專利名稱：防止非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)丟失的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備和方法涉及防止非易失性存儲器裝置的數(shù)據(jù)丟失，更 具體地講，涉及一種可代表使用一個存儲單元的多個頁的比特信息的非易失
性存儲器。
背景技術(shù)：
通常，非易失性存儲器被廣泛地用作在嵌入式系統(tǒng)中存儲和處理數(shù)據(jù)的 存儲裝置，所述嵌入式系統(tǒng)包括電器裝置、通信裝置和機頂盒。
作為常用的非易失性存儲器的閃存可電刪除和重寫數(shù)據(jù)，并且由于它具 有比磁盤存儲裝置低的功耗，與硬盤類似的快速存取時間以及小的內(nèi)存足跡
(footprint),所以它可容易地適用于便攜裝置。
在這種非易失性存儲器中存儲數(shù)據(jù)比特的基本機制是存儲單元。這種存 儲單元包括單元場效應(yīng)晶體管，包括控制柵、浮動?xùn)?、源極和漏極。在這
特。此外，通過控制柵的字線施加選擇電壓來對存儲單元進(jìn)行解碼。
典型的存儲單元通過使用一個比特存儲兩個狀態(tài)來提供存儲容量。具體
地講，'T，表示刪除，"0"表示寫入。
顯著降低非易失性存儲器的每比特的價格的技術(shù)被公布在M. Bauer的文
章"A Multilevel-Cell 32 Mb Flash Memory"中，ISSCC技術(shù)文獻(xiàn)文摘，第
132-133頁，1995年2月。該文章包括每個存儲單元使用兩個比特來存儲四
個狀態(tài)的技術(shù)。
如上所述，具有每個存儲單元使用兩個比特來存儲四個狀態(tài)的性能的非 易失性存儲器通常被稱為MLC(多級單元)，使用一個存儲單元存儲兩頁的 數(shù)據(jù)比特。此外，與一個存儲單元相應(yīng)的兩頁的每一頁分別被稱為LSB(最 低有效位)頁和MSB(最高有效位)頁，從LSB頁開始存儲數(shù)據(jù)比特。例如， 兩級MLC閃存^f吏用兩個比特來實現(xiàn)四個狀態(tài)，所述四個狀態(tài)包括OO、 01、 10和11。
圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的兩級MLC非易失性存儲器的狀態(tài)的曲線圖。
如圖1所示，典型的兩級MLC閃存具有初始狀態(tài)11,隨著電壓增加， 狀態(tài)依次改變?yōu)?0、 00、 10。因此，為了/人狀態(tài)11得到狀態(tài)01，必須遵循 11、 10、 00的狀態(tài)順序。此外，在每個狀態(tài)中，高位指示MSB頁，低位指 示LSB頁。
為了得到先前在圖1中描述的從11至01的狀態(tài)轉(zhuǎn)變，在數(shù)據(jù)被寫入 MSB頁時，在MSB頁中可能發(fā)生錯誤(如圖2和圖3所示)，并且LSB頁 的一個狀態(tài)仍可能被改變?yōu)?。雖然數(shù)據(jù)被正確地寫入LSB頁，但由于當(dāng)數(shù) 據(jù)被寫入到MSB頁時所發(fā)生的錯誤，所以可能發(fā)生LSB頁的數(shù)據(jù)丟失。
在韓國專利2002-0092487A公開的閃存管理方法中，當(dāng)請求對存儲有效 數(shù)據(jù)的頁的寫操作時，在與包括該頁的數(shù)據(jù)塊相應(yīng)的日志塊中發(fā)生寫操作。 當(dāng)請求另一寫操作時，寫操作被寫入日志塊的空閑頁。然而，本專利未提供 這樣一種方法防止由于在將數(shù)據(jù)寫入到MLC閃存的MSB頁期間發(fā)生的錯 誤而造成的共享存儲單元的LSB頁中的數(shù)據(jù)丟失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施例克服了上述缺點及上面沒有描述的其它缺點。此 外，本發(fā)明不需要克服上述缺點，并且本發(fā)明的示例性實施例可以不克服上 述任何問題。
本發(fā)明提供一種防止非易失性存儲器的數(shù)據(jù)丟失的設(shè)備；具體地講，在 MLC非易失性存儲器中可防止由于MSB頁的錯誤而造成的LSB頁的數(shù)據(jù)丟失。
本發(fā)明還提供一種防止非易失性存儲器的數(shù)據(jù)丟失的方法；具體地講， 在MLC非易失性存儲器中可防止由于MSB頁的錯誤而造成的LSB頁的數(shù)據(jù) 丟失。
本發(fā)明不應(yīng)該被理解為僅限于上述對象，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，本 發(fā)明的上述對象以及其他對象、特征和優(yōu)點從下面的描述將變得清楚。
根據(jù)本發(fā)明一方面，提供一種防止非易失性存儲器裝置的數(shù)據(jù)丟失的設(shè) 備，所述設(shè)備包括非易失性存儲器，包括使用多個狀態(tài)將比特信息寫入到 包括在第一塊中的第一頁和第二頁的存儲單元，使用至少兩個比特實現(xiàn)所述 多個狀態(tài)；數(shù)據(jù)處理單元，在比特信息被寫入到第一頁之后，當(dāng)比特信息被
寫入到第二頁時，將第 一 頁的比特信息寫入到非易失性存儲器中的第二塊。
根據(jù)本發(fā)明另 一方面，提供一種防止非易失性存儲器裝置的數(shù)據(jù)丟失的 方法，所述方法包括將數(shù)據(jù)寫入到非易失性存儲器的第一頁，所述非易失 性存儲器包括使用多個狀態(tài)將比特信息寫入到包括在第一塊中的第一頁和第
二頁的存儲單元，使用至少兩個比特實現(xiàn)所述多個狀態(tài)；在數(shù)據(jù)被寫入到第
一頁之后，在數(shù)據(jù)被寫入到第二頁期間，將第一頁的數(shù)據(jù)寫入到非易失性存 儲器中的第二塊。


通過參照附圖對本發(fā)明示例性實施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其
他方面將變得清楚，其中
圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的兩級MLC非易失性存儲器的狀態(tài)的曲線圖2和圖3是示出在將數(shù)據(jù)寫入到圖1所示的MSB頁期間發(fā)生的錯誤
的曲線圖4是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的防止非易失性存儲器的數(shù)據(jù)丟失 的設(shè)備的框圖5是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的LSB頁和MSB頁的框圖； 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的將數(shù)據(jù)寫入到非易失性存儲器的 方法的流程圖7是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的從非易失性存儲器恢復(fù)數(shù)據(jù)的方 法的流程圖。
具體實施例方式
通過參照下面對示例性實施例和附圖的詳細(xì)描述，可更容易地理解本發(fā) 明的優(yōu)點和特征以及實現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點和特征的方法。然而，本發(fā)明可以以 許多不同的形式實現(xiàn)，并不應(yīng)該理解為限于這里闡述的示例性實施例。相反， 提供這些示例性實施例從而使這一公開徹底和完整，并將向本領(lǐng)域的技術(shù)人 員充分傳達(dá)本發(fā)明的構(gòu)思，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求限定。貫穿說明書，相同 的標(biāo)號指示相同的部件。
以下，通過參照對防止非易失性存儲器的數(shù)據(jù)丟失的設(shè)備和方法的示例 性實施例進(jìn)行解釋的框圖和流程圖來對本發(fā)明進(jìn)行描述。這里，可使用計算
機程序指令執(zhí)行流程圖和流程圖的組合的每個方框。因為這些計算機程序指 令可加載到個人計算機、自定義計算機以及其他可編程的數(shù)據(jù)處理裝置的處 理器，計算機或可編程的數(shù)據(jù)處理裝置的處理器執(zhí)行的指令可作為執(zhí)行流程 圖的方框所描述的功能的裝置。這些計算機程序指令可加載到計算機以特定 的方式實現(xiàn)功能。此外，這些計算機程序指令可加載到可由計算機使用或讀 取的存儲器，或包括編程數(shù)據(jù)處理裝置的計算機。
在可由計算機使用或讀取的存儲器中存儲的指令可用于產(chǎn)生包括執(zhí)行流 程方框所描述的功能的指令的制造產(chǎn)品。由于計算機程序指令可加載到計算 機或其他可編程數(shù)據(jù)處理裝置，所以在計算機或其他可編程數(shù)據(jù)處理裝置中 執(zhí)行的指令可提供執(zhí)行流程方框所描述的功能的步驟。
此外，每個方框可代表包括多個執(zhí)行特定邏輯功能的指令的模塊、代碼 段、或者部分代碼。應(yīng)該注意到，在一些另外的執(zhí)行的示例中，方框所提到 的功能可能不按次序地執(zhí)行。即，根據(jù)每個方框的功能，連續(xù)兩個方框可平 行執(zhí)行，或者可按相反的次序執(zhí)行。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的防止非易失性存儲器的數(shù)據(jù)丟失
的設(shè)備的框圖。
如圖4所示，才艮據(jù)本發(fā)明示例性實施例的防止非易失性存儲器的數(shù)據(jù)丟 失的設(shè)備的設(shè)備100可包括非易失性存儲器110、數(shù)據(jù)處理單元120和數(shù) 據(jù)恢復(fù)單元130。
例如，非易失性存儲器110是MLC非易失性存儲器，所述MLC非易失 性存儲器包括使用由至少兩個比特實現(xiàn)的多個狀態(tài)將數(shù)據(jù)存儲在多個頁中的 存儲單元。
例如，當(dāng)MLC非易失性存儲器中的存儲單元使用兩個比特存儲多個頁 的數(shù)據(jù)時，使用相同的存儲單元存儲數(shù)據(jù)比特的頁被稱為綁定頁(binded page )。 存儲單元可將數(shù)據(jù)存儲在包括在特定塊中的頁中的綁定的最低有效 位(LSB)頁和最高有效位(MSB)頁中。因此，可以以隨才幾方式定位LSB 頁和MSB頁。雖然本發(fā)明示例性實施例提供使用可使用兩個比特存儲單元實 現(xiàn)的四個狀態(tài)來存儲數(shù)據(jù)比特的例子，但該例子應(yīng)被視為用于幫助理解本發(fā) 明的例子，可使用多個狀態(tài)來將數(shù)據(jù)比特存儲在多個頁中，所述多個狀態(tài)可 使用兩個以上的比特得以實現(xiàn)。
例如，如圖5所示，在存儲單元使用兩個比特將數(shù)據(jù)存儲到多個頁中的
兩級MLC非易失性存儲器的情況下，同一個存儲單元被用于第(4N+0)頁 和第(4N+2 )頁。在這種情況下，LSB頁是第(4N+0 )頁，MSB頁是第(4N+2 )頁。
此外，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的非易失性存儲器110可包括第一區(qū) 域lll,存儲數(shù)據(jù)；第二區(qū)域112,由在以下部分中描述的數(shù)據(jù)處理單元120 將在第一區(qū)域111中存儲的數(shù)據(jù)存儲在所述第二區(qū)域112;第三區(qū)域113，包 括空閑塊。這里，第一區(qū)域lll、第二區(qū)域112和第三區(qū)域113可至少包括一個塊。
數(shù)據(jù)處理單元120將數(shù)據(jù)存儲到非易失性存儲器110的第一區(qū)域111。 由于MLC非易失性存儲器作為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的非易失性存儲器 110的例子，所以數(shù)據(jù)處理單元120將數(shù)據(jù)存儲在與一個存儲單元相應(yīng)的LSB 頁中，然后將數(shù)據(jù)存儲在與LSB頁共享存儲單元的MSB頁中。
數(shù)據(jù)處理單元120確定將被寫入的頁是LSB頁還是MSB頁。如果被寫 入的頁是LSB頁，則數(shù)據(jù)被寫入該頁。如果被寫入的頁是MSB頁，則存儲 在綁定的LSB頁中的數(shù)據(jù)被存儲在非易失性存儲器110的第二區(qū)域中。
如上所述，當(dāng)數(shù)據(jù)處理單元120將數(shù)據(jù)寫入到MSB頁時，在不被寫入 的存儲在綁定的LSB頁中的數(shù)據(jù)被存儲在第二區(qū)域112中。這是為了防止綁 定的LSB頁中的數(shù)據(jù)丟失，在將數(shù)據(jù)寫入到綁定的MSB頁期間可能發(fā)生所 述數(shù)據(jù)丟失。
更詳細(xì)地，為了將存儲單元的狀態(tài)從11改變?yōu)?1，當(dāng)在存儲單元從11 至10的狀態(tài)轉(zhuǎn)變期間發(fā)生錯誤時，LSB頁的數(shù)據(jù)比特從正確值1改變?yōu)?。 此外，當(dāng)在存儲單元從11至00的狀態(tài)轉(zhuǎn)變期間發(fā)生錯誤時，LSB頁的數(shù)據(jù) 比特從正確值1改變?yōu)?。
因此，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例，當(dāng)數(shù)據(jù)處理單元120將數(shù)據(jù)寫入到 MSB頁時，數(shù)據(jù)處理單元120將存儲在綁定的LSB頁中的數(shù)據(jù)寫入到非易失 性存儲器110的第二區(qū)域112。這是為了防止其他頁的數(shù)據(jù)丟失，將數(shù)據(jù)寫入 到共享存儲單元的MLC非易失性存儲器中的綁定頁中的一個期間發(fā)生的錯 誤可造成所述數(shù)據(jù)丟失。
此外，由于數(shù)據(jù)處理單元120將存儲在LSB頁中的數(shù)據(jù)寫入到非易失性 存儲器110中的可維護(hù)數(shù)據(jù)的第二區(qū)域112,所以在突然斷電的情況下可安全
在由數(shù)據(jù)處理單元120對綁定的LSB頁和MSB頁中的一個的寫操作期 間發(fā)生錯誤時，數(shù)據(jù)恢復(fù)單元130可恢復(fù)數(shù)據(jù)。
更詳細(xì)的描述，在將數(shù)據(jù)寫入到綁定的LSB頁期間發(fā)生錯誤時，數(shù)據(jù)恢 復(fù)單元130將相應(yīng)的LSB頁中的有效數(shù)據(jù)復(fù)制到在第三區(qū)域113中分配的空閑塊。
此外，在將數(shù)據(jù)寫入到綁定的MSB頁期間發(fā)生錯誤時，數(shù)據(jù)恢復(fù)單元 130將MSB頁中的有效頁復(fù)制到第三區(qū)域113分配的空閑塊，并將綁定的LSB 頁復(fù)制到第二區(qū)域112分配的空閑塊。當(dāng)數(shù)據(jù)處理單元120將數(shù)據(jù)寫入到MSB 頁時，存儲到綁定的LSB頁的數(shù)據(jù)被寫入第二區(qū)域112。因此，在MSB頁存 在錯誤的情況下，存儲在綁定的LSB頁中的數(shù)據(jù)可被安全恢復(fù)。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的將數(shù)據(jù)寫入到非易失性存儲器的 方法的流程圖。在假定用戶請求對非易失性存儲器的寫操作的前提下，對圖 6所示的寫入數(shù)據(jù)的方法進(jìn)行解釋。
如圖6所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的數(shù)據(jù)寫入方法包括第一操作， 數(shù)據(jù)處理單元120將數(shù)據(jù)寫入到特定LSB頁(SllO)。在該操作中，由數(shù)據(jù) 處理單元120寫入的LSB頁可被預(yù)定或可以是隨機的。
數(shù)據(jù)處理單元120確定在將數(shù)據(jù)寫入到LSB頁期間是否發(fā)生錯誤 (S120)，如果存在錯誤，則將相應(yīng)的LSB頁中的有效數(shù)據(jù)復(fù)制到在非易失 性存儲器110的第三區(qū)域113中分配的空閑塊(S130)。如果數(shù)據(jù)寫入成功， 則在操作S140將數(shù)據(jù)寫入到與操作SllO的LSB頁綁定的的MSB頁。
在該操作中，數(shù)據(jù)處理單元120將數(shù)據(jù)寫入到MSB頁。同時，數(shù)據(jù)處 理單元120將在操作SllO中被寫入LSB頁的數(shù)據(jù)寫入到非易失性存儲器110 的第二區(qū)域112中的塊。
如上所述，數(shù)據(jù)處理單元120在將數(shù)據(jù)寫入到MSB頁期間將存儲在綁 定的LSB頁中的數(shù)據(jù)寫入到第二區(qū)域112,以防止在MSB頁的寫入期間包含 正確數(shù)據(jù)的LSB頁的數(shù)據(jù)丟失。
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的在非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)恢復(fù) 方法的流程圖。圖7所示的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法可理解為在將數(shù)據(jù)寫入到非易失性 存儲器期間在斷電之后恢復(fù)數(shù)據(jù)的方法。
如圖7所示，才艮據(jù)本發(fā)明示例性實施例的數(shù)據(jù)恢復(fù)方法包括第一步驟， 數(shù)據(jù)恢復(fù)單元130掃描非易失性存儲器110的第一區(qū)域111 (S210)。
在數(shù)據(jù)掃描之后，數(shù)據(jù)恢復(fù)單元130確定是否存在包含錯誤的頁。如果
在S220發(fā)現(xiàn)具有錯誤的頁，則確定該具有錯誤的頁是否為MSB頁(S230)。 在該操作中，數(shù)據(jù)恢復(fù)單元130可使用存儲在寫入到相應(yīng)頁的數(shù)據(jù)的尾部中 的標(biāo)記值來確定具有錯誤的頁，然而，由于這可以是幫助理解本發(fā)明的例子， 所以并不限于這種方法。
如果MSB頁中發(fā)生錯誤，則數(shù)據(jù)恢復(fù)單元130將有效頁復(fù)制到在第三 區(qū)域113中分配的預(yù)定空閑塊(S240),并恢復(fù)LSB頁中的數(shù)據(jù)，所述LSB 頁通過將數(shù)據(jù)復(fù)制到第二區(qū)域112與有錯誤的MSB頁共享存儲單元(S250 )。 從第二區(qū)域112復(fù)制LSB頁的恢復(fù)數(shù)據(jù)，原因是如圖6所描述，在MSB頁 數(shù)據(jù)的寫操作期間，綁定的LSB頁數(shù)據(jù)被復(fù)制到第二區(qū)域112。
因此，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的防止非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)丟失的 裝置和方法可防止可由在將數(shù)據(jù)寫入共享存儲單元的多頁中的一頁期間發(fā)生 的錯誤造成的一頁中的數(shù)據(jù)丟失。此外，只有LSB頁可用于防止由于MSB 頁的錯誤而造成的LSB頁中的數(shù)據(jù)丟失，然而，該方法只利用非易失性存儲 器的一半空間。因此，隨著第二區(qū)域的重新使用，本發(fā)明達(dá)到非易失性存儲 器空間的接近100%的利用率。
第二區(qū)域112只可用于存儲特定數(shù)據(jù)，而非存儲整個頁。在這種情況下， 可減少將LSB頁數(shù)據(jù)存儲到第二區(qū)域112的總開銷。
本發(fā)明示例性實施例中使用的術(shù)語"單元"表示包括現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC)的硬件組件，并執(zhí)行特定操作。然而術(shù) 語"單元"不限于軟件或硬件。單元可被構(gòu)造以存儲在可尋址的存儲裝置中 或可被構(gòu)造以執(zhí)行一個或多個處理器。例如，單元可以包括軟件組件、面 向?qū)ο蟮能浖M件、類組件和任務(wù)組件。單元還可以包括進(jìn)程、函數(shù)、屬 性、過程、子程序、程序代碼段、驅(qū)動程序、固件、微碼、電路、數(shù)據(jù)、數(shù) 據(jù)庫、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、表、數(shù)組和變量。在組件和單元中提供的功能可被組合為 更少的組件和單元，或者可進(jìn)一步被分離成另外的組件和單元。
盡管參照本發(fā)明示例性實施例具體表示和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技 術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求給出，而不是由前面的描述給出， 落入權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有的變化或者等同物被認(rèn)為是包含在其中。因此， 應(yīng)該理解，上述的實施例在所有方面只是示出的目的，并不應(yīng)該被理解為限 制性目的。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的防止非易失性存儲器的數(shù)據(jù)丟失的設(shè)備和方法， 可觀察到下列效果的 一項或多項。
在MLC非易失性存儲器中，LSB頁數(shù)據(jù)被存儲在另一區(qū)域，以防止由 于MSB頁錯誤而造成的LSB頁的數(shù)據(jù)丟失。
此外，在MLC非易失性存儲器的情況下，因為可避免由于MSB頁錯誤 而造成的LSB頁的數(shù)據(jù)丟失，所以可提高M(jìn)LC非易失性存儲器的利用率。
權(quán)利要求
1、一種防止非易失性存儲器裝置的數(shù)據(jù)丟失的設(shè)備，包括非易失性存儲器，包括使用多個狀態(tài)將比特信息寫入到包括在第一塊中的第一頁和第二頁的存儲單元，使用至少兩個比特實現(xiàn)所述多個狀態(tài)；數(shù)據(jù)處理單元，在比特信息被寫入到第一頁之后，當(dāng)比特信息被寫入到第二頁時，將第一頁的比特信息寫入到非易失性存儲器中的第二塊。
2、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，第一頁是最低有效位頁，第二頁是 最高有效位頁。
3、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，非易失性存儲器使用四個狀態(tài)來表 示第一頁和第二頁的比特信息，使用兩個比特實現(xiàn)所述四個狀態(tài)。
4、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其中，如果將被寫入的頁是第一頁，則數(shù) 據(jù)處理單元寫入數(shù)據(jù)，如果被寫入的頁不是第一頁，則數(shù)據(jù)處理單元將已被 寫入到第一頁的數(shù)據(jù)寫入到第二塊。
5、 如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入到第一頁期間發(fā)生錯 誤時，數(shù)據(jù)處理單元將現(xiàn)有的有效頁復(fù)制到非易失性存儲器中的空閑塊。
6、 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，還包括數(shù)據(jù)恢復(fù)單元，使用已寫入到第 二塊的數(shù)據(jù)來恢復(fù)非易失性存儲器的數(shù)據(jù)。
7、 如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，數(shù)據(jù)恢復(fù)單元對非易失性存儲器的 第二塊進(jìn)行掃描，并且如果頁包含錯誤，則確定第一頁和第二頁中哪頁是有 錯誤的頁。
8、 如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，數(shù)據(jù)恢復(fù)單元將現(xiàn)有塊的有效頁復(fù) 制到非易失性存儲器的空閑塊，并且如果有錯誤的頁是第二頁，則將第一頁 從第二塊復(fù)制到空閑塊。
9.一種防止非易失性存儲器裝置的數(shù)據(jù)丟失的方法，包括 將數(shù)據(jù)寫入到非易失性存儲器的第一頁，所述非易失性存儲器包括使用多個狀態(tài)將比特信息寫入到包括在第一塊中的第一頁和第二頁的存儲單元， 使用至少兩個比特實現(xiàn)所述多個狀態(tài)；在數(shù)據(jù)被寫入到第一頁之后，在數(shù)據(jù)被寫入到第二頁期間，將第一頁的 數(shù)據(jù)寫入到非易失性存儲器中的第二塊。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一頁是最低有效位頁，第二頁是最高有效位頁。
11、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，非易失性存儲器使用四個狀態(tài)來 表示第一頁和第二頁的比特信息，使用兩個比特實現(xiàn)所述四個狀態(tài)。
12、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，將第一頁的數(shù)據(jù)寫入到第二塊的 步驟包括如果將被寫入的頁是第一頁，則寫入數(shù)據(jù)，如果被寫入的頁不是 第 一 頁，則將已被寫入到第 一 頁的數(shù)據(jù)寫入到第二塊。
13、 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，將已被寫入到第一頁的數(shù)據(jù)寫入 到第二塊的步驟包括當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入到第一頁期間發(fā)生錯誤時，將現(xiàn)有的有 效頁復(fù)制到非易失性存儲器中的空閑塊。
14、 如權(quán)利要求9所述的方法，還包括使用已寫入到第二塊的數(shù)據(jù)來 恢復(fù)非易失性存儲器的數(shù)據(jù)。
15、 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，恢復(fù)數(shù)據(jù)的步驟包括對非易失 性存儲器的數(shù)據(jù)塊進(jìn)行掃描，并且如果頁包含錯誤，則確定第一頁和第二頁 中哪頁包含錯誤。
16、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中，恢復(fù)數(shù)據(jù)的步驟包括將現(xiàn)有塊 的有效頁復(fù)制到非易失性存儲器的空閑塊，并且如果有錯誤的頁是第二頁， 則將第 一 頁從第二塊復(fù)制到空閑塊。
全文摘要
提供一種防止非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)丟失的設(shè)備和方法。所述設(shè)備包括非易失性存儲器，包括使用多個狀態(tài)將比特信息寫入到包括在第一塊中的第一頁和第二頁的存儲單元，使用至少兩個比特實現(xiàn)所述多個狀態(tài)；數(shù)據(jù)處理單元，在比特信息被寫入到第一頁之后，當(dāng)比特信息被寫入到第二頁時，將第一頁的比特信息寫入到非易失性存儲器中的第二塊。
文檔編號G11C16/08GK101339806SQ20081012810
公開日2009年1月7日 申請日期2008年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月4日
發(fā)明者姜仁鮮, 樸喜仙, 李基镕, 禹景久 申請人:三星電子株式會社