專利名稱：半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)及其驅(qū)動(dòng)方法
半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)及其驅(qū)動(dòng)方法
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2011年9月26日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?10-2011-0096809的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)及其驅(qū)動(dòng)方法，更具體而 言，涉及一種能降低相變存儲(chǔ)器件的干擾的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件可以根據(jù)在斷電的情況下能否保留儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)而被分成易失性存儲(chǔ) 器件和非易失性存儲(chǔ)器件。易失性存儲(chǔ)器件包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨 機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。非易失性存儲(chǔ)器件包括快閃存儲(chǔ)器和電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM)。
快閃存儲(chǔ)器件作為非易失性存儲(chǔ)器主要用于諸如數(shù)碼照相機(jī)、便攜式電話以及 MP3播放器的各種電子裝置中。
然而，快閃存儲(chǔ)器件花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)從其中讀取數(shù)據(jù)和將數(shù)據(jù)寫(xiě)入其中，因而 正在開(kāi)發(fā)諸如磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)以及相變隨機(jī)存 取存儲(chǔ)器(PRAM)的新的半導(dǎo)體器件以代替快閃存儲(chǔ)器件。
作為可供選擇的器件之一的PRAM使用由熱引起在結(jié)晶狀態(tài)與非結(jié)晶狀態(tài)之間相 互相變的相變材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)?？梢允褂糜涉N(Ge)、銻(Sb)以及碲(Te)構(gòu)成的硫族化 物化合物即GST材料作為相變材料。
可以將電流作為熱供應(yīng)源供應(yīng)給相變材料，且所供應(yīng)的熱的量取決于電流的強(qiáng)度 和供應(yīng)時(shí)間。根據(jù)相變材料的結(jié)晶狀態(tài)，相變材料具有不同的電阻，且因而通過(guò)電阻差來(lái)確 定相變材料的邏輯信息。
在相變存儲(chǔ)器件中，與相同的位線連接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元全部連接到一個(gè)相變線 上。因而，在將寫(xiě)入電流施加到特定的存儲(chǔ)器單元時(shí)，會(huì)在與特定存儲(chǔ)器單元相鄰的存儲(chǔ)器 單元中引起不希望的相變。這種現(xiàn)象被稱作干擾。在施加具有較高電平的復(fù)位電流時(shí)干擾 會(huì)變得嚴(yán)重，這將參照?qǐng)D1更詳細(xì)地描述。
參見(jiàn)圖1，提供了與第一字線WLl和第二字線WL2連接的相變線10。相變線10的 與第一字線WLl連接的部分要被相變成非晶狀態(tài)，且相變線10的與第二字線WL2連接的部 分已被預(yù)先相變成非晶狀態(tài)。這里，附圖標(biāo)記20是用于將熱供應(yīng)至相變線10的熱電極。
在施加復(fù)位電流I以使相變線10的與字線WLl電連接的部分處于非晶狀態(tài)時(shí)，相 變線的與第二字線WL2連接的部分也受復(fù)位電流I的影響。
因而，可能會(huì)將相變線10的與第二字線WL2連接的部分再次相變成結(jié)晶狀態(tài)，由 此引起讀取操作錯(cuò)誤。發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)示例性實(shí)施例的一個(gè)示例性方面，一種半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)包括存儲(chǔ)器單 元陣列、復(fù)位電流單元、設(shè)定電流單元以及相變補(bǔ)償單元。存儲(chǔ)器單元陣列可以包括多個(gè)字 線、與所述多個(gè)字線交叉的多個(gè)位線、以及形成在所述多個(gè)字線和所述多個(gè)位線的每個(gè)交 叉處的相變存儲(chǔ)器單元。復(fù)位電流單元可以被配置成將復(fù)位電流施加到所述位線中的位線 以將相變存儲(chǔ)器單元中選中的一個(gè)控制為具有非晶狀態(tài)，并且設(shè)定電流單元可以被配置成 將設(shè)定電流施加到所述位線中的位線以將相變存儲(chǔ)器單元中選中的一個(gè)控制為具有結(jié)晶 狀態(tài)。相變補(bǔ)償單元可以被配置成經(jīng)由與每個(gè)選中的相變存儲(chǔ)器單元相鄰的存儲(chǔ)器單元的 字線，施加校正電流到所述相鄰的存儲(chǔ)器單元，以補(bǔ)償所述相鄰的存儲(chǔ)器單元的相變。
根據(jù)示例性實(shí)施例的另一個(gè)示例性方面，一種半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)包括相變線， 所述相變線包括構(gòu)成第一存儲(chǔ)器單元的第一相變區(qū)域和構(gòu)成第二存儲(chǔ)器單元的第二相變 區(qū)域；寫(xiě)入電流提供單元，所述寫(xiě)入電流提供單元被配置成使第一相變區(qū)域和第二相變區(qū) 域中選中的一個(gè)相變區(qū)域相變；以及相變補(bǔ)償單元，所述相變補(bǔ)償單元被配置成通過(guò)對(duì)第 一相變區(qū)域和第二相變區(qū)域中的另一個(gè)相變區(qū)域因所述選中的相變區(qū)域的相變而引起的 偽相變進(jìn)行補(bǔ)償，來(lái)修復(fù)所述另一個(gè)相變區(qū)域。
根據(jù)示例性實(shí)施例的另一個(gè)示例性方面，一種驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)的方法包 括以下步驟將選中的存儲(chǔ)器單元區(qū)域相變成復(fù)位狀態(tài)；檢測(cè)在相同的相變線上與選中的 存儲(chǔ)器單元區(qū)域相鄰的存儲(chǔ)器單元區(qū)域的相變電阻；響應(yīng)于所述相鄰的存儲(chǔ)器單元區(qū)域的 相變電阻的檢測(cè)結(jié)果而產(chǎn)生校正電流；以及通過(guò)將校正電流施加到所述相鄰的存儲(chǔ)器單元 區(qū)域來(lái)維持所述相鄰的存儲(chǔ)器單元區(qū)域的相變狀態(tài)。
以下在標(biāo)題為“具體實(shí)施方式
”的部分中描述了這些和其它特點(diǎn)、方面以及實(shí)施 例。


從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中將更加清楚地理解本發(fā)明的主題的以上和其它方 面、特征和其它優(yōu)點(diǎn)，其中
圖1是說(shuō)明在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中相變存儲(chǔ)器件的干擾的截面圖2A是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)的框圖2B是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的相變補(bǔ)償單元的詳細(xì)框圖3是表示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的施加給半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)的每 種電流的能級(jí)和電阻分布的曲線圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)制 的截面圖5A至圖是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的校正電流施加時(shí)序圖；以及
圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)機(jī) 制的截面圖。
具體實(shí)施方式
在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
在本文中參照示例性實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的截面圖描述了示例性實(shí)施例。然而， 在附圖中示出的比例和形狀僅是示例性的，并可以根據(jù)制造技術(shù)和/或設(shè)計(jì)考慮來(lái)改變。 在附圖的部分中，為了清晰說(shuō)明，可以夸大示例性實(shí)施例的層和區(qū)域的長(zhǎng)度及尺寸。在附圖 中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。在說(shuō)明書(shū)中，當(dāng)提及一層在另一層或襯底“上”時(shí)，其 不僅可以是直接在其它的層或襯底上，也可以存在中間層。
圖2A是說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)的示意框圖，并且圖2B是 說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施例的相變補(bǔ)償單元的框圖。在示例性實(shí)施例中，例如，將描述應(yīng)用于相 變存儲(chǔ)器件的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)。
參見(jiàn)圖2A，半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)100包括向存儲(chǔ)器單元陣列150提供電流的復(fù) 位電流單元210、設(shè)定電流單元220以及相變補(bǔ)償單元230。
復(fù)位電流單元210和設(shè)定電流單元220將復(fù)位電流Ir和設(shè)定電流Is施加到與要 相變的存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的位線BL，分別作為寫(xiě)入電流。因而，復(fù)位電流單元210和設(shè)定電 流單元220被稱作寫(xiě)入電流提供單元。眾所周知，以具有較高電平和急劇下降的邊沿的脈 沖類型來(lái)提供復(fù)位電流Ir。因此，提供給相變材料的溫度急劇下降，且因而相變材料層(圖 4的PM)的相變區(qū)域被相變成非晶狀態(tài)。另一方面，以具有較低電平和逐漸下降的邊沿的 脈沖類型來(lái)提供設(shè)定電流Is。因此，提供給相變材料的溫度逐漸地下降并且相變材料層PM 的相變區(qū)域被相變成結(jié)晶狀態(tài)。
相變補(bǔ)償單元230將校正電流Ic提供給與要相變的存儲(chǔ)器單元相鄰的存儲(chǔ)器單 元相對(duì)應(yīng)的字線。這里，相鄰的存儲(chǔ)器單元表示如下的存儲(chǔ)器單元被連接到與選中的存儲(chǔ) 器單元相同的位線上、并且通過(guò)位于與選中的存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的字線的任一側(cè)的字線來(lái) 選擇的存儲(chǔ)器單元。因而，由于與同一位線連接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元連接到一個(gè)相變線上，所 以選中的存儲(chǔ)器單元和相鄰的存儲(chǔ)器單元也被連接到一個(gè)相變線上。
校正電流Ic的量比復(fù)位電流Ir和設(shè)定電流Is的量小，使得校正電流Ic僅在已 經(jīng)發(fā)生錯(cuò)誤的細(xì)小區(qū)域中引起相變。
如圖2B所示，相變補(bǔ)償單元230可以包括電阻檢測(cè)單元232，所述電阻檢測(cè)單元 232被配置成檢測(cè)相鄰的存儲(chǔ)器單元的相變區(qū)域的電阻；以及電流發(fā)生單元235，所述電流 發(fā)生單元235被配置成響應(yīng)于電阻檢測(cè)單元232的檢測(cè)結(jié)果而確定校正電流的量。
相變補(bǔ)償單元230感測(cè)相鄰的存儲(chǔ)器單元(圖4的M2)的電阻的變化，計(jì)算已經(jīng) 發(fā)生希望的相變的面積(尺寸)，產(chǎn)生足以修復(fù)非希望的相變區(qū)域的校正電流，以及將校正 電流提供給存儲(chǔ)器單元陣列150。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的施加到相變層的電流的能級(jí)和相變層 根據(jù)電流的電阻分布的曲線圖。
參見(jiàn)圖3，將校正電流Ic、設(shè)定電流Is以及復(fù)位電流Ir在它們的能級(jí)和電流大小 方面依次設(shè)計(jì)得越來(lái)越大。此外，被提供復(fù)位電流Ir的區(qū)域的電阻分布比被提供設(shè)定電流 Is的區(qū)域的電阻分布高。被提供校正電流Ic的區(qū)域的電阻分布取決于相鄰的存儲(chǔ)器單元 的電阻分布。供作參考，圖4說(shuō)明相鄰的存儲(chǔ)器單元處于非晶狀態(tài)的情況。
以下將描述半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)的機(jī)制。
當(dāng)相變材料被引起結(jié)晶時(shí)，由于設(shè)定電流與復(fù)位電流相比具有較低的電平，所以 相鄰的存儲(chǔ)器單元受設(shè)定電流的影響較小。因此，在示例性實(shí)施例中，將描述以下情況作為實(shí)例將相應(yīng)的存儲(chǔ)器單元改變成可能發(fā)生干擾的非晶狀態(tài)的情況，即提供復(fù)位電流的情 況。
首先，將描述選中的存儲(chǔ)器單元(圖4的Ml)被改變成非晶狀態(tài)而與選中的存儲(chǔ) 器單元Ml相鄰的存儲(chǔ)器單元(圖4的M2)已改變成非晶狀態(tài)的情況。
如圖4所示，經(jīng)由選中的存儲(chǔ)器單元MI的位線BL將復(fù)位電流Ir施加到選中的存 儲(chǔ)器單元Ml。通過(guò)復(fù)位電流Ir將選中的存儲(chǔ)器單元Ml正確地相變成非晶狀態(tài)。
此時(shí)，與選中的存儲(chǔ)器單元Ml相鄰的存儲(chǔ)器單元M2的相變區(qū)域可能會(huì)由于復(fù)位 電流Ir的干擾而非希望地且部分地相變成結(jié)晶狀態(tài)。在圖4中，“A”區(qū)域是由于干擾效應(yīng) 已經(jīng)被相變成結(jié)晶狀態(tài)的部分。
為了將“A”區(qū)域修復(fù)成原始狀態(tài)(即，非晶狀態(tài))，經(jīng)由與“A”區(qū)域連接的相鄰字 線WL2(實(shí)質(zhì)禁止?fàn)顟B(tài))將校正電流Ic施加到相鄰的存儲(chǔ)器單元M2。因此，相鄰的存儲(chǔ)器 單元M2的“A”區(qū)域通過(guò)校正電流Ic再次被相變成正常狀態(tài)，由此被修復(fù)到原始的非晶狀 態(tài)。
相鄰的存儲(chǔ)器單元M2的非希望的相變區(qū)域A與總的相變區(qū)域的一部分相對(duì)應(yīng)，且 因而即使在校正電流的大小較小時(shí)也可以校正非希望的相變區(qū)域A。此外，校正電流Ic在 量值上比復(fù)位電流Ir相小，且因而校正電流Ic沒(méi)有引起對(duì)選中的存儲(chǔ)器單元Ml的干擾。
這里，附圖標(biāo)記BEC表示熱電極。
如圖5A所示，校正電流Ic信號(hào)可以在選中的存儲(chǔ)器單元的寫(xiě)入使能時(shí)段(選中 的字線和選中的位線都被使能的時(shí)段)內(nèi)實(shí)施一次脈沖，校正電流Ic信號(hào)的脈沖寬度比選 中的位線的使能時(shí)段和選中的字線的使能時(shí)段小。
如圖5B所示，可以在選中的位線的使能時(shí)段和選中的字線的使能時(shí)段中以脈沖 施加校正電流Ic信號(hào)多次。
如圖5C所示，校正電流Ic信號(hào)可以在選中的位線和選中的字線的使能時(shí)段結(jié)束 之后緊接著實(shí)施一次脈沖，以及如圖5D所示，校正電流Ic信號(hào)可以在選中的位線和選中的 字線的使能時(shí)段結(jié)束之后緊接著實(shí)施多次脈沖。
通過(guò)考慮非希望的相變區(qū)域的大小，可以不同地改變校正電流Ic信號(hào)的脈沖類型。
接著，將描述選中的存儲(chǔ)器單元MI被改變成非晶狀態(tài)并且與選中的存儲(chǔ)器單元 MI相鄰的存儲(chǔ)器單元M2處于結(jié)晶狀態(tài)的情況。
如圖6所示，經(jīng)由選中的存儲(chǔ)器單元MI的位線將復(fù)位電流Ir施加到選中的存儲(chǔ) 器單元Ml。因而，通過(guò)復(fù)位電流Ir將選中的存儲(chǔ)器單元Ml正確地相變成非晶狀態(tài)。
同時(shí)，相鄰的存儲(chǔ)器單元M2的相變區(qū)域可能會(huì)由于復(fù)位電流Ir的干擾效應(yīng)而被 部分地改變成非晶狀態(tài)。
經(jīng)由與“A”區(qū)域連接的相鄰字線WL2將校正電流Ic施加到相鄰的存儲(chǔ)器單元M2， 以將“A”區(qū)域修復(fù)成原始狀態(tài)。此時(shí)，用于結(jié)晶化的校正電流的電平可以比上述用于非晶 化的校正電流Ic的電平小，并且用于結(jié)晶化的校正電流Ic的下降沿可以具有如同設(shè)定電 流的逐漸的傾斜度。因而，相鄰的存儲(chǔ)器單元M2的“A”區(qū)域被再次相變，由此被修復(fù)成原 始的結(jié)晶狀態(tài)。
如以上詳細(xì)描述的，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在選中的存儲(chǔ)器單元的寫(xiě)入使能時(shí)段中，即在選中的位線和選中的字線的使能時(shí)段內(nèi)或在使能時(shí)段結(jié)束之后，經(jīng)由相鄰 的字線施加校正電流到受干擾影響的相鄰的存儲(chǔ)器單元，并且將不正確的相變部分修復(fù)成 原始狀態(tài)。因此，可以防止發(fā)生讀取操作錯(cuò)誤。
盡管以上已經(jīng)描述了具體的實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅是示例性的。因此，本文描 述的器件和方法不應(yīng)限于具體的實(shí)施例，而是應(yīng)被廣義地解釋成包括與示例性實(shí)施例的以 上描述的特點(diǎn)相一致的任何其它的合理適用的器件和方法。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，包括 存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)字線、與所述多個(gè)字線交叉的多個(gè)位線，以及形成在所述多個(gè)字線與所述多個(gè)位線的每個(gè)交叉處的相變存儲(chǔ)器單元； 復(fù)位電流單元，所述復(fù)位電流單元被配置成將復(fù)位電流施加到所述位線中的位線以將從所述相變存儲(chǔ)器單元之中選中的一個(gè)相變存儲(chǔ)器單元控制為具有非晶狀態(tài)； 設(shè)定電流單元，所述設(shè)定電流單元被配置成將設(shè)定電流施加到所述位線中的位線以將從所述相變存儲(chǔ)器單元之中選中的一個(gè)相變存儲(chǔ)器單元控制為具有結(jié)晶狀態(tài)；以及 相變補(bǔ)償單元，所述相變補(bǔ)償單元被配置成經(jīng)由與每個(gè)選中的相變存儲(chǔ)器單元相鄰的存儲(chǔ)器單元的字線，施加校正電流到所述相鄰的存儲(chǔ)器單元，以補(bǔ)償所述相鄰的存儲(chǔ)器單元的相變。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述校正電流具有比所述設(shè)定電流和所述復(fù)位電流小的量值。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述校正電流具有補(bǔ)償所述相鄰的存儲(chǔ)器單元的相變而不影響與所述相鄰的存儲(chǔ)器單元相鄰的存儲(chǔ)器單元的相變的量值。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，，所述校正電流被施加為在所述選中的存儲(chǔ)器單元的寫(xiě)入使能時(shí)段中實(shí)施至少一次脈沖的信號(hào)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述校正電流被施加為在所述選中的存儲(chǔ)器單元的寫(xiě)入使能時(shí)段結(jié)束之后立即實(shí)施至少一次脈沖的信號(hào)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述相變補(bǔ)償電路包括； 電阻檢測(cè)單元，所述電阻檢測(cè)單元被配置成檢測(cè)所述相鄰的存儲(chǔ)器單元的相變區(qū)域的電阻；以及 電流發(fā)生單元，所述電流發(fā)生單元被配置成響應(yīng)于所述電阻檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果而確定所述校正電流的量。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述選中的存儲(chǔ)器單元和所述相鄰的存儲(chǔ)器單元共享公共相變線。
8.一種半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，包括 相變線，所述相變線包括構(gòu)成第一存儲(chǔ)器單元的第一相變區(qū)域和構(gòu)成第二存儲(chǔ)器單元的第二相變區(qū)域； 寫(xiě)入電流提供單元，所述寫(xiě)入電流提供單元被配置成使所述第一相變區(qū)域和所述第二相變區(qū)域中選中的一個(gè)相變區(qū)域相變；以及 相變補(bǔ)償單元，所述相變補(bǔ)償單元被配置成通過(guò)對(duì)所述第一相變區(qū)域和所述第二相變區(qū)域中的另一個(gè)相變區(qū)域因所述選中的相變區(qū)域的相變而引起的偽相變進(jìn)行補(bǔ)償，來(lái)修復(fù)所述另一個(gè)相變區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述相變補(bǔ)償單元被配置成提供校正電流以補(bǔ)償所述偽相變。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述寫(xiě)入電流提供單元包括 復(fù)位電流單元，所述復(fù)位電流單元被配置成提供復(fù)位電流以將所述第一相變區(qū)域和所述第二相變區(qū)域控制為具有非晶狀態(tài)；以及 設(shè)定電流單元，所述設(shè)定電流單元被配置成提供設(shè)定電流以將所述第一相變區(qū)域和所述第二相變區(qū)域控制為具有結(jié)晶狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述第一存儲(chǔ)器單元和所述第二存儲(chǔ)器單元每個(gè)都包括字線和位線。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，將所述設(shè)定電流和所述復(fù)位電流提供給所述位線，并且經(jīng)由所述字線提供所述校正電流。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述校正電流具有比所述設(shè)定電流和所述復(fù)位電流小的量值。
14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述校正電流被提供為在所述第一存儲(chǔ)器單元和所述第二存儲(chǔ)器單元中的所述一個(gè)存儲(chǔ)器單元的寫(xiě)入使能時(shí)段內(nèi)實(shí)施至少一次脈沖的信號(hào)。
15.如權(quán)利要求12所述半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述校正電流被提供為在所述第一存儲(chǔ)器單元和所述第二存儲(chǔ)器單元中的所述一個(gè)存儲(chǔ)器單元的寫(xiě)入使能時(shí)段終止之后立即實(shí)施至少一次脈沖的信號(hào)。
16.如權(quán)利要求9所述半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)，其中，所述相變補(bǔ)償單元包括 電阻檢測(cè)單元，所述電阻檢測(cè)單元被配置成檢測(cè)所述第一相變區(qū)域和所述第二相變區(qū)域中的所述另一個(gè)相變區(qū)域的電阻；以及 電流發(fā)生單元，所述電流發(fā)生單元被配置成響應(yīng)于所述電阻檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果而確定所述校正電流的量。
17.—種驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)的方法，包括以下步驟 將選中的存儲(chǔ)器單元區(qū)域相變成復(fù)位狀態(tài)； 檢測(cè)在相同的相變線上與所述選中的存儲(chǔ)器單元區(qū)域相鄰的存儲(chǔ)器單元區(qū)域的相變電阻； 響應(yīng)于所述相鄰的存儲(chǔ)器單元區(qū)域的相變電阻的檢測(cè)結(jié)果而產(chǎn)生校正電流；以及 通過(guò)將所述校正電流施加到所述相鄰的存儲(chǔ)器單元區(qū)域來(lái)維持所述相鄰的存儲(chǔ)器單元區(qū)域的相變狀態(tài)。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，將所述選中的存儲(chǔ)器單元區(qū)域相變的步驟包括將設(shè)定電流或復(fù)位電流施加到構(gòu)成所述選中的存儲(chǔ)器單元區(qū)域的位線。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，施加所述校正電流的步驟包括將所述校正電流施加到構(gòu)成所述相鄰的存儲(chǔ)器單元區(qū)域的字線。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，在所述選中的存儲(chǔ)器單元的寫(xiě)入使能時(shí)段內(nèi)，以脈沖信號(hào)施加所述校正電流至少一次。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述校正電流被施加為在所述選中的存儲(chǔ)器單元的寫(xiě)入使能時(shí)段終止之后立即實(shí)施至少一次脈沖的信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)及其驅(qū)動(dòng)方法，所述半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)包括相變線，所述相變線包括構(gòu)成第一存儲(chǔ)器單元的第一相變區(qū)域和構(gòu)成第二存儲(chǔ)器單元的第二相變區(qū)域；寫(xiě)入電流提供單元，所述寫(xiě)入電流提供單元被配置成將所述第一相變區(qū)域和所述第二相變區(qū)域中的選中的一個(gè)相變區(qū)域相變；以及相變補(bǔ)償單元，所述相變補(bǔ)償單元被配置成通過(guò)對(duì)所述第一相變區(qū)域和所述第二相變區(qū)域中的另一個(gè)相變區(qū)域因所述選中的相變區(qū)域的相變而引起的偽相變進(jìn)行補(bǔ)償，來(lái)修復(fù)所述另一個(gè)相變區(qū)域。
文檔編號(hào)G11C11/56GK103021457SQ20121024658
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月26日
發(fā)明者樸海贊, 金秀吉 申請(qǐng)人:愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司