移位寄存器單元、柵極驅(qū)動電路和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種移位寄存器單元、柵極驅(qū)動電路和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著液晶顯示不斷的發(fā)展，高分辨率、窄邊框成為液晶顯示發(fā)展的趨勢，而柵極移位寄存器在顯示面板中的應(yīng)用，是實(shí)現(xiàn)窄邊框與高分辨率的重要方法之一。
[0003]TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display 薄膜場效應(yīng)晶體管-液晶顯示器)的驅(qū)動器主要包括柵極驅(qū)動電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，而柵極驅(qū)動電路主要由多級移位寄存器單元以及連接各個(gè)移位寄存器單元的信號線組成，每一級移位寄存器單元均與一根柵線對接，通過移位寄存器單元的輸出信號，逐行掃描驅(qū)動像素TFT。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中一種常見的移位寄存器單元中，輸出控制模塊的控制端所連接的節(jié)點(diǎn)(以下稱該節(jié)點(diǎn)為PU)為高電平時(shí)，輸出控制模塊會導(dǎo)通，從而能夠輸出一個(gè)移位高電平的脈沖信號。為了避免輸出控制模塊在一幀內(nèi)多次輸出高電平，需要在輸出控制模塊輸出移位高電平的脈沖信號之后將該節(jié)點(diǎn)PU進(jìn)行一次復(fù)位，將該節(jié)點(diǎn)PU置為低電平。而為了防止與該節(jié)點(diǎn)相連的各個(gè)模塊(比如輸入模塊)的漏電流導(dǎo)致節(jié)點(diǎn)的電壓在一幀內(nèi)再次拉高，一般需要在進(jìn)行一次復(fù)位之后對該節(jié)點(diǎn)PU繼續(xù)復(fù)位，為了進(jìn)行這樣的復(fù)位，現(xiàn)有技術(shù)中一般設(shè)置加強(qiáng)復(fù)位模塊和加強(qiáng)復(fù)位模塊的控制模塊(以下稱為加強(qiáng)復(fù)位控制模塊)進(jìn)行復(fù)位，該加強(qiáng)復(fù)位控制模塊在輸出控制模塊輸出高電平的移位脈沖時(shí)，將加強(qiáng)復(fù)位模塊關(guān)斷，避免影響輸出控制模塊的輸出，在一次復(fù)位之后導(dǎo)通，將加強(qiáng)復(fù)位模塊開啟，對節(jié)點(diǎn)PU進(jìn)行加強(qiáng)復(fù)位。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中的加強(qiáng)復(fù)位控制模塊一般由多個(gè)晶體管組成，導(dǎo)致相應(yīng)的移位寄存器單元所占用的布局面積較大。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型的一個(gè)目的是降低移位寄存器單元所占用的布局面積。
[0007]第一方面，本實(shí)用新型提供了一種移位寄存器單元，包括:輸入模塊、輸出控制模塊、復(fù)位模塊、加強(qiáng)復(fù)位模塊以及儲能模塊；所述儲能模塊的第一端連接第一節(jié)點(diǎn)；
[0008]所述輸入模塊連接所述第一節(jié)點(diǎn)、第一輸入端和第二輸入端，適于在所述第二輸入端為所述輸入模塊對應(yīng)的有效電平時(shí)開啟，將輸入到所述第一輸入端的脈沖信號寫入第一節(jié)點(diǎn)，將所述第一節(jié)點(diǎn)置為第一電平；所述脈沖信號的電平為第一電平，同時(shí)向所述儲能模塊的第一端充電；所述脈沖信號的電平為第一電平；
[0009]所述輸出控制模塊連接所述第一節(jié)點(diǎn)、第三輸入端和驅(qū)動信號輸出端，適于在所述第一節(jié)點(diǎn)為第一電平時(shí)，根據(jù)輸入到所述第三輸入端的第一時(shí)鐘信號向所述驅(qū)動信號輸出端輸出驅(qū)動信號；
[0010]所述復(fù)位模塊連接所述第一節(jié)點(diǎn)、第四輸入端和第五輸入端，適于在所述第四輸入端輸入的復(fù)位信號的控制下，根據(jù)所述第五輸入端輸入的第二電平的電壓將所述第一節(jié)點(diǎn)置為第二電平；
[0011]所述加強(qiáng)復(fù)位模塊連接所述第一節(jié)點(diǎn)和第六輸入端，適于在所述第一節(jié)點(diǎn)為第二電平且所述輸入模塊關(guān)斷時(shí)，將所述第一節(jié)點(diǎn)的電平置為第六輸入端所輸入的電平。
[0012]進(jìn)一步的，所述第五輸入端和所述第六輸入端為同一輸入端。
[0013]進(jìn)一步的，所述儲能模塊的第二端連接所述輸出端；
[0014]所述移位寄存器單元還包括重置模塊，所述重置模塊連接所述輸出端、第七輸入端和第八輸入端，適于在所述第七輸入端輸入所述重置模塊對應(yīng)的有效電平且第八輸入端輸入第二電平時(shí)將所述輸出端的電平置為第二電平。
[0015]進(jìn)一步的，所述第八輸入端與所述第五輸入端和/或所述第六輸入端為同一輸入端。
[0016]進(jìn)一步的，所述第七輸入端與所述第四輸入端為同一輸入端，所述重置模塊對應(yīng)的有效電平與所述復(fù)位信號的電平均為第一電平。
[0017]進(jìn)一步的，所述重置模塊包括第一晶體管，所述第一晶體管的柵極連接所述第七輸入端，源極連接所述輸出端，漏極連接第八輸入端，所述第一晶體管的導(dǎo)通電平為所述重置模塊對應(yīng)的有效電平。
[0018]進(jìn)一步的，還包括加強(qiáng)重置模塊，所述加強(qiáng)重置模塊連接第一節(jié)點(diǎn)、第九輸入端和所述驅(qū)動信號輸出端，適于在所述第一節(jié)點(diǎn)為第二電平且所述第九輸入端輸入第二電平的電壓時(shí)將所述驅(qū)動信號輸出端的電平置為第二電平。
[0019]進(jìn)一步的，所述第九輸入端與所述第五輸入端和/或所述第六輸入端為同一輸入端。
[0020]進(jìn)一步的，所述加強(qiáng)重置模塊包括第二晶體管，所述第二晶體管的柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述驅(qū)動信號輸出端，源極連接所述第九輸入端，所述第二晶體管的導(dǎo)通電平為第二電平。
[0021]進(jìn)一步的，所述輸入模塊包括第三晶體管；
[0022]所述第三晶體管的柵極連接所述第二輸入端，源極連接所述第一輸入端；或者所述第三晶體管的源極連接所述第二輸入端，柵極連接所述第一輸入端；
[0023]所述第三晶體管的漏極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，導(dǎo)通電平為第一電平。
[0024]進(jìn)一步的，所述加強(qiáng)復(fù)位模塊包括第四晶體管，所述第四晶體管的柵極和漏極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，源極連接所述第六輸入端，且所述第四晶體管的溝道寬長比小于所述第三晶體管的溝道寬長比，所述第四晶體管的導(dǎo)通電平為第二電平。
[0025]進(jìn)一步的，所述輸出控制模塊包括第五晶體管；所述第五晶體管的柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，源極連接所述第三輸入端，漏極連接所述驅(qū)動信號輸出端，所述第五晶體管的導(dǎo)通電平為第一電平。
[0026]進(jìn)一步的，所述復(fù)位模塊包括第六晶體管，所述第六晶體管的柵極連接所述第四輸入端，源極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接第五輸入端，所述第六晶體管的導(dǎo)通電平為第一電平。
[0027]進(jìn)一步的，所述第一輸入端和所述第二輸入端為同一輸入端，所述輸入模塊對應(yīng)的有效電平為第一電平。
[0028]進(jìn)一步的，所述儲能模塊為電容。
[0029]進(jìn)一步的，所述第一電平為高電平，所述第二電平為低電平。
[0030]第四方面，本實(shí)用新型提供了一種顯示裝置，包括上述所述的柵極驅(qū)動電路。
[0031]本實(shí)用新型提供的移位寄存器單元中，加強(qiáng)復(fù)位模塊與所述第一節(jié)點(diǎn)和第六輸入端相連，適于在所述第一節(jié)點(diǎn)為第二電平且所述輸入模塊關(guān)斷時(shí)將所述第一節(jié)點(diǎn)的電壓置為第六輸入端輸入的電壓。這樣在輸出控制模塊輸出脈沖信號時(shí)，由于第一節(jié)點(diǎn)為第一電平，不會導(dǎo)致加強(qiáng)復(fù)位模塊的開啟，從而不會影響輸出控制模塊輸出脈沖信號；在第一節(jié)點(diǎn)被復(fù)位模塊置為第二電平之后，加強(qiáng)復(fù)位模塊持續(xù)導(dǎo)通，通過在第六輸入端持續(xù)輸入第二電平的電壓，能夠避免第一節(jié)點(diǎn)的電荷積累，從而避免第一節(jié)點(diǎn)的再次變?yōu)榈谝浑娖?。這樣就能夠在不設(shè)置加強(qiáng)復(fù)位控制模塊的前提下，完成對第一節(jié)點(diǎn)的加強(qiáng)復(fù)位。與現(xiàn)有技術(shù)中需要設(shè)置加強(qiáng)復(fù)位控制模塊的移位寄存器單元相比，減少了布局面積，有益于顯示裝置的窄邊化。
【附圖說明】
[0032]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種移位寄存器單元的電路示意圖；
[0033]圖2為對圖1中的移位寄存器單元驅(qū)動時(shí)關(guān)鍵信號和節(jié)點(diǎn)的電位變化圖；
[0034]圖3為本實(shí)用新型提供的一種移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖4為本實(shí)用新型提供的另一種移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖5為本實(shí)用新型提供的一種移位寄存器單元的電路示意圖；
[0037]圖6為對圖5中的移位寄存器單元驅(qū)動時(shí)關(guān)鍵信號和節(jié)點(diǎn)的電位變化圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而不能以此來限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0039]現(xiàn)有的一種移位寄存器單元的結(jié)構(gòu)可以參考圖1，包括M1-M9共9個(gè)N型晶體管以及一個(gè)電容C1，并具有多個(gè)輸入端S3，S10、Sl、S