(tài)。上述對(duì)阻變憶阻器101進(jìn)行統(tǒng)一編程時(shí)，可以將移位寄存器電路的信號(hào)輸入端口作為編程電壓的正相輸入端，將各阻變憶阻器101的反相輸入端作為編程電壓的反相輸入 端。上述對(duì)阻變憶阻器101進(jìn)行單獨(dú)編程時(shí)，可以將該阻變憶阻器101所在列的信號(hào)輸入端作為編程電壓的正相輸入端，將該阻變憶阻器101的反相輸入端作為編程電壓的反相輸入端，也可以將阻變憶阻器方陣10中與該阻變憶阻器101處于同一行的各阻變憶阻器101的反相輸入端作為編程電壓的反相輸入端。本發(fā)明實(shí)施例中，阻變憶阻器101可以為單極型阻變憶阻器，也可以為雙極型阻變憶阻器，在對(duì)阻變憶阻器101進(jìn)行編程時(shí)，編程電壓的大小可以根據(jù)阻變憶阻器101的單、雙極特性來選取。參照?qǐng)D3a和圖3b中單極型阻變憶阻器電導(dǎo)率隨電壓變化的曲線圖，當(dāng)阻變憶阻器101為單極型阻變憶阻器時(shí)，低阻值阻態(tài)閾值電壓Vset和高阻值阻態(tài)閾值電壓Vreset均為正電壓，在對(duì)阻變憶阻器101進(jìn)行統(tǒng)一編程時(shí)，由于要將所有的阻變憶阻器101設(shè)置為高阻值阻態(tài)，因此第一編程電壓Vi應(yīng)滿足vset>vi>vreset，這樣阻變憶阻器方陣10中所有的阻變憶阻器101均被設(shè)置為高阻值阻態(tài)；然后針對(duì)阻變憶阻器方陣10中應(yīng)設(shè)置為低阻值阻態(tài)的各阻變憶阻器101分別進(jìn)行單獨(dú)編程時(shí)，第二編程電壓V2應(yīng)滿足V2>VSet。參照?qǐng)D4中雙極型阻變憶阻器電導(dǎo)率隨電壓變化的曲線圖，當(dāng)阻變憶阻器101為雙極型阻變憶阻器時(shí)，低阻值阻態(tài)閾值電壓Vset為正電壓，高阻值阻態(tài)閾值電壓Vreset為負(fù)電壓，在對(duì)阻變憶阻器101進(jìn)行統(tǒng)一編程時(shí)，由于要將所有的阻變憶阻器101設(shè)置為高阻值阻態(tài)，因此可將編程電壓的正相輸入端接地，而編程電壓的反相輸入端接第三編程電壓V3，V3應(yīng)滿足V3> I Vreset I，這樣阻變憶阻器方陣10中所有的阻變憶阻器101均被設(shè)置為高阻值阻態(tài)；然后針對(duì)阻變憶阻器方陣10中應(yīng)設(shè)置為低阻值阻態(tài)的各阻變憶阻器101分別進(jìn)行單獨(dú)編程時(shí)，可將編程電壓的反相輸入端接地，而編程電壓的正相輸入端接第四編程電壓 V4，且 V4>Vset。移位寄存器電路可以根據(jù)需要選擇相應(yīng)的功能，例如，將數(shù)字輸入信號(hào)一位左移輸出，或者，將數(shù)字輸入信號(hào)一位右移輸出，上述兩種功能對(duì)應(yīng)的數(shù)字輸入信號(hào)與數(shù)字輸出信號(hào)可以如表一所不，表一中，數(shù)字輸入信號(hào)用Din表不,將數(shù)字輸入信號(hào)一位左移輸出時(shí)的數(shù)字輸出信號(hào)用Doutl表不,將數(shù)字輸入信號(hào)一位右移輸出時(shí)的數(shù)字輸出信號(hào)用Dout2表不。表一
權(quán)利要求
1.一種移位寄存器電路，其特征在于，包括阻變憶阻器方陣和電流敏感模塊； 所述阻變憶阻器方陣中同一列阻變憶阻器的正相輸入端相連接，以使所述同一列阻變憶阻器的正相輸入端作為信號(hào)輸入端口； 所述阻變憶阻器方陣中同一行阻變憶阻器的反相輸入端與一個(gè)所述電流敏感模塊的輸入端相連接，以使所述電流敏感模塊的輸出端作為信號(hào)輸出端口 ； 所述電流敏感模塊的輸入端工作時(shí)連接到低電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流大于閾值電流時(shí)，所述電流敏感模塊的輸出端輸出高電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流小于閾值電流時(shí)，所述電流敏感模塊的輸出端輸出低電平。
2.如權(quán)利要求I所述的移位寄存器電路，其特征在于，所述阻變憶阻器的阻態(tài)包括高阻值阻態(tài)和低阻值阻態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的移位寄存器電路，其特征在于，所述阻變憶阻器方陣中同一行的阻變憶阻器中有一個(gè)處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器；以及，所述阻變憶阻器方陣中同一列的阻變憶阻器中有一個(gè)處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器。
4.如權(quán)利要求I至3中任一權(quán)利要求所述的移位寄存器電路，其特征在于，所述阻變憶阻器包括單極型阻變憶阻器或雙極型阻變憶阻器。
5.如權(quán)利要求I至3中任一權(quán)利要求所述的移位寄存器電路，其特征在于，所述阻變憶阻器包括阻變存儲(chǔ)器RRAM或相變存儲(chǔ)器PRAM或鐵電存儲(chǔ)器FRAM或磁存儲(chǔ)器MRAM。
6.—種芯片,其特征在于,包括頂電極金屬條、底電極金屬條和移位寄存器電路； 所述移位寄存器電路包括阻變憶阻器方陣和電流敏感模塊； 所述阻變憶阻器方陣中同一列阻變憶阻器的正相輸入端通過所述頂電極金屬條相連接，以使所述同一列阻變憶阻器的正相輸入端作為信號(hào)輸入端口 ； 所述阻變憶阻器方陣中同一行阻變憶阻器的反相輸入端通過所述底電極金屬條與一個(gè)所述電流敏感模塊的輸入端相連接，以使所述電流敏感模塊的輸出端作為信號(hào)輸出端Π ； 所述電流敏感模塊的輸入端工作時(shí)連接到低電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流大于閾值電流時(shí)，所述電流敏感模塊的輸出端輸出高電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流小于閾值電流時(shí)，所述電流敏感模塊的輸出端輸出低電平。
7.如權(quán)利要求6所述的芯片，其特征在于，所述阻變憶阻器的阻態(tài)包括高阻值阻態(tài)和低阻值阻態(tài)。
8.如權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于，所述阻變憶阻器方陣中同一行的阻變憶阻器中有一個(gè)處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器；以及，所述阻變憶阻器方陣中同一列的阻變憶阻器中有一個(gè)處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器。
9.如權(quán)利要求6至8中任一權(quán)利要求所述的芯片，其特征在于，所述阻變憶阻器包括單極型阻變憶阻器或雙極型阻變憶阻器。
10.如權(quán)利要求6至8中任一權(quán)利要求所述的芯片，其特征在于，所述阻變憶阻器包括阻變存儲(chǔ)器RRAM或相變存儲(chǔ)器PRAM或鐵電存儲(chǔ)器FRAM或磁存儲(chǔ)器MRAM。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了移位寄存器電路和芯片，該電路包括阻變憶阻器方陣和電流敏感模塊；阻變憶阻器方陣中同一列阻變憶阻器的正相輸入端相連接，以使同一列阻變憶阻器的正相輸入端作為信號(hào)輸入端口；阻變憶阻器方陣中同一行阻變憶阻器的反相輸入端與一個(gè)電流敏感模塊的輸入端相連接，以使電流敏感模塊的輸出端作為信號(hào)輸出端口；電流敏感模塊的輸入端工作時(shí)連接到低電平，電流敏感模塊的輸入端接收到的電流大于閾值電流時(shí)，電流敏感模塊的輸出端輸出高電平，電流敏感模塊的輸入端接收到的電流小于閾值電流時(shí)，電流敏感模塊的輸出端輸出低電平。本發(fā)明實(shí)施例中，在節(jié)省移位寄存器電路所占面積的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了移位寄存器電路可編程的性能。
文檔編號(hào)G11C19/28GK102881333SQ20121035988
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月25日
發(fā)明者黃如, 張耀凱, 蔡一茂, 陳誠 申請(qǐng)人:北京大學(xué)