技術編號：6739458
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。相關申請的交叉引用本申請要求2011年9月26日向韓國知識產(chǎn)權局提交的申請?zhí)枮?10-2011-0096809的韓國專利申請的優(yōu)先權，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。本發(fā)明的示例性實施例涉及一種，更具體而 言，涉及一種能降低相變存儲器件的干擾的。背景技術半導體器件可以根據(jù)在斷電的情況下能否保留儲存的數(shù)據(jù)而被分成易失性存儲 器件和非易失性存儲器件。易失性存儲器件包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨 機存取存儲器(SRAM)。非易失性存儲器件包括快閃存儲器和...
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