專利名稱：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)，特別是能夠有效執(zhí)行檢測(cè)或者阻止非法的復(fù)制版本的一種光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
因?yàn)榭梢杂靡粋€(gè)壓膜經(jīng)過(guò)注塑工藝在短時(shí)間內(nèi)生產(chǎn)許多復(fù)制襯底，所以作為光記錄介質(zhì)的光盤，特別是只重放的ROM(只讀存儲(chǔ)器)盤，在世界上作為程序包介質(zhì)被廣泛的使用。
作為記錄音樂(lè)、畫面等等的ROM盤，例如，CD(光盤)、DVD(數(shù)字通用盤)等等在市場(chǎng)上是常見(jiàn)的。
從過(guò)去開(kāi)始，在作為程序包介質(zhì)銷售的ROM盤基礎(chǔ)上，非法復(fù)制所記錄數(shù)據(jù)的復(fù)制版本(所謂的盜版)盤被生產(chǎn)出來(lái)，并且其造成侵犯版權(quán)的問(wèn)題。
關(guān)于盜版盤，通常，在從正規(guī)的版本盤復(fù)制的信號(hào)的基礎(chǔ)上通過(guò)母盤制作處理生產(chǎn)壓膜，從而生產(chǎn)復(fù)制版本盤。
換句話說(shuō)，通過(guò)將從正規(guī)的版本盤再現(xiàn)的信號(hào)拷貝到可記錄的盤上來(lái)生產(chǎn)。
為了防范盜版盤的生產(chǎn)，建議并且發(fā)展了各種方法。作為方法之一，例如，已知的是通過(guò)為每個(gè)盤添加不同的識(shí)別(identity)信息的方法。象這樣，通過(guò)利用向每個(gè)盤添加不同的識(shí)別信息的方法，配置一系統(tǒng)，其中再現(xiàn)設(shè)備端讀出所述盤的識(shí)別信息然后通過(guò)網(wǎng)絡(luò)將此信息傳送到外部的服務(wù)器設(shè)備。例如，通過(guò)使用上述的系統(tǒng)，因?yàn)楫?dāng)盜版盤被生產(chǎn)并且售出時(shí)上述服務(wù)器設(shè)備過(guò)多地檢測(cè)到同樣的識(shí)別信息，就可以檢測(cè)出存在盜版盤。更進(jìn)一步，通過(guò)指定傳送檢測(cè)到的識(shí)別信息的再現(xiàn)設(shè)備，就可能能夠確定盜版的銷售者。
然而，象這樣，即使唯一的識(shí)別信息被添加到每個(gè)盤，通過(guò)其中市場(chǎng)上出售的驅(qū)動(dòng)設(shè)備不能輕易執(zhí)行再現(xiàn)或者復(fù)制的方法來(lái)記錄對(duì)版權(quán)保護(hù)是有幫助的。
然后，上述識(shí)別信息的標(biāo)記被形成在盤的反射膜上并且反射系數(shù)的微細(xì)變化是已知的，建議使用其執(zhí)行記錄的一種方法(例如，參考專利文獻(xiàn)1)。
在本專利文獻(xiàn)1描述的盤中，主數(shù)據(jù)(內(nèi)容數(shù)據(jù)，控制信息等等)通過(guò)凹坑和凸臺(tái)組合來(lái)記錄，而且另外除了所述主數(shù)據(jù)之外的子數(shù)據(jù)(識(shí)別信息)通過(guò)形成標(biāo)記來(lái)記錄，該標(biāo)記給出在指定的凹坑和凸臺(tái)上到所述反射膜的反射度的微細(xì)變化。
用于上述反射膜的標(biāo)記的記錄通過(guò)激光照射來(lái)執(zhí)行，該激光功率高于再現(xiàn)時(shí)的激光功率。在這時(shí)候，反射度(reflectance)的變化是很微細(xì)的，以便可以不影響再現(xiàn)主數(shù)據(jù)，所述主數(shù)據(jù)是通過(guò)凹坑和凸臺(tái)來(lái)記錄的。更具體地說(shuō)，如此處理以致子數(shù)據(jù)沒(méi)有通過(guò)主數(shù)據(jù)的常用的再現(xiàn)動(dòng)作再現(xiàn)。
然后，提供另一個(gè)再現(xiàn)系統(tǒng)，而且通過(guò)采樣對(duì)所述主數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)中反射度產(chǎn)生非常微細(xì)變化的多個(gè)部分進(jìn)行采樣，而且例如，通過(guò)獲得其綜合值，執(zhí)行這個(gè)子數(shù)據(jù)本身的再現(xiàn)。
在這種情況下，在子數(shù)據(jù)的記錄設(shè)備端和再現(xiàn)設(shè)備端，通過(guò)預(yù)定的指定算法確定位置，其中在所述位置形成作為子數(shù)據(jù)的標(biāo)記。利用這一方法，普通再現(xiàn)設(shè)備可以指定所述位置，在此位置通過(guò)與記錄時(shí)使用的同樣的算法來(lái)記錄標(biāo)記，由此能夠正確地再現(xiàn)作為子數(shù)據(jù)的識(shí)別信息。
而現(xiàn)在，假定所述盜版盤是通過(guò)正版ROM盤的再現(xiàn)信號(hào)來(lái)生產(chǎn)的，但是作為另一個(gè)方法，存在一種方法，其中實(shí)際上通過(guò)復(fù)制ROM盤襯底的物理形狀的方式來(lái)制造壓膜。
具體地，首先，通過(guò)從襯底去除正規(guī)的版本盤的所述覆蓋層和反射膜，在襯底上形成的凹坑和凸臺(tái)的形狀被露出，而這一露出的凹面/凸面被物理地復(fù)制，由此復(fù)制記錄在所述盤上的內(nèi)容，而這就是所述方法。
上述專利文獻(xiàn)1中描述的盤是這樣一種盤通過(guò)形成到反射膜的標(biāo)記記錄個(gè)別盤的識(shí)別信息。據(jù)此，通過(guò)物理復(fù)制的方法——其需要從上述襯底將覆蓋層和反射膜去除——形成到所述反射膜的所述標(biāo)記(識(shí)別信息)不可以被復(fù)制，因此可知，可以防止盜版盤的生產(chǎn)。
然而，具體地，到所述反射膜的標(biāo)記的記錄可以通過(guò)相對(duì)較高功率的激光照射來(lái)執(zhí)行，由此，在記錄預(yù)定的標(biāo)記時(shí)，可能導(dǎo)致如下問(wèn)題這個(gè)記錄部分的溫度上升，由此引起盤襯底的局部熱膨脹；引起對(duì)應(yīng)于所述標(biāo)記的襯底本身變形，等等。
總之，僅僅形成到反射膜的標(biāo)記可以被物理的復(fù)制到襯底，而且通過(guò)物理復(fù)制這個(gè)襯底，可以復(fù)制主數(shù)據(jù)和子數(shù)據(jù)。
對(duì)于這一復(fù)制參考接下來(lái)的圖24來(lái)說(shuō)明。
圖24A是光盤100的截面結(jié)構(gòu)，其中如上所述做法，標(biāo)記被形成到反射膜上。
這一光盤100是至少由反射膜102和覆蓋層103在襯底101上形成的。然后，在襯底101和反射膜102之間形成的凹/凸截面形狀是通過(guò)凹坑和凸臺(tái)的組合記錄主數(shù)據(jù)的部分。
此外，如上所述，作為子數(shù)據(jù)的標(biāo)記被記錄于指定凹坑或者凸臺(tái)上的反射層，如數(shù)字X所示。在附圖中，說(shuō)明了其中標(biāo)記(X)被記錄到指定的凸臺(tái)上的反射膜102的例子。
另外，關(guān)于在這個(gè)描述中的凸臺(tái)命名，在光盤等等的光記錄介質(zhì)的所述凹/凸表面中，光學(xué)上靠近輸入光線到凹/凸表面的光源的形狀部分，即朝著光入射端的凸形部分被稱作″凸臺(tái)″。
在這種情況下，如上所述，在記錄作為子數(shù)據(jù)的標(biāo)記的時(shí)候，因?yàn)橄鄬?duì)大功率激光被照射到反射膜102，可能根據(jù)溫度升高經(jīng)過(guò)熱膨脹導(dǎo)致在形成標(biāo)記的部分(X)產(chǎn)生變形。依據(jù)這種變形，凹形的凹坑被復(fù)制到接觸襯底101的反射膜102的表面上。因此，在這種情況下，當(dāng)覆蓋層103和反射膜102被去除而且露出襯底101時(shí)，如圖24B所示，其變成其中對(duì)應(yīng)于標(biāo)記的凹形被復(fù)制到襯底101的表面，所述標(biāo)記僅僅形成到反射層102。
與另一個(gè)凸臺(tái)部分相比，象這樣復(fù)制的凹形的部分變成反射率輕微下降的部分。因此，在復(fù)制襯底中，其中所述襯底101的凹形原樣被復(fù)制而且生成，變得可以原樣再現(xiàn)作為子數(shù)據(jù)的標(biāo)記。
然后，當(dāng)以和常用制造工藝相同的處理將反射膜和覆蓋層層疊并且形成在這樣的復(fù)制襯底上時(shí)，可以制造盜版盤，其中在正版盤上記錄的主數(shù)據(jù)和子數(shù)據(jù)被完全地復(fù)制。
專利文獻(xiàn)1日本的注冊(cè)專利No.3454410。

發(fā)明內(nèi)容
另一方面，在前面，通過(guò)專利申請(qǐng)No.2005-205439(在專利申請(qǐng)2005-30272的基礎(chǔ)上根據(jù)優(yōu)先權(quán)要求的專利申請(qǐng))，申請(qǐng)人提出一種再現(xiàn)設(shè)備，再現(xiàn)方法，記錄方法，記錄方法，光盤和光盤記錄介質(zhì)的制造方法。如上所述，即使用于檢測(cè)的子數(shù)據(jù)復(fù)制保護(hù)或者物理復(fù)制發(fā)生，利用那些方法，對(duì)所謂的盜版光記錄介質(zhì)通過(guò)非法復(fù)制執(zhí)行不同于正版的、極性反轉(zhuǎn)等等的再現(xiàn)。
在這個(gè)方案的基礎(chǔ)上，通過(guò)更進(jìn)一步的開(kāi)發(fā)，經(jīng)過(guò)更清楚地說(shuō)明那些復(fù)制的子數(shù)據(jù)不同于正版的特征，本發(fā)明提出一種光記錄介質(zhì)，其可以檢測(cè)盜版并且防止盜版的再現(xiàn)或者使其質(zhì)量大大降低。
根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)具有一特征，其中至少一反射膜和一覆蓋層被層疊并且形成在襯底上；主數(shù)據(jù)通過(guò)凹坑和凸臺(tái)組合被記錄在襯底上；通過(guò)照射激光、通過(guò)熱記錄，使得在反射膜上寫入一次記錄成為可能；而且為了對(duì)反射膜的寫入一次記錄，通過(guò)由照射激光形成的標(biāo)記記錄子數(shù)據(jù)。更進(jìn)一步，包括一特征，其中對(duì)于規(guī)定長(zhǎng)度的凸臺(tái)，在形成標(biāo)記的部分，再現(xiàn)信號(hào)電平上升，而標(biāo)記是由標(biāo)記的大小和深度形成的，利用所述標(biāo)記，再現(xiàn)電平在為光盤記錄介質(zhì)形成標(biāo)記的部分下降，其中所述光盤記錄介質(zhì)通過(guò)物理地復(fù)制所述襯底的凹坑和凸臺(tái)的表面形狀而制造。此外，包括一特征，其中利用Ag100-xXx(0＜x＜100)的Ag(銀)-合金膜形成反射膜，X是至少一或多種Ti(鈦)，W(鎢)，Ta(鉭)，V(釩)，Mo(鉬)，Nb(鈮)和Zr(鋯)元素。
可以認(rèn)為，根據(jù)這個(gè)結(jié)構(gòu)的光盤記錄介質(zhì)具有特征，如之后所述，在形成標(biāo)記的部分，再現(xiàn)信號(hào)電平上升，而對(duì)于一光記錄介質(zhì)(其通過(guò)物理復(fù)制這個(gè)光記錄介質(zhì)的襯底來(lái)制造)，在形成標(biāo)記的部分，再現(xiàn)信號(hào)電平下降。
此外，在根據(jù)本發(fā)明前述結(jié)構(gòu)的所述光記錄介質(zhì)中，所述反射膜是由Ag(銀)-合金膜Ag100-xXx組成的，所述X是Ti；而且在所述Ag-合金膜中，Ti的成分x被選為5≤x≤17(原子百分比)。
另外，本發(fā)明特征在于，所述反射膜通過(guò)Ag(銀)-合金膜Ag100-xXx形成，所述X是W，在所述Ag-合金膜中，W的成分x被選為3≤x≤11(原子百分比)。
另外，本發(fā)明特征在于，所述反射膜是通過(guò)Ag(銀)-合金膜Ag100-xXx形成的，而且所述X是Ta，而且在所述Ag-合金膜中，Ta的成分x被選為1.1≤x≤10.5(原子百分比)。
另外，本發(fā)明特征在于，所述反射膜是通過(guò)Ag(銀)-合金膜Ag100-xXx形成的，所述X是至少超過(guò)一種的Ti，W，Ta，V，Mo，Nb和Zr元素，而且在所述Ag-合金膜中，x成分總和被選為1.1≤x≤17(原子百分比)。
能夠確定，通過(guò)指定上述反射膜的Ag合金的Ag100-xXx成分中元素X和合成比率，可以確實(shí)地使分別從正版和盜版光記錄介質(zhì)獲得的子數(shù)據(jù)的極性相反。
應(yīng)該注意，當(dāng)標(biāo)記被記錄到凸臺(tái)一面時(shí)，獲得如下特征，其中根據(jù)上述本發(fā)明，對(duì)于正版，再現(xiàn)信號(hào)電平上升，其中對(duì)于非法復(fù)制的仿制版本(所謂的盜版)，再現(xiàn)信號(hào)電平下降。
另外，本發(fā)明中的“通過(guò)物理復(fù)制襯底形狀制造的光記錄介質(zhì)”表示一光記錄介質(zhì)，其通過(guò)對(duì)復(fù)制襯底，根據(jù)由物理復(fù)制襯底形狀構(gòu)成的壓膜制造的反射膜來(lái)構(gòu)成，或者表示一光記錄介質(zhì)，其通過(guò)為去除反射膜的襯底再一次制造反射膜來(lái)構(gòu)成。
如上所述，通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，可以配置一光記錄介質(zhì)，其中在正規(guī)版本中形成標(biāo)記的部分，再現(xiàn)信號(hào)電平上升，而在盜版中形成標(biāo)記的部分，再現(xiàn)信號(hào)電平下降。通過(guò)這一方法，可以配置一光記錄介質(zhì)，其中通過(guò)正版和盜版再現(xiàn)的子數(shù)據(jù)的極性相反，由此能夠確認(rèn)其是否是盜版。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的例子的橫截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的制造過(guò)程的說(shuō)明性的圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例記錄到光記錄介質(zhì)中的主數(shù)據(jù)的說(shuō)明性圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明當(dāng)記錄光記錄介質(zhì)的子數(shù)據(jù)時(shí)子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)電平與記錄激光功率的圖，其中反射膜是Ag W合金膜；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明最小的激光功率的圖，通過(guò)該激光功率對(duì)光記錄介質(zhì)的W添加量，子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)電平可以被精細(xì)地檢測(cè)，其中反射膜是Ag W-合金膜；圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明主數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)電平與光記錄介質(zhì)的W添加量的反射定量(reflection ration)(R8H)的圖，其中反射膜是Ag W-合金膜；圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明當(dāng)記錄光記錄介質(zhì)的子數(shù)據(jù)時(shí)子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)電平與記錄激光功率的圖，其中反射膜是Ag Ta-合金膜；
圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例說(shuō)明最小激光功率的圖，通過(guò)該激光功率對(duì)光記錄介質(zhì)的W添加量，子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)電平可以被精細(xì)地檢測(cè)，其中反射膜是Ag Ta-合金膜；圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明主數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)電平與光記錄介質(zhì)的W添加量的反射定量(R8H)的圖，其中反射膜是Ag Ta-合金膜；圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明當(dāng)記錄光記錄介質(zhì)的子數(shù)據(jù)時(shí)子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)電平與記錄激光功率的圖，其中反射膜是Ag Ti-合金膜；圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例說(shuō)明最小激光功率的圖，通過(guò)該激光功率對(duì)于光記錄介質(zhì)的W添加量，子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)電平可以被精細(xì)地檢測(cè)，其中反射膜是Ag Ti-合金膜；圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明主數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)電平與光記錄介質(zhì)的W添加量的反射定量(R8H)的圖，其中反射膜是Ag Ti-合金膜；圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明當(dāng)記錄光記錄介質(zhì)的子數(shù)據(jù)時(shí)子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)電平與記錄激光功率的圖，其中反射膜是Ag Ti-合金膜；圖14是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明每個(gè)正版光盤和正版光記錄介質(zhì)的盜版光盤中的子數(shù)據(jù)信號(hào)極性之間的對(duì)比，其中反射膜是Ag W-合金膜；圖15是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明每個(gè)正版光盤和正版光記錄介質(zhì)的盜版光盤中的子數(shù)據(jù)信號(hào)極性之間的對(duì)比，其中反射膜是Ag Ta-合金膜；圖16是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，說(shuō)明每個(gè)正版光盤和正版光記錄介質(zhì)的盜版光盤中的子數(shù)據(jù)信號(hào)極性之間的對(duì)比，其中反射膜是Ag Ti-合金膜；圖17是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，說(shuō)明光記錄介質(zhì)的激光沒(méi)有照射到的未受熱區(qū)域和照射到激光的受熱區(qū)域的反射系數(shù)的測(cè)量結(jié)果的表格(表1)；圖18是一圖表，說(shuō)明在記錄子數(shù)據(jù)的部分和沒(méi)有記錄子數(shù)據(jù)的區(qū)域之間的差分信號(hào)的輸出中，標(biāo)記的反射系數(shù)和深度之間關(guān)系的模擬結(jié)果；圖19是使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備的一例子的結(jié)構(gòu)圖；圖20是記錄子數(shù)據(jù)的說(shuō)明性的圖；圖21是使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的子數(shù)據(jù)再現(xiàn)設(shè)備的例子的結(jié)構(gòu)圖；圖22是再現(xiàn)子數(shù)據(jù)的說(shuō)明性圖；圖23是說(shuō)明再現(xiàn)設(shè)備的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)的表格；以及圖24A是在數(shù)據(jù)記錄狀態(tài)中光記錄介質(zhì)的反射膜的一截面部分，而且圖24B是說(shuō)明襯底變形狀態(tài)的截面圖。
具體實(shí)施例方式
將利用

本發(fā)明光記錄介質(zhì)的實(shí)施例，但是根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)并不限于這些實(shí)施例。
圖1是作為本發(fā)明實(shí)施例說(shuō)明的僅僅用于再現(xiàn)的ROM類型的光盤100的例子的橫截面圖。
具體地，這個(gè)光盤100采用盤結(jié)構(gòu)和格式，例如，其是以被稱為“藍(lán)光(Blu-ray(注冊(cè)商標(biāo)))盤”的盤為基礎(chǔ)的。
如圖1所示，這個(gè)光盤100被層疊配置而且在襯底101上形成反射膜102和覆蓋層103。
襯底101是塑膠襯底，例如通過(guò)聚碳酸酯等等形成，而且在這個(gè)襯底101中接觸反射層102的表面是利用凹/凸截面形狀給出的。所述凹形截面的部分是凹坑P而且凸?fàn)罱孛娴牟糠质峭古_(tái)L。具體地，當(dāng)激光105從覆蓋層103照射時(shí)，對(duì)著這個(gè)激光105射入面的方向的凸?fàn)罱孛娌糠质峭古_(tái)L。通過(guò)組合這個(gè)凹坑P和凸臺(tái)L，具體地通過(guò)每個(gè)凹坑P和凸臺(tái)L的長(zhǎng)度，來(lái)記錄主數(shù)據(jù)的信息。
反射膜102被層疊而且形成在襯底101的凹/凸表面上，在其上形成這個(gè)凹坑P和凸臺(tái)L。然后，更進(jìn)一步通過(guò)聚碳酸酯等等制造的覆蓋層103被層疊并且形成在這個(gè)反射膜102上。
利用對(duì)應(yīng)于凹坑P和凸臺(tái)L的形狀的凹/凸截面形狀、通過(guò)層疊并且形成在襯底101上來(lái)給出反射膜102。
此外，如附圖中所示，當(dāng)通過(guò)物鏡104聚焦的激光105透過(guò)覆蓋層103進(jìn)行照射時(shí)，反射膜102獲得對(duì)應(yīng)于凹/凸面的反射光。
在根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的這個(gè)實(shí)施例中，首先，為了闡明光盤100的結(jié)構(gòu)，說(shuō)明這個(gè)光盤的制造過(guò)程。圖2是光盤100的制造過(guò)程的說(shuō)明性圖。
在這種情況下，首先，執(zhí)行用戶數(shù)據(jù)的格式化處理S11。例如，通過(guò)使用計(jì)算機(jī)等等執(zhí)行這一格式化處理S11。
在這個(gè)格式化處理S11中，對(duì)于記錄到光盤100的內(nèi)容數(shù)據(jù)(用戶數(shù)據(jù))，執(zhí)行轉(zhuǎn)換操作，以便可以獲得對(duì)應(yīng)于指定標(biāo)準(zhǔn)的格式數(shù)據(jù)序列。更具體地說(shuō)，在這個(gè)實(shí)施例的情況下，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換操作以便可以獲得如之后圖3中說(shuō)明的對(duì)應(yīng)于藍(lán)光盤標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)序列。另外，實(shí)際上，錯(cuò)誤檢測(cè)碼和錯(cuò)誤校正碼被添加到用戶數(shù)據(jù)，而且還要實(shí)現(xiàn)交織處理等等。
接下來(lái)，執(zhí)行可變長(zhǎng)度調(diào)制處理S21。在這個(gè)處理S21中，對(duì)格式化處理S11產(chǎn)生的數(shù)據(jù)序列實(shí)現(xiàn)可變長(zhǎng)度調(diào)制的處理。在所述實(shí)施例的情況下，實(shí)現(xiàn)RLL(1，7)PP調(diào)制處理和NRZI調(diào)制處理(PLL運(yùn)轉(zhuǎn)周期限制，PP奇偶保持/禁止，NRZI不歸零反轉(zhuǎn))。
從這個(gè)可變長(zhǎng)度調(diào)制處理S12中獲得的數(shù)據(jù)序列的″0″和″1″模式實(shí)際上變成所述盤100上形成的凹坑和凸臺(tái)的模式。
這樣，所獲得的數(shù)據(jù)在這里被稱作″主數(shù)據(jù)″，使得用戶數(shù)據(jù)被格式化而且實(shí)現(xiàn)可變長(zhǎng)度調(diào)制處理。
隨后，執(zhí)行母盤生產(chǎn)過(guò)程S13。通過(guò)使用普遍已知的母盤制作設(shè)備執(zhí)行母盤生產(chǎn)過(guò)程S13。
在母盤生產(chǎn)過(guò)程S13中，首先，光刻膠被用于涂敷玻璃母盤。然后，在如此驅(qū)動(dòng)來(lái)旋轉(zhuǎn)鍍有光刻膠的玻璃母盤情況下，根據(jù)從上述可變長(zhǎng)度調(diào)制過(guò)程S12產(chǎn)生的主數(shù)據(jù)調(diào)制的激光被照射到母盤上，然后執(zhí)行開(kāi)發(fā)處理，由此沿著記錄軌道形成凹/凸模式。因此，形成凹坑和凸臺(tái)。
接下來(lái)，在形成凹坑和凸臺(tái)的玻璃母盤上執(zhí)行電解電鍍，而且通過(guò)從玻璃母盤中將其分離形成金屬母盤D14。
通過(guò)使用如此獲得的金屬母盤D14執(zhí)行盤成形過(guò)程S15。
在盤成形過(guò)程S15中，首先，在上述金屬母盤D14基礎(chǔ)上制造壓膜。然后，這個(gè)壓膜被配置在金屬模具中以便鑄模，而且利用諸如聚碳酸酯、丙烯酸樹(shù)脂等等透明的樹(shù)脂通過(guò)注模成型機(jī)形成襯底101。在這個(gè)襯底101上，對(duì)應(yīng)于從上述調(diào)制過(guò)程S12產(chǎn)生的主數(shù)據(jù)的凹坑和凸臺(tái)的模式沿著記錄軌道形成。
然后，通過(guò)沉積噴涂等等方法在這個(gè)襯底101上層疊并形成反射膜102，然后更進(jìn)一步在這個(gè)反射膜102上層疊并形成覆蓋層103。利用這個(gè)方法，首先，形成記錄主數(shù)據(jù)的光盤(主數(shù)據(jù)記錄盤)D16。
隨后，執(zhí)行子數(shù)據(jù)記錄過(guò)程S17。具體地，除了通過(guò)上述凹坑和凸臺(tái)的模式記錄的主數(shù)據(jù)以外的子數(shù)據(jù)被記錄。
在這種情況下，作為子數(shù)據(jù)，作為使其變成數(shù)據(jù)內(nèi)容部分的真實(shí)數(shù)據(jù)，例如唯一的序列號(hào)信息被記錄到每個(gè)盤D16中，其中主數(shù)據(jù)被記錄在盤D16中。具體地，利用這個(gè)方法，每個(gè)唯一識(shí)別信息(識(shí)別號(hào))被添加到每個(gè)在子數(shù)據(jù)記錄過(guò)程S17時(shí)形成的光盤中。
另外，作為這個(gè)子數(shù)據(jù)，除了作為真實(shí)數(shù)據(jù)的所述識(shí)別信息，添加例如錯(cuò)誤校正碼。通過(guò)添加這個(gè)錯(cuò)誤校正碼，在再現(xiàn)時(shí)，可以執(zhí)行用于前述識(shí)別信息的錯(cuò)誤校正處理。
如之后所述，通過(guò)在由凹坑和凸臺(tái)形成的前述主數(shù)據(jù)的指定部分的指定位置上將標(biāo)記形成到反射膜102、通過(guò)照射具有記錄功率的激光，記錄子數(shù)據(jù)。
在這個(gè)情況中，所述子數(shù)據(jù)包括識(shí)別信息和錯(cuò)誤校正碼，但是也可以添加其他數(shù)據(jù)。
圖3是說(shuō)明主數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的圖，所述主數(shù)據(jù)被記錄在利用前述制造過(guò)程制造的光盤100中。
首先，定義被稱為“RUB”的一個(gè)記錄單元，如圖中說(shuō)明的。一個(gè)RUB由16扇區(qū)和兩個(gè)鏈接幀構(gòu)成。在每個(gè)RUB之間提供所述鏈接幀作為緩存區(qū)域。
在這個(gè)情況下，一個(gè)扇區(qū)配置一個(gè)地址單元。
然后，如圖中說(shuō)明的，每個(gè)扇區(qū)被配置有31幀。更進(jìn)一步，一個(gè)幀被配置有1932信道比特的數(shù)據(jù)。
在這個(gè)實(shí)施例中說(shuō)明的藍(lán)光盤中，主數(shù)據(jù)符合PLL(1，7)PP調(diào)制規(guī)則，由此限定代碼的順序數(shù)″0″或者″1″(即，凹坑長(zhǎng)度或者凸臺(tái)長(zhǎng)度)分別為從2T(信道位)到8T長(zhǎng)。
在位于每幀前部的同步位置，不符合這個(gè)調(diào)制規(guī)則的9T順序碼被插入而且它被用來(lái)在再現(xiàn)的時(shí)候檢測(cè)幀同步信號(hào)。
接下來(lái)，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的實(shí)施例，其記錄上述主數(shù)據(jù)而且其中記錄子數(shù)據(jù)。然而，顯而易見(jiàn)的是光記錄介質(zhì)不局限于這個(gè)實(shí)施例。
(實(shí)施例1)如上所述，提供在其中形成與主數(shù)據(jù)相應(yīng)的凹坑和凸臺(tái)的凹/凸模式的襯底101。
借助于Ag(銀)和W(鎢)同時(shí)噴射的方法，通過(guò)使合金膜達(dá)到這個(gè)情況的厚度，更具體的為40毫微米厚的反射膜102，Ag100-xWx(原子百分比)表示的由Ag-合金膜制成的反射膜102被形成在這個(gè)襯底101上。
然后，提供x＝3.5，x＝7和x＝10的采樣來(lái)指示在這一合成物中W(鎢)成分的不同特征。
(實(shí)施例2)在這個(gè)實(shí)施例中，借助于Ag(銀)和Ta(鉭)同時(shí)噴射的方法，通過(guò)形成40毫微米厚的反射膜102，Ag100-xTax(原子百分比)表示的Ag-合金膜被形成在和實(shí)施例1相同的襯底101上。
然后，提供x＝1.8，x＝7和x＝10的采樣來(lái)指示Ta(鉭)成分的不同特征。
(實(shí)施例3)借助于Ag(銀)和Ti(鈦)同時(shí)噴射的方法，Ag100-xTix(原子百分比)表示的由Ag-合金膜制成的反射膜被形成在和實(shí)施例1相同的襯底101上。厚度為40毫微米。另外，提供x＝7，x＝10和x＝13的采樣來(lái)指示Ti(鈦)成分的不同特征。
(實(shí)施例4)借助于Ag(銀)、Ti(鈦)和V(釩)同時(shí)噴射的方法，用Ag90Ti5V5(原子百分比)表示的、由Ag-合金膜制成的反射膜在與實(shí)施例1相同的襯底101上形成。厚度是40毫微米。
圖4是一圖表，其中在利用Ag100-xWx(原子百分比)來(lái)形成實(shí)施例1的反射膜102的正版光盤中，在x＝3.5，x＝7和x＝10時(shí)，分別用″圓形″，″正方形″和″三角形″繪成標(biāo)記形成部分的再現(xiàn)信號(hào)電平。
在圖4中，縱軸方向的振幅表示一值，其累計(jì)從標(biāo)記的記錄部分中減去標(biāo)記的非記錄部分的值。即，其示出這個(gè)值越大，標(biāo)記記錄部分的再現(xiàn)信號(hào)RF的值越大。另外，在這個(gè)發(fā)明中，可以精細(xì)檢測(cè)子數(shù)據(jù)信號(hào)的值被確定為Amp≥300。此外，橫軸的Pw(mW)示出在記錄時(shí)的激光功率。
這里，在獲得這個(gè)圖4所示的試驗(yàn)結(jié)果時(shí)建立記錄時(shí)的條件將如下。
首先，標(biāo)記記錄作為目標(biāo)而且被執(zhí)行到6T凸臺(tái)，該凸臺(tái)具有光盤100的固定長(zhǎng)度。此外，光盤100的反射膜102被制成為如上所述膜厚度40毫微米的Ag-W-合金膜。
更進(jìn)一步，當(dāng)這個(gè)光盤100被制造時(shí)，在子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50建立的每個(gè)條件如下孔徑數(shù)NA＝0.85；激光波長(zhǎng)λ＝405毫微米；記錄線速度＝4.9米/秒；以及標(biāo)記記錄脈沖＝30毫微秒。
此外，作為光盤100的結(jié)構(gòu)(主數(shù)據(jù)記錄盤D16)，它是以實(shí)施例中所示藍(lán)光盤為基礎(chǔ)的結(jié)構(gòu)，而且滾輪間距(truck pitch)Tp是320毫微米，1T長(zhǎng)度是78毫微米，凹坑寬度是Tp/3，凹坑深度是λ/5。
在對(duì)應(yīng)于W(鎢)含量3.5(原子百分比)的正版盤中，在激光功率的范圍內(nèi)，縱軸的振幅值(Amp)與零電平相比較增加一較大值，也就是說(shuō)多于約17mW(毫瓦)，而且可以理解超出28mW時(shí)Amp變成Amp≥300。因此，可以理解，W(鎢)含量3.5(原子百分比)的盤至少需要具有多于28mW的記錄功率來(lái)獲得良好的子數(shù)據(jù)信號(hào)。
同樣地，W(鎢)含量為7.0(原子百分比)時(shí)最小需要記錄功率是18mW，而W(鎢)含量為10(原子百分比)時(shí)最小需要記錄功率是12.5mW。圖5示出一圖表，其中描繪Ag W-合金膜中W含量對(duì)比精細(xì)地檢測(cè)子數(shù)據(jù)信號(hào)需要的最小需要記錄功率值。
根據(jù)圖5，可以理解，在W含量下降時(shí)必要的記錄功率值增加。因?yàn)檫@個(gè)記錄功率未必?zé)o限增加，可取的是在制造正版盤中從生產(chǎn)率/經(jīng)濟(jì)效率觀點(diǎn)來(lái)看其應(yīng)盡可能小。在這個(gè)實(shí)施例中，估計(jì)上限值是30mW。根據(jù)圖5，可以理解，w含量等于或多于3(原子百分比)，由此即使以小于30mW的激光功率記錄子數(shù)據(jù)，也可以檢測(cè)到良好的信號(hào)。
接下來(lái)，對(duì)主數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號(hào)反射度的特征如圖6中所示，其中主數(shù)據(jù)是w含量分別為3.5，7和10(原子百分比)的三種光盤的主數(shù)據(jù)。
這里，R8H意味著在藍(lán)光盤標(biāo)準(zhǔn)中定義而且是對(duì)應(yīng)于主數(shù)據(jù)的最長(zhǎng)標(biāo)記(8T標(biāo)記)的最高反射度，可以想像，對(duì)于信息層是單層(單層盤)的僅再現(xiàn)類型的藍(lán)光盤，所述值需要等于或多于35％。
根據(jù)圖6，可以理解，W含量增加，R8H下降，還可以理解，滿足R8H≥35％的W含量等于或者小于11(原子百分比)。
根據(jù)上述檢驗(yàn)，可以理解，Ag-W合金中W含量是3到11(原子百分比)的盤能夠提供良好的主數(shù)據(jù)信號(hào)和子數(shù)據(jù)信號(hào)。
像實(shí)施例1一樣，關(guān)于實(shí)施例2(Ag-Ta合金)或者實(shí)施例3(Ag-Ti合金)，研究提供良好的主數(shù)據(jù)信號(hào)和子數(shù)據(jù)信號(hào)的添加元素的含量。
關(guān)于實(shí)施例2，研究含量x＝1.8，x＝7和x＝10(原子百分比)的光盤，而關(guān)于實(shí)施例3，研究含量x＝4，x＝7和＝10(原子百分比)的光盤。這些實(shí)施例2和實(shí)施例3的每個(gè)數(shù)據(jù)如圖7到9和圖10到12中所示。
關(guān)于實(shí)施例2和實(shí)施例3，在每個(gè)光盤中根據(jù)與實(shí)施例1相同的觀點(diǎn)，可以理解，通過(guò)光盤能夠提供良好的主數(shù)據(jù)信號(hào)和子數(shù)據(jù)信號(hào)，此光盤中每個(gè)反射膜成分被構(gòu)成為對(duì)Ag Ta合金，Ta含量x是1.1到10.5(原子百分比)；對(duì)Ag Ti合金，Ti含量x是5到17(原子百分比)。
關(guān)于實(shí)施例4，如圖13中所示，可以理解，能夠提供獲得在形成標(biāo)記部分的再現(xiàn)信號(hào)電平上升的特征的光盤。如同實(shí)施例4，即使除了Ti，W，Ta，V，Mo，Nb和Zr通過(guò)增加至少兩種或更多種類的元素給Ag，作為上述的具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)的目標(biāo)，再現(xiàn)信號(hào)電平在上述的標(biāo)記形成部分上升，而對(duì)其中上述光盤100的襯底101的形狀被物理地復(fù)制和生產(chǎn)的光盤，配置其中形成標(biāo)記的光盤，通過(guò)該標(biāo)記，再現(xiàn)信號(hào)電平在標(biāo)記形成部分下降，更具體地說(shuō)，該光盤即根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)。
接下來(lái)，在實(shí)施例1、實(shí)施例2和實(shí)施例3的光盤上，關(guān)于實(shí)施例1、2，通過(guò)使用對(duì)應(yīng)于增加元素含量為10(原子百分比)的盤，而關(guān)于實(shí)施例3，通過(guò)使用對(duì)應(yīng)于增加元素含量為7(原子百分比)的盤，進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，來(lái)證實(shí)子數(shù)據(jù)信號(hào)的極性在正版盤和盜版盤之間反轉(zhuǎn)。
在這種情況下，反射膜102和覆蓋層103被從光盤100上去除，其中記錄和再現(xiàn)子數(shù)據(jù)信號(hào)已經(jīng)被證實(shí)為正版盤。關(guān)于所述去除，使用一方法，其通過(guò)濕式方法溶解反射膜102而且其同時(shí)去除覆蓋層103。
象這樣，去除反射膜102和覆蓋層103的襯底101被充分地干燥，然后在其上形成反射膜102和覆蓋層103。在這時(shí)候，預(yù)先確定在先前的去除過(guò)程中襯底101的表面沒(méi)有受到諸如質(zhì)量變化等等之類的影響。反射膜102配置有Ag合金噴鍍膜，在此對(duì)Ag增加的元素總重等于或者小于1(原子百分比)。
圖14，15和16是對(duì)比并且分別示出Ag100-xXx正版和盜版光盤中的每個(gè)的子數(shù)據(jù)信號(hào)的極性的圖。
圖14是實(shí)施例1中x＝10，具體地Ag90W10的情況，圖15是在實(shí)施例2中x＝10，具體地Ag90Ta10的情況，而圖16是實(shí)施例1中x＝7，具體地Ag93Ti17的情況。然后，在每個(gè)圖表中，連續(xù)的線和虛線曲線是分別在正版光盤(正規(guī)產(chǎn)品)和盜版光盤(盜版產(chǎn)品)中子數(shù)據(jù)再現(xiàn)信號(hào)與記錄激光功率的測(cè)量結(jié)果的描繪圖表。
在任何情況下，都會(huì)發(fā)生極性反轉(zhuǎn)。
接下來(lái)，根據(jù)實(shí)施例5和6說(shuō)明這種現(xiàn)象的出現(xiàn)。
關(guān)于這些實(shí)施例，觀察在標(biāo)記形成部分正版盤的再現(xiàn)信號(hào)電平的特征和盜版盤再現(xiàn)信號(hào)電平的特征，在正版盤情況下通過(guò)使用Ag合金執(zhí)行到作為目標(biāo)的凸臺(tái)的記錄，而盜版盤是通過(guò)物理地從這些正版盤復(fù)制，特別是物理地復(fù)制襯底的形狀獲得的盤來(lái)生產(chǎn)的。
(實(shí)施例5)提供盤襯底，其直徑120毫米，厚度1.1毫米，由聚碳酸酯構(gòu)成，其表面平滑而且鏡面狀，并通過(guò)包含6.8原子百分比的Ti的Ag合金形成薄膜，具體地在這個(gè)襯底上形成40毫微米厚的反射膜。
具有0.1mm厚的聚碳酸酯構(gòu)成的膜，通過(guò)紫外線凝固類型樹(shù)脂被附著到這個(gè)薄膜上，然后照射紫外線而且薄膜變硬，變成覆蓋層，于是盤被生產(chǎn)出來(lái)。這個(gè)盤結(jié)構(gòu)與僅再現(xiàn)類型的藍(lán)光盤的盤基本結(jié)構(gòu)相同。
接下來(lái)，激光從覆蓋層側(cè)被照射到這個(gè)盤上，由此進(jìn)行加熱，其中所述激光具有大約1微米短軸和大約200微米長(zhǎng)軸的橢圓形，而且其具有810毫微米波長(zhǎng)。
以3米/秒的盤轉(zhuǎn)速通過(guò)激光照射來(lái)執(zhí)行加熱。在這種情況下，照射的激光功率大約10mW/μm2(微平方米)。在盤上的加熱面積是一環(huán)狀區(qū)域半徑從大約35mm到45mm而且大約10mm寬。
(實(shí)施例6)提供與實(shí)施例5相同的聚碳酸酯構(gòu)成的襯底，而且在這個(gè)例子中，通過(guò)包含10.0原子百分比Ta的Ag合金形成的薄膜，特別是40毫微米厚的反射膜被形成在這個(gè)襯底上。
與實(shí)施例1一樣，具有0.1mm厚的聚碳酸酯構(gòu)成的膜，通過(guò)紫外線凝固類型樹(shù)脂被附著到這個(gè)膜上，然后照射紫外線而且膜變硬，變成覆蓋層，于是盤被生產(chǎn)出來(lái)。
接下來(lái)，激光從覆蓋層側(cè)被照射到這個(gè)盤上，由此進(jìn)行加熱，其中所述激光具有大約1微米短軸和大約200微米長(zhǎng)軸的橢圓形，而且其具有810毫微米波長(zhǎng)。
以6米/秒的盤轉(zhuǎn)速通過(guò)激光照射來(lái)執(zhí)行加熱。照射激光的功率大約是5mW/μm2(微平方米)。在盤上的加熱面積是一環(huán)狀區(qū)域半徑從大約35mm到45mm而且大約10mm寬。
在上述提到的實(shí)施例5和6的盤中，關(guān)于沒(méi)有通過(guò)上述激光照射加熱(未加熱)的區(qū)域和進(jìn)行激光照射(加熱)的區(qū)域，其中測(cè)量每個(gè)反射度的結(jié)果如圖17的表1所示。關(guān)于這個(gè)測(cè)量，通過(guò)使用分光鏡偏振光橢圓率測(cè)量?jī)x在波長(zhǎng)410，670和790毫微米處測(cè)量反射度。
根據(jù)圖17的表格1，在任何一個(gè)實(shí)施例5和6中，加熱區(qū)域的反射度，特別是子數(shù)據(jù)記錄部分，被轉(zhuǎn)換為處于任意測(cè)量波長(zhǎng)的高方向。
圖18是一圖表，示出在記錄子數(shù)據(jù)的部分和沒(méi)有記錄子數(shù)據(jù)的區(qū)域之間的差分信號(hào)的輸出中，標(biāo)記的反射系數(shù)和深度之間關(guān)系的模擬結(jié)果。
這個(gè)圖18示出差分等高線，縱軸是記錄標(biāo)記部分的深度。此外，橫軸是反射度沒(méi)有變成的值被表示為1。
就像開(kāi)始提到的，例如，標(biāo)記部分的深度是通過(guò)記錄子數(shù)據(jù)，在光記錄介質(zhì)的聚碳酸酯襯底上形成的反射膜在加熱部分局部變形的凹坑的深度。
在通過(guò)透射電子顯微鏡觀察這個(gè)凹坑時(shí)，例如，深度被測(cè)量為大約7毫微米。
然后，如圖17說(shuō)明的，根據(jù)本發(fā)明的通過(guò)Ag-合金膜構(gòu)成的光盤在記錄之后(加熱之后)增加反射系數(shù)。此時(shí)，例如，在點(diǎn)P1指示的差分信號(hào)的輸出極性是正(+)。
另一方面，在利用物理復(fù)制正規(guī)產(chǎn)品生產(chǎn)盜版產(chǎn)品盤時(shí)，反射系數(shù)恢復(fù)到原始值，而且僅僅標(biāo)記深度改變，因此在圖18的點(diǎn)P2指示的差分信號(hào)的輸出變成負(fù)(-)。象這樣，可以理解，與正規(guī)的產(chǎn)品的信號(hào)輸出極性相比，盜版產(chǎn)品盤的信號(hào)輸出極性變成相反。
在上述提到的模擬中，說(shuō)明了通過(guò)在記錄之后反射度改變的現(xiàn)象，正規(guī)產(chǎn)品和盜版產(chǎn)品之間的再現(xiàn)信號(hào)的極性變成相反，但是例如，當(dāng)還引起到其中凹坑的深度通過(guò)記錄同時(shí)變大的方向時(shí)，圖18中的點(diǎn)P2不僅從P1移到左側(cè)方向，而且移動(dòng)到向上方向。
接下來(lái)，說(shuō)明根據(jù)上述的本發(fā)明，子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備的例子，其記錄上述的子數(shù)據(jù)到光記錄介質(zhì)，例如光盤16。
(子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備)圖19是這個(gè)子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備的例子的結(jié)構(gòu)圖。
子數(shù)據(jù)是那些作為數(shù)據(jù)內(nèi)容向每個(gè)光盤100記錄唯一識(shí)別信息的數(shù)據(jù)。因此，子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備允許每個(gè)加載的光盤100(D16)通過(guò)不同方式記錄子數(shù)據(jù)。
此外，關(guān)于子數(shù)據(jù)，預(yù)先定義被記錄在光盤D16上的部分，而且此外還預(yù)先定義將每個(gè)標(biāo)記插入這個(gè)部分中的位置。子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50被配置，以便標(biāo)記可以被記錄在這樣的預(yù)定特定位置。
首先，根據(jù)指定旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方法，通過(guò)主軸電動(dòng)機(jī)51驅(qū)動(dòng)而且旋轉(zhuǎn)光盤D16，在所述狀態(tài)中，所述光盤位于旋轉(zhuǎn)架上(未示出)。象這樣，光學(xué)拾取器OP從被驅(qū)動(dòng)而且旋轉(zhuǎn)的光盤D16讀出記錄的信號(hào)。
這個(gè)光學(xué)拾取器OP包括激光二極管LD，其成為激光源；物鏡52，用于聚集并且照射激光到光盤100；以及光電檢測(cè)器PD，其以上述激光照射為基礎(chǔ)檢測(cè)來(lái)自光盤D16等等的反射光。
光學(xué)拾取器OP內(nèi)部的光電檢測(cè)器PD檢測(cè)的反射光信息通過(guò)I-V轉(zhuǎn)換電路53被轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，然后將其提供給矩陣電路54。根據(jù)來(lái)自I-V轉(zhuǎn)換電路53的反射光信息，矩陣電路54產(chǎn)生再現(xiàn)信號(hào)RF、跟蹤誤差信號(hào)TE和聚焦誤差信號(hào)FE。
根據(jù)來(lái)自矩陣電路54的跟蹤誤差信號(hào)TE和聚焦誤差信號(hào)FE，伺服電路55控制雙軸驅(qū)動(dòng)電路56輸出的跟蹤驅(qū)動(dòng)信號(hào)TD和聚焦驅(qū)動(dòng)信號(hào)FD。這些跟蹤驅(qū)動(dòng)信號(hào)TD和聚焦驅(qū)動(dòng)信號(hào)FD被提供給雙軸機(jī)構(gòu)(未示出)，其在光學(xué)拾取器OP內(nèi)部保持物鏡，而且基于這些信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)物鏡52到跟蹤方向和聚焦方向。
在這個(gè)伺服電路55中，雙軸驅(qū)動(dòng)電路56和借助于雙軸機(jī)構(gòu)的跟蹤伺服/聚焦伺服系統(tǒng)中，上述伺服電路55根據(jù)上述跟蹤誤差信號(hào)TE和聚焦誤差信號(hào)FE執(zhí)行控制，而且利用這個(gè)伺服電路，照射到光盤D16上的激光的光點(diǎn)被控制來(lái)追蹤在光盤D16上形成的凹坑序列(記錄軌道)，并且對(duì)它維持適當(dāng)?shù)木劢範(fàn)顟B(tài)。
此外，矩陣電路54產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)RF被提供給二值化電路57，并且在這里，它被轉(zhuǎn)換為具有″0″和″1″的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。這個(gè)二進(jìn)制數(shù)據(jù)被提供給同步檢測(cè)電路58和PLL(鎖相環(huán))電路59。
PLL電路59產(chǎn)生時(shí)鐘CLK，其與所提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)同步，而且這被提供作為每個(gè)部分必需的操作時(shí)鐘。特別地，這個(gè)時(shí)鐘CLK被提供給上述二值化電路57和同步檢測(cè)電路58，地址檢測(cè)電路60和子數(shù)據(jù)產(chǎn)生電路61，作為操作時(shí)鐘，其將接下來(lái)被說(shuō)明。
同步檢測(cè)電路58從提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)中檢測(cè)如先前的圖3中所示被插入到每個(gè)幀中的同步模式。具體地，通過(guò)檢測(cè)9T部分來(lái)執(zhí)行幀同步檢測(cè)，其中該9T部分是這種情況下的同步模式。
幀同步信號(hào)被提供給包括地址檢測(cè)電路60的每個(gè)必要的部分。
地址檢測(cè)電路60根據(jù)上述幀同步信號(hào)和提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)執(zhí)行地址信息的檢測(cè)。檢測(cè)的地址信息被提供給控制器(未示出)，其執(zhí)行對(duì)子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50的全面控制，并且被用于檢索操作等等。此外，這個(gè)地址信息被提供給子數(shù)據(jù)產(chǎn)生電路61中的記錄脈沖產(chǎn)生電路63。
子數(shù)據(jù)產(chǎn)生電路61包括所述記錄脈沖產(chǎn)生電路63和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)62，如圖中所示。根據(jù)輸入的子數(shù)據(jù)、從上述地址檢測(cè)電路60提供的地址信息、和從PLL電路59提供的時(shí)鐘CLK，這個(gè)子數(shù)據(jù)產(chǎn)生電路61產(chǎn)生記錄脈沖信號(hào)Wrp，用于記錄所述子數(shù)據(jù)，所述子數(shù)據(jù)通過(guò)圖20中的形式被記錄到光盤D16中，其將在以后描述。
在從上述提到的子數(shù)據(jù)產(chǎn)生電路61輸出的記錄脈沖信號(hào)Wrp的基礎(chǔ)上，激光功率控制部分64控制在光學(xué)拾取器OP內(nèi)部的所述激光二極管LD的激光功率。具體地，這個(gè)情況的激光功率控制部分64進(jìn)行控制，以便在記錄脈沖信號(hào)Wrp是低電平(L)時(shí)，可以獲得具有再現(xiàn)功率的激光功率。此外，執(zhí)行控制以便在記錄脈沖信號(hào)Wrp是高電平(H)時(shí)激光功率變成記錄功率。
通過(guò)這個(gè)激光功率控制部分64的控制，按照記錄功率執(zhí)行激光照射，由此在這個(gè)激光照射的部分，在反射膜102上形成所述標(biāo)記。通過(guò)在反射膜102上形成的標(biāo)記，子數(shù)據(jù)象這樣被記錄在光盤D16上。
圖20是有關(guān)將要通過(guò)上述子數(shù)據(jù)產(chǎn)生電路61的操作來(lái)實(shí)現(xiàn)的子數(shù)據(jù)記錄形式的說(shuō)明性圖。
在這個(gè)圖20中，分別示出多個(gè)例子的情況，其中″0″被記錄而且其中″1″被記錄作為配置所述子數(shù)據(jù)的一個(gè)比特代碼。
首先，作為所述代碼的表示方法，對(duì)于處于主數(shù)據(jù)中的具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)，相鄰的奇數(shù)(奇數(shù))和偶數(shù)(偶數(shù))被認(rèn)為是一對(duì)。然后，在固定長(zhǎng)度的每對(duì)相鄰的奇數(shù)和偶數(shù)的這些凸臺(tái)中，在標(biāo)記被記錄為奇數(shù)時(shí)，代碼被定義為″0″ ，而在標(biāo)記被記錄為雙數(shù)時(shí)，代碼被定義為″1″。
在圖20的這個(gè)例子中，作為具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)示出一例子，其中標(biāo)記被記錄到5T的凸臺(tái)上。另外，在這里說(shuō)明一例子，其中標(biāo)記被形成到具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)上，但是它還可以被形成到固定長(zhǎng)度的凹坑上。
然后，在這種情況下，分配變成地址單元的一個(gè)地址單元，作為分配給配置子數(shù)據(jù)的一個(gè)比特代碼的記錄的部分。
更具體地說(shuō)，如這個(gè)圖所示，在一個(gè)地址單元中的相鄰的奇數(shù)和偶數(shù)的具有固定長(zhǎng)度的每對(duì)凸臺(tái)中，通過(guò)代表相同代碼的形式記錄標(biāo)記。具體地，如圖中所示，當(dāng)記錄代碼″0″時(shí)，僅僅將標(biāo)記記錄到一個(gè)地址單元中具有固定長(zhǎng)度的奇數(shù)凸臺(tái)。
此外，當(dāng)記錄代碼″1″時(shí)，僅僅將標(biāo)記記錄到一個(gè)地址單元中具有固定長(zhǎng)度的偶數(shù)凸臺(tái)。
在再現(xiàn)的時(shí)候，在一個(gè)地址單元中具有固定長(zhǎng)度的每對(duì)相鄰的奇數(shù)和偶數(shù)凸臺(tái)中，采樣被應(yīng)用到再現(xiàn)信號(hào)RF，而且從奇數(shù)采樣的再現(xiàn)信號(hào)的值中減去偶數(shù)采樣的再現(xiàn)信號(hào)的值[奇數(shù)減偶數(shù)]。
在這里，如果假定有一例子，其中記錄標(biāo)記的再現(xiàn)信號(hào)電平大于沒(méi)有記錄標(biāo)記的部分的再現(xiàn)信號(hào)電平，當(dāng)是代碼″0″時(shí)，其中標(biāo)記僅僅記錄為奇數(shù)，則在每個(gè)具有固定長(zhǎng)度的相鄰?fù)古_(tái)中通過(guò)執(zhí)行[奇數(shù)減偶數(shù)]這樣的計(jì)算，理論上就獲得正值。具體地，當(dāng)在每個(gè)具有固定長(zhǎng)度的相鄰?fù)古_(tái)中計(jì)算的[奇數(shù)減偶數(shù)]的所述值被累計(jì)時(shí)，必定獲得正值而且這可以被檢測(cè)。相反地，當(dāng)是代碼″1″時(shí)，其中標(biāo)記僅僅被記錄為偶數(shù)，每個(gè)具有固定長(zhǎng)度的相鄰?fù)古_(tái)中計(jì)算的[奇數(shù)減偶數(shù)]的所述值理論上變成負(fù)值。因此，通過(guò)累計(jì)這些，必定獲得負(fù)值而且這能夠被檢測(cè)。
此外，作為光盤100，因?yàn)樵跇?biāo)記形成部分的再現(xiàn)信號(hào)電平被增加，實(shí)際上當(dāng)標(biāo)記僅僅被記錄為奇數(shù)時(shí)檢測(cè)到負(fù)值，而當(dāng)標(biāo)記僅僅被記錄為偶數(shù)時(shí)檢測(cè)到正值。
在這里，如上所述在特定部分上重復(fù)地記錄相同的記錄模式，而且在根據(jù)這些兩個(gè)或更多相同記錄模式進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)確定一個(gè)值，而且利用這個(gè)，標(biāo)記記錄給出的反射度的變化足夠小。象這樣，因?yàn)楦鶕?jù)標(biāo)記記錄的反射度的變化可以變得很小，記錄的標(biāo)記可以避免影響主數(shù)據(jù)的二值化。利用這個(gè)，記錄的標(biāo)記單元給出的反射度的變化足夠小。
關(guān)于配置子數(shù)據(jù)的其它代碼，通過(guò)與上述方法相同的方法來(lái)記錄標(biāo)記。
具體地，在這種情況下，在與配置這個(gè)的代碼相同標(biāo)號(hào)的地址單元上記錄子數(shù)據(jù)。
象這樣，記錄子數(shù)據(jù)的部分(在下文被稱為子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)部分)被預(yù)先定義在子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50和再現(xiàn)設(shè)備之間。因此，在子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50中，它被配置為可以在作為象這樣預(yù)先定義的子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)部分的兩個(gè)或更多地址單元上執(zhí)行上述標(biāo)記的記錄。
在這里，在上述提到的記錄方法中，應(yīng)該注意，當(dāng)記錄到具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)的標(biāo)記被記錄到邊緣部分時(shí)，可能主數(shù)據(jù)的二值化沒(méi)有被適當(dāng)?shù)貓?zhí)行。更具體地說(shuō)，因?yàn)楫?dāng)標(biāo)記被記錄到具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)的邊緣部份時(shí)，在標(biāo)記記錄部分反射度傾向于變高，象這樣，有可能在二值化時(shí)檢測(cè)到錯(cuò)誤的凸臺(tái)長(zhǎng)度(或者錯(cuò)誤的節(jié)距長(zhǎng)度)。
因此，假定標(biāo)記被記錄到變成記錄目標(biāo)的凸臺(tái)的中央部分。據(jù)此，因?yàn)檫吘壊糠滞ǔＤ鼙猾@得，設(shè)計(jì)以便甚至在這個(gè)點(diǎn)也不影響二值化。
為了獲得上述記錄操作，圖19中所示子數(shù)據(jù)產(chǎn)生電路61內(nèi)部的記錄脈沖發(fā)生電路63按照?qǐng)D20中顯示的定時(shí)產(chǎn)生記錄脈沖信號(hào)Wrp。具體地，對(duì)于代碼″0″，產(chǎn)生記錄脈沖Wrp，其僅在奇數(shù)的具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)的中央部分變成H(高)電平。此外，對(duì)于代碼“1”，產(chǎn)生記錄脈沖Wrp，其僅僅在偶數(shù)的具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)的中央部分變成H電平。
接下來(lái)，說(shuō)明再現(xiàn)設(shè)備的例子，其執(zhí)行光盤100的再現(xiàn)，其中子數(shù)據(jù)通過(guò)形成到反射膜102上的標(biāo)記被記錄。
(再現(xiàn)設(shè)備)圖21是示出這個(gè)再現(xiàn)設(shè)備1的結(jié)構(gòu)的框圖。
此外，在圖21中，大體上僅僅與再現(xiàn)子數(shù)據(jù)相應(yīng)的部分被提取并顯示，而主數(shù)據(jù)的再現(xiàn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)二值化之后的解調(diào)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)被省略。此外，有關(guān)反相電路15和確定電路16，所述說(shuō)明也被省略。
在這個(gè)再現(xiàn)設(shè)備1中，在位于轉(zhuǎn)盤(未顯示)上的狀態(tài)下，根據(jù)指定的旋轉(zhuǎn)-驅(qū)動(dòng)方法、通過(guò)主軸電動(dòng)機(jī)2驅(qū)動(dòng)并且旋轉(zhuǎn)光盤100。即使在這種情況下，對(duì)被驅(qū)動(dòng)并且旋轉(zhuǎn)的光盤100，圖中所示光學(xué)拾取器op讀出記錄的信號(hào)(主數(shù)據(jù))。
此外，在這個(gè)情況的光學(xué)拾取器OP(雖然附圖從略)中，包括激光二極管，其變成激光源；物鏡，用于聚集并且聚焦激光到光學(xué)拾取器100的記錄表面；雙軸機(jī)構(gòu)，其保持可以移動(dòng)到跟蹤方向和聚焦方向的物鏡；以及光電檢測(cè)器，其基于以上所述激光照射檢測(cè)來(lái)自光盤100的反射光，等等。
此外，在再現(xiàn)設(shè)備1中照射到光盤100的激光是與再現(xiàn)功率相應(yīng)的激光。
上述光學(xué)拾取器OP內(nèi)部的光電檢測(cè)器檢測(cè)的反射光信息通過(guò)I-V轉(zhuǎn)換電路3被轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，然后被提供給矩陣電路4。在來(lái)自I-V電路3的反射光信息的基礎(chǔ)上，矩陣電路4產(chǎn)生再現(xiàn)信號(hào)RF。
此外，雖然沒(méi)有顯示，作為這個(gè)矩陣電路4產(chǎn)生的信號(hào)，存在跟蹤錯(cuò)誤信號(hào)TE和聚焦錯(cuò)誤信號(hào)FE。這些被提供給伺服電路(未顯示)，并用于跟蹤伺服和聚焦伺服控制操作。
通過(guò)矩陣電路4產(chǎn)生的再現(xiàn)信號(hào)RF被提供給二值化電路5，而且被分開(kāi)并且提供給后面提到的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器11。
二值化電路5將提供的再現(xiàn)信號(hào)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)據(jù) ″0″，“1”。
然后，這些二進(jìn)制數(shù)據(jù)被提供給PLL電路8、同步檢測(cè)電路9和地址檢測(cè)電路10。
此外，二進(jìn)制數(shù)據(jù)被提供給后面提到的脈沖產(chǎn)生部分12內(nèi)部的脈沖產(chǎn)生電路12a。
PLL電路8產(chǎn)生時(shí)鐘CLK，其與提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)同步，而且這被提供作為每個(gè)部分必要的操作時(shí)鐘。特別地，時(shí)鐘CLK在這種情況下還被提供給上述脈沖產(chǎn)生電路12a(未顯示)。
從提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)，同步檢測(cè)電路9檢測(cè)被插入每個(gè)幀中(在前面的圖3中示出)的同步部分。具體地，檢測(cè)在這種情況下是同步模式的9T部分，而且執(zhí)行幀同步檢測(cè)。
幀同步信號(hào)被提供給每個(gè)必需的部分，包括地址檢測(cè)電路10。
地址檢測(cè)電路10從基于上述幀同步信號(hào)提供的二進(jìn)制數(shù)據(jù)執(zhí)行地址信息檢測(cè)。檢測(cè)的地址信息被提供給控制器而且用于檢索操作等等，所述控制器執(zhí)行上述再現(xiàn)設(shè)備1的全部控制。此外，這個(gè)地址信息被提供給檢測(cè)脈沖產(chǎn)生部分12內(nèi)部的檢測(cè)脈沖產(chǎn)生電路12a。
此外，如果描述來(lái)確認(rèn)，到目前為止說(shuō)明的光學(xué)拾取器OP、I-V轉(zhuǎn)換電路3、矩陣電路4、二值化電路5、PLL電路8、同步檢測(cè)電路9和地址檢測(cè)電路10是也在再現(xiàn)記錄到光盤100的主數(shù)據(jù)的時(shí)候使用的部分。具體地，這些的每個(gè)部分是在再現(xiàn)子數(shù)據(jù)中共享主數(shù)據(jù)的再現(xiàn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的部分。
在再現(xiàn)作為子數(shù)據(jù)的識(shí)別信息的過(guò)程中，檢測(cè)脈沖產(chǎn)生部分12產(chǎn)生檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp，其指示對(duì)應(yīng)于標(biāo)記記錄方法的檢測(cè)點(diǎn)，該方法被定義來(lái)與之前的子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50共享該檢測(cè)點(diǎn)。
檢測(cè)脈沖產(chǎn)生電路12a和RAM 12b被包括在這個(gè)檢測(cè)脈沖產(chǎn)生部分12中。根據(jù)存儲(chǔ)在RAM 12b中的信息，檢測(cè)脈沖產(chǎn)生電路12a產(chǎn)生上述檢測(cè)脈沖Dp。然后，產(chǎn)生的檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp被提供給模/數(shù)轉(zhuǎn)換器11。
再現(xiàn)信號(hào)RF從矩陣電路4被提供到模/數(shù)轉(zhuǎn)換器11。這個(gè)模/數(shù)轉(zhuǎn)換器11以上述檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp指示的定時(shí)執(zhí)行對(duì)再現(xiàn)信號(hào)RF的采樣，而且提供所述值給子數(shù)據(jù)檢測(cè)電路13。子數(shù)據(jù)檢測(cè)電路13對(duì)從模/數(shù)轉(zhuǎn)換器11提供的值執(zhí)行預(yù)定的計(jì)算，并且檢測(cè)子數(shù)據(jù)的每個(gè)值。具體地，例如，在這種情況下，根據(jù)執(zhí)行在前面提及的對(duì)應(yīng)于[奇數(shù)減偶數(shù)]的計(jì)算的結(jié)果，檢測(cè)子數(shù)據(jù)的每個(gè)值。
子數(shù)據(jù)檢測(cè)電路13檢測(cè)的子數(shù)據(jù)的值被提供給ECC(錯(cuò)誤糾正碼)電路14。
這個(gè)情況中的子數(shù)據(jù)包括識(shí)別信息和錯(cuò)誤糾正碼。在這個(gè)ECC電路14中，根據(jù)子數(shù)據(jù)內(nèi)部的上述錯(cuò)誤糾正碼，通過(guò)執(zhí)行糾錯(cuò)處理再現(xiàn)上述識(shí)別信息。
再現(xiàn)識(shí)別信息被提供給圖中所示的主機(jī)計(jì)算機(jī)6。
主機(jī)計(jì)算機(jī)6傳送命令給控制器(未顯示)，其執(zhí)行上述再現(xiàn)設(shè)備1的全部控制而且進(jìn)行不同的操作。例如，傳送一命令，通過(guò)該命令進(jìn)行記錄到光盤100的主數(shù)據(jù)的再現(xiàn)。據(jù)此，通過(guò)二值化電路5將從光盤100再現(xiàn)的主數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制，而此后，在解調(diào)系統(tǒng)中(未顯示)，通過(guò)解調(diào)來(lái)解調(diào)它們((PLL1-7pp解調(diào))，應(yīng)用糾錯(cuò)處理等等，而且將其提供給這個(gè)主機(jī)計(jì)算機(jī)6。
此外，用于通過(guò)必要的網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)通信的網(wǎng)絡(luò)接口7被提供給這個(gè)主機(jī)計(jì)算機(jī)6。利用這個(gè)，關(guān)于主機(jī)計(jì)算機(jī)6，通過(guò)諸如因特網(wǎng)的網(wǎng)絡(luò)，它和外部設(shè)備，特別是圖中所示的管理服務(wù)器70之間的數(shù)據(jù)通信是可能的。
對(duì)于在根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的再現(xiàn)設(shè)備中執(zhí)行的子數(shù)據(jù)的值的檢測(cè)操作，將參考圖22說(shuō)明。
在圖22中，分別示出了在分配″0″和分配″1″到光盤的一個(gè)地址單元、作為光盤100的子數(shù)據(jù)的一個(gè)比特值的情況中的標(biāo)記的記錄狀態(tài)。此外，在這個(gè)圖中為了說(shuō)明，示出其中利用相同的模式形成作為主數(shù)據(jù)的凹坑和凸臺(tái)的情況。
首先，如之前說(shuō)明的，子數(shù)據(jù)被記錄以便一個(gè)比特的每個(gè)信息被分配給光盤100上預(yù)定子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)部分中的每個(gè)地址單元。
此外，作為代碼表示方法，在這種情況下，當(dāng)標(biāo)記被記錄為奇數(shù)的具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)時(shí)，″0″被定義，而當(dāng)標(biāo)記被記錄為偶數(shù)時(shí)，“1”被定義。具體地，當(dāng)代碼是″0″時(shí)，在地址單元內(nèi)部的具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)中，標(biāo)記僅僅被記錄為奇數(shù)。更進(jìn)一步，當(dāng)代碼是“1”時(shí)，在地址單元內(nèi)部的具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)中，標(biāo)記僅僅被記錄為偶數(shù)。
在這里，記錄標(biāo)記的部分變成例如反射度輕微增加的部分。由此，關(guān)于再現(xiàn)信號(hào)RF的波形，如圖中指示，在記錄標(biāo)記的部分，電平上升。
在再現(xiàn)所述子數(shù)據(jù)中，根據(jù)在這樣的標(biāo)記記錄部分的輕微的反射度增大執(zhí)行操作，確定每個(gè)值。
此外，如之前說(shuō)明的，在記錄子數(shù)據(jù)的時(shí)候，每個(gè)標(biāo)記被記錄到具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)的中央部分。如參考在這個(gè)圖中指示的再現(xiàn)信號(hào)RF的波形所了解的，通過(guò)象這樣將標(biāo)記記錄到凸臺(tái)中央部分，電平僅僅在記錄標(biāo)記的凸臺(tái)的中央部分增加，而且在邊緣部分的波形是常見(jiàn)的并被獲得。利用這個(gè)，通過(guò)如前面提及的做法可以避免影響到主數(shù)據(jù)的二值化。
在這里，根據(jù)上述說(shuō)明，當(dāng)代碼是″0″時(shí)，僅僅在奇數(shù)的具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)，再現(xiàn)信號(hào)RF的值輕微地上升。另外，當(dāng)代碼是″1″時(shí)，僅僅在偶數(shù)的具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)，再現(xiàn)信號(hào)RF的值輕微地上升。
因此，在這種情況下，當(dāng)分配給每個(gè)地址單元的子數(shù)據(jù)的每個(gè)值被確定時(shí)，關(guān)于地址單元中具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)，足以檢測(cè)奇數(shù)或者偶數(shù)的哪一個(gè)增大再現(xiàn)信號(hào)的值。
例如，在標(biāo)記記錄部分的再現(xiàn)信號(hào)RF的值的增大可以通過(guò)獲得與在未記錄部分的再現(xiàn)信號(hào)RF的值的差來(lái)檢測(cè)。
在這種情況下，當(dāng)代碼是″0″時(shí)，標(biāo)記僅僅被記錄為奇數(shù)，而當(dāng)代碼是″1″時(shí)，標(biāo)記僅僅被記錄為偶數(shù)，如上所述，換言之，當(dāng)代碼是″0″時(shí)，偶數(shù)總是未記錄部分，而當(dāng)代碼是″1″時(shí)，奇數(shù)總是未記錄部分。
依據(jù)這個(gè)事實(shí)，關(guān)于相鄰的奇數(shù)(奇數(shù)的)和偶數(shù)(偶數(shù)的)，通過(guò)執(zhí)行按照[奇數(shù)減偶數(shù)]的計(jì)算可以檢查奇數(shù)或偶數(shù)中的哪一個(gè)增大(記錄標(biāo)記的)再現(xiàn)信號(hào)RF的值。
具體地，如果這個(gè)[奇數(shù)減偶數(shù)]等于正值，處于奇數(shù)的再現(xiàn)RF增大，由此了解標(biāo)記被記錄為奇數(shù)。相反地，如果[奇數(shù)減偶數(shù)]等于負(fù)值，處于偶數(shù)的再現(xiàn)RF增大，由此了解標(biāo)記被記錄為偶數(shù)。
然而，實(shí)際上，噪聲分量被疊加到再現(xiàn)信號(hào)RF。在標(biāo)記記錄部分的再現(xiàn)信號(hào)RF的值的減少很小，因此可能被掩蓋到上述噪聲分量中。因此，如果僅僅對(duì)一對(duì)相鄰的偶數(shù)的固定長(zhǎng)度凸臺(tái)執(zhí)行按照[奇數(shù)減偶數(shù)]的檢測(cè)，肯定變得難于確定所述值。
因?yàn)檫@個(gè)，作為子數(shù)據(jù)的再現(xiàn)操作，其中計(jì)算如上所述相鄰的每一對(duì)奇數(shù)和偶數(shù)的[奇數(shù)減偶數(shù)]的值被合并，然后根據(jù)這個(gè)總和值確定被分配給地址單元的一個(gè)比特的值。通過(guò)這樣做，可以更確定地檢測(cè)子數(shù)據(jù)的值。
而現(xiàn)在，由于如以上所述計(jì)算[奇數(shù)減偶數(shù)]，需要執(zhí)行對(duì)奇數(shù)和偶數(shù)的采樣，具體地，在奇數(shù)和偶數(shù)的具有固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)兩者的中央部分獲得的再現(xiàn)信號(hào)RF的值。作為對(duì)計(jì)算這個(gè)[奇數(shù)減偶數(shù)]進(jìn)行定期采樣的信號(hào)，圖12中所示的檢測(cè)脈沖產(chǎn)生部分12產(chǎn)生該圖中所示的檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp。
在這里，作為用于如以上所述計(jì)算[奇數(shù)減雙數(shù)]的檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp，如參考圖22了解的，其足以產(chǎn)生僅僅在固定長(zhǎng)度的凸臺(tái)的中央部分變成H(高)電平的信號(hào)，這些凸臺(tái)是從主數(shù)據(jù)中獲得的。
然后，關(guān)于這種檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp的產(chǎn)生，以及在先前的子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50的情況下的記錄脈沖信號(hào)Wrp的產(chǎn)生，根據(jù)記錄到光盤100的子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)部分中的主數(shù)據(jù)內(nèi)容，足以產(chǎn)生相應(yīng)的定時(shí)。
然而，再現(xiàn)設(shè)備1是未使用在光盤制造方面諸如子數(shù)據(jù)記錄設(shè)備50情況的設(shè)備，因此記錄到光盤100里的內(nèi)容未必被預(yù)先存儲(chǔ)在所述設(shè)備內(nèi)。然后，再現(xiàn)設(shè)備1從裝載的光盤100中讀出子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)部分中的主數(shù)據(jù)，而且其被存儲(chǔ)在所述設(shè)備內(nèi)，然后用來(lái)產(chǎn)生上述檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp。
作為用于在子數(shù)據(jù)記錄目標(biāo)部分中存儲(chǔ)象這樣被讀出的主數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，圖2 1中所示的檢測(cè)脈沖產(chǎn)生部分12內(nèi)部的RAM存儲(chǔ)器12b被安裝在再現(xiàn)設(shè)備1中。如圖23中所示，數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)變成存儲(chǔ)讀出的主數(shù)據(jù)到每個(gè)地址的對(duì)應(yīng)關(guān)系的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
在檢測(cè)脈沖產(chǎn)生部分12內(nèi)部的檢測(cè)脈沖產(chǎn)生電路12a中，根據(jù)象這樣被存儲(chǔ)到RAM 12b中的記錄目標(biāo)部分中的主數(shù)據(jù)的內(nèi)容，以及先前的記錄脈沖信號(hào)Wrp的產(chǎn)生情況，產(chǎn)生數(shù)據(jù)序列，其僅在相應(yīng)的定時(shí)變成″1”，并在除此之外的所有定時(shí)變成“0”。然后，以基于這樣產(chǎn)生的數(shù)據(jù)序列的檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp被產(chǎn)生，然后其被提供給模/數(shù)轉(zhuǎn)換器11。模/數(shù)轉(zhuǎn)換器11以該檢測(cè)脈沖信號(hào)Dp指示的定時(shí)執(zhí)行對(duì)再現(xiàn)信號(hào)RF的值的采樣，由此能夠以圖22中所示的適當(dāng)定時(shí)執(zhí)行再現(xiàn)信號(hào)RF的值的采樣。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)是可以肯定獲得光記錄介質(zhì)的光記錄介質(zhì)，通過(guò)選擇反射膜的成分，其可以利用與未記錄的相比較更高的再現(xiàn)電平來(lái)再現(xiàn)反射膜的子數(shù)據(jù)的記錄部分。
因此，通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，如在圖24中開(kāi)頭部分說(shuō)明的，覆蓋層和反射膜被從這個(gè)光記錄介質(zhì)分離，而且在形成子數(shù)據(jù)標(biāo)記的情況下，通過(guò)熱變化從具有凹坑的襯底101復(fù)制包括通過(guò)子數(shù)據(jù)標(biāo)記形成的凹坑的凹/凸襯底表面，然后盜版盤被制造，而且在這個(gè)情況下，實(shí)質(zhì)上讀出子數(shù)據(jù)是不可能的。
具體地，如圖24B中所示，對(duì)由凹坑形成的記錄標(biāo)記，與未記錄部分相比，再現(xiàn)電平下降，因此像根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)一樣，不能獲得具有正規(guī)的子數(shù)據(jù)的盜版盤，其依據(jù)子數(shù)據(jù)再現(xiàn)電平上升。換句話說(shuō)，可以立即識(shí)別它是盜版。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，在盜版中經(jīng)過(guò)非法復(fù)制可能產(chǎn)生再現(xiàn)信號(hào)極性反轉(zhuǎn)，由此能夠識(shí)別盜版的光記錄介質(zhì)，而且因此能夠有效阻止使不可能的再現(xiàn)變得可能的處理及盜版。
應(yīng)當(dāng)注意，上文主要描述了光盤，但襯底形狀等等沒(méi)有意圖限制在其中。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其它因素，可以出現(xiàn)不同的修改、組合、子組合和變更，但它們都落在附加的權(quán)利要求書或者其同等物范圍之內(nèi)。
對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本發(fā)明包括與2005年10月31日在日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)JP2005-316977和2006年1月31日在日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)JP2006-023097相關(guān)的主題，其整個(gè)內(nèi)容通過(guò)引用被包括在這里。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，其中在襯底上層疊并且形成至少一反射膜和一覆蓋層；由凹坑和凸臺(tái)的組合形成的主數(shù)據(jù)被記錄在所述襯底上；通過(guò)照射激光、通過(guò)熱記錄，使得在所述反射膜上進(jìn)行一次寫入記錄成為可能；對(duì)于所述反射膜，通過(guò)照射激光形成的標(biāo)記記錄子數(shù)據(jù)，用于一次寫入記錄；對(duì)于指定長(zhǎng)度的所述凸臺(tái)，在形成所述標(biāo)記的部分的再現(xiàn)信號(hào)電平上升；為通過(guò)物理復(fù)制所述襯底的所述凹坑和凸臺(tái)的表面形狀而制造的光盤記錄介質(zhì)形成所述標(biāo)記，其中通過(guò)所述標(biāo)記，再現(xiàn)信號(hào)電平在形成所述標(biāo)記的部分下降；所述反射膜由Ag-合金膜Ag100-xXx(0＜x＜100)制成；以及X是以下的至少一種或者多種中的一元素Ti(鈦)，W(鎢)，Ta(鉭)，V(釩)，Mo(鉬)，Nb(鈮)和Zr(鋯)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中所述反射膜是由Ag(銀)-合金膜Ag100-xXx組成；所述X是Ti；以及在所述Ag-合金膜中，Ti的成分x被選為5≤x≤17(原子百分比)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中所述反射膜是由Ag(銀)-合金膜Ag100-xXx組成；所述X是W；以及在所述Ag-合金膜中，W的成分x被選為3≤x≤11(原子百分比)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中所述反射膜是由Ag(銀)-合金膜Ag100-xXx組成；所述X是Ta；以及在所述Ag-合金膜中，Ta的成分x被選為1.1≤x≤10.5(原子百分比)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄介質(zhì)，其中所述反射膜由Ag(銀)-合金膜Ag100-xXx組成；所述X是至少超過(guò)一種類型的Ti，W，Ta，V，Mo，Nb和Zr的一元素；以及在所述Ag-合金膜中，x成分總和被選為1.1＜x≤17(原子百分比)。
全文摘要
一種光記錄介質(zhì)，包括襯底上的至少反射膜和覆蓋層；組合凹坑和凸臺(tái)的主數(shù)據(jù)被記錄在襯底上；在所述反射膜上經(jīng)過(guò)照射激光使一次寫入記錄成為可能；對(duì)于反射膜，通過(guò)由照射激光形成的標(biāo)記記錄子數(shù)據(jù)，用于一次寫入記錄；對(duì)于規(guī)定長(zhǎng)度的凸臺(tái)，再現(xiàn)信號(hào)電平在形成所述標(biāo)記的部分上升；為通過(guò)物理復(fù)制制造的光盤記錄介質(zhì)形成標(biāo)記，其中利用所述標(biāo)記，再現(xiàn)電平在形成標(biāo)記的部分下降；反射膜由Ag－合金膜Ag
文檔編號(hào)G11B7/00GK1971731SQ200610171919
公開(kāi)日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2006年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月31日
發(fā)明者坂本哲洋, 下馬隆司, 高川繁樹(shù), 中野淳, 藤田五郎 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社