專利名稱：磁頭滑塊和磁盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁頭滑塊和磁盤裝置。
背景技術(shù)：
在硬盤等磁盤裝置中，沿著形成于磁盤的軌道記錄有伺服數(shù)據(jù)，通過浮起到磁盤 之上的磁頭滑塊來讀取伺服數(shù)據(jù)。磁頭滑塊支撐于臂型的磁頭支撐部的前端，并通過音圈 電動(dòng)機(jī)(voice coil motor)的動(dòng)作而相對于磁盤移動(dòng)。因此，磁盤裝置通過根據(jù)所讀取的 伺服數(shù)據(jù)來驅(qū)動(dòng)音圈電動(dòng)機(jī)，來進(jìn)行使得磁頭滑塊跟隨目標(biāo)軌道的定位控制。在這樣的磁盤裝置中，為了提高磁盤的軌道密度，需要提高定位控制的伺服帶寬， 來使磁頭滑塊的定位高精度化。但是，由于將音圈電動(dòng)機(jī)的動(dòng)作傳遞到磁頭滑塊的磁頭支 撐部的共振頻率的存在，難以提高定位控制的伺服帶寬。為了解決該問題，提出了將微型驅(qū)動(dòng)器(micro actuator)設(shè)置于比音圈電動(dòng)機(jī)更 加接近磁頭滑塊的位置的所謂2級驅(qū)動(dòng)器型的磁盤裝置。該微型驅(qū)動(dòng)器設(shè)置在磁頭支撐部 的中途或者設(shè)置在磁頭支撐部和磁頭滑塊之間，通過使磁頭滑塊微小地移位，來實(shí)現(xiàn)高精 度的定位。另外，在專利文獻(xiàn)1(日本特開平10-293979號(hào)公報(bào))的圖23中，公開了將壓電元 件作為微型驅(qū)動(dòng)器組裝到磁頭滑塊中的技術(shù)。在該磁頭滑塊中，在滑塊基板和包含記錄再 現(xiàn)元件的基板之間，夾有板狀的壓電元件，通過該壓電元件的動(dòng)作，來使包含記錄再現(xiàn)元件 的基板相對于滑塊基板微小地移位。

發(fā)明內(nèi)容
但是，在將壓電元件作為微型驅(qū)動(dòng)器使用的情況下，需要對驅(qū)動(dòng)壓電元件的信號(hào) 進(jìn)行升壓，從而裝置結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜。另外，將壓電元件組裝到磁頭滑塊中在制造方面存在很 多問題，還未達(dá)到實(shí)用化。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的之一在于提供一種能夠進(jìn)行高精度且簡 易的定位的磁頭滑塊和磁盤裝置。為了解決上述問題，本發(fā)明的磁頭滑塊為浮起到旋轉(zhuǎn)的磁盤之上、進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫 入和讀取的磁頭滑塊，該磁頭滑塊包括記錄再現(xiàn)元件，其用于進(jìn)行所述數(shù)據(jù)的寫入和讀 取；發(fā)熱元件，其通過通電而發(fā)熱，該發(fā)熱元件相對于所述記錄再現(xiàn)元件配置在該磁頭滑塊 的寬度方向的一側(cè)；以及至少介于所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件之間、對應(yīng)于所述發(fā) 熱元件的發(fā)熱而膨脹的部件。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述磁頭滑塊的與所述磁盤對置的浮起面由至少 包括階梯軸承面、淺槽面和深槽面的深度互不相同的多個(gè)面構(gòu)成，將所述發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的位置包含在比所述淺槽面深的面內(nèi)，將所述發(fā)熱元件投影到所述浮起面 上時(shí)的位置包含在比所述淺槽面深的面內(nèi)。在該方式中，將所述發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的位置包含在比所述淺槽面 深且比所述深槽面淺的面內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述發(fā)熱元件是薄膜電阻體。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述磁頭滑塊包括滑塊基板和形成于所述滑塊基 板的空氣流出側(cè)的端部的薄膜層疊部，所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件形成于所述薄膜
層疊部內(nèi)。在該方式中，所述發(fā)熱元件形成于與所述薄膜層疊部中的包括所述記錄再現(xiàn)元件 的至少一部分的層相同的層。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述磁頭滑塊的與所述磁盤對置的浮起面由深度 互不相同的多個(gè)面構(gòu)成，將所述發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的位置包含在自最接近所 述磁盤的面起具有150納米以上深度的面內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件之間的沿著所 述寬度方向的距離在10微米以上、100微米以下。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述發(fā)熱元件具有沿著所述寬度方向延伸的扁平 形狀。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，與介于所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件之間的 部件相比，相對于所述記錄再現(xiàn)元件比所述發(fā)熱元件靠外側(cè)的部件更加不易變形。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，與介于所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件之間的 部件相比，相對于所述記錄再現(xiàn)元件位于所述發(fā)熱元件的相反側(cè)的部件更加容易變形。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述記錄再現(xiàn)元件配置于所述寬度方向的端部。接下來，本發(fā)明提供一種磁頭滑塊，其浮起到旋轉(zhuǎn)的磁盤之上，進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入 和讀取，該磁頭滑塊包括記錄再現(xiàn)元件，其用于進(jìn)行所述數(shù)據(jù)的寫入和讀??；多個(gè)發(fā)熱元 件，其通過通電而發(fā)熱，該發(fā)熱元件相對于所述記錄再現(xiàn)元件分別配置在該磁頭滑塊的寬 度方向的兩側(cè)；以及至少介于所述記錄再現(xiàn)元件和所述各發(fā)熱元件之間、對應(yīng)于所述各發(fā) 熱元件的發(fā)熱而膨脹的部件，所述磁頭滑塊的與所述磁盤對置的浮起面由至少包括階梯軸 承面、淺槽面和深槽面的深度互不相同的多個(gè)面構(gòu)成，將所述各發(fā)熱元件投影到所述浮起 面上時(shí)的各位置包含在比所述淺槽面深的面內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，將所述各發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的各位 置包含在比所述淺槽面深、且比所述深槽面淺的面內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述磁頭滑塊的與所述磁盤對置的浮起面由深度 互不相同的多個(gè)面構(gòu)成，將所述各發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的各位置包含在自最接 近所述磁盤的面起具有150納米以上深度的面內(nèi)。接下來，本發(fā)明提供一種磁盤裝置，其包括磁盤，在該磁盤中沿著軌道記錄有數(shù) 據(jù)；磁盤驅(qū)動(dòng)器，其用于使所述磁盤旋轉(zhuǎn)；磁頭滑塊，其是浮起到旋轉(zhuǎn)的所述磁盤之上、進(jìn) 行數(shù)據(jù)的寫入和讀取的磁頭滑塊，該磁頭滑塊包括記錄再現(xiàn)元件，其用于進(jìn)行所述數(shù)據(jù)的 寫入和讀??；發(fā)熱元件，其通過通電而發(fā)熱，該發(fā)熱元件相對于所述記錄再現(xiàn)元件配置在所 述軌道的寬度方向的至少一側(cè)；以及至少介于所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件之間、對應(yīng)于所述發(fā)熱元件的發(fā)熱而膨脹的部件；磁頭支撐部，其用于支撐所述磁頭滑塊；磁頭驅(qū) 動(dòng)器，其驅(qū)動(dòng)所述磁頭支撐部，從而使所述磁頭滑塊相對于所述磁盤相對移動(dòng)；計(jì)算電路， 其根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件所讀取的數(shù)據(jù)來計(jì)算出所述記錄再現(xiàn)元件相對于所述軌道的位 置誤差；粗動(dòng)控制電路，其根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件的位置誤差來驅(qū)動(dòng)所述磁頭驅(qū)動(dòng)器；以 及微動(dòng)控制電路，其根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件的位置誤差對所述發(fā)熱元件進(jìn)行通電。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述微動(dòng)控制電路控制所述發(fā)熱元件的電流量或 者功率。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述微動(dòng)控制電路包括補(bǔ)償器，該補(bǔ)償器用于補(bǔ)償 記錄再現(xiàn)元件的移位相對于對發(fā)熱元件的通電的時(shí)間延遲。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，所述微動(dòng)控制電路根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件的位置 誤差，使所述發(fā)熱元件的電流量或者功率自基準(zhǔn)電流量或基準(zhǔn)功率起進(jìn)行增減。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，相對于所述記錄再現(xiàn)元件，在所述軌道的寬度方向 的兩側(cè)分別配置有所述發(fā)熱元件，所述微動(dòng)控制電路根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件的位置誤差對 所述多個(gè)發(fā)熱元件有選擇地進(jìn)行通電。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還包括對所述磁頭滑塊相對于所述磁頭支撐部的 位置進(jìn)行調(diào)整的微型驅(qū)動(dòng)器；以及根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件的位置誤差來驅(qū)動(dòng)所述微型驅(qū)動(dòng) 器的中間微動(dòng)控制電路。根據(jù)本發(fā)明，通過使介于記錄再現(xiàn)元件和發(fā)熱元件之間的部件熱膨脹，能夠使記 錄再現(xiàn)元件在與軌道的寬度方向?qū)?yīng)的方向(即，磁頭滑塊的寬度方向)微小地移位，因此 能夠?qū)崿F(xiàn)高精度且簡便的定位。本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)可以從與附圖相關(guān)的下述的本發(fā)明的實(shí)施例的記
載中清楚地理解。


圖1為表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁盤裝置的構(gòu)成例的立體圖。圖2為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁頭滑塊的立體圖。圖3為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁頭滑塊的俯視圖。圖4為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁頭滑塊的正視圖。圖5為表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁盤裝置的功能構(gòu)成例的方框圖，圖6為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁頭滑塊的立體圖。圖7為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁頭滑塊的俯視圖。圖8為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁盤裝置的功能構(gòu)成例的方框圖。圖9為本發(fā)明的變形例涉及的磁頭滑塊的俯視圖。圖10為本發(fā)明的變形例涉及的磁頭滑塊的俯視圖。圖11為本發(fā)明的變形例涉及的磁頭滑塊的俯視圖。圖12為本發(fā)明的變形例涉及的磁頭滑塊的俯視圖。圖13為本發(fā)明的變形例涉及的磁頭滑塊的俯視圖。圖14為本發(fā)明的變形例涉及的磁頭滑塊的俯視圖。圖15為表示本發(fā)明的變形例涉及的磁盤裝置的磁頭支撐部的結(jié)構(gòu)的立體圖。
7
圖16為表示本發(fā)明的變形例涉及的磁盤裝置的功能構(gòu)成例的方框圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁盤裝置1的立體圖。磁盤裝置1在殼體 10 (DE :Disk Enclosure)內(nèi)收納有磁盤2和磁頭支撐部6等。另外，在該圖中，省略了作為 殼體10的一部分的蓋的圖示。磁盤2安裝在作為磁盤驅(qū)動(dòng)器的主軸電動(dòng)機(jī)3上。在該磁盤2上形成有呈同心圓 狀排列的多個(gè)軌道(未圖示)，在各軌道上以預(yù)定的周期寫入有伺服數(shù)據(jù)。伺服數(shù)據(jù)包括地 址數(shù)據(jù)和突發(fā)信號(hào)(burst signal)。磁頭支撐部6支承于磁盤2的旁邊。在該磁頭支撐部6的前端部支撐有本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施方式所涉及的磁頭滑塊4。該磁頭滑塊4接近地浮起到旋轉(zhuǎn)的磁盤2之上，進(jìn)行數(shù) 據(jù)的寫入和讀取。另一方面，在磁頭支撐部6的后端部，設(shè)置有作為磁頭驅(qū)動(dòng)器的音圈電動(dòng)機(jī)7。音 圈電動(dòng)機(jī)7對磁頭支撐部6進(jìn)行擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)，使磁頭滑塊4在磁盤2的大致半徑方向上移動(dòng)。所述磁頭滑塊4和音圈電動(dòng)機(jī)7經(jīng)安裝于磁頭支撐部6的FPC(FleXiblePrinted Circuits 撓性印刷電路)8與設(shè)置于殼體10的背側(cè)的電路基板(未圖示)電連接。[磁頭滑塊的第一例]圖2至圖4表示磁頭滑塊4的第一例(以下稱為磁頭滑塊4A)的立體圖、俯視圖 以及正視圖。這里，圖2和圖3中的箭頭F表示通過上述磁盤2的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的空氣流的方向。 該空氣流的方向F與形成于磁盤2的軌道的伸長方向?qū)?yīng)。另外，空氣流的方向F大致沿 著磁頭滑塊4A的長度方向，該空氣流的方向F對應(yīng)于磁頭滑塊4A在磁盤2上的半徑位置 最大變化士 10°左右。另外，圖4中的Y方向表示磁頭滑塊4A的寬度方向(下文中稱為滑塊寬度方向)。 該滑塊寬度方向與形成于磁盤2的軌道的寬度方向?qū)?yīng)。另外，圖4中的Z方向表示磁頭 滑塊4A的厚度方向。該厚度方向與磁頭滑塊4A的浮起方向?qū)?yīng)。磁頭滑塊4A中，在與磁盤2對置的浮起面40上形成有ABS (Air BearingSurface 空氣支承面)，磁頭滑塊4A通過空氣的楔膜效應(yīng)(wedge film effect)浮起到旋轉(zhuǎn)的磁盤 2之上。該浮起面40由實(shí)質(zhì)上平行的深度不同的多種面構(gòu)成。該浮起面40的形狀能夠通 過例如離子研磨(ion milling)或蝕刻等技術(shù)形成。具體來說，浮起面40包括與磁盤2最接近的階梯軸承面40b ；比該階梯軸承面 40b稍深的淺槽面40e ；以及比該淺槽面40e深的深槽面40h。淺槽面40e形成為例如比階 梯軸承面40b深大約lOOnm到300nm的程度。另外，深槽面40h形成為例如比階梯軸承面 40b深大約liim以上。通過磁盤2的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的空氣流在從淺槽面40e進(jìn)入到階梯軸承面40b時(shí)， 由于前端變窄的流道而被壓縮，從而產(chǎn)生了正壓(正的空氣壓力遠(yuǎn)離磁盤2的方向的壓 力)。另一方面，通過磁盤2的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的空氣流在從階梯軸承面40b或淺槽面40e進(jìn)入 到深槽面40h時(shí)，由于流道的擴(kuò)大，而產(chǎn)生負(fù)壓(負(fù)的空氣壓力向接近磁盤2的方向的壓
8力)。另外，浮起面40在空氣流出側(cè)的端部附近具有露出了記錄再現(xiàn)元件20的端部的 元件面40a。該元件面40a被階梯軸承面40b所包圍，并形成在與階梯軸承面40b相同的面 內(nèi)。另外，元件面40a例如也可以形成為從階梯軸承面40b探出。另外，在本實(shí)施方式中，浮起面40在空氣流出側(cè)的端部附近，具有深度位于淺槽 面40e和深槽面40h之間的中間面40g。該中間面40g相對于元件面40a附近，位于滑塊寬 度方向的兩側(cè)。該中間面40g為負(fù)壓區(qū)域的一部分，但是，為了提高后述的發(fā)熱元件21的 冷卻效果，該中間面40g形成為比深槽面40h要淺，例如，形成為自階梯軸承面40b起深度 在150nm以上。另外，在圖2中，強(qiáng)調(diào)示出了構(gòu)成浮起面40的各面的深度。另外，浮起面40并不 限定于圖示的形狀，可以采用任意的ABS。接下來，磁頭滑塊4A具有厚度方向比較短的扁平長方形狀的滑塊基板41 ；形成 于該基板41的空氣流出側(cè)(拖尾側(cè)(trailing))的端面41z的薄膜層疊部42。該滑塊基 板41由氧化鋁和碳化鈦(titanium carbide)的燒結(jié)體(下文中稱為鋁鈦體)構(gòu)成。另外， 薄膜層疊部42利用薄膜形成技術(shù)層疊薄膜而形成。另外，在圖2中，相對于滑塊基板41強(qiáng) 調(diào)表示薄膜層疊部42的厚度。在該薄膜層疊部42內(nèi)，形成有記錄再現(xiàn)元件20和發(fā)熱元件21。所述記錄再現(xiàn)元 件20和發(fā)熱元件21在形成薄膜層疊部42的過程中通過薄膜形成技術(shù)而組裝。另外，薄膜 層疊部42中的除記錄再現(xiàn)元件20和發(fā)熱元件21以外的部分由氧化鋁構(gòu)成。記錄再現(xiàn)元件20形成在薄膜層疊部42內(nèi)的滑塊寬度方向的中央部。該記錄再現(xiàn) 元件20包括記錄元件，其由產(chǎn)生與流過線圈的電流相應(yīng)的磁場的感應(yīng)元件構(gòu)成；以及再 現(xiàn)元件，其由電阻值根據(jù)受到的磁場而變化的磁阻效應(yīng)元件構(gòu)成。另外，記錄再現(xiàn)元件20 通過未圖示的布線與外部電連接。另外，磁頭滑塊4并不限定于該形式，例如可以是下述的進(jìn)行所謂的TFCCThermal Flying Height Control 熱感飛行高度控制)的磁頭滑塊的形式在記錄再現(xiàn)元件20的附 近內(nèi)置與發(fā)熱元件21同樣的發(fā)熱元件，通過熱膨脹使元件面40a以及階梯軸承面40b朝向 磁盤2凸出，從而調(diào)整浮起高度。發(fā)熱元件21相對于記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向的一側(cè)配置在離開預(yù)定距離 的位置。該發(fā)熱元件21為通過薄膜形成技術(shù)形成的薄膜電阻體，其例如由坡莫合金或鎳鉻 合金等金屬構(gòu)成。另外，發(fā)熱元件21通過未圖示的布線與外部電連接。因此，發(fā)熱元件21 通過來自外部的通電而發(fā)熱。通過這樣的發(fā)熱元件21的發(fā)熱，發(fā)熱元件21周圍的部件被加熱而發(fā)生熱膨脹。這 里，發(fā)熱元件21周圍的部件由作為薄膜層疊部42的主體的氧化鋁構(gòu)成。其中，介于記錄再 現(xiàn)元件20和發(fā)熱元件21之間的介入部分25通過熱膨脹能夠使記錄再現(xiàn)元件20移位。詳細(xì)來說，在發(fā)熱元件21的發(fā)熱量增加的情況下，介入部分25被加熱而發(fā)生熱膨 脹，因此，能夠使記錄再現(xiàn)元件20向遠(yuǎn)離發(fā)熱元件21的方向移位。另一方面，在發(fā)熱元件 21的發(fā)熱量減少的情況下，介入部分25被冷卻而收縮，因此，能夠使記錄再現(xiàn)元件20向接 近發(fā)熱元件21的方向移位。這樣，發(fā)熱元件21作為使記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向移位的熱驅(qū)動(dòng)器發(fā)揮作用。并且，該滑塊寬度方向與形成于上述磁盤2的軌道的寬度方向?qū)?yīng)，因此，能夠?qū)⑼?過對發(fā)熱元件21通電而實(shí)現(xiàn)的記錄再現(xiàn)元件20的移位利用于發(fā)熱元件21的定位。另外，發(fā)熱元件21與記錄再現(xiàn)元件20 —起通過薄膜形成技術(shù)形成在薄膜層疊部 42內(nèi)，因此，磁頭滑塊4A的制造非常容易。另外，由于能夠提高從發(fā)熱元件21到記錄再現(xiàn) 元件20的力傳遞系統(tǒng)的剛性，因此，能夠提高定位系統(tǒng)的伺服頻帶。此外，優(yōu)選的是，發(fā)熱元件21形成于薄膜層疊部42中的與包含記錄再現(xiàn)元件20 的至少一部分的層相同的層中。發(fā)熱元件21具有在與滑塊基板41的空氣流出側(cè)的端面 41z平行的面內(nèi)蛇行的形狀，并形成在構(gòu)成薄膜層疊部42的至少一層中。另一方面，記錄再 現(xiàn)元件20跨越更多個(gè)層地形成。因此，通過在包括記錄再現(xiàn)元件20的至少一部分的層中 形成發(fā)熱元件21，能夠?qū)⒔橛谟涗浽佻F(xiàn)元件20與發(fā)熱元件21之間的介入部分25的熱膨脹 相對于記錄再現(xiàn)元件20高效率地傳遞到滑塊寬度方向。另外，并不限定于此，也可以使記錄再現(xiàn)元件20和發(fā)熱元件21形成在不同的層 中。發(fā)熱元件21周圍的部件以發(fā)熱元件21為中心呈放射狀地膨脹，因此，即使記錄再現(xiàn)元 件20和發(fā)熱元件21形成在不同的層中，也能夠?qū)⒔橛谟涗浽佻F(xiàn)元件20與發(fā)熱元件21之 間的介入部分25的熱膨脹相對于記錄再現(xiàn)元件20向滑塊寬度方向充分傳遞。另外，如圖4所示，發(fā)熱元件21優(yōu)選具有沿滑塊寬度方向延伸的扁平形狀。S卩，發(fā) 熱元件21具有在蛇行的同時(shí)沿滑塊寬度方向方向伸長的形狀，該伸長方向的長度L比蛇行 的寬度Ls要長。通過這樣使發(fā)熱元件21在滑塊寬度方向延伸，如果上升相同溫度，則能夠 使發(fā)熱元件21周圍的部件在滑塊寬度方向的膨脹重疊，因此，能夠提高記錄再現(xiàn)元件20在 滑塊寬度方向的移位量。另外，在使發(fā)熱元件21沿滑塊寬度方向延伸的情況下，能夠緩和 提高了輸入的電力時(shí)的熱集中，由此，能夠抑制發(fā)熱元件21附近的溫度上升所導(dǎo)致的記錄 再現(xiàn)特性的劣化。另外，由于能夠抑制發(fā)熱元件21附近的階梯軸承面40b或中間面40g的 變形，因此，能夠抑制對磁頭滑塊4A的浮起特性的影響。這里，發(fā)熱元件21的沿著滑塊寬度方向的長度L優(yōu)選在例如20 y m以上、100 y m 以下。如果該長度L在20 y m以上，則能夠充分提高記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向的移 位量。另一方面，即使長度L過大，使記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向移位的效果也會(huì)飽 和，只是使與記錄再現(xiàn)元件20相反一側(cè)的部分的膨脹增加，因此，優(yōu)選在100 ym以下。另外，如圖3所示，優(yōu)選的是，將發(fā)熱元件21相對于浮起面40在厚度方向上投影 時(shí)的投影位置包含在比淺槽面40e深的面內(nèi)。在本實(shí)施方式中，投影位置包含在中間面40g 內(nèi)，該中間面40g形成為自階梯軸承面40b起例如深度在150nm以上。這樣的比淺槽面40e 深的面即使由于發(fā)熱元件21的發(fā)熱而變形，也不會(huì)對在浮起面40產(chǎn)生的正壓帶來影響，因 此不會(huì)對磁頭滑塊4A的浮起產(chǎn)生影響。另外，發(fā)熱元件21的投影位置優(yōu)選包含在比深槽面40h要淺的面內(nèi)。在本實(shí)施方 式中，發(fā)熱元件21的投影位置包含在深度處于淺槽面40e和深槽面40h之間的中間面40g 內(nèi)。當(dāng)使通過介入部分25的熱膨脹而移位了的記錄再現(xiàn)元件20向與此相反的方向移位 時(shí)，需要冷卻發(fā)熱元件21，但是由于投影位置位于比深槽面40h淺、更容易承受空氣流的中 間面40g內(nèi)，能夠進(jìn)一步提高發(fā)熱元件21的冷卻效果。另外，浮起面40也可以不形成中間面40g，而使該部分為深槽面40h。該情況下， 發(fā)熱元件21的投影位置包含在深槽面40h內(nèi)。即使在這樣的投影位置位于深槽面40h內(nèi)的情況下，也能夠充分冷卻發(fā)熱元件21。另外，如圖4所示，記錄再現(xiàn)元件20與發(fā)熱元件21之間的沿著滑塊寬度方向的距 離Ly優(yōu)選在例如10 i! m以上、100 i! m以下。該距離LY越小，越能夠提高記錄再現(xiàn)元件20的 移位的時(shí)間響應(yīng)性。但是，由于階梯軸承面40b的邊緣與記錄再現(xiàn)元件20相距大約10 y m 以上，因此，距離Ly需要在10 y m以上。另一方面，距離Ly越大，越能夠提高記錄再現(xiàn)元件 20的移位量，而距離LY過大該效果也會(huì)飽和，因此，優(yōu)選在100 ym以下。另外，從防止由于 發(fā)熱元件21的發(fā)熱導(dǎo)致階梯軸承面40b的變形的觀點(diǎn)出發(fā)，距離Ly更優(yōu)選在20 y m以上。另外，從浮起面40到發(fā)熱元件21的距離Lz優(yōu)選在例如10 y m以上、100 y m以下。 這里，距離Lz是浮起面40中的距離發(fā)熱元件21最近的中間面40g與發(fā)熱元件21之間的 厚度方向的距離。該距離Lz越小，越能夠提高發(fā)熱元件21的冷卻效果。另一方面，距離！^ 越大，越能夠減小中間面40g產(chǎn)生的變形。因此，從這兩方兼得的觀點(diǎn)出發(fā)，距離Lz優(yōu)選在 10 um以上、lOOiim以下。接下來，對使用了上述磁頭滑塊4A的記錄再現(xiàn)元件20的定位控制進(jìn)行說明。圖5 表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁盤裝置1的功能構(gòu)成例。磁盤裝置1具在殼體10外 的電路基板上具有微型處理單元(MPU)60。該MPU60在功能方面包括計(jì)算電路61、粗動(dòng)控 制電路62以及微動(dòng)控制電路63，該MPU60分別驅(qū)動(dòng)音圈電動(dòng)機(jī)7和發(fā)熱元件21，使記錄再 現(xiàn)元件20跟隨形成于磁盤2的軌道。計(jì)算電路61求出根據(jù)來自外部主機(jī)的記錄命令或者再現(xiàn)命令而決定的記錄再現(xiàn) 元件20的目標(biāo)軌道、與通過記錄再現(xiàn)元件20所讀取的私服數(shù)據(jù)而確定的記錄再現(xiàn)元件20 的當(dāng)前位置之間的差，計(jì)算出表示記錄再現(xiàn)元件20相對于目標(biāo)軌道的位置誤差的誤差信 號(hào) PES(Position Error Signal)。粗動(dòng)控制電路62根據(jù)從計(jì)算電路61輸入的誤差信號(hào)PES，生成抑制記錄再現(xiàn)元 件20的位置誤差之類的音圈電動(dòng)機(jī)7的控制指令Sv，并經(jīng)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器72輸出到音圈電 動(dòng)機(jī)7。微動(dòng)控制電路63根據(jù)從計(jì)算電路61輸入的誤差信號(hào)PES，生成抑制記錄再現(xiàn)元 件20的位置差之類的發(fā)熱元件21的控制指令SH，并經(jīng)加熱器驅(qū)動(dòng)器(heater driver) 73 輸出到發(fā)熱元件21。這里，從微動(dòng)控制電路63輸出的控制指令SH與應(yīng)提供給發(fā)熱元件21 的功率量對應(yīng)。詳細(xì)來說，加熱器驅(qū)動(dòng)器73使與記錄再現(xiàn)元件20的位置誤差為0的情況對應(yīng)的 基準(zhǔn)功率的電流流過發(fā)熱元件21，使介入部分25膨脹一定量。然后，微動(dòng)控制電路63輸出 與記錄再現(xiàn)元件20的位置誤差對應(yīng)的控制指令SH，從而使加熱器驅(qū)動(dòng)器73自基準(zhǔn)功率對 發(fā)熱元件21的功率進(jìn)行增減。由此，介入部分25膨脹 收縮，因此，能夠使記錄再現(xiàn)元件 20向滑塊寬度方向的任意方向移位。S卩，在使記錄再現(xiàn)元件20向遠(yuǎn)離發(fā)熱元件21的方向移位時(shí)，使發(fā)熱元件21的功 率自基準(zhǔn)功率增加，使介入部分25進(jìn)一步膨脹。另一方面，在使記錄再現(xiàn)元件20向接近發(fā) 熱元件21的方向移位的時(shí)候，使發(fā)熱元件21的功率自基準(zhǔn)功率減少，從而使介入部分25 收縮。這里，記錄再現(xiàn)元件20的移位與發(fā)熱元件21的功率(即發(fā)熱量)成比例，發(fā)熱元 件21的功率與發(fā)熱元件21電流量的平方成比例，因此，通過對發(fā)熱元件21的電流量的平方值進(jìn)行控制，也能夠抑制記錄再現(xiàn)元件20的移位量。輸出這樣的與控制指令成比例的功率的控制方法是在通過熱驅(qū)動(dòng)器控制浮起高 度的TFC中已經(jīng)使用的公知的技術(shù)，因此，很容易應(yīng)用到本實(shí)施方式中。如上所述，通過控制對相對于記錄再現(xiàn)元件20設(shè)置在滑塊寬度方向一側(cè)的發(fā)熱 元件21的通電，能夠使記錄再現(xiàn)元件20在形成于磁盤2的軌道的寬度方向微小地移位，由 此能夠高精度地對記錄再現(xiàn)元件20進(jìn)行定位。另外，MPTO0還包括補(bǔ)償器65，該補(bǔ)償器65用于補(bǔ)償記錄再現(xiàn)元件20的移位相對 于發(fā)熱元件21的通電的時(shí)間延遲。在本實(shí)施方式中，通過發(fā)熱元件21的發(fā)熱來使介入部 分25膨脹，從而使記錄再現(xiàn)元件20移位，因此，會(huì)產(chǎn)生熱傳遞所形成的時(shí)間延遲，作為控制 對象成為所謂的一次延遲系統(tǒng)。因此，如公知的那樣，通過設(shè)置具有這樣的時(shí)間延遲特性的 逆特性的濾波器來作為補(bǔ)償器65，能夠補(bǔ)償記錄再現(xiàn)元件20的移位的時(shí)間延遲，能夠提高 時(shí)間響應(yīng)性。另外，MPTO0的功能構(gòu)成并不限定于該形式。在本實(shí)施方式中，音圈電動(dòng)機(jī)7的控 制和發(fā)熱元件21的控制是獨(dú)立的，但是并不限定于此，也可以將從微動(dòng)控制電路63輸出的 控制指令SH經(jīng)發(fā)熱元件21增益模型與誤差信號(hào)PES —起輸入到粗動(dòng)控制電路62中，并使 音圈電動(dòng)機(jī)7的控制和發(fā)熱元件21的控制互不干涉。另外，在本實(shí)施方式中，對使音圈電動(dòng)機(jī)7為第一級、使作為熱驅(qū)動(dòng)器的發(fā)熱元件 21為第二級的二級驅(qū)動(dòng)器的磁盤裝置進(jìn)行了說明，但是并不限定于此，也可以是還包括由 壓電元件構(gòu)成的微型驅(qū)動(dòng)器的三級驅(qū)動(dòng)器的磁盤裝置。即，使音圈電動(dòng)機(jī)7為第一級，使調(diào) 整磁頭滑塊4A相對于磁頭支撐部6的位置的微型驅(qū)動(dòng)器為第二級，使作為熱驅(qū)動(dòng)器的發(fā)熱 元件21為第三級。圖15的分解立體圖表示該情況下的磁頭支撐部6的前端部的結(jié)構(gòu)。磁頭支撐部 6的前端部具有懸臂81、彎曲部分(flexure)82和FPC83。磁頭滑塊4經(jīng)由壓電元件等構(gòu) 成的微型驅(qū)動(dòng)器85安裝于懸臂81。該微型驅(qū)動(dòng)器85相對于懸臂81使磁頭滑塊4在與軌 道的寬度方向?qū)?yīng)的方向相對移動(dòng)(所謂的滑塊驅(qū)動(dòng)型)。另外，并不限定于該形式，也可 以是下述的所謂的懸臂驅(qū)動(dòng)型設(shè)置微型驅(qū)動(dòng)器以便驅(qū)動(dòng)懸臂81中的支撐磁頭滑塊4的前 端部分。另外，圖16表示該情況下的MPU60的功能構(gòu)成例。MPU60在上述圖5所示的結(jié)構(gòu) 的基礎(chǔ)上，還具有中間微動(dòng)控制電路69。該中間微動(dòng)控制電路69與粗動(dòng)控制電路62和微 動(dòng)控制電路63 —樣，根據(jù)從計(jì)算電路61輸入的誤差信號(hào)PES，生成抑制記錄再現(xiàn)元件20的 位置誤差之類的微型驅(qū)動(dòng)器75的控制指令SM，并經(jīng)驅(qū)動(dòng)器79輸出到微型驅(qū)動(dòng)器75。由此， 能夠進(jìn)一步高精度地將記錄再現(xiàn)元件20定位在磁盤2的軌道上。[磁頭滑塊的第二例]圖6和圖7表示磁頭滑塊4的第二例(下文中稱為磁頭滑塊4B)的立體圖和俯視 圖。另外，對于與上述第一例重復(fù)的結(jié)構(gòu)，在圖中標(biāo)以相同符號(hào)，并省略詳細(xì)的說明。在磁頭滑塊4B的薄膜層疊部42內(nèi)，相對于記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向的兩 側(cè)分別離開預(yù)定距離地配置有兩個(gè)發(fā)熱元件21a、21b。這些發(fā)熱元件21a、21b以記錄再現(xiàn) 元件20為中心在滑塊寬度方向上配置在大致對稱的位置。另外，發(fā)熱元件21a、21b的位置 和大小等與上述第一例中的發(fā)熱元件21相同。
12
另外，如圖7所示，在使發(fā)熱元件21a、21b相對于浮起面40在厚度方向上進(jìn)行投 影時(shí)的各投影位置包含在作為比淺槽面40e深的面的中間面40g內(nèi)。該中間面40g如上所 述是形成為自階梯軸承面40b起深度在例如150nm以上的面，并且是比淺槽面40e深、比深 槽面40h淺的面。這里，介于記錄再現(xiàn)元件20和發(fā)熱元件2 la之間的介入部分25a、與介于記錄再現(xiàn) 元件20和發(fā)熱元件21b之間的介入部分25b能夠分別通過膨脹使記錄再現(xiàn)元件20移位。詳細(xì)來說，在使發(fā)熱元件21a發(fā)熱的情況下，介入部分25a被加熱而膨脹，因此，能 夠使記錄再現(xiàn)元件20向遠(yuǎn)離發(fā)熱元件21a的方向移位。另一方面，在使發(fā)熱元件21b發(fā)熱 的情況下，介入部分25b被加熱而膨脹，因此，能夠使記錄再現(xiàn)元件20向遠(yuǎn)離發(fā)熱元件21b 的方向移位。下面，對使用了上述的磁頭滑塊4B的記錄再現(xiàn)元件20的定位控制進(jìn)行說明。圖8 表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的磁盤裝置1的功能結(jié)構(gòu)例。MPU60在功能方面包括計(jì)算 電路61、粗動(dòng)控制電路62、第一微動(dòng)控制電路63a，第二微動(dòng)控制電路63b，以及切換器67。切換器67根據(jù)從計(jì)算電路61輸入的誤差信號(hào)PES的編碼，來在第一微動(dòng)控制電 路63a和第二微動(dòng)控制電路63b之間對輸出誤差信號(hào)PES的目的地進(jìn)行切換。第一微動(dòng)控制電路63a對應(yīng)于從切換器67輸入的誤差信號(hào)PES的絕對值的大小， 生成抑制記錄再現(xiàn)元件20的位置誤差之類的發(fā)熱元件21a的控制指令SHa，并經(jīng)第一加熱 器驅(qū)動(dòng)器73a輸出到發(fā)熱元件21a。第二微動(dòng)控制電路63b也一樣，其對應(yīng)于從切換器67輸入的誤差信號(hào)PES的絕對 值的大小，生成抑制記錄再現(xiàn)元件20的位置誤差之類的發(fā)熱元件21b的控制指令SHb，并經(jīng) 第二加熱器驅(qū)動(dòng)器73b輸出到發(fā)熱元件21b。具體來說，在記錄再現(xiàn)元件20的位置相對于磁盤2的軌道向發(fā)熱元件21a側(cè)偏移 的情況下，切換器67向第一微動(dòng)控制電路63a輸出誤差信號(hào)PES，第一微動(dòng)控制電路63a對 發(fā)熱元件21a進(jìn)行通電，從而使介入部分25a膨脹，由此，使記錄再現(xiàn)元件20向遠(yuǎn)離發(fā)熱元 件21a的方向移位。此時(shí)，向發(fā)熱元件21b的通電被切斷。另一方面，在記錄再現(xiàn)元件20 的位置相對于磁盤2的軌道向發(fā)熱元件21b側(cè)偏移的情況下，切換器67向第二微動(dòng)控制電 路63b輸出誤差信號(hào)PES，第二微動(dòng)控制電路63b對發(fā)熱元件21b進(jìn)行通電，從而使介入部 分25b膨脹，由此，使記錄再現(xiàn)元件20向遠(yuǎn)離發(fā)熱元件21b的方向移位。此時(shí)，向發(fā)熱元件 21a的通電被切斷。這里，記錄再現(xiàn)元件20的移位與發(fā)熱元件21的功率(即發(fā)熱量)成比例，發(fā)熱元 件21的功率與發(fā)熱元件21電流量的平方成比例，因此，通過使各發(fā)熱元件21a、21b的功率 或者電流量的平方與所述記錄再現(xiàn)元件20的位置誤差的絕對值得大小成比例，各微動(dòng)控 制電路63a、63b能夠控制記錄再現(xiàn)元件20的移位量。如上所述，通過有選擇地對相對于記錄再現(xiàn)元件20設(shè)置于滑塊寬度方向兩側(cè)的 發(fā)熱元件21a、21b進(jìn)行通電，能夠使記錄再現(xiàn)元件20在形成于磁盤2的軌道的寬度方向上 微小地移位，由此，能夠高精度地對記錄再現(xiàn)元件20進(jìn)行定位。另外，在這樣有選擇地控制對發(fā)熱元件21a、21b的通電的情況下，與上述第一例 相比，能夠增大記錄再現(xiàn)元件20的移位量。另外，在有選擇地控制對發(fā)熱元件21a、21b的 通電的情況下，在切換使記錄再現(xiàn)元件20移位的方向的時(shí)候，能夠使一方不等待冷卻地對另一方進(jìn)行通電，因此能夠進(jìn)一步提高記錄再現(xiàn)元件20的移位的時(shí)間響應(yīng)性。另外，并不限定于此，對發(fā)熱元件21a、21b的通電，可以與上述第一例一樣，使基 準(zhǔn)功率的電流流過發(fā)熱元件21a、21b，根據(jù)記錄再現(xiàn)元件20的位置誤差，使發(fā)熱元件21a、 21b的功率自基準(zhǔn)功率起進(jìn)行增減。即，通過使發(fā)熱元件21a的功率與發(fā)熱元件21b的功率 產(chǎn)生差，由此，來使記錄再現(xiàn)元件20在寬度方向移位。另外，與上述第一例一樣，MPU60還包括補(bǔ)償器65a、65b，該補(bǔ)償器65a、65b用于補(bǔ) 償記錄再現(xiàn)元件20的移位相對于發(fā)熱元件21a、21b的通電的時(shí)間延遲。下面，對上述本實(shí)施方式的磁頭滑塊4A、4B以及上述專利文獻(xiàn)1所公開的將壓電 元件組裝到磁頭滑塊中的技術(shù)的對比進(jìn)行說明。在將板狀的壓電元件夾入到滑塊基板和含有記錄再現(xiàn)元件的基板之間的情況下， 采用了將它們彼此粘接在一起的方法，但是在該方法中，磁頭滑塊的制造并不容易。另外， 由于壓電元件的分極在150°C左右的溫度下會(huì)崩潰，因此，無法在此基礎(chǔ)上提高處理溫度， 制造很不容易。另外，壓電元件的材料與滑塊基板和元件基板的材料不同，因此，在加工浮起面時(shí) 會(huì)產(chǎn)生微小的誤差等，難以確保浮起面的加工精度。另外，壓電元件由多晶材料構(gòu)成，因此， 還存在容易產(chǎn)生灰塵的問題。特別是在將壓電元件組裝到磁頭滑塊中的情況下，無法設(shè)置 用于防止灰塵的產(chǎn)生的皮膜。而且，也考慮了在滑塊基板的端面通過薄膜形成壓電元件的方法，但是該方法中， 存在不能如使記錄再現(xiàn)元件充分移位那樣使壓電元件發(fā)生形變的問題。與此相對，在本實(shí)施方式的磁頭滑塊4A、4B中，由于發(fā)熱元件21與記錄再現(xiàn)元件 20 一樣通過薄膜形成技術(shù)形成在薄膜層疊部42內(nèi)，因此，制造非常容易。另外，由于將發(fā)熱 元件21組裝到薄膜層疊部42內(nèi)，因此，浮起面40的加工不存在問題，也不存在產(chǎn)生灰塵的 問題。即，本實(shí)施方式的磁頭滑塊4A、4B能夠與不設(shè)置發(fā)熱元件21的普通的磁頭滑塊一樣 地制造。另外，在本實(shí)施方式的磁頭滑塊4A、4B中，通過本申請的發(fā)明人可以確認(rèn)在根據(jù) 數(shù)值計(jì)算和TFC磁頭滑塊的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來使提供給發(fā)熱元件21的功率為例如100mW的情況 下，記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向的移位為lOnm左右，記錄再現(xiàn)元件20的時(shí)間響應(yīng)性 為時(shí)間常數(shù)，為0. 1ms左右。記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向的移位能夠與輸入功率成比 例地增大，因此，例如使供給功率為200Mw，則能夠使記錄再現(xiàn)元件20的移位在20nm以上。 這些值在具有10k(—萬)軌道/mm以上的高軌道密度的磁盤的磁盤裝置中，是足以應(yīng)用于 高精度地對記錄再現(xiàn)元件20進(jìn)行定位的值。[磁頭滑塊的變形例]圖9至圖14表示上述第一例的磁頭滑塊4A的變形例(下文中稱為磁頭滑塊4C 4H)。另外，對于與上述第一例重復(fù)的構(gòu)成，在圖中標(biāo)以相同的符號(hào)，并省略詳細(xì)的說明。在圖9所示的磁頭滑塊4C中，發(fā)熱元件21周圍的部件中的、相對于記錄再現(xiàn)元件 20位于比發(fā)熱元件21靠滑塊寬度方向的外側(cè)的位置的外側(cè)部分27比介于記錄再現(xiàn)元件 20和發(fā)熱元件21之間的介入部分25不易變形。具體來說，薄膜層疊部42中，相對于記錄再現(xiàn)元件20位于比發(fā)熱元件21靠滑塊 寬度方向的外側(cè)的位置的外側(cè)部分27形成為比介于記錄再現(xiàn)元件20和發(fā)熱元件21之間的介入部分25要厚，由此，外側(cè)部分27比介入部分25不容易變形。由此，在發(fā)熱元件21 周圍的部件膨脹時(shí)，外側(cè)部分27的膨脹被抑制，能夠提高從發(fā)熱元件21朝向記錄再現(xiàn)元件 20的介入部分25的膨脹量。另外，并不限定于這樣改變薄膜層疊部42的厚度的情況，也可以通過使材料特性 具有差，來使得外側(cè)部分27比介入部分25不易變形。具體來說，外側(cè)部分27的材料特性 與介入部分25的材料特性相比，理想的是滿足下述三項(xiàng)中的至少一項(xiàng)1)比熱大，溫度上 升小，2)相對于相同的溫度上升熱膨脹系數(shù)小，3)楊氏模量大。這里，增大楊氏模量是為了 使針對熱膨脹所產(chǎn)生的應(yīng)力不易變形。在圖10和圖11所示的磁頭滑塊4D、4E中，記錄再現(xiàn)元件20周圍的部件中的、相 對于記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向上位于發(fā)熱元件21的相反側(cè)的相反側(cè)部分28比介 于記錄再現(xiàn)元件20和發(fā)熱元件21之間的介入部分25更加容易變形。由此，能夠提高從發(fā) 熱元件21朝向記錄再現(xiàn)元件20的介入部分25的膨脹量。具體來說，薄膜層疊部42中，相對于記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向位于發(fā)熱元 件21的相反側(cè)的至少一部分缺失，由此，相反側(cè)部分28比介入部分25更加容易變形。S卩，如圖10所示，通過使滑塊寬度方向的距離記錄再現(xiàn)元件20預(yù)定距離以上的范 圍形成得比介入部分25薄，或者缺失，能夠使該范圍近前的相反側(cè)部分28比介入部分25 容易變形。另外，該情況下，也可以使記錄再現(xiàn)元件20配置在薄膜層疊部42內(nèi)的滑塊寬度 方向的端部。另外，如圖11所示，通過在滑塊寬度方向上在距離記錄再現(xiàn)元件20預(yù)定距離的位 置設(shè)置切口部52，能夠使該切口部52近前的相反側(cè)部分28比介入部分25容易變形。另 外，該情況下，也可以以吃入滑塊基板41的方式設(shè)置切口部52。另外，切口部52也可以在 滑塊基板41的厚度方向上貫穿，也可以使得下端或者上端的一部分殘留。這里，通過使薄膜層疊部42的缺失范圍為比淺槽面40e深的面的范圍，能夠使得 不會(huì)對階梯軸承面40b和淺槽面40e產(chǎn)生的正壓帶來影響。另外，并不限定于這樣使薄膜層疊部42的一部分缺失的情況，也可以通過使材料 特性具有差，來使相反側(cè)部分28比介入部分25更加容易變形。具體來說，相反側(cè)部分28 的材料特性與介入部分25的材料特性相比，理想的是滿足下述三項(xiàng)中的至少一項(xiàng)1)比熱 小，溫度上升大，2)相對于相同的溫度上升熱膨脹系數(shù)大，3)楊氏模量小。這里，減小楊氏 模量是為了使針對熱膨脹所產(chǎn)生的應(yīng)力容易變形。另外，如圖12所示的磁頭滑塊4F那樣，也可以設(shè)置比介入部分25不易變形的外 側(cè)部分27，和比介入部分25容易變形的相反側(cè)部分28兩者。由此，能夠進(jìn)一步提高從發(fā)熱 元件21朝向記錄再現(xiàn)元件20的介入部分25的膨脹量。在圖13所示的磁頭滑塊4G中，記錄再現(xiàn)元件20配置在薄膜層疊部42內(nèi)的滑塊 寬度方向的一個(gè)端部。另外，發(fā)熱元件21配置成相比于記錄再現(xiàn)元件20向滑塊寬度方向 的內(nèi)側(cè)離開預(yù)定的距離。由此，滑塊寬度方向的端面42t與記錄再現(xiàn)元件20之間的距離比 較短，因此，能夠與上述磁頭滑塊4D、4E —樣，使相反側(cè)部分28比介入部分25容易變形，其 結(jié)果為，能夠提高從發(fā)熱元件21朝向記錄再現(xiàn)元件20的介入部分25的膨脹量。另外，在以上說明過的實(shí)施方式中，發(fā)熱元件21的附近部分與其他部分相比，理 想的是滿足下述三項(xiàng)中的至少一項(xiàng)1)比熱小，溫度上升大，2)相對于相同的溫度上升熱膨脹系數(shù)大，3)楊氏模量大。這里，增大楊氏模量是為了使該部分不易因壓縮應(yīng)力而收縮。另外，本發(fā)明并不限定于以上說明過的實(shí)施方式。在上述實(shí)施方式中，將發(fā)熱元件 21設(shè)置在薄膜層疊部42內(nèi)，但是并不限定于此，只要是能夠?qū)?yīng)于發(fā)熱元件21的發(fā)熱來使 記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向移位的位置關(guān)系，也可以將含有發(fā)熱元件21的基板接合 在滑塊基板41與含有記錄再現(xiàn)元件20的基板之間，也可以在滑塊基板41內(nèi)設(shè)置發(fā)熱元件 21。例如，在圖14所示的磁頭滑塊4H中，在滑塊基板41的空氣流出側(cè)的端部中的、設(shè) 置發(fā)熱元件21的部分，設(shè)置切口部90，在該切口部90內(nèi)安裝沿滑塊寬度方向伸長的桿狀部 件91。發(fā)熱元件21形成在該桿狀部件91的外周面。另外，相對于記錄再現(xiàn)元件20在滑塊 寬度方向在發(fā)熱元件21的相反側(cè)，理想的是設(shè)置與上述圖11相同的切口部52。通過這樣形成的發(fā)熱元件21的發(fā)熱，桿狀部件91被加熱而膨脹，因此，該膨脹作 為滑塊寬度方向的力傳遞到滑塊基板41。由此，介入部分25在滑塊寬度方向被按壓，從而 能夠使記錄再現(xiàn)元件20移位。另外，當(dāng)桿狀部件91被加熱時(shí)，其熱傳遞至介入部分25，介 入部分25自身也膨脹，因此，這樣也能夠使記錄再現(xiàn)元件20移位。即，能夠使通過桿狀部 件91按壓介入部分25的力和介入部分25自身的膨脹重疊來使記錄再現(xiàn)元件20移位。另外，桿狀部件91的材料特性與滑塊基板41和薄膜層疊部42相比，理想的是滿 足下述三項(xiàng)中的至少一項(xiàng)1)比熱小，溫度上升大，2)相對于相同的溫度上升熱膨脹系數(shù) 大，3)楊氏模量大。這里，通過應(yīng)用這樣的材料特性的桿狀部件91，與上述的實(shí)施方式的情 況相比，能夠進(jìn)一步提高記錄再現(xiàn)元件20針對相同的輸入功率的移位量。另外，通過設(shè)置有切口部52，能夠進(jìn)一步提高記錄再現(xiàn)元件20在滑塊寬度方向的 移位量。特別是在本實(shí)施方式中，由于形成了用于安裝桿狀部件91的切口部90，因此與該 切口部90 —起形成切口部52非常容易，能夠最大限度地提高發(fā)熱元件21的作為熱驅(qū)動(dòng)器 的驅(qū)動(dòng)效率。這里，切口部90也可以在滑塊基板41的厚度方向上貫穿，也可以是下端或者上端 的一部分殘留。形成該切口部90的范圍為中間面40g、深槽面40h等比淺槽面40e要深的 面對范圍內(nèi)。桿狀部件91通過例如壓入或粘接等方法安裝在切口部90內(nèi)。另外，發(fā)熱元 件21也可以預(yù)先形成在切口部90的外周面上，也可以在安裝了桿狀部件91之后，通過與 薄膜層疊部42相同的薄膜成形技術(shù)形成于桿狀部件91的外周面。另外，使用了這樣的切口部90和桿狀部件91的磁頭滑塊4H的結(jié)構(gòu)能夠與上述實(shí) 施方式適當(dāng)?shù)亟M合。上述記載對是針對實(shí)施例進(jìn)行的，但是本發(fā)明并不限定于此，對于本領(lǐng)域普通技 術(shù)人員來說，在本發(fā)明的精神和所附的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更和修正是不 言自明的。
1權(quán)利要求
一種磁頭滑塊，其浮起到旋轉(zhuǎn)的磁盤之上，進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和讀取，其特征在于，該磁頭滑塊包括記錄再現(xiàn)元件，其用于進(jìn)行所述數(shù)據(jù)的寫入和讀?。话l(fā)熱元件，其通過通電而發(fā)熱，該發(fā)熱元件相對于所述記錄再現(xiàn)元件配置在該磁頭滑塊的寬度方向的一側(cè)；以及至少介于所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件之間、對應(yīng)于所述發(fā)熱元件的發(fā)熱而膨脹的部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于，所述磁頭滑塊的與所述磁盤對置的浮起面由至少包括階梯軸承面、淺槽面和深槽面的 深度互不相同的多個(gè)面構(gòu)成，將所述發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的位置包含在比所述淺槽面深的面內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁頭滑塊，其特征在于，將所述發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的位置包含在比所述淺槽面深、且比所述深槽 面淺的面內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于， 所述發(fā)熱元件是薄膜電阻體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于，所述磁頭滑塊包括滑塊基板和形成于所述滑塊基板的空氣流出側(cè)的端部的薄膜層疊部，所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件形成于所述薄膜層疊部內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁頭滑塊，其特征在于，所述發(fā)熱元件形成于與所述薄膜層疊部中的包括所述記錄再現(xiàn)元件的至少一部分的 層相同的層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于，所述磁頭滑塊的與所述磁盤對置的浮起面由深度互不相同的多個(gè)面構(gòu)成， 將所述發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的位置包含在自最接近所述磁盤的面起具有 150納米以上深度的面內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于，所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件之間的沿著所述寬度方向的距離在10微米以上、 100微米以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于， 所述發(fā)熱元件具有沿著所述寬度方向延伸的扁平形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于，與介于所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件之間的部件相比，相對于所述記錄再現(xiàn)元件 比所述發(fā)熱元件靠外側(cè)的部件更加不易變形。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于，與介于所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件之間的部件相比，相對于所述記錄再現(xiàn)元件 位于所述發(fā)熱元件的相反側(cè)的部件更加容易變形。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于，所述記錄再現(xiàn)元件配置于所述寬度方向的端部。
13.一種磁頭滑塊，其浮起到旋轉(zhuǎn)的磁盤之上，進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和讀取，該磁頭滑塊包括記錄再現(xiàn)元件，其用于進(jìn)行所述數(shù)據(jù)的寫入和讀取；多個(gè)發(fā)熱元件，其通過通電而發(fā)熱，該發(fā)熱元件相對于所述記錄再現(xiàn)元件分別配置在 該磁頭滑塊的寬度方向的兩側(cè)；以及至少介于所述記錄再現(xiàn)元件和所述各發(fā)熱元件之間、對應(yīng)于所述各發(fā)熱元件的發(fā)熱而 膨脹的部件，所述磁頭滑塊的與所述磁盤對置的浮起面由至少包括階梯軸承面、淺槽面和深槽面的 深度互不相同的多個(gè)面構(gòu)成，將所述各發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的各位置包含在比所述淺槽面深的面內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁頭滑塊，其特征在于，將所述各發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的各位置包含在比所述淺槽面深、且比所述 深槽面淺的面內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁頭滑塊，其特征在于，所述磁頭滑塊的與所述磁盤對置的浮起面由深度互不相同的多個(gè)面構(gòu)成， 將所述各發(fā)熱元件投影到所述浮起面上時(shí)的各位置包含在自最接近所述磁盤的面起 具有150納米以上深度的面內(nèi)。
16.一種磁盤裝置，其包括磁盤，在該磁盤中沿著軌道記錄有數(shù)據(jù)； 磁盤驅(qū)動(dòng)器，其用于使所述磁盤旋轉(zhuǎn)；磁頭滑塊，其是浮起到旋轉(zhuǎn)的所述磁盤之上、進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和讀取的磁頭滑塊，該磁 頭滑塊包括記錄再現(xiàn)元件，其用于進(jìn)行所述數(shù)據(jù)的寫入和讀??；發(fā)熱元件，其通過通電而 發(fā)熱，該發(fā)熱元件相對于所述記錄再現(xiàn)元件配置在所述軌道的寬度方向的至少一側(cè)；以及 至少介于所述記錄再現(xiàn)元件和所述發(fā)熱元件之間、對應(yīng)于所述發(fā)熱元件的發(fā)熱而膨脹的部 件；磁頭支撐部，其用于支撐所述磁頭滑塊；磁頭驅(qū)動(dòng)器，其驅(qū)動(dòng)所述磁頭支撐部，從而使所述磁頭滑塊相對于所述磁盤相對移動(dòng)；計(jì)算電路，其根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件所讀取的數(shù)據(jù)來計(jì)算出所述記錄再現(xiàn)元件相對于 所述軌道的位置誤差；粗動(dòng)控制電路，其根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件的位置誤差來驅(qū)動(dòng)所述磁頭驅(qū)動(dòng)器；以及 微動(dòng)控制電路，其根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件的位置誤差對所述發(fā)熱元件進(jìn)行通電。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁盤裝置，其特征在于，所述微動(dòng)控制電路控制所述發(fā)熱元件的電流量或者功率。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁盤裝置，其特征在于，所述微動(dòng)控制電路包括補(bǔ)償器，該補(bǔ)償器用于補(bǔ)償記錄再現(xiàn)元件的移位相對于對發(fā)熱 元件的通電的時(shí)間延遲。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁盤裝置，其特征在于，所述微動(dòng)控制電路根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件的位置誤差，使所述發(fā)熱元件的電流量或者 功率自基準(zhǔn)電流量或基準(zhǔn)功率起進(jìn)行增減。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁盤裝置，其特征在于，相對于所述記錄再現(xiàn)元件，在所述軌道的寬度方向的兩側(cè)分別配置有所述發(fā)熱元件， 所述微動(dòng)控制電路根據(jù)所述記錄再現(xiàn)元件的位置誤差對所述多個(gè)發(fā)熱元件有選擇地 進(jìn)行通電。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠進(jìn)行高精度且簡易的定位的磁頭滑塊和磁盤裝置。磁頭滑塊(4)包括進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和讀取的記錄再現(xiàn)元件(20)；發(fā)熱元件(21)，其通過通電而發(fā)熱，該發(fā)熱元件(21)相對于該記錄再現(xiàn)元件(20)配置在與軌道的寬度方向?qū)?yīng)的方向(即，磁頭滑塊(4)的寬度方向)的至少一側(cè)；以及至少介于記錄再現(xiàn)元件(20)和發(fā)熱元件(21)之間、對應(yīng)于發(fā)熱元件(21)的發(fā)熱而膨脹的部件(25)。
文檔編號(hào)G11B5/31GK101855671SQ200880116019
公開日2010年10月6日 申請日期2008年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月11日
發(fā)明者小野京右, 難波入三 申請人:株式會(huì)社日立制作所