技術(shù)編號：6769379
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種。 背景技術(shù)在非易失性存儲器中，每個存儲單元定義為一個二進制的位，即“0”或“1”其中之一，在讀取存儲單元的二進制數(shù)據(jù)值時，通常包括向與該存儲單元連接的位線導入讀取電流，并根據(jù)讀取電流的大小，判斷該存儲單元的數(shù)據(jù)值。常見的讀取方法包括兩種，一種是使用所述讀取電流在位線上進行充電或放電，根據(jù)位線電位的大小判斷存儲單元的數(shù)據(jù)值；還有一種是引入?yún)⒖紗卧瑢⑺鰠⒖紗卧奈痪€電壓與存儲器單元的位線電壓相比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷存儲單元的...
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