專利名稱：非易失性存儲器及其數(shù)據(jù)讀取方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種非易失性存儲器及其數(shù)據(jù)讀取方法。
背景技術(shù)：
在非易失性存儲器中，每個存儲單元定義為一個二進制的位，即“0”或“1”其中之一，在讀取存儲單元的二進制數(shù)據(jù)值時，通常包括向與該存儲單元連接的位線導(dǎo)入讀取電流，并根據(jù)讀取電流的大小，判斷該存儲單元的數(shù)據(jù)值。常見的讀取方法包括兩種，一種是使用所述讀取電流在位線上進行充電或放電，根據(jù)位線電位的大小判斷存儲單元的數(shù)據(jù)值；還有一種是引入?yún)⒖紗卧?，將所述參考單元的位線電壓與存儲器單元的位線電壓相比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷存儲單元的數(shù)據(jù)值。由于通過充放電改變位線電位需要時間，因此在大規(guī)模的存儲器陣列中為了提高讀取速度，通常采用參考單元的方法。更多關(guān)于上述讀取方法的存儲器可以參見專利號為ZL200710000156. χ的中國專利。圖1示出了現(xiàn)有的一種非易失性存儲器的電路原理圖。所述存儲器包括第一位線11 ；第二位線12 ；分別與所述第一位線11以及第二位線12連接，用于向上述位線預(yù)充電的預(yù)充電單元20 ；與所述第一位線11電連接的存儲單元31 ；與所述第二位線12電連接的參考單元32 ；字線13，與所述存儲單元31以及參考單元32電連接，用于選中存儲單元31 以及參考單元32 ；還包括比較單元40，分別與第一位線11以及第二位線12電連接，用于比較第一位線11以及第二位線12的電位高低，輸出存儲單元31的數(shù)據(jù)?，F(xiàn)有的非易失性存儲器的讀取方法如下首先，預(yù)充電單元20向第一位線11以及第二位線12預(yù)充電，使得所述第一位線 11與第二位線12的初始電位相等。然后，通過字線13選中存儲單元31以及參考單元32，使得存儲單元31以及參考單元32導(dǎo)通，從而在第一位線11上形成流經(jīng)存儲單元31的讀取電流，在第二位線12上形成流經(jīng)參考單元32的參考電流。由于存儲單元31的數(shù)據(jù)為“0”或“1”其中之一，分別對應(yīng)其高阻態(tài)以及低阻態(tài)。 相應(yīng)的，所述讀取電流也具有最小值以及最大值。而參考電流介于所述較低值以及最大值之間。隨著所述讀取電流以及參考電流的產(chǎn)生，第一位線11以及第二位線12的電位開始變化，且變化的幅度與上述讀取電流以及參考電流的大小直接相關(guān)。因此所述比較單元 40，僅通過比較第一位線11與第二位線12的大小，即可推出存儲單元31的數(shù)據(jù)值。此外比較單元40僅根據(jù)比較結(jié)果，輸出高電平信號或低電平信號，其輸出電壓的值與輸入電壓的大小無關(guān)，因此還具有放大器的作用?，F(xiàn)有技術(shù)存在著如下問題在存儲器的制造工藝中，為了使得參考電流的大小介于存儲單元的電流最小值以及最大值之間，必須先根據(jù)存儲單元在高阻態(tài)以及低阻態(tài)兩種情況下的器件參數(shù)，調(diào)節(jié)并固定所述參考單元的器件參數(shù)。在電路設(shè)計以及工藝實現(xiàn)上，較為繁瑣。一旦生產(chǎn)出的存儲器件，由于電性能的漂移，參考單元無法正常工作，便必須重新進行電路或工藝的設(shè)計， 耗費較大。另一方面，隨著存儲器的器件尺寸日益微縮，其工作電壓也隨之減小，上述存儲單元的讀取電流的變化范圍也日益縮小，給調(diào)節(jié)參考單元的器件參數(shù)帶來進一步困難，電路設(shè)計以及工藝窗口的余度較小，很容易使得比較單元40產(chǎn)生誤讀取以及邏輯錯誤，降低了成品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種非易失性存儲器及其數(shù)據(jù)讀取方法，解決現(xiàn)有的小特征尺寸的存儲器件中參考單元的器件參數(shù)調(diào)節(jié)以及電路設(shè)計困難的問題。本發(fā)明所述的非易失性存儲器，包括第一位線、第二位線；與所述第一位線以及第二位線電連接的預(yù)充電單元，用于向第一位線以及第二位線預(yù)充電；與所述第一位線電連接的存儲單元，與所述第二位線電連接的參考單元；所述存儲單元包括存儲器件，所述參考單元包括多個串聯(lián)的參考器件，所述參考器件與存儲器件的器件參數(shù)以及規(guī)格尺寸相同；與所述存儲單元以及參考單元電連接的字線，用于選中存儲單元以及參考單元； 與所述第一位線以及第二位線電連接的比較單元，用于比較第一位線以及第二位線的電位高低，并根據(jù)比較結(jié)果輸出存儲器數(shù)據(jù)。作為可選的方案，所述存儲器件為場效應(yīng)晶體管，例如NMOS晶體管；所述場效應(yīng)晶體管的柵極與字線連接，漏極與第一位線連接，源極連地。所述參考單元包括串聯(lián)的第一場效應(yīng)晶體管以及第二場效應(yīng)晶體管；所述第一場效應(yīng)晶體管的漏極與第二位線連接，源極與第二場效應(yīng)晶體管的漏極連接，柵極與字線連接；所述第二場效應(yīng)晶體管的源極接地， 柵極與字線連接；所述第一場效應(yīng)晶體管以及第二場效應(yīng)晶體管與作為存儲器件的場效應(yīng)晶體管規(guī)格相同。可選的，所述預(yù)充電單元包括電源線VDD，所述電源線VDD分別通過第一充電開
關(guān)與第一位線連接，通過第二充電開關(guān)與第二位線連接?？蛇x的，所述比較單元包括運放比較器，所述運放比較器的負端連接第一位線， 正端連接第二位線；當所述第一位線的電位高于第二位線時，所述運放比較器的輸出端輸出低電平信號；當所述第一位線的電位低于第二位線時，所述運放比較器的輸出端輸出高電平信號。本發(fā)明還提供了上述的非易失性存儲器的數(shù)據(jù)讀取方法，包括初始化所述參考單元，使得各參考器件均為低阻態(tài)；開啟預(yù)充電單元，向第一位線以及第二位線預(yù)充電，并使得所述第一位線以及第二位線的電位相等；關(guān)閉預(yù)充電單元；向字線輸入數(shù)據(jù)讀取信號，選中所述存儲單元以及參考單元，在第一位線上形成讀取電流，在第二位線上形成參考電流；
所述比較單元比較第一位線以及第二位線的電位高低，并根據(jù)比較結(jié)果輸出存儲器數(shù)據(jù)。其中，所述初始化參考單元包括通過字線選中參考單元，通過第二位線對所述參考單元進行寫操作，向所述參考器件中寫入“1”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點參考單元采用串聯(lián)的參考器件，所述參考器件與存儲單元中的存儲器件相同，且在數(shù)據(jù)讀取前初始化參考單元，使得參考器件均處于低阻態(tài)，使得參考電流總是介于讀取電流的最大值以及最小值之間。一方面，無需對參考器件的器件參數(shù)進行調(diào)節(jié)，極大的簡化了電路設(shè)計以及工藝實現(xiàn)的工作；另一方面，即使在生產(chǎn)或者使用過程中，器件的電性能產(chǎn)生了漂移，由于參考單元與存儲單元的器件參數(shù)以及規(guī)格尺寸完全相同，因此漂移量也保持一致，參考電流依然介于讀取電流的最大值以及最小值之間，避免了存儲器的失效。


圖1是現(xiàn)有非易失性存儲器的電路原理圖；圖2是本發(fā)明所述非易失性存儲器的電路原理圖；圖3是本發(fā)明所述非易失性存儲器的一個具體實施例的電路圖；圖4是本發(fā)明所述非易失性存儲器的數(shù)據(jù)讀取方法的流程示意圖。
具體實施例方式現(xiàn)有的非易失性存儲器中，用于數(shù)據(jù)讀取的參考單元需要進行器件參數(shù)的調(diào)節(jié)， 使得參考電流介于存儲單元讀取電流的最大值以及最小值之間。電路設(shè)計以及工藝實現(xiàn)較為繁瑣，且隨著器件尺寸微縮，上述電路設(shè)計以及工藝實現(xiàn)困難度越來越大，并容易因為器件電性能的漂移而產(chǎn)生存儲器的失效。針對上述問題，本發(fā)明則在參考單元中采用與存儲單元的存儲器件完全相同的參考器件，并將所述若干參考器件串聯(lián)設(shè)置。由于高阻態(tài)時存儲器件的內(nèi)阻遠大于低阻態(tài)時， 因此讀取電流的最小值近似于0。如果將所述參考器件通過寫操作均設(shè)置成低阻態(tài)后，則在數(shù)據(jù)讀取時，參考電流總是介于讀取電流的最大值以及最小值之間，從而免除了對參考單元的器件參數(shù)的調(diào)節(jié)。圖2為本發(fā)明所述非易失性存儲器的電路原理圖，如圖2所示，包括第一位線101、第二位線102 ；與所述第一位線101以及第二位線102電連接的預(yù)充電單元200，用于向第一位線 101以及第二位線102預(yù)充電；與所述第一位線101電連接的存儲單元301，與所述第二位線102電連接的參考單元302;所述存儲單元301包括存儲器件M1，所述參考單元302包括n(n> 1)個串聯(lián)的參考器件M2，所述參考器件M2與存儲器件Ml相同，具體的，所述參考器件M2與存儲器件Ml 具有相同的器件參數(shù)以及規(guī)格尺寸；與所述存儲單元301以及參考單元302電連接的字線103，用于選中存儲單元301 以及參考單元302 ；與所述第一位線101以及第二位線102電連接的比較單元400，用于比較第一位線101以及第二位線102的電位高低，并根據(jù)比較結(jié)果輸出存儲器的數(shù)據(jù)。在上述非易失性存儲器中，由于參考器件M2與存儲器件Ml完全相同，因此在同等阻態(tài)下，參考單元302的內(nèi)阻應(yīng)當是存儲單元301的η倍。假設(shè)在進行數(shù)據(jù)讀取前，先采用寫操作將所述參考器件Μ2均設(shè)置成低阻態(tài)，且使得第一位線101與第二位線102的初始電位相等，則在數(shù)據(jù)讀取時，參考電流應(yīng)當?shù)扔诖鎯卧?01中讀取電流最大值的1/η，且大于所述讀取電流的最小值。為說明本發(fā)明特點，以下結(jié)合一個具體的非易失性存儲器電路及其數(shù)據(jù)讀取方法，對本發(fā)明作進一步介紹。圖3為本發(fā)明所述非易失性存儲器的一個具體實施例的電路圖。其中，所述預(yù)充電單元200可以包括電源線VDD，所述電源線VDD分別通過第一充電開關(guān)Kl與第一位線101連接，通過第二充電開關(guān)Κ2與第二位線102連接?？刂扑龅谝怀潆婇_關(guān)Kl以及第二充電開關(guān)Κ2的開閉，便可以實現(xiàn)對第一位線101或第二位線102 預(yù)充電操作的控制。所述存儲單元301的存儲器件可以為單個場效應(yīng)晶體管，圖3中示出了所述存儲單元301的等效電路，包括場效應(yīng)晶體管NO及其內(nèi)阻R0，進一步的，本實施例中所述場效應(yīng)晶體管NO為NMOS晶體管。所述場效應(yīng)晶體管NO的柵極與字線103連接，漏極與第一位線101連接，源極接地。所述內(nèi)阻RO具有高阻態(tài)以及低阻態(tài)，分別對應(yīng)存儲單元301所存儲的數(shù)據(jù)為“0”或者為“1”。所述參考單元302包括若干串聯(lián)的參考器件，所述參考器件也為場效應(yīng)晶體管， 且規(guī)格與存儲器件相同。為簡化分析，本實施例中，所述參考單元302包括兩個參考器件， 圖3中示出了上述參考單元302的等效電路，包括串聯(lián)的第一場效應(yīng)晶體管m以及第二場效應(yīng)晶體管N2，所述第一場效應(yīng)晶體管m具有內(nèi)阻R1，其柵極與字線103連接，漏極與第二位線102連接，源極與第二場效應(yīng)晶體管N2的漏極連接；所述第二場效應(yīng)晶體管N2具有內(nèi)阻R2，其柵極與字線103連接，源極接地。由于所述第一場效應(yīng)晶體管m、第二場效應(yīng)晶體管N2與存儲單元301的場效應(yīng)晶體管NO相同，也即器件參數(shù)、尺寸規(guī)格均一致，因此所述R1、R2以及RO在同阻態(tài)時(均為高阻態(tài)或均為低阻態(tài))，具有相同的阻值。需要指出的是，本發(fā)明所述的存儲器件以及參考器件還可以采用PMOS晶體管。電路連接與上述實施例相似，僅需變更其中漏極與源極的連接。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當容易根據(jù)上述實施例推得具體的連接方式，此處不再贅述。所述比較單元400包括運放比較器C，所述運放比較器C具有正端以及負端兩個輸入端，所述負端與第一位線101相連接，而正端與第二位線102連接。當所述第一位線101 的電位低于第二位線102時，運放比較器C的輸出端輸出高電平信號，對應(yīng)讀取的數(shù)據(jù)為 “1”；反之，所述輸出端輸出低電平信號，對應(yīng)讀取的數(shù)據(jù)為“0”。圖4示出了本發(fā)明所述非易失性存儲器的數(shù)據(jù)讀取方法流程示意圖。結(jié)合圖3以及圖4，對所述數(shù)據(jù)讀取方法進行詳細的介紹。假設(shè)在初始狀態(tài)下，所述第一位線101與第二位線102的電位均為0 ；字線的電位也為0 ；而所述參考單元302中參考器件，也即第一場效應(yīng)晶體管m與第二場效應(yīng)晶體管 N2的阻態(tài)未知。首先執(zhí)行步驟S101、初始化所述參考單元302，使得各參考器件均為低阻態(tài)；
由于參考器件與存儲器件完全相同，且與字線以及位線的電路連接也相似。因此可以采用與存儲單元301相同的寫操作，使得所述第一場效應(yīng)晶體管m的內(nèi)阻Rl以及所述第二場效應(yīng)晶體管N2的內(nèi)阻R2為低阻態(tài)。具體包括通過字線選中參考單元，通過第二位線102對所述參考單元302進行寫操作，向所述參考器件中寫入“1”。非易失性存儲器的寫操作方法為公知技術(shù)，此處不再贅述。執(zhí)行步驟S102、開啟預(yù)充電單元200，向第一位線101以及第二位線102預(yù)充電， 使得所述第一位線101以及第二位線102的初始電位相等；具體的，開啟第一充電開關(guān)Kl以及第二充電開關(guān)K2，使得電源線VDD與第一位線 101以及第二位線102電連接。理論上，無論所述第一位線101以及第二位線102的初始電位處于何種狀態(tài)，總會被所述預(yù)充電單元200所鉗位，并與電源線VDD的電位相同。本實施例中，所述第一位線101以及第二位線102的電位將由0電位升至電源線VDD的電位。執(zhí)行步驟S103、關(guān)閉預(yù)充電單元；具體的，關(guān)閉第一充電開關(guān)Kl以及第二充電開關(guān)K2。使得第一位線101以及第二位線102與電源線VDD斷開。執(zhí)行步驟S104、向字線103輸入數(shù)據(jù)讀取信號，選中所述存儲單元301以及參考單元302，在第一位線101上形成讀取電流I_read，在第二位線102上形成參考電流I_ref ；具體的，外圍電路在需要調(diào)取存儲器中指定地址的存儲單元301的數(shù)據(jù)時，向與該存儲單元301以及對應(yīng)的參考單元302電連接的字線103中輸入高電平信號，使得字線 103的電位升高；存儲單元301中的存儲器件即場效應(yīng)晶體管NO的柵極電位也隨之升高， 使得場效應(yīng)晶體管NO導(dǎo)通；同理，參考單元302中的參考器件即第一場效應(yīng)晶體管m與第二場效應(yīng)晶體管N2也將導(dǎo)通。當場效應(yīng)晶體管NO導(dǎo)通后，所述存儲單元301中形成自第一位線101流向地線 GND的讀取電流I_read，所述讀取電流I_read的大小，取決于內(nèi)阻RO的阻態(tài)。本實施例中， 當存儲單元301的存儲數(shù)據(jù)為“1”，也即所述內(nèi)阻RO為低阻態(tài)，所述讀取電流I_read具有最大值，定義為最大讀取電流I_read-maX;當存儲單元301的存儲數(shù)據(jù)為“0”，也即所述內(nèi)阻為高阻態(tài)，所述讀取電流I_read具有最小值，定義為最小讀取電流I_read-min。需要指出的是，在非易失性存儲器中，高阻態(tài)的存儲單元的電阻遠大于低阻態(tài)時，因此相對于最大讀取電流I_read-maX，所述最小讀取電流I_read-min可以近似于0。當?shù)谝粓鲂?yīng)晶體管m與第二場效應(yīng)晶體管N2導(dǎo)通后，所述參考單元302中形成自第二位線102流向地線GND的參考電流I_ref。由于第一場效應(yīng)晶體管m的內(nèi)阻Rl 以及第二場效應(yīng)晶體管N2的內(nèi)阻R2均為低阻態(tài)，所述第一場效應(yīng)晶體管m與第二場效應(yīng)晶體管NO為串聯(lián)，因此所述參考單元302的總電阻為存儲單元301為低阻態(tài)時阻值的兩倍。而第二位線102與第一位線101的初始電位相同，因此所述參考電流I_ref的大小應(yīng)當?shù)扔谧x取電流最大值I_read-max的1/2，介于最大讀取電流I_read-max以及最小讀取電流 I_read-min 之間。執(zhí)行步驟S105、所述比較單元400比較第一位線101以及第二位線102的電位高低，并根據(jù)比較結(jié)果輸出存儲器數(shù)據(jù)。隨著讀取電流I_read以及參考電流I_ref的產(chǎn)生，分別對第一位線101以及第二位線102起到放電作用，所述第一位線101以及第二位線102的電位也隨之下降。由于參考電流I_ref的大小總是介于最大讀取電流I_read-max以及最小讀取電流I_read-min之
7間，使得第一位線101以及第二位線102的電位下降速度并不相同，從而使得第一位線101 以及第二位線102存在電位的差異。例如，當存儲單元301中數(shù)據(jù)為“1”，其電阻為低阻態(tài)，所述讀取電流I_read具有最大值I_read-max，而參考電流I_ref的大小總是為所述最大讀取電流I_read-maX的 1/2。因此第一位線101的電位下降速度較第二位線102快，所述第一位線101的電位將低于第二位線102。由于第一位線101連接于比較單元400的運放比較器C的負端，第二位線 102連接于正端，因此所述運放比較器C將輸出高電平信號，即讀取得所述存儲單元的數(shù)據(jù)為 “1”。反之，當存儲單元301中數(shù)據(jù)為“0”，其電阻為高阻態(tài)，所述讀取電流I_read具有最小值I_read-min，小于參考電流I_ref。因此第一位線101的電位下降速度較第二位線 102慢，所述第一位線101的電位將高于第二位線102，所述運放比較器C將輸出低電平信號，即讀取得所述存儲單元的數(shù)據(jù)為“0”。綜上所述，本發(fā)明的非易失性存儲器中，參考電流總是介于讀取電流的最大值以及最小值之間。一方面，無需對參考器件的器件參數(shù)進行調(diào)節(jié)，極大的簡化了電路設(shè)計以及工藝實現(xiàn)的工作；另一方面，即使在生產(chǎn)或者使用過程中，器件的電性能產(chǎn)生了漂移，由于參考單元與存儲單元的器件規(guī)格完全相同，因此漂移量也保持一致，參考電流依然介于讀取電流的最大值以及最小值之間，避免了存儲器的失效。需要指出的時，除上述優(yōu)選實施例以外，所述參考單元并不僅僅局限于兩個串聯(lián)的參考器件，參考電流的大小與所述參考器件的數(shù)目有關(guān)。其中具體的存儲器電路及其相關(guān)的功能單元例如預(yù)充電單元以及比較單元還可以使用其他現(xiàn)有的存儲器電路進行替代。此外，在非易失性存儲器中，存儲單元通常為陣列排布，除了以上存儲單元與參考單元一一對應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)外，通常為了節(jié)省器件面積，還可以將多個存儲單元共用一個參考單元。例如同行的存儲單元共用一個參考單元，而通過同一條字線被選中。所述參考單元作為存儲單元陣列的外圍電路，可以設(shè)置于所述存儲單元陣列的周圍。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲器，包括第一位線、第二位線；與所述第一位線以及第二位線電連接的預(yù)充電單元，用于向第一位線以及第二位線預(yù)充電；與所述第一位線電連接的存儲單元，與所述第二位線電連接的參考單元；與所述存儲單元以及參考單元電連接的字線，用于選中存儲單元以及參考單元；與所述第一位線以及第二位線電連接的比較單元，用于比較第一位線以及第二位線的電位高低，并根據(jù)比較結(jié)果輸出存儲器數(shù)據(jù)；其特征在于，所述存儲單元包括存儲器件，所述參考單元包括多個串聯(lián)的參考器件，所述參考器件與存儲器件的器件參數(shù)以及規(guī)格尺寸相同。
2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述存儲器件為場效應(yīng)晶體管。
3.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述存儲器件為NMOS晶體管，其柵極與字線連接，漏極與第一位線連接，源極連地。
4.如權(quán)利要求3所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述參考單元包括串聯(lián)的第一場效應(yīng)晶體管以及第二場效應(yīng)晶體管；所述第一場效應(yīng)晶體管的漏極與第二位線連接，源極與第二場效應(yīng)晶體管的漏極連接，柵極與字線連接；所述第二場效應(yīng)晶體管的源極接地， 柵極與字線連接。
5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述預(yù)充電單元包括電源線 VDD，所述電源線VDD分別通過第一充電開關(guān)與第一位線連接，通過第二充電開關(guān)與第二位線連接。
6.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述比較單元包括運放比較器，所述運放比較器的負端連接第一位線，正端連接第二位線；當所述第一位線的電位高于第二位線時，所述運放比較器的輸出端輸出低電平信號；當所述第一位線的電位低于第二位線時，所述運放比較器的輸出端輸出高電平信號。
7.—種如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器的數(shù)據(jù)讀取方法，包括初始化所述參考單元，使得各參考器件均為低阻態(tài)；開啟預(yù)充電單元，向第一位線以及第二位線預(yù)充電，并使得所述第一位線以及第二位線的電位相等；關(guān)閉預(yù)充電單元；向字線輸入數(shù)據(jù)讀取信號，選中所述存儲單元以及參考單元，在第一位線上形成讀取電流，在第二位線上形成參考電流；所述比較單元比較第一位線以及第二位線的電位高低，并根據(jù)比較結(jié)果輸出存儲器數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，所述初始化參考單元包括通過字線選中參考單元，通過第二位線對所述參考單元進行寫操作，向所述參考器件中寫入“ 1”。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種非易失性存儲器及其數(shù)據(jù)讀取方法，所述存儲器包括第一位線、第二位線；與所述第一位線以及第二位線電連接的預(yù)充電單元，用于向第一位線以及第二位線預(yù)充電；與所述第一位線電連接的存儲單元，與所述第二位線電連接的參考單元；與所述存儲單元以及參考單元電連接的字線，用于選中存儲單元以及參考單元；與所述第一位線以及第二位線電連接的比較單元，用于比較第一位線以及第二位線的電位高低，并根據(jù)比較結(jié)果輸出存儲器數(shù)據(jù)；所述存儲單元包括存儲器件，所述參考單元包括多個串聯(lián)的參考器件，所述參考器件與存儲器件的器件參數(shù)以及規(guī)格尺寸相同。本發(fā)明無需對參考器件的器件參數(shù)進行調(diào)節(jié)，簡化了電路設(shè)計以及工藝實現(xiàn)的工作。
文檔編號G11C16/26GK102568592SQ201010612649
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者楊家奇, 權(quán)彛振, 葛本龍, 賴宇維 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司