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光記錄介質(zhì)的制作方法

文檔序號(hào):6748898閱讀:165來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種具有多層信息記錄層的光記錄介質(zhì),上述信息記錄層是通過(guò)照射 激光從而能夠?qū)崿F(xiàn)記錄及再現(xiàn)的記錄層。
背景技術(shù)
過(guò)去,為了視聽(tīng)數(shù)字動(dòng)畫內(nèi)容或記錄數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù),⑶-DA、⑶-ROM、⑶-R、⑶-RW、 DVD-ROM、DVD-R、DVD+/-RW、DVD-RAM等光記錄介質(zhì)得以廣泛利用。另一方面,對(duì)這種光記錄 介質(zhì)的記錄容量的要求逐年變大,為了滿足這樣的要求,開(kāi)始對(duì)能夠收錄大容量動(dòng)畫或數(shù) 據(jù)的所謂下一代光盤實(shí)施商品化。下一代光盤采用405nm的短波長(zhǎng)來(lái)作為用于記錄及再現(xiàn) 的激光的波長(zhǎng),由此使記錄容量變大。例如,在作為下一代DVD標(biāo)準(zhǔn)之一的Blu-ray Disc (BD 藍(lán)光光盤)標(biāo)準(zhǔn)中,通過(guò) 將物鏡的數(shù)值孔徑設(shè)定為0. 85,從而能夠?qū)σ粚佑涗泴訉?shí)現(xiàn)25GB的記錄及再現(xiàn)。另一方面,人們預(yù)測(cè)動(dòng)畫及數(shù)據(jù)的容量今后會(huì)日益增大。因此,大家都研究通過(guò)將 光記錄介質(zhì)中的信息記錄層形成為多層來(lái)使光記錄介質(zhì)的容量增大的方法。針對(duì)BD標(biāo)準(zhǔn) 的光記錄介質(zhì),提出了如下技術(shù)通過(guò)設(shè)置6層 8層信息記錄層,實(shí)現(xiàn)達(dá)到200GB的超大 Wfi (I. Ichimura et. at. , Appl opt,45,1794-1803(2006) ;K. Mishima et. al. , Proc, of SPIE, 6282,628201(2006))ο然而,過(guò)去曾提出有如下技術(shù)在光記錄介質(zhì)中,將信息記錄層的一部分作為再現(xiàn) 專用區(qū)域(以下稱為ROM區(qū)域),而將剩余部分用作只寫一次型或可擦寫型的記錄專用區(qū) 域。若采用上述技術(shù),則能夠得到如下的光記錄介質(zhì)在ROM區(qū)域預(yù)先記錄電影等內(nèi)容,從 而能夠有效用于內(nèi)容再現(xiàn),而將剩余區(qū)域作為記錄專用區(qū)域,從而也能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)的記錄。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題但是,如上述過(guò)去的技術(shù)那樣,在將信息記錄層的一部分作為ROM區(qū)域,將剩余部 分作為記錄專用區(qū)域的技術(shù)中,存在如下問(wèn)題伴隨著近年的大容量化,無(wú)法確保ROM區(qū)域 和記錄專用區(qū)域各自的足夠的記錄容量。于是,可采用如下方法采用信息記錄層為多層的光記錄介質(zhì),以分別設(shè)置記錄專 用記錄層和再現(xiàn)專用記錄層,從而避免各記錄容量減少。但是,若將功能不同的信息記錄 層相組合來(lái)實(shí)現(xiàn)光記錄介質(zhì)的多層化,則在各信息記錄層難以維持高的記錄質(zhì)量及再現(xiàn)質(zhì) 量,所以到目前還未探明理想的介質(zhì)結(jié)構(gòu)。尤其是,包括再現(xiàn)專用記錄層的光記錄介質(zhì)用于 再現(xiàn)電影等固定內(nèi)容,所以通常該內(nèi)容的再現(xiàn)一結(jié)束就從記錄再現(xiàn)裝置取出。其結(jié)果,會(huì)發(fā) 生如下問(wèn)題在光記錄介質(zhì)上容易粘附指紋或異物,所以容易使記錄及再現(xiàn)質(zhì)量變差。本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而提出的,其目的在于提供一種在光記錄介質(zhì)包括再現(xiàn)專 用區(qū)域時(shí)能夠良好地維持記錄再現(xiàn)質(zhì)量的光記錄介質(zhì)。用于解決課題的手段
本發(fā)明的發(fā)明人們通過(guò)銳意研究,通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)了上述目的。用于實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明是一種光記錄介質(zhì),利用波長(zhǎng)\為400 410nm的激 光,經(jīng)由數(shù)值孔徑NA為0. 8 0. 9的光學(xué)系統(tǒng)來(lái)照射信息記錄層,由此能夠?qū)崿F(xiàn)記錄及再 現(xiàn),其特征在于,上述信息記錄層至少包括預(yù)先記錄有信息的再現(xiàn)專用信息記錄層、能夠通 過(guò)只寫一次型或可擦寫型的記錄方式來(lái)進(jìn)行信息記錄的信息記錄層,其中,上述信息記錄 層是與上述再現(xiàn)專用信息記錄層不同的層,上述再現(xiàn)專用信息記錄層配置在與上述激光的 光入射面最近的位置。用于實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明是如上述發(fā)明所述的光記錄介質(zhì),其特征在于,上述 信息記錄層配置在與上述光入射面相距60 y m以上的位置。用于實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明是如上述發(fā)明所述的光記錄介質(zhì),其特征在于,上述 再現(xiàn)專用信息記錄層配置在與上述光入射面相距80 y m以內(nèi)的位置。用于實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明是如上述發(fā)明所述的光記錄介質(zhì),其特征在于,上述 信息記錄層為3層以上。發(fā)明效果若采用本發(fā)明,則能夠得到一種能夠發(fā)揮如下有益的效果的光記錄介質(zhì)該光記 錄介質(zhì)在具有再現(xiàn)專用信息記錄層和信息記錄層的情況下,即使在光入射面等上粘附了指 紋或異物,也能夠維持高的記錄再現(xiàn)質(zhì)量。


圖1是示出了本發(fā)明實(shí)施方式的例子中的光記錄介質(zhì)的立體圖及放大剖面圖。圖2是示出了用于對(duì)上述光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄及再現(xiàn)的光記錄再現(xiàn)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu) 的框圖。圖3是示出了樣品光記錄介質(zhì)的信息記錄層的位置和粘附了指紋時(shí)的出錯(cuò)率之 間的關(guān)系的曲線圖。圖4是示出了本發(fā)明實(shí)施方式的其他例子中的光記錄介質(zhì)的放大剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面,參照附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。在圖1的㈧部分示出了本發(fā)明實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)1的整體結(jié)構(gòu)。該光記錄 介質(zhì)1是一種外形約為120mm、厚度約為1. 2mm的圓盤狀的介質(zhì)。如在圖1的(B)部分放大 示出那樣,光記錄介質(zhì)1是依次層疊基板10、L0信息記錄層20、第一間隔層30、L1信息記 錄層22、第二間隔層32、L2再現(xiàn)專用信息記錄層24、保護(hù)層36以及硬膜層38而成的。第一、第二間隔層30、32、保護(hù)層36及硬膜層38都具有透光特性,能夠使從外部入 射的激光透過(guò)。其結(jié)果,若利用從硬膜層38的光入射面38A入射的激光Z,則能夠?qū)0、L1 信息記錄層20、22記錄信息以及對(duì)L0 L2信息記錄層20、22、24的信息進(jìn)行再現(xiàn)。L2再現(xiàn)專用信息記錄層24是與光記錄介質(zhì)1的光入射面38A最接近的信息記錄 層,L0信息記錄層20是位于與光入射面38A最遠(yuǎn)的一側(cè)的信息記錄層。另外,各信息記錄 層20、22的記錄容量為30GB。此外,也可以使各信息記錄層的記錄容量不同?;?0是厚度約為1. 1mm的圓盤狀的部件,其原材料例如可以采用玻璃、陶瓷、樹(shù)脂等各種材料。在此,采用聚碳酸酯樹(shù)脂。此外,作為樹(shù)脂,除了可以采用聚碳酸酯樹(shù)脂之夕卜,還可以采用烯烴樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂、 硅樹(shù)脂、氟類樹(shù)脂、ABS樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂等。其中,若從加工及成型的容易程度考慮,則優(yōu) 先采用聚碳酸酯樹(shù)脂或烯烴樹(shù)脂。另外,在基板10的LO信息記錄層20 —側(cè)的面上,形成 有在記錄信息時(shí)使用的凹槽(groove)、平臺(tái)(land)等。L0,Ll信息記錄層20、22及L2再現(xiàn)專用信息記錄層24是用于保持(保存)數(shù)據(jù) 的層。一般地,作為信息記錄層的數(shù)據(jù)保持方式,有預(yù)先寫入有數(shù)據(jù)而不可擦寫的再現(xiàn)專用 型、能夠由利用者寫入的記錄專用型,LO信息記錄層20及Ll信息記錄層22采用記錄專用 型。記錄專用型的數(shù)據(jù)保持方式具體包括只寫一次型和可擦寫型,上述只寫一次型是指,在 已寫入一次數(shù)據(jù)的區(qū)域內(nèi)無(wú)法再次寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)保持方式,上述可擦寫型是指,針對(duì)已 寫入數(shù)據(jù)的區(qū)域能夠刪除數(shù)據(jù)并再次寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)保持方式,記錄專用型的數(shù)據(jù)保持方 式可采用上述只寫一次型和可擦寫型中的任一種,但本實(shí)施方式中L0、Ll信息記錄層20、 22采用只寫一次型。另一方面,L2再現(xiàn)專用信息記錄層24采用再現(xiàn)專用型。因此,在L2再現(xiàn)專用信 息記錄層24中,預(yù)先在制造階段已寫入有數(shù)據(jù)。第一間隔層30形成在LO信息記錄層20和Ll信息記錄層22之間,發(fā)揮使LO信 息記錄層20和Ll信息記錄層22分離的功能。在該第一間隔層30的Ll信息記錄層22 — 側(cè)的面上,形成有在記錄信息時(shí)所使用的凹槽、平臺(tái)等。此外,第一間隔層30可以采用各種 各樣的材料,但如上所述,為了使激光Z透過(guò)而必須采用透光性材料。例如,優(yōu)先采用紫外 線固化丙烯酸樹(shù)脂。形成在基板10及第一間隔層30上的凹槽,發(fā)揮用于在L0、Ll信息記錄層20、22 上記錄數(shù)據(jù)的激光Z的導(dǎo)向軌道(Guide Track)作用,通過(guò)對(duì)沿著該凹槽前進(jìn)的激光Z的 能量強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)制,在凹槽上的L0、L1信息記錄層20、22上形成記錄標(biāo)記。另外,如本實(shí)施方式那樣,在L0、L1信息記錄層20、22的數(shù)據(jù)保持方式為只寫一次 型的情況下,不可逆地形成該記錄標(biāo)記,所以無(wú)法刪除該記錄標(biāo)記。另一方面,在數(shù)據(jù)保持 方式為可擦寫型的情況下,可逆地形成記錄標(biāo)記,所以能夠進(jìn)行刪除及再形成記錄標(biāo)記。其 中,就Ll信息記錄層22而言,其記錄膜必須同時(shí)具有透光特性和光反射特性的兩種特性。 還有,在此,對(duì)在凹槽上形成記錄標(biāo)記的情形進(jìn)行了說(shuō)明,但可以在平臺(tái)上形成記錄標(biāo)記, 也可以在凹槽和平臺(tái)兩者上形成記錄標(biāo)記。第二間隔層32形成在Ll信息記錄層22和L2再現(xiàn)專用信息記錄層24之間,具有 使Ll信息記錄層22和L2再現(xiàn)專用信息記錄層24分離的功能。在該第二間隔層32的光 入射面38A—側(cè)的表面上,形成有成為再現(xiàn)專用內(nèi)容的數(shù)據(jù)位列(data bit column) 0間 隔層32可以采用各種各樣的材料,但如上所述,為了使激光Z透過(guò)而必須采用透光性材料。 例如,優(yōu)先采用紫外線固化性丙烯酸樹(shù)脂。L2再現(xiàn)專用信息記錄層24成為所謂反射膜。但是,為了對(duì)L0、L1信息記錄層20、 22照射足夠的激光Z,L2再現(xiàn)專用信息記錄層24必須同時(shí)還具有高的透光特性。因此,L2 再現(xiàn)專用信息記錄層24通過(guò)使反射膜的膜厚變薄,能夠同時(shí)具有透光特性和光反射特性 的兩種特性。另外,在該光記錄介質(zhì)1中,將第一間隔層30的厚度設(shè)定為17μπι,將第二間隔層32的厚度設(shè)定為13 ym。此外,在此,通過(guò)使間隔層30、32的厚度彼此不同來(lái)減弱再現(xiàn)信號(hào) 的干擾。此外,將硬膜層38的厚度設(shè)定為2 ym,將保護(hù)層36的厚度設(shè)定為68 y m。其結(jié)果,在該光記錄介質(zhì)1中,L2再現(xiàn)專用信息記錄層24配置在與光入射面38A 相距80 y m以內(nèi)的位置,優(yōu)先配置在與光入射面38A相距75 y m以內(nèi)的位置。另一方面,配 置L0、L1信息記錄層20、22的位置與光入射面38A相距60 y m以上,尤其是,配置在與光 入射面38A相距65iim以上的位置。此外,所有的信息記錄層20、22、24配置在與光入射面 38A相距110 iim以內(nèi)的位置。作為記錄型的L0、L1信息記錄層20、22,不僅在記錄信息時(shí)會(huì)受到光入射面38A上 的異物的影響,而且在進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)也受到光入射面38A上的異物的影響。因此,L0、L1信息 記錄層20、22容易受到指紋等異物的影響。進(jìn)而,若信息一旦錯(cuò)誤地寫入這些L0、L1信息 記錄層20、22上,則在再現(xiàn)時(shí)等事后難以修復(fù)這樣的錯(cuò)誤。另一方面,就L2再現(xiàn)專用信息 記錄層24而言,在制造時(shí)已正確地記錄了信息,所以只在再現(xiàn)時(shí)受到光入射面38A上的異 物的影響。因此,與L0、L1信息記錄層20、22相比,不易受到指紋等異物的影響。另外,若 清除異物就能夠恢復(fù)再現(xiàn)質(zhì)量。尤其是,若根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人們的研究,則在位于與光入射面38A相距80 y m以 上的位置的信息記錄層,尤其是在位于與光入射面38A相距100 y m以上的位置的信息記錄 層,即使粘附了指紋也能夠抑制為低出錯(cuò)率。但是,若信息記錄層的位置與光入射面38A相 距65 y m以內(nèi),則出錯(cuò)率逐步增大,尤其是在60 y m以內(nèi)則容易超出容許值。從上述見(jiàn)解出發(fā),在本實(shí)施方式中,盡量使L0、L1信息記錄層20、22遠(yuǎn)離光入射面 38A,另一方面,使L2再現(xiàn)專用信息記錄層24靠近光入射面38A,從而在對(duì)光記錄介質(zhì)1進(jìn) 行多層化時(shí)有效利用其厚度方向。圖2示出了用于對(duì)該光記錄介質(zhì)1記錄及再現(xiàn)信息的光記錄再現(xiàn)系統(tǒng)100的結(jié) 構(gòu)。該光記錄再現(xiàn)系統(tǒng)100具有激光光源102,其用于產(chǎn)生在進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)所利用的激光Z ; 激光器控制器104,其用于控制激光光源102 ;光學(xué)機(jī)構(gòu)106,其用于將激光Z引導(dǎo)至光記錄 介質(zhì)1 ;光檢測(cè)裝置108,其用于檢測(cè)激光Z的反射光;PRML(局部響應(yīng)最大擬然,Partial Response MaximumLikelihood)處理裝置110,其用于將該光檢測(cè)裝置108的檢測(cè)信息以 PRML識(shí)別方式進(jìn)行譯碼處理;主軸馬達(dá)112,其用于使光記錄介質(zhì)1旋轉(zhuǎn);主軸驅(qū)動(dòng)器114, 其用于對(duì)主軸馬達(dá)112進(jìn)行旋轉(zhuǎn)控制;信號(hào)處理裝置116,其特別與未圖示CPU(中央運(yùn)算 裝置)交接譯碼處理后的再現(xiàn)數(shù)據(jù)。激光光源102是半導(dǎo)體激光器,受到激光器控制器104的控制來(lái)產(chǎn)生激光Z。光學(xué) 機(jī)構(gòu)106具有物鏡及偏振光分束器,能夠?qū)⒓す鈀的焦點(diǎn)適當(dāng)?shù)卣{(diào)至信息記錄層上。此外, 偏振光分束器用于導(dǎo)出來(lái)自信息記錄層的反射光并將其引導(dǎo)至光檢測(cè)裝置108。光檢測(cè)裝 置108是一種光電檢測(cè)器,接收激光Z的反射光并將其轉(zhuǎn)換成電信號(hào),然后將該電信號(hào)作為 再現(xiàn)信號(hào)輸出至PRML處理裝置110。在PRML處理裝置110中,對(duì)該再現(xiàn)信號(hào)進(jìn)行譯碼處 理,并將譯碼處理后的2值的識(shí)別信號(hào)輸出至信號(hào)處理裝置116。進(jìn)而,在該光記錄再現(xiàn)系統(tǒng)100中,將激光Z的波長(zhǎng)\設(shè)定為400 410nm。另 外,將光學(xué)機(jī)構(gòu)106的物鏡的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0. 8 0. 9,優(yōu)選設(shè)定為0. 84 0. 86。具 體地說(shuō),將激光Z的波長(zhǎng)\設(shè)定為405nm,將物鏡的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0.85。另外,將該 光再現(xiàn)系統(tǒng)的時(shí)鐘頻率f設(shè)定為66MHz,受到主軸驅(qū)動(dòng)器114的旋轉(zhuǎn)控制的光記錄介質(zhì)1的
6線速度LV,能夠在包括IX (4. lm/s) 4X(16.4m/s)的范圍內(nèi)自由地進(jìn)行控制。在對(duì)光記錄介質(zhì)1進(jìn)行記錄及再現(xiàn)時(shí),通過(guò)規(guī)定的功率來(lái)使激光光源102產(chǎn)生激 光Z,并利用該激光Z來(lái)照射光記錄介質(zhì)1的信息記錄層。在進(jìn)行記錄時(shí),通過(guò)激光來(lái)對(duì)L0 信息記錄層20或L1信息記錄層22進(jìn)行加熱,從而形成記錄標(biāo)記。在進(jìn)行再現(xiàn)時(shí),利用激 光Z來(lái)照射L0信息記錄層20、L1信息記錄層22或L2再現(xiàn)專用信息記錄層24,通過(guò)光學(xué) 機(jī)構(gòu)106來(lái)導(dǎo)出其反射光,并通過(guò)光檢測(cè)裝置108來(lái)形成實(shí)際的再現(xiàn)信號(hào)。如上所述,本實(shí)施方式的光記錄介質(zhì)1采用具有L0信息記錄層20、L1信息記錄層 22,12再現(xiàn)專用信息記錄層24的多層結(jié)構(gòu),而且,L2再現(xiàn)專用信息記錄層24配置在最靠近 光入射面38A的位置。其結(jié)果,能夠降低在光入射面38A上粘附了指紋等異物時(shí)的記錄及 再現(xiàn)出錯(cuò)率。具體地說(shuō),在L2再現(xiàn)專用信息記錄層24上,預(yù)先利用壓模來(lái)正確地記錄有由立體 的數(shù)據(jù)位構(gòu)成的記錄標(biāo)記,所以即使在光入射面38A上粘附了異物,也能夠盡可能抑制再 現(xiàn)質(zhì)量變差。也就是說(shuō),即使將該L2再現(xiàn)專用信息記錄層24配置在靠近光入射面38A — 側(cè),也能夠維持高的再現(xiàn)質(zhì)量。其結(jié)果,能夠有效利用光記錄介質(zhì)1的光入射面38A附近區(qū) 域。另外,在因存在異物而無(wú)法再現(xiàn)的情況下,只通過(guò)擦拭該異物,就能夠解除該無(wú)法再現(xiàn) 的狀態(tài)。另一方面,L0、L1信息記錄層20、22在進(jìn)行記錄時(shí)受到光入射面38A上的異物的 影響,所以易于受到指紋等的影響。于是,使L2再現(xiàn)專用信息記錄層24靠近光入射面38A, 另一方面,使L0、L1信息記錄層20、22遠(yuǎn)離光入射面38A,從而使指紋等的影響變小。其結(jié) 果,L0、L1信息記錄層20、22能夠始終將記錄及再現(xiàn)質(zhì)量維持為高質(zhì)量的狀態(tài)。如上所述, 在光記錄介質(zhì)1中,記錄型的L0、L1信息記錄層20、22和再現(xiàn)專用型的L2再現(xiàn)專用信息記 錄層24均都被合理層疊,所以能夠使記錄容量增大,并能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)內(nèi)容的再現(xiàn)專用功能 和信息記錄專用功能。進(jìn)而,在本實(shí)施方式中,L0、L1信息記錄層20、22配置在與光入射面38A相距 70i!m以上的位置。如已說(shuō)明過(guò)的那樣,在BD標(biāo)準(zhǔn)的光記錄介質(zhì)1中,若將信息記錄層配置 在與光入射面38A相距70 y m以內(nèi)的范圍,則指紋等異物的影響變大。于是,通過(guò)使易于受 到指紋的影響的L0、L1信息記錄層20、22位于與光入射面38A相距70 y m以上的位置,能 夠維持高的記錄及再現(xiàn)質(zhì)量。另一方面,在本實(shí)施方式中,將L2再現(xiàn)專用信息記錄層24配置在與光入射面38A 相距80 y m以內(nèi)的位置。這樣,積極地使該L2再現(xiàn)專用信息記錄層24形成在指紋等異物 對(duì)記錄及再現(xiàn)的影響大的區(qū)域,從而能夠由再現(xiàn)專用型的信息記錄層來(lái)有效利用記錄型的 信息記錄層難以利用的區(qū)域。<驗(yàn)證例>為了把握光記錄介質(zhì)1中的信息記錄層的位置和記錄再現(xiàn)質(zhì)量,示出了利用光記 錄再現(xiàn)系統(tǒng)100來(lái)對(duì)使信息記錄層發(fā)生變化時(shí)的光記錄介質(zhì)進(jìn)行再現(xiàn)的情形。[樣品介質(zhì)的制作]首先,通過(guò)注射成型法制作了基板。在基板的表面上形成了軌道間距為0.32 ym 的螺旋狀的凹槽。基板的原材料采用聚碳酸酯樹(shù)脂,并將厚度設(shè)定為1. 1mm,將直徑設(shè)定為 120mmo
接著,將該基板設(shè)置在濺射裝置中,并在形成有凹槽一側(cè)的表面上形成了厚度為 48nm的信息記錄層。具體地說(shuō),信息記錄層的組分為鉍(Bi)、氧(0)、鍺(Ge),將其組分比 率(at m% )設(shè)定為 Bi 0 Ge = 22 64 14。接著,將形成有信息記錄層的基板設(shè)置在旋涂裝置中,一邊使其旋轉(zhuǎn)一邊滴下丙 烯酸系紫外線固化性樹(shù)脂,由此進(jìn)行旋涂處理。然后,在旋涂處理后的樹(shù)脂的表面上,按壓 具有螺旋狀的凹槽圖案的透光性壓模,并經(jīng)由該透光性壓模向樹(shù)脂照射紫外線以使該樹(shù)脂 固化。在該樹(shù)脂固化后,剝離透光性壓模,由此形成具有螺旋狀的凹槽的厚度為48 y m的保 護(hù)層。接著,通過(guò)旋涂法,在保護(hù)層上涂敷紫外線/電子射線固化型硬膜劑,然后在大氣 中加熱3分鐘以除去膜內(nèi)部的稀釋溶劑,從而形成未固化的硬膜材料層。通過(guò)旋涂法,在 該未固化的硬膜材料層上涂敷表面材料溶液。此外,該表面材料溶液是,在氟類溶劑(99.5 重量份)中加入全氟聚醚二丙烯酸酯(perfluoropolyether diacrylate) (0. 33重量份、 分子量約2000)和3-全氟辛基-2-羥丙基丙烯酸酯(0. 17重量份)來(lái)進(jìn)行調(diào)整的溶液。 然后,將硬膜材料層在60°C下進(jìn)行3分鐘的干燥處理,進(jìn)而,在氮?dú)鈿饬髦姓丈潆娮由渚€ 來(lái)使硬膜材料層和表面材料溶液同時(shí)固化,從而完成了厚度為2 ym的硬膜層。此外,在 電子射線的照射中,使用了電子射線照射裝置curetron( “日新z、^ 〒一夕株式會(huì)社 (NISSIN-HIGH VOLTAGE CO.,LTD) ”生產(chǎn)),將電子射線加速電壓設(shè)定為200kV,將照射線量 設(shè)定為5Mrad。照射環(huán)境中的氧濃度設(shè)定為80ppm。這樣,得到了從光入射面起信息記錄層 為止的距離為50 y m的樣品光記錄介質(zhì)。通過(guò)同樣的步驟,在將保護(hù)層的厚度分別設(shè)定為58iim、68iim、78iim、88iim、 98um的情況下,制作了包括硬膜層的從光入射面起信息記錄層為止的距離分別為60 u m、 70 um,80u m、90 u m、100 u m的共計(jì)6種樣品光記錄介質(zhì)。[人工指紋的生成]接著,在這些樣品光記錄介質(zhì)的光入射面38A上粘附了人工指紋。作為人工指紋 的粘附步驟,首先,將微粒子粉體的JISZ8901所規(guī)定的試驗(yàn)用粉體1第11種(中間粒徑 1. 6 2. 3 y m)的關(guān)東壤土 (kanto loam) (0. 4重量份)、發(fā)揮分散劑的功能的三油精(1. 0 重量份)、發(fā)揮稀釋劑的功能的甲氧基丙醇(methoxy propanol) (10. 0重量份)混合及攪 拌,并該混合液作為人工指紋液即人工指紋的材料。接著,制作了仿真指紋圖案轉(zhuǎn)印用的母版。具體地說(shuō),一邊利用磁力攪拌器來(lái)仔細(xì) 地?cái)嚢枞斯ぶ讣y液一邊取約lmL,并通過(guò)旋涂法將人工指紋液涂敷在聚碳酸酯製基板(直 徑120mm、厚度1. 2mm)上。對(duì)該基板在60°C下進(jìn)行3分鐘的加熱處理,完全除去不必要的 稀釋劑即甲氧基丙醇。這樣,得到了仿真指紋圖案轉(zhuǎn)印用母版。進(jìn)而,利用#240砂紙(具有與JIS標(biāo)準(zhǔn)的AA240砂紙等同的性能)來(lái)均勻地研磨 No. 1硅橡膠塞的小的一側(cè)端面(直徑12mm),從而形成了仿真指紋轉(zhuǎn)印構(gòu)件(所謂仿真指 尖)。將該仿真指紋轉(zhuǎn)印構(gòu)件的研磨端面以4. 9N的負(fù)荷向上述母版按壓10秒鐘,從而將人 工指紋液成分轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)印構(gòu)件的上述端面上,而且,為了預(yù)先減少該人工指紋液成分的粘 附量,將如下操作對(duì)該聚碳酸酯基板的不同的部位連續(xù)進(jìn)行了 3次,上述操作是指,將該轉(zhuǎn) 印構(gòu)件的上述端面以4. 9N的負(fù)荷向聚碳酸酯基板按壓10秒鐘的操作。在樣品光記錄介質(zhì)的硬膜層的光入射面上從中心起沿著半徑方向40mm處附近的位置,將這樣準(zhǔn)備的仿真指紋轉(zhuǎn)印構(gòu)件的端面以29N的負(fù)荷按壓10秒鐘,由此將人工指紋 液成分轉(zhuǎn)印至光入射面上,從而形成了人工指紋。[樣品介質(zhì)的評(píng)價(jià)]利用光記錄再現(xiàn)系統(tǒng)100來(lái)對(duì)粘附有該人工指紋的光記錄介質(zhì)進(jìn)行了信息的記 錄。作為光記錄再現(xiàn)系統(tǒng)100的記錄條件,將激光Z的波長(zhǎng)入設(shè)定為405nm,將物鏡的數(shù) 值孔徑NA設(shè)定為0. 85,將記錄時(shí)的通道位(channel bit)頻率f設(shè)定為66MHz,將受到主 軸驅(qū)動(dòng)器114的旋轉(zhuǎn)控制的光記錄介質(zhì)1的記錄時(shí)的線速度LV設(shè)定為4. lm/s。另外,在 作為最佳記錄功率條件而設(shè)定為記錄功率Pw = 8. 3mW、刪除功率Pe = 3. 2mW、冷卻功率Pb =0. lmff的情況下,進(jìn)行了規(guī)定信息的記錄。此外,在該條件下,光記錄介質(zhì)的信息記錄層 的記錄容量為30GB。接著,利用光記錄再現(xiàn)系統(tǒng)100對(duì)該光記錄介質(zhì)1進(jìn)行再現(xiàn),并對(duì)其質(zhì)量進(jìn)行了評(píng) 價(jià)。在進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)的光記錄再現(xiàn)系統(tǒng)100,將激光Z的波長(zhǎng)\設(shè)定為405nm,將物鏡106A 的數(shù)值孔徑NA設(shè)定為0. 85,將光再現(xiàn)系統(tǒng)的時(shí)鐘頻率f設(shè)定為64. 8MHz,受到主軸驅(qū)動(dòng)器 114的旋轉(zhuǎn)控制的光記錄介質(zhì)1的線速度LV設(shè)定為4. 03m/s。進(jìn)而,將該光記錄再現(xiàn)系統(tǒng) 100的PRML處理裝置110的約束長(zhǎng)度n設(shè)定為5(12221)。作為光記錄再現(xiàn)系統(tǒng)100的再現(xiàn)質(zhì)量的評(píng)價(jià)指標(biāo)采用了 SbER。SbER(Simulated bit Error Rate 模擬比特出錯(cuò)率)是指,針對(duì)多個(gè)再現(xiàn)信號(hào)計(jì)算出SAM值,并基于可根 據(jù)這些多個(gè)SAM值得到的正態(tài)分布的平均及標(biāo)準(zhǔn)偏差來(lái)對(duì)發(fā)生誤識(shí)別的概率進(jìn)行評(píng)價(jià) 的參數(shù),其值越小其信號(hào)質(zhì)量越優(yōu)異。在此,使用了日本帕路斯科技株式會(huì)社(Pulstec Industrial Co.,LTD)的SbER測(cè)定單元。其評(píng)價(jià)結(jié)果如圖3所示。從本實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知,在信息記錄層位于從光入射面其大致100 u m處的情況下,即 使是粘附了指紋,出錯(cuò)率也很低。但是,若信息記錄層位于從光入射面起約80 u m以內(nèi)的位 置,則SbER變差,超出平常的容許基準(zhǔn)SbER = 2X 10_5,導(dǎo)致了信號(hào)再現(xiàn)質(zhì)量變差的結(jié)果。 另外,若從光入射面38A起到信息記錄層為止的距離變?yōu)?5 y m以下、尤其是60 y m以下, 則超出異常時(shí)的容許基準(zhǔn)SbER = 4X10_4,其質(zhì)量明顯變差至實(shí)質(zhì)上不能作為記錄型的信 息記錄層來(lái)使用的程度。因此可知,優(yōu)選地,將記錄型的信息記錄層配置在與光入射面相距 60um以上的位置,另一方面,將再現(xiàn)專用信息記錄層配置在與光入射面相距80 y m以內(nèi)的 位置,由此能夠有效利用記錄型的信息記錄層難以利用的區(qū)域。此外,在本實(shí)施方式中,只示出了光記錄介質(zhì)中的信息記錄層為3層結(jié)構(gòu)的情形, 但本發(fā)明并不僅限定于此,也可以是2層或4層以上的光記錄介質(zhì)。另外,只示出了 L0、L1 信息記錄層為只寫一次型的情形,但本發(fā)明并不僅限定于此,也可以是可擦寫型等其他信 息保持方式。在將信息記錄層形成為3層以上的情況下,也可以將再現(xiàn)專用信息記錄層配 置2層以上。例如,如圖4所示,在光記錄介質(zhì)1采用4層結(jié)構(gòu)的情況下,優(yōu)選地,將L0 L2信 息記錄層20、22、24設(shè)定為可擦寫型或只寫一次型的記錄專用型,將與光入射面38A最近的 L3再現(xiàn)專用信息記錄層26設(shè)定為再現(xiàn)專用型(ROM型)。在這樣的情況下,可以將第一間 隔層30設(shè)定為13 iim,將第二間隔層31設(shè)定為16iim,將第三間隔層32設(shè)定為10 y m。另外,從光入射面起到各信息記錄層為止的距離也并不僅限定于本實(shí)施例。例如, 在本實(shí)施方式中只示出了 3層信息記錄層均都形成在從光入射面起lOOym以內(nèi)的范圍的情形,但本發(fā)明并不僅限定于此。在形成為多層時(shí),可以將一部分信息記錄層形成在100 y m 以上的位置,但優(yōu)選地,形成在110 ym以內(nèi)的位置。此外,本發(fā)明的光記錄介質(zhì)并不僅限定于上述的實(shí)施方式,理所當(dāng)然地,在不脫離 本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠廣泛適用于具有再現(xiàn)專用信息記錄層和信息記錄層兩者的各種光記 錄介質(zhì)中。
權(quán)利要求
一種光記錄介質(zhì),利用波長(zhǎng)λ為400~410nm的激光,經(jīng)由數(shù)值孔徑NA為0.8~0.9的光學(xué)系統(tǒng)來(lái)照射信息記錄層,由此能夠?qū)崿F(xiàn)記錄及再現(xiàn),其特征在于,上述信息記錄層至少包括預(yù)先記錄有信息的再現(xiàn)專用信息記錄層、能夠通過(guò)只寫一次型或可擦寫型的記錄方式來(lái)進(jìn)行信息記錄的信息記錄層,其中,上述信息記錄層是與上述再現(xiàn)專用信息記錄層不同的層,上述再現(xiàn)專用信息記錄層配置在與上述激光的光入射面最近的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì),其特征在于,上述信息記錄層配置在與上述光入 射面相距60 μ m以上的位置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光記錄介質(zhì),其特征在于,上述再現(xiàn)專用信息記錄層配置在 與上述光入射面相距80 μ m以內(nèi)的位置。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì),其特征在于,上述信息記錄層為3層 以上。
全文摘要
提供一種光記錄介質(zhì)。利用波長(zhǎng)λ為400~410nm的激光,經(jīng)由數(shù)值孔徑NA為0.8~0.9的光學(xué)系統(tǒng)來(lái)照射信息記錄層,由此能夠?qū)崿F(xiàn)記錄及再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)中,該信息記錄層至少包括預(yù)先記錄有信息的再現(xiàn)專用信息記錄層、能夠通過(guò)只寫一次型或可擦寫型的記錄方式來(lái)進(jìn)行信息記錄的信息記錄層,其中,上述信息記錄層是與再現(xiàn)專用信息記錄層不同的層。而且,再現(xiàn)專用信息記錄層配置在與激光的光入射面最近的位置。其結(jié)果,能夠提高具有再現(xiàn)專用信息記錄層和信息記錄層兩者的各種光記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)特性。
文檔編號(hào)G11B7/007GK101868824SQ200880116069
公開(kāi)日2010年10月20日 申請(qǐng)日期2008年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月14日
發(fā)明者菊川隆 申請(qǐng)人:Tdk股份有限公司
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