專利名稱：用于存儲(chǔ)裝置的輸入電路及使用它的存儲(chǔ)裝置和存儲(chǔ)系統(tǒng)的制作方法
外國(guó)優(yōu)先權(quán)信息根據(jù)35U.S.C.119，本發(fā)明要求2005年9月9日提交的韓國(guó)申請(qǐng)No.P2005-84016的優(yōu)先權(quán)；其全部?jī)?nèi)容合并在此作為參考。
背景技術(shù)：
圖1示出了一種現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)。如所示，存儲(chǔ)控制器110將一對(duì)差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN輸出到存儲(chǔ)模塊120；例如，在寫入操作中。存儲(chǔ)模塊120包括多個(gè)存儲(chǔ)裝置122。每一個(gè)存儲(chǔ)裝置122能通過(guò)主板上的多條數(shù)據(jù)信號(hào)線中的一條來(lái)接收一對(duì)差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN。更具體地，每一個(gè)存儲(chǔ)裝置122包括輸入電路124，其用于接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN，并輸出由差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN所代表的數(shù)據(jù)信號(hào)。存儲(chǔ)裝置122的存儲(chǔ)部分126能存儲(chǔ)由該數(shù)據(jù)信號(hào)所代表的數(shù)據(jù)。
盡管未示出，但也能意識(shí)到存儲(chǔ)裝置122也可以輸出差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)到存儲(chǔ)控制器110；例如，在一讀取操作中(如從存儲(chǔ)裝置122的存儲(chǔ)部分126中讀取數(shù)據(jù))。并且盡管未示出，存儲(chǔ)控制器110還包括接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的輸入電路，并從其中產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。
僅是出于為了解釋的目的，將描述存儲(chǔ)裝置122的輸入電路124的操作；然而可以理解，在存儲(chǔ)控制器110中也會(huì)發(fā)生同樣操作。
圖2更詳細(xì)的示出了傳統(tǒng)存儲(chǔ)系統(tǒng)的部分。如所示，在存儲(chǔ)控制器110，一個(gè)公知的差分驅(qū)動(dòng)器112基于輸入數(shù)據(jù)D和DN產(chǎn)生差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ和DQN，此處的DN是代表電壓D所代表的邏輯的反相邏輯的電壓。
第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ通過(guò)第一路徑PATH1傳輸?shù)酱鎯?chǔ)裝置122的輸入電路124，第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN通過(guò)第二路徑PATH2傳輸?shù)捷斎腚娐?24。輸入電路124是差分放大器DA，其將差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)差分放大，以產(chǎn)生一個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)DATA。
圖3A示出了理想狀態(tài)下產(chǎn)生的數(shù)據(jù)在邏輯高和邏輯低之間變化的數(shù)據(jù)差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的波形圖，圖3B示出了根據(jù)理想差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)的波形。如圖3A所示，第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN是第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ在理想狀態(tài)下的反相，使得第一和第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN在相同的低和高電壓之間轉(zhuǎn)換。這樣，第一和第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN組成眼孔圖樣，其中(1)每個(gè)代表邏輯低數(shù)據(jù)信號(hào)的眼孔的高度H1與每個(gè)代表邏輯高數(shù)據(jù)信號(hào)的眼孔的高度H2相等，且(2)每個(gè)代表邏輯低數(shù)據(jù)信號(hào)眼孔的時(shí)間間隔或?qū)挾萕1與每個(gè)代表邏輯高數(shù)據(jù)信號(hào)的眼孔的寬度W2相等。如在圖3A中進(jìn)一步所示，第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ的DC電壓VDC1與第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN的DC電壓VDC2相等，這樣就使在DC電壓VDC1和VDC2之間不存在偏移。
由于第一和第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的這種理想特性，得到的數(shù)據(jù)信號(hào)就如圖3B所示具有理想的50％的占空比。即數(shù)據(jù)信號(hào)的邏輯高期間和邏輯低期間具有相同的時(shí)間長(zhǎng)度?？梢岳斫?，在通常的操作中，差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)可以在兩個(gè)或連續(xù)的期間內(nèi)代表邏輯高，并且也可以在兩個(gè)或更多連續(xù)期間內(nèi)代表邏輯低；但單一的邏輯高期間和單一的邏輯低期間的長(zhǎng)度限定占空比。
可惜的是，在實(shí)際中第一和第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN的電壓擺動(dòng)并不一定相同。由于不理想的制造公差，芯片的不匹配和/或溝道道的不匹配會(huì)導(dǎo)致在輸入電路124接收到的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN與理想狀態(tài)下不同。
圖3C示出了差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN如何與圖3A中所示的理想狀態(tài)不同的一個(gè)示例。如所示，差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN的電壓擺動(dòng)不同，這樣就使(1)每個(gè)代表邏輯低數(shù)據(jù)信號(hào)的眼孔的高度H1小于每個(gè)代表邏輯高數(shù)據(jù)信號(hào)的眼孔的高度H2，且(2)每個(gè)代表邏輯低數(shù)據(jù)信號(hào)的眼孔的時(shí)間間隔或?qū)挾萕1小于每個(gè)代表邏輯高數(shù)據(jù)信號(hào)的眼孔寬度W2。其結(jié)果，如圖3D中所示，數(shù)據(jù)信號(hào)會(huì)被錯(cuò)誤地產(chǎn)生(例如，邏輯低狀態(tài)會(huì)沒(méi)有被檢測(cè)到或及時(shí)地檢測(cè)到)，并且數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比會(huì)大于50％。在這種情況下，由于缺少邏輯低數(shù)據(jù)的建立和保持時(shí)間，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA的邏輯低數(shù)據(jù)可能沒(méi)有被寫入存儲(chǔ)裝置122的存儲(chǔ)單元陣列。這些情況表明，第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的DC電壓VDC1大于第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的DC電壓VDC2。這樣一個(gè)DC偏移電壓就存在于第一和第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)之間。
圖3E和3F示出了非理想差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)及得到的數(shù)據(jù)信號(hào)的另一個(gè)示例。如同在圖3C和3D的示例中，因?yàn)閂DC1大于VDC2，正的DC偏移電壓存在；但也能意識(shí)到還會(huì)存在許多出現(xiàn)負(fù)的DC偏移電壓(即VDC1小于VDC2)的示例情形。當(dāng)負(fù)的DC偏移電壓出現(xiàn)時(shí)，得到的數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比會(huì)小于50％。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種輸入電路和使用該輸入電路的一種存儲(chǔ)系統(tǒng)；例如，在該存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)裝置使用該輸入電路。
在一個(gè)實(shí)施例中，該輸入電路包括基于差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)來(lái)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)的接收器電路。檢測(cè)該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓的檢測(cè)電路，及調(diào)整電路，其基于檢測(cè)到的偏移電壓調(diào)整接收器的操作，以減小檢測(cè)到的偏移電壓的幅度(magnitude)。
在一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)整電路調(diào)整接收器的操作，以使數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比向50％的占空比靠近。
在另一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)電路僅在輸入電路的測(cè)試模式中檢測(cè)偏移電壓。
在一個(gè)示例實(shí)施例中，檢測(cè)電路基于產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)檢測(cè)偏移電壓。在另一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)電路基于調(diào)整電路的輸出來(lái)檢測(cè)偏移電壓。在這些實(shí)施例中，檢測(cè)電路可以產(chǎn)生代表檢測(cè)到的偏移電壓的第一和第二電壓，調(diào)整電路可以基于該第一和第二電壓來(lái)調(diào)整接收器的操作。
在一個(gè)實(shí)施例中，接收器電路包括具有驅(qū)動(dòng)側(cè)和被驅(qū)動(dòng)側(cè)的電流反射鏡。該驅(qū)動(dòng)側(cè)有接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)的輸入，而該被驅(qū)動(dòng)側(cè)有一個(gè)接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)的輸入。調(diào)整電路可以基于檢測(cè)到的偏移電壓，選擇性地從該驅(qū)動(dòng)側(cè)和該被驅(qū)動(dòng)側(cè)吸收更多的電流。
在該輸入電路的進(jìn)一步的實(shí)施例中，接收器電路基于差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)而產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)，檢測(cè)電路檢測(cè)該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓，調(diào)整電路基于檢測(cè)到的偏移電壓來(lái)調(diào)整接收器的操作，以使數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比向50％靠近。
仍然在另一進(jìn)一步的實(shí)施例中，輸入電路包括調(diào)整電路，其接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)，并調(diào)整該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)，以產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)，使得在該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中減小該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓的幅度。接收器電路基于該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。
在一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)整電路調(diào)整該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)以產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)，以使數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比向50％的占空比靠近。
在另一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)整電路檢測(cè)該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓，并僅在輸入電路的一個(gè)測(cè)試模式中檢測(cè)該偏移電壓。
在一個(gè)示例實(shí)施例中，檢測(cè)電路基于產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)檢測(cè)偏移電壓。在另一個(gè)實(shí)施例中，檢測(cè)電路基于調(diào)整電路的輸出來(lái)檢測(cè)偏移電壓。在這些實(shí)施例中，檢測(cè)電路可以產(chǎn)生代表檢測(cè)到的偏移電壓的第一和第二電壓，調(diào)整電路可以基于該第一和第二電壓來(lái)產(chǎn)生調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)。
在一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)整電路包括第一低通濾波器，其對(duì)該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)進(jìn)行濾波，和第二低通濾波器，其對(duì)該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)進(jìn)行濾波。第一發(fā)生器基于濾波后的第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)和第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的比較結(jié)果來(lái)產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)。第二發(fā)生器基于濾波后的第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)和第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的比較結(jié)果來(lái)產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)。
另一個(gè)實(shí)施例提供了一種輸入電路，其具有檢測(cè)器，以檢測(cè)差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓；和數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)生器，以基于該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)和檢測(cè)到的偏移電壓來(lái)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)，以使檢則到的偏移電壓的幅度被減小。
還有其它實(shí)施例提供了存儲(chǔ)系統(tǒng)，其包括按照本發(fā)明的實(shí)施例的輸入電路、包括按照本發(fā)明的實(shí)施例的輸入電路的存儲(chǔ)裝置，以及該輸入電路，存儲(chǔ)系統(tǒng)，存儲(chǔ)裝置等的操作方法。


通過(guò)下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明將會(huì)被更充分的理解，附圖以示意性方式給出，其中在各個(gè)附圖中，類似的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部分，其中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)；圖2更詳細(xì)的示出了現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)的部分；圖3A示出了理想狀態(tài)下產(chǎn)生的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的波形圖；圖3B示出了根據(jù)圖3A所示的理想差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)的波形；圖3C示出了差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)如何與理想狀態(tài)下不同的一個(gè)示例情況；圖3D示出了根據(jù)圖3C所示的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)的波形；圖3E示出了差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)如何與理想狀態(tài)下不同的另一個(gè)示例情況；圖3F示出了根據(jù)圖3E所示的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)的波形；圖4示出了按照本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)；圖5示出了圖4中所示的檢測(cè)電路460的一個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)電路圖；圖6A和6B示出了第一和第二檢測(cè)電壓Voff1和Voff2之間的關(guān)系；圖6C示出了圖5中的第一和第二存儲(chǔ)電路的示例實(shí)施例；圖7示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖4中的接收電路和調(diào)整電路的詳細(xì)電路圖；圖8示出了按照本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的圖4的接收電路；圖9示出了按照本發(fā)明的圖4的接收電路的另一個(gè)實(shí)施例和調(diào)整電路的另一個(gè)實(shí)施例；
圖10示出了按照本發(fā)明的圖4的接收電路和調(diào)整電路的另一個(gè)實(shí)施例；圖11示出了按照本發(fā)明的輸入電路的第二實(shí)施例；圖12示出了圖11的輸入電路中的檢測(cè)電路的實(shí)施例；圖13A和13B都示出了圖12的檢測(cè)電路中的低通濾波器的實(shí)施例；圖14示出了按照本發(fā)明的進(jìn)一步的實(shí)施例的輸入電路；圖15示出了圖14中的偏移調(diào)整電路的實(shí)施例；圖16示出了按照本發(fā)明的另一進(jìn)一步的實(shí)施例的輸入電路；圖17示出了按照本發(fā)明的補(bǔ)充實(shí)施例的輸入電路；圖18示出了圖17中的調(diào)整電路的實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
圖4示出了按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)。如所示，存儲(chǔ)控制器410將多對(duì)差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN輸出到存儲(chǔ)模塊420；例如，在寫入操作中。存儲(chǔ)模塊420包括多個(gè)存儲(chǔ)裝置422。每個(gè)存儲(chǔ)裝置422可以分別從存儲(chǔ)控制器410接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ和DQN。更具體地，每個(gè)存儲(chǔ)裝置422都包括輸入電路430，用于接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN，并產(chǎn)生由差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN所代表的數(shù)據(jù)信號(hào)DATA。存儲(chǔ)裝置422中的存儲(chǔ)部分432存儲(chǔ)該數(shù)據(jù)信號(hào)。
盡管沒(méi)有示出，但可以意識(shí)到存儲(chǔ)裝置422還可以輸出差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)到存儲(chǔ)控制器410；例如，在讀取操作中(如在從存儲(chǔ)部分432讀取數(shù)據(jù)過(guò)程中)。盡管沒(méi)有示出，但存儲(chǔ)控制器410還包括輸入電路，用于接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)，并根據(jù)其產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。
僅是出于解釋的目的，將相對(duì)于寫入操作來(lái)描述存儲(chǔ)系統(tǒng)中的輸入電路430的操作；但可以理解，當(dāng)進(jìn)行讀取操作時(shí)，同樣的操作在存儲(chǔ)控制器410也會(huì)發(fā)生。
圖4更詳細(xì)地示出了存儲(chǔ)控制器410和輸入電路430的部分。如所示，在存儲(chǔ)控制器410中，多路復(fù)用器412接收正常數(shù)據(jù)信號(hào)和測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)。該測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)可以代表一串變化的邏輯1和0(如“0101”)。多路復(fù)用器412接收指示存儲(chǔ)系統(tǒng)操作模式的模式信號(hào)M/S，并基于模式信號(hào)M/S輸出測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)和正常數(shù)據(jù)信號(hào)之一。例如，當(dāng)模式信號(hào)指示測(cè)試模式時(shí)(如M/S信號(hào)是邏輯高)，多路復(fù)用器412就輸出該測(cè)試數(shù)據(jù)信號(hào)；當(dāng)模式信號(hào)M/S指示正常模式時(shí)(如M/S信號(hào)是邏輯低)，多路復(fù)用器412就輸出該正常數(shù)據(jù)信號(hào)。公知的差分驅(qū)動(dòng)器414基于數(shù)據(jù)信號(hào)產(chǎn)生差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ和DQN。
在存儲(chǔ)裝置422的輸入電路430中，接收電路440接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN，并產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)DATA。接收電路440的操作將在下面對(duì)照于圖7被更詳細(xì)的描述。檢測(cè)電路460接收產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)和參考電壓Vref；響應(yīng)于由模式信號(hào)M/S指示的操作模式，檢測(cè)電路460選擇性地檢測(cè)差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ和DQN之間的DC偏移電壓。檢測(cè)電路460進(jìn)一步產(chǎn)生代表檢測(cè)到的DC偏移電壓的第一電壓Voff+和第二電壓Voff-。檢測(cè)電路460的操作將在下面對(duì)照于圖5被更詳細(xì)地描述。
調(diào)整電路470接收第一和第二電壓Voff+和Voff-，并調(diào)整接收電路440的操作，以減少在差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ和DQN之間的DC偏移電壓的量。調(diào)整電路470的操作將在下面對(duì)照于圖7被更詳細(xì)的描述。
按照上面間接提到的，圖5示出了在圖4中所示的檢測(cè)電路460的一個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)電路圖。如所示，檢則電路460包括檢測(cè)部分461和存儲(chǔ)部分466。檢測(cè)部分461包括第一差分放大器462，其響應(yīng)于模式信號(hào)M/S而選擇性地將從接收電路440輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)與參考電壓Vref相比較。參考電壓Vref可以等于差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ和DQN的理想DC電壓。例如，如圖3A所示的參考電壓Vref可以等于第一DC電壓VDC1(所以也等于第二DC電壓VDC2)。因此，在操作中，差分放大器462產(chǎn)生輸出OUT，其表示在差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ和DQN之間的DC偏移電壓，其在由接收電路440產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)中很明顯。當(dāng)模式信號(hào)M/S指示測(cè)試模式時(shí)，差分放大器462工作，當(dāng)模式信號(hào)M/S指示正常模式時(shí)，其不工作。
電荷泵(charge pump)電路463接收從差分放大器462輸出的OUT，并產(chǎn)生第一檢測(cè)電壓Voff1。電荷泵電路463包括串聯(lián)連接在電源電壓VDD和地VSS之間的第一恒流源CS1，PMOS晶體管MP，NMOS晶體管MN和第二恒流源CS2。PMOS和NMOS晶體管MP和MN的柵極接收第一差分放大器462的輸出OUT，PMOS和NMOS晶體管MP和MN之間的連接點(diǎn)作為電荷泵電路463的輸出。第一檢測(cè)電壓Voff1被提供給存儲(chǔ)部分466和一個(gè)對(duì)稱反相電路464。對(duì)稱反相電路464包括第二差分放大器或比較器465。第二差分放大器465的正輸入端接收參考電壓Vref。第二差分放大器465的負(fù)輸入端通過(guò)第一電阻器R1接收第一檢測(cè)電壓Voff1。第二差分放大器465的輸出通過(guò)第二電阻器R2接到負(fù)輸入端。第一和第二電阻器R1和R2的電阻可以相等。第二差分放大器465的輸出是第二檢測(cè)電壓Voff2。如在圖6A和6B中所示，相對(duì)于參考電壓Vref，第二檢測(cè)電壓Voff2是第一檢測(cè)電壓Voff1的對(duì)稱反相。用另一種表述方式，Voff2＝Vref-Voff1。
如圖5所示，除第一檢測(cè)電壓Voff1之外，存儲(chǔ)部分466還接收第二檢測(cè)電壓Voff2。即第一存儲(chǔ)電路467存儲(chǔ)第一檢測(cè)電壓Voff1，第二存儲(chǔ)電路468存儲(chǔ)第二檢測(cè)電壓Voff2。第一和第二存儲(chǔ)電路467和468還接收模式信號(hào)M/S。在操作中，當(dāng)模式信號(hào)M/S指示測(cè)試模式時(shí)，第一和第二存儲(chǔ)電路467和468存儲(chǔ)分別接收的第一和第二檢測(cè)電壓Voff1和Voff2。但當(dāng)模式信號(hào)M/S指示正常模式時(shí)，第一和第二檢測(cè)電壓Voff1和Voff2不被存儲(chǔ)。這樣，在正常模式中，預(yù)先存儲(chǔ)的第一和第二檢測(cè)電壓Voff1和Voff2；即在最后的測(cè)試模式結(jié)束時(shí)存儲(chǔ)的那些從第一和第二存儲(chǔ)電路467和468被輸出。第一存儲(chǔ)電路467的輸出作為由檢測(cè)電路460輸出的第一電壓Voff+，第二存儲(chǔ)電路468的輸出作為檢測(cè)電路460輸出的第二電壓Voff-。
第一和第二存儲(chǔ)電路467和468可以如圖6C中所示具有相同的結(jié)構(gòu)。如所示，存儲(chǔ)電路可以包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)452，其將檢測(cè)電壓Voff1/Voff2轉(zhuǎn)換為數(shù)字量，寄存器454存儲(chǔ)從ADC452而來(lái)的數(shù)字輸出，數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)456將寄存器454的輸出轉(zhuǎn)換為模擬量。開關(guān)SW響應(yīng)于模式信號(hào)M/S而選擇性地輸出檢測(cè)電壓Voff1/Voff2和DAC456的輸出之一。在測(cè)試模式中，開關(guān)SW選擇檢測(cè)電壓Voff1/Voff2。在正常模式中，開關(guān)SW選擇DAC456的輸出。
圖7示出了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的接收電路440和調(diào)整電路470。如所示，接收電路440包括具有一驅(qū)動(dòng)側(cè)442和一被驅(qū)動(dòng)側(cè)444的一個(gè)電流反射鏡。驅(qū)動(dòng)側(cè)442包括串聯(lián)連接在電源電壓VDD和恒流源446之間的第一PMOS晶體管P1和第一NMOS晶體管N1。被驅(qū)動(dòng)側(cè)444包括串聯(lián)連接在電源電壓VDD和恒流源446之間的第二PMOS晶體管P2和第二NMOS晶體管N2。恒流源446接到地VSS。
第一PMOS晶體管P1和第二PMOS晶體管P2的柵極相連，并進(jìn)一步將其柵極接到第一PMOS晶體管P1的漏極。第一NMOS晶體管N1接收第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ，第二NMOS晶體管N2接收第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN。在該實(shí)施例中，第二PMOS晶體管P2和第二NMOS晶體管N2之間的連接點(diǎn)作為接收電路440的輸出；并由此提供數(shù)據(jù)信號(hào)。
假設(shè)沒(méi)有DC偏移電壓，在操作中，當(dāng)?shù)谝徊罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ超過(guò)第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN時(shí)，驅(qū)動(dòng)側(cè)442驅(qū)動(dòng)較多的電流進(jìn)入被驅(qū)動(dòng)側(cè)444，這樣就使數(shù)據(jù)信號(hào)擺動(dòng)到高電壓。當(dāng)?shù)谝徊罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ被第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN超過(guò)時(shí)，驅(qū)動(dòng)側(cè)442驅(qū)動(dòng)較少的電流進(jìn)入被驅(qū)動(dòng)側(cè)444，這樣就使數(shù)據(jù)信號(hào)擺動(dòng)到低電壓。
如圖7所示，調(diào)整電路470包括連接在第二PMOS晶體管P2的漏極和恒流源472之間的第三NMOS晶體管N3，并進(jìn)一步包括連接在第一PMOS晶體管P1的漏極和恒流源472之間的第四NMOS晶體管N4。恒流源472接到地VSS。第四NMOS晶體管N4的柵極接收第二電壓Voff-，第四NMOS晶體管N4產(chǎn)生第一調(diào)整電壓V01。第三NMOS晶體管N3的柵極接收第一電壓Voff+，第三NMOS晶體管N3產(chǎn)生第二調(diào)整電壓V02。
當(dāng)檢測(cè)電路460檢測(cè)到?jīng)]有DC偏移電壓(例如VDC1＝VDC2)時(shí)，第一電壓Voff+等于第二電壓Voff-。這樣，第三和第四NMOS晶體管N3和N4被相等的量導(dǎo)通，并相等地作用于接收電路440的驅(qū)動(dòng)側(cè)442和被驅(qū)動(dòng)側(cè)444。這就是說(shuō)，調(diào)整電路470沒(méi)有調(diào)整接收電路440的操作。
當(dāng)檢測(cè)電路460檢測(cè)到正的DC偏移電壓(例如VDC1＞VDC2)時(shí)，第一電壓Voff+超過(guò)第二電壓Voff-。這使導(dǎo)通第三NMOS晶體管N3的量大于導(dǎo)通第四NMOS晶體管N4的量。這導(dǎo)致較少的電流由驅(qū)動(dòng)側(cè)442驅(qū)動(dòng)進(jìn)入被驅(qū)動(dòng)側(cè)444，因此，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生相比，數(shù)據(jù)信號(hào)將在更長(zhǎng)的時(shí)間期間內(nèi)被保持在低電壓。用另一方式表述，流過(guò)第三NMOS晶體管N3的電流量大于流過(guò)第四NMOS晶體管N4的電流量，數(shù)據(jù)信號(hào)的低間隔就會(huì)增加。這有效地減少了反映在數(shù)據(jù)信號(hào)中的DC偏移電壓。例如圖3C和3E示出了檢測(cè)到正的DC偏移電壓的兩種情況。如所示，，以比圖3D和3F分別示出的所得到數(shù)據(jù)信號(hào)的50％的占空比大的占空比反映該DC偏移電壓。調(diào)整電路470響應(yīng)于第一和第二電壓Voff+和Voff-而通過(guò)向50％調(diào)整占空比來(lái)減少對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)的影響。
當(dāng)檢測(cè)電路460檢測(cè)到一個(gè)負(fù)的DC偏移電壓(例如VDC2＞VDC1)時(shí)，第二電壓Voff-超過(guò)第一電壓Voff+。這使導(dǎo)通第四NMOS晶體管N4的量大于導(dǎo)通第三NMOS晶體管N3的量。這導(dǎo)致較多的電流由驅(qū)動(dòng)側(cè)442驅(qū)動(dòng)進(jìn)入被驅(qū)動(dòng)側(cè)444，因此，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生相比，數(shù)據(jù)信號(hào)將更長(zhǎng)的時(shí)間期間內(nèi)被保持在高電壓。這有效的減少了反映在數(shù)據(jù)信號(hào)中的負(fù)的DC偏移電壓。例如以所得到數(shù)據(jù)信號(hào)的50％的占空比小的占空比反映該負(fù)的DC偏移電壓。調(diào)整電路470響應(yīng)于第一和第二電壓Voff+和Voff-而通過(guò)向50％調(diào)整占空比來(lái)減少對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)的影響。
如上所論述的，響應(yīng)于由檢測(cè)電路460檢測(cè)到的DC偏移電壓，調(diào)整電路470減少反映在數(shù)據(jù)信號(hào)中的DC偏移電壓的幅度。此外，這個(gè)調(diào)整還使數(shù)據(jù)信號(hào)向50％的占空周期(duty cycle)靠近。
圖8示出了按照本發(fā)明的第二實(shí)施例的接收電路440。第二實(shí)施例的接收電路440除了增加差分放大器448和施加到第一和第二PMOS晶體管P1和P2柵極的偏壓Vbias之外，與圖7所示的第一實(shí)施例的接收電路相同。差分放大器448的正輸入端接到第二PMOS晶體管P2和第二NMOS晶體管N2之間的連接點(diǎn)。差分放大器448的負(fù)輸入端接到第一PMOS晶體管P1和第一NMOS晶體管N1之間的連接點(diǎn)。差分放大器448的輸出作為接收電路440的輸出；并由此產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。除了數(shù)據(jù)信號(hào)是在差分放大器448的正和反輸入端的兩個(gè)電壓的放大的比較結(jié)果之外，接收電路440的操作和調(diào)整電路470的操作與上面對(duì)照于圖7所述的相同。
圖9示出了按照本發(fā)明的接收電路440的另一個(gè)實(shí)施例和調(diào)整電路470的另一個(gè)實(shí)施例。除了第二NMOS晶體管N2接到恒流源445而不是恒流源446之外，接收電路440與圖7中所示的接收電路相同。恒流源445接到地VSS。
除掉恒流源472之外，圖9中所示調(diào)整電路470與圖7中所示的實(shí)施例相同，即該實(shí)施例包括接在電源電壓VDD和恒流源446之間的第三NMOS晶體管N3，以及接在電源電壓VDD和恒流源445之間的第四NMOS晶體管。
盡管上面描述了圖9和圖7中的實(shí)施例在結(jié)構(gòu)上有區(qū)別，接收電路440和調(diào)整電路470的操作與對(duì)照于圖7中的相似。假設(shè)沒(méi)有DC偏移電壓，流過(guò)調(diào)整電路470中的第三晶體管N3的電流量與流過(guò)調(diào)整電路470中的第四晶體管N4的電流量相同。但是當(dāng)差分信號(hào)對(duì)DQ/DQN具有正的偏移電壓時(shí)，流過(guò)晶體管N3的電流量大于流過(guò)晶體管N4的電流量，這樣，與沒(méi)有偏移電壓的情況相比，就使流入驅(qū)動(dòng)側(cè)442的電流量減小，而流入被驅(qū)動(dòng)側(cè)444的電流量增加。因此導(dǎo)致較少的電流被驅(qū)動(dòng)側(cè)442驅(qū)動(dòng)進(jìn)被驅(qū)動(dòng)側(cè)444。相應(yīng)地，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生時(shí)相比，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA就會(huì)在更長(zhǎng)的時(shí)間期間內(nèi)被保持在低電壓，這樣就使數(shù)據(jù)信號(hào)DATA的占空比可以被調(diào)整到的50％的正常占空范圍。
圖10示出了按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的接收電路440和調(diào)整電路470。除了增加了差分放大器448和施加到第一和第二PMOS晶體管P1和P2柵極的偏壓Vbias之外，該實(shí)施例中的接收電路440和調(diào)整電路470與圖9中所示的實(shí)施例相同。差分放大器448的正輸入端接到第二PMOS晶體管P2和第二NMOS晶體管N2之間的連接點(diǎn)。差分放大器448的負(fù)輸入端接到第一PMOS晶體管P1和第一NMOS晶體管N1之間的連接點(diǎn)。差分放大器448的輸出作為接收電路440的輸出；并由此產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。除了數(shù)據(jù)信號(hào)是在差分放大器448的正和負(fù)輸入端的兩個(gè)電壓的放大的比較結(jié)果之外，接收電路440的操作和調(diào)整電路470的操作與上面對(duì)照于圖9所述的相同。圖11示出了按照本發(fā)明的輸入電路430的第二實(shí)施例。除了偏移檢測(cè)器460被偏移檢測(cè)器1800所代替及偏移檢測(cè)器1800接收第一和第二調(diào)整電壓VO1和VO2來(lái)代替產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)之外，圖11的輸入電路和圖4的輸入電路相同。因此，除了檢測(cè)電路1800的操作和結(jié)構(gòu)，圖11的輸入電路的操作與圖4中的輸入電路相同。因此為了簡(jiǎn)要，僅是這些結(jié)構(gòu)和操作的區(qū)別將被詳細(xì)描述。
圖12示出了檢測(cè)電路1800的實(shí)施例。如所示，第一低通濾波器1802接收并選擇性地對(duì)第一調(diào)整電壓VO1進(jìn)行低通濾波，以產(chǎn)生第一調(diào)整電壓VO1的DC電壓。第二低通濾波器1804接收并選擇性地對(duì)第二調(diào)整電壓VO2進(jìn)行低通濾波，以產(chǎn)生第二調(diào)整電壓VO2的DC電壓。第一和第二低通濾波器1802和1804都響應(yīng)于模式信號(hào)M/S而選擇性地工作。當(dāng)模式信號(hào)M/S指示測(cè)試模式時(shí)，第一和第二低通濾波器1802和1804分別進(jìn)行各自的濾波操作。但當(dāng)模式信號(hào)M/S指示正常模式時(shí)，第一和第二低通濾波器1802和1804不工作。
圖13A示出了第一和第二低通濾波器1802和1804的示例實(shí)施例。如所示，第一或第二調(diào)整電壓VO1或VO2通過(guò)電阻器1832施加到開關(guān)1830?；谀Ｊ叫盘?hào)M/S，開關(guān)1830選擇性地施加調(diào)整電壓VO1或VO2作為輸出。電容器1834接到輸出端和地VSS之間。因此，當(dāng)開關(guān)1830提供調(diào)整電壓VO1或VO2到輸出端時(shí)，電阻器1832和電容器1834進(jìn)行公知的低通濾波操作，這樣就使調(diào)整電壓VO1或VO2的DC電壓作為低通濾波器1802或1804的輸出而被提供。當(dāng)模式信號(hào)M/S指示測(cè)試模式時(shí)，開關(guān)1830提供調(diào)整電壓VO1或VO2到輸出端，當(dāng)模式信號(hào)M/S指示正常模式時(shí)，開關(guān)不提供調(diào)整電壓VO1或VO2到電容器1834。
圖13B示出了第一和第二低通濾波器1802和1804的另一個(gè)示例實(shí)施例。如所示，差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ或DQN通過(guò)電阻器1840而被提供給開關(guān)1850。電容器1842接到電阻1840的輸出端和地VSS之間。因此，眾所周知的，電阻器1840和電容器1842對(duì)調(diào)整電壓VO1或VO2的高頻分量進(jìn)行濾波。模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)1844也接收濾波后的調(diào)整電壓VO1或VO2，并將濾波后的調(diào)整電壓VO1或VO2轉(zhuǎn)換為數(shù)字量。寄存器1846存儲(chǔ)從ADC1844而來(lái)的數(shù)字輸出，數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)1848將寄存器1846的輸出轉(zhuǎn)換為模擬量。響應(yīng)于模式信號(hào)M/S，開關(guān)1850選擇性地輸出濾波后的調(diào)整電壓VO1或VO2和DAC1848的輸出之一。在測(cè)試模式中，開關(guān)1850選擇濾波后的調(diào)整電壓VO1或VO2。在正常模式中，開關(guān)1850選擇DAC1848的輸出。
回到圖12，檢測(cè)電路1800進(jìn)一步包括差分放大器1810。如所示，差分放大器1810包括串聯(lián)連接在電源電壓VDD和恒流源1816之間的電阻器1812和第五NOMS晶體管N5。另一個(gè)電阻器1814和第六NMOS晶體管N6也串聯(lián)連接在電源電壓VDD和恒流源1816之間。恒流源接到地VSS。
第五NMOS晶體管N5的柵極接收第一低通濾波器1802的輸出，第六NMOS晶體管N6的柵極接收第二低通濾波器1804的輸出。電阻器1812和第五NMOS晶體管N5之間的連接點(diǎn)提供第一電壓Voff+，電阻器1814和第六NMOS晶體管N6之間的連接點(diǎn)提供第二電壓Voff-。
在操作中，當(dāng)正的DC偏移存在時(shí)(如VDC1＞VDC2)，第一調(diào)整電壓VO1的DC電壓將小于第二調(diào)整電壓VO2的DC電壓。結(jié)果，第五NMOS晶體管N5在比第六NMOS晶體管N6導(dǎo)通的時(shí)間更短的時(shí)間期間內(nèi)導(dǎo)通，并且第一電壓Voff+將大于第二電壓Voff-。當(dāng)一個(gè)負(fù)的DC偏移存在時(shí)(如VDC2＞VDC1)，第二調(diào)整電壓VO2的DC電壓將小于第一調(diào)整電壓VO1的DC電壓。結(jié)果，第六NMOS晶體管N6在比第五NMOS晶體管N5導(dǎo)通的時(shí)間更短的時(shí)間期間內(nèi)導(dǎo)通，并且第二電壓Voff-將大于第一電壓Voff+。當(dāng)沒(méi)有DC偏移電壓存在時(shí)，由于第一和第二調(diào)整電壓將具有相同的DC電壓，因此第一和第二電壓Voff+和Voff-將相等。
還可以理解到圖11的實(shí)施例并不限于圖4的接收電路440和調(diào)整電路470。取而代之，任何上面描述的實(shí)施例中的接收電路440和調(diào)整電路470都可以用于圖11的實(shí)施例。
圖14示出了按照本發(fā)明的進(jìn)一步的實(shí)施例的輸入電路430。在該實(shí)施例中，調(diào)整電路1110接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ和DQN及模式信號(hào)M/S，并選擇性地產(chǎn)生調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ’和DQN’。接收電路440基于該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ’和DQN’產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。更具體地，調(diào)整電路1110包括檢測(cè)電路460和偏移調(diào)整電路1120。如上所述，基于該數(shù)據(jù)信號(hào)，檢測(cè)電路460選擇性地檢測(cè)在該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的DC偏移電壓，并產(chǎn)生代表該DC偏移電壓的第一和第二電壓Voff+和Voff-?？梢詮碾S后的描述中意識(shí)到，第一和第二電壓Voff+和Voff-特別代表該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ’和DQN’之間DC偏移電壓。
圖15示出了偏移調(diào)整電路1120的實(shí)施例和其到接收電路440的連接。如所示，偏移調(diào)整電路1120包括第一比較器1122和第二比較器1142。第一比較器1122包括接在電源電壓VDD和恒流源1130之間的NMOS晶體管1126。第一比較器1122進(jìn)一步包括串聯(lián)連接在電源電壓VDD和恒流源1130之間的電阻器1124和另一個(gè)NMOS晶體管1128。恒流源1130接到地VSS。第二電壓Voff-提供給NMOS晶體管1126的柵極，第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ提供給NMOS晶體管1128的柵極。電阻器1124和NMOS晶體管1128之間的連接點(diǎn)作為第一比較器1122的輸出，并產(chǎn)生第一調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’。
第二比較器1142包括接在電源電壓VDD和恒流源1150之間的NMOS晶體管1146。第二比較器1142進(jìn)一步包括串聯(lián)連接在電源電壓VDD和恒流源1150之間的電阻器1144和另一個(gè)NMOS晶體管1148。恒流源1150接到地VSS。第一電壓Voff+提供給NMOS晶體管1146的柵極，第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN提供給NMOS晶體管1148的柵極。電阻器1144和NMOS晶體管1148之間的連接點(diǎn)作為第二比較器1142的輸出端，并產(chǎn)生第二調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN’。
在操作中，當(dāng)正DC偏移存在時(shí)(如VDC1＞VDC2)，在測(cè)試信號(hào)的數(shù)個(gè)周期內(nèi)，第一電壓Voff+和第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ將大于第二電壓Voff-和第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN。結(jié)果，在第一比較器1122中，當(dāng)?shù)谝徊罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ的值是高電平時(shí)，第一調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’的值比如果沒(méi)有偏移電壓(Voff+＝Voff-)存在時(shí)被相對(duì)地減小。這是由于流過(guò)NMOS晶體管1126的電流量小于如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1126的電流量。因此，與如果沒(méi)有偏移電壓(Voff+＝Voff-)存在時(shí)相比，當(dāng)?shù)谝徊罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ是高電平時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1128的電流量被相對(duì)地增大，這樣就使與如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)相比，調(diào)整后的第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’的高電壓值被減小。這導(dǎo)致更小的電流由驅(qū)動(dòng)側(cè)442驅(qū)動(dòng)進(jìn)入被驅(qū)動(dòng)側(cè)444。
相應(yīng)的，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生時(shí)相比，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA在更短的時(shí)間期間內(nèi)被保持在高電壓。同樣，在第二比較器1142中，當(dāng)?shù)诙罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN的值是高電平時(shí)，與如果沒(méi)有偏移電壓(Voff+＝Voff-)存在時(shí)相比，第二調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN’的值被相對(duì)地增大。這是由于流過(guò)NMOS晶體管1146的電流量大于如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1146的電流量。因此，與如果沒(méi)有偏移電壓(Voff+＝Voff-)存在時(shí)相比，當(dāng)?shù)诙罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN是高電平時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1148的電流量被相對(duì)地減小，這樣就使與如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)相比，調(diào)整后的第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN’的高電壓值被增大。這導(dǎo)致更大的電流被NMOS晶體管N2驅(qū)動(dòng)進(jìn)入恒流源446。
相應(yīng)地，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生時(shí)相比，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA在更長(zhǎng)的時(shí)間期間內(nèi)被保持在低電壓?？梢砸庾R(shí)到，與差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)相比，這減小了在調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’和DQN’之間的DC偏移電壓。并且，數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比將向50％靠近。
當(dāng)負(fù)DC偏移存在時(shí)(如VDC2＞VDC1)，在測(cè)試信號(hào)的數(shù)個(gè)周期內(nèi)，第二電壓Voff-和第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN將大于第一電壓Voff+和第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ。結(jié)果，在第一比較器1122中，當(dāng)?shù)谝徊罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ的值是高電平時(shí)，與如果沒(méi)有偏移電壓(Voff+＝Voff-)存在時(shí)相比，第一調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’的值被相對(duì)地增大。這是由于流過(guò)NMOS晶體管1126的電流量大于沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1126的電流量。因此，與如果沒(méi)有偏移電壓(Voff+＝Voff-)存在時(shí)相比，當(dāng)?shù)谝徊罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ是高電平時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1128的電流量被相對(duì)地減小，這樣就使與如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)相比，第一調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’的高電壓值被增大。這導(dǎo)致更大的電流由驅(qū)動(dòng)側(cè)442驅(qū)動(dòng)進(jìn)入被驅(qū)動(dòng)側(cè)444。
相應(yīng)地，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生時(shí)相比，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA在更長(zhǎng)的時(shí)間期間內(nèi)被保持在高電壓。在第二比較器1142中，當(dāng)?shù)诙罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN的值是高電平時(shí)，與如果沒(méi)有偏移電壓(Voff+＝Voff-)存在時(shí)相比，第二調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN’的值被相對(duì)地減小。這是由于流過(guò)NMOS晶體管1146的電流量小于沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1146的電流量。因此，與如果沒(méi)有偏移電壓(Voff+＝Voff-)存在時(shí)相比，當(dāng)?shù)诙罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN是高電平時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1148的電流量被相對(duì)地增大，這樣就使與如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)相比，DQN’的高電壓值被減小。這導(dǎo)致更小的電流被NMOS晶體管N2驅(qū)動(dòng)進(jìn)入恒流源446。
相應(yīng)地，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生時(shí)相比，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA在更短的時(shí)間期間內(nèi)被保持在低電壓?？梢砸庾R(shí)到，與差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)相比，這減小了在調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’和DQN’之間的DC偏移電壓。并且，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA的占空比將向50％靠近。
還可以理解到圖14的實(shí)施例并不限于圖4的接收電路440。取而代之，任何上面描述的實(shí)施例中的接收電路440都可以用于圖14的實(shí)施例。
圖16示出了按照本發(fā)明的進(jìn)一步的實(shí)施例的接收電路430。在該實(shí)施例中，調(diào)整電路1160接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ和DQN及模式信號(hào)M/S，并選擇性地產(chǎn)生調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ’和DQN’。接收電路440基于調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ’和DQN’產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。更具體地，調(diào)整電路1160包括金測(cè)電路1800(對(duì)照于圖12在上面詳細(xì)描述)和偏移調(diào)整電路1120(對(duì)照于圖15在上面詳細(xì)描述)。如上所述，基于第一和第二調(diào)整電壓VO1和VO2，檢測(cè)電路1800選擇性地檢測(cè)該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的DC偏移電壓。在該實(shí)施例中，第一和第二調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’和DQN’分別代替第一和第二調(diào)整電壓VO1和VO2。在此基礎(chǔ)上，以與上述同樣的方式，檢測(cè)電路1800產(chǎn)生表示該DC偏移電壓的第一和第二電壓Voff+和Voff-。由隨后的描述中可以意識(shí)到，第一和第二電壓Voff+和Voff-更具體地代表該調(diào)整差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ’和DQN’之間的DC偏移電壓。
偏移調(diào)整電路1120和接收電路440以與前述同樣的方式工作。而且，還可以理解到圖16的實(shí)施例并不限于圖4的接收電路440。取而代之，任何上面描述的實(shí)施例中的接收電路440者可以用于圖16的實(shí)施例。
圖17示出了按照本發(fā)明的補(bǔ)充的實(shí)施例的輸入電路430。在該實(shí)施例中，調(diào)整電路1410接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ和DQN及模式信號(hào)M/S，并選擇性地產(chǎn)生調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ’和DQN’。接收電路440基于該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)DQ’和DQN’產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。
圖18示出了調(diào)整電路1410的實(shí)施例和其到接收電路440的連接。如所示，調(diào)整電路1410包括第一比較器1422和第二比較器1442。第一比較器1422包括接在電源電壓VDD和恒流源1430之間的NMOS晶體管1426。第一比較器1422進(jìn)一步包括串聯(lián)連接在電源電壓VDD和恒流源1430之間的電阻器1424和另一個(gè)NMOS晶體管1428。恒流源1430接到地VSS。第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN通過(guò)第一低通濾波器1432提供給NMOS晶體管1426的柵極及NMOS晶體管1428的柵極。第一低通濾波器1432可以具有如上面對(duì)照于圖13A或圖13B討論的同樣的結(jié)構(gòu)和操作。電阻器1424和NMOS晶體管1428之間的連接點(diǎn)作為第一比較器1422的輸出，并產(chǎn)生第一調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’。
第二比較器1442包括接在電源電壓VDD和恒流源1450之間的NMOS晶體管1446。第二比較器1442進(jìn)一步包括串聯(lián)連接在電源電壓VDD和恒流源1450之間的電阻器1444和另一個(gè)NMOS晶體管1448。恒流源1450接到地VSS。第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ被提供給NMOS晶體管1448的柵極，并通過(guò)第二低通濾波器1452被提供給NMOS晶體管1446的柵極。第二低通濾波器1452可以具有如上面對(duì)照于圖13A或圖13B討論的同樣的結(jié)構(gòu)和操作。電阻器1444和NMOS晶體管1448之間的連接點(diǎn)作為第二比較器1442的輸出，并產(chǎn)生第二調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN’。
在操作中，當(dāng)正的DC偏移存在時(shí)(如VDC1＞VDC2)，在測(cè)試信號(hào)的數(shù)個(gè)周期內(nèi)，濾波后的第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)(VDC1)將大于濾波后的第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)(VDC2)。結(jié)果，在第一比較器1422中，當(dāng)?shù)诙罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN的值是高電平時(shí)，與如果沒(méi)有偏移電壓(VDC1＝VDC2)存在時(shí)相比，第一調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’的值被相對(duì)地減小。這是由于流過(guò)NMOS晶體管1426的電流量小于沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)的電流量。因此，與如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)相比，當(dāng)?shù)诙罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN是高電平時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1428的電流量被相對(duì)地增大，這樣就使第一調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’的高電壓值被進(jìn)一步減小。這導(dǎo)致更小的電流由驅(qū)動(dòng)側(cè)442驅(qū)動(dòng)進(jìn)入被驅(qū)動(dòng)側(cè)444。相應(yīng)地，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生時(shí)相比，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA在更短的時(shí)間期間內(nèi)被保持在高電壓。
在第二比較器1442中，當(dāng)?shù)谝徊罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ的值是高電平時(shí)，與如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)相比，第二調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN’的值被相對(duì)地增大。這是由于流過(guò)NMOS晶體管1446的電流量大于沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1446的電流量。因此，與如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)相比，當(dāng)?shù)谝徊罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ是高電平時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1448的電流量被相對(duì)地減小，這樣就使調(diào)整后的第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN’的高電壓值被進(jìn)一步增大。這導(dǎo)致更大的電流被NMOS晶體管N2驅(qū)動(dòng)進(jìn)入恒流源446。
相應(yīng)地，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生時(shí)相比，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA在更長(zhǎng)的時(shí)間期間內(nèi)被保持在低電壓?？梢砸庾R(shí)到，與差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)相比，這減小了在調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’和DQN’之間的DC偏移電壓。并且，數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比將向50％靠近。
當(dāng)負(fù)的DC偏移存在時(shí)(如VDC2＞VDC1)，在測(cè)試信號(hào)的數(shù)個(gè)周期內(nèi)，濾波后的第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)(VDC2)會(huì)大于濾波后的第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)(VDC1)。結(jié)果，在第一比較器1422中，當(dāng)?shù)诙罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN的值是高電平時(shí)，與如果沒(méi)有偏移電壓(VDC1＝VDC2)存在時(shí)相比，第一調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’的值被相對(duì)地增大。這是由于流過(guò)NMOS晶體管1426的電流量大于沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)的電流量。因此，與如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)相比，當(dāng)?shù)诙罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN是高電平時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1428的電流量被相對(duì)地減小，這樣就使DQ’的高電壓值被進(jìn)一步增大。這導(dǎo)致更大的電流由驅(qū)動(dòng)側(cè)442驅(qū)動(dòng)進(jìn)入被驅(qū)動(dòng)側(cè)444。相應(yīng)地，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生時(shí)相比，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA在更長(zhǎng)的時(shí)間期間內(nèi)被保持在高電壓。
在第二比較器1442中，當(dāng)?shù)谝徊罘謹(jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ的值是高電平時(shí)，與如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)相比，第二調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN’的值被相對(duì)地減小。這是由于流過(guò)NMOS晶體管1446的電流量小于沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1446的電流量。因此，與如果沒(méi)有偏移電壓存在時(shí)相比，當(dāng)DQ是高電平時(shí)流過(guò)NMOS晶體管1448的電流量被相對(duì)地增大，這樣就使第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQN’的高電壓值被進(jìn)一步減小。這導(dǎo)致更小的電流被NMOS晶體管N2驅(qū)動(dòng)進(jìn)入恒流源446。
相應(yīng)地，與如果沒(méi)有調(diào)整發(fā)生時(shí)相比，數(shù)據(jù)信號(hào)DATA在更短的時(shí)間期間內(nèi)被保持在低電壓?？梢砸庾R(shí)到，與差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)相比，這減小了在調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)DQ’和DQN’之間的DC偏移電壓的幅度。數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比將向50％靠近。
還可以理解到圖18的實(shí)施例并不限于圖4的接收電路440。取而代之，任何上面描述的實(shí)施例中的接收電路440者阿以用于圖14的實(shí)施例。
本發(fā)明已經(jīng)被如此描述了，很明顯，同樣的內(nèi)容可以在許多方面變化。例如，盡管上面提供的存儲(chǔ)系統(tǒng)的示例是包括多個(gè)存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)模塊。代替存儲(chǔ)模塊，單一存儲(chǔ)裝置也可以接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)。這種變化被認(rèn)為是沒(méi)有背離本發(fā)明，旨在將所有這樣的修改都包含進(jìn)本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種輸入電路，包括接收器電路，基于差分?jǐn)?shù)據(jù)言號(hào)對(duì)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)；檢測(cè)電路，檢測(cè)在該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓；調(diào)整電路，基于檢測(cè)到的偏移電壓，調(diào)整接收器的操作，以減小該偏移電壓的幅度。
2.如權(quán)利要求1的輸入電路，其中該調(diào)整電路調(diào)整該接收器的操作，以使該數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比向50％的占空比靠近。
3.如權(quán)利要求1的輸入電路，其中該檢測(cè)電路僅在該輸入電路的測(cè)試模式中檢測(cè)該偏移電壓。
4.如權(quán)利要求1的輸入電路，其中該檢測(cè)電路基于產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)檢測(cè)該偏移電壓。
5.如權(quán)利要求4的輸入電路，其中該檢測(cè)電路將產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)與參考電壓相比較，來(lái)檢測(cè)該偏移電壓。
6.如權(quán)利要求5的輸入電路，其中該檢測(cè)電路基于該比較來(lái)產(chǎn)生代表檢測(cè)到的偏移電壓的第一和第二電壓。
7.如權(quán)利要求6的輸入電路，其中該檢測(cè)電路這樣來(lái)產(chǎn)生該第一和第二電壓當(dāng)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)超過(guò)該參考電壓時(shí)，該第一電壓相對(duì)于該參考電壓增大，當(dāng)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)超過(guò)該參考電壓時(shí)，該第二電壓相對(duì)于該參考電壓減小。
8.如權(quán)利要求6的輸入電路，其中該調(diào)整電路基于該第一和第二電壓調(diào)整該接收器的操作。
9.如權(quán)利要求8的輸入電路，其中該接收器電路包括電流反射鏡，其具有驅(qū)動(dòng)側(cè)和被驅(qū)動(dòng)側(cè)，該驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)，該被驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)；且該調(diào)整電路基于該第一和第二電壓，選擇性地從該驅(qū)動(dòng)側(cè)和該被驅(qū)動(dòng)側(cè)之一吸收更多的電流。
10.如權(quán)利要求9的輸入電路，其中當(dāng)檢測(cè)到的偏移為正時(shí)，該檢測(cè)電路產(chǎn)生的該第一電壓大于該第二電壓；且當(dāng)該第一電壓大于該第二電壓時(shí)，該調(diào)整電路從該被驅(qū)動(dòng)側(cè)吸收更多的電流。
11.如權(quán)利要求9的輸入電路，其中當(dāng)檢測(cè)到的偏移為負(fù)時(shí)，該檢測(cè)電路產(chǎn)生的該第二電壓大于該第一電壓；當(dāng)該第二電壓大于該第一電壓時(shí)，該調(diào)整電路從驅(qū)動(dòng)側(cè)吸收更多的電流。
12.如權(quán)利要求8的輸入電路，其中該接收器包括差分放大器，其具有接到該驅(qū)動(dòng)側(cè)的第一輸入，和接到該被驅(qū)動(dòng)側(cè)的第二輸入，及具有產(chǎn)生該產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)的輸出端。
13.如權(quán)利要求1的輸入電路，其中該接收器電路包括電流反射鏡，其具有驅(qū)動(dòng)側(cè)和被驅(qū)動(dòng)側(cè)，該驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)，而該被驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)；及基于檢測(cè)到的偏移電壓，該調(diào)整電路選擇性地從該驅(qū)動(dòng)側(cè)和該被驅(qū)動(dòng)側(cè)之一吸收更多的電流。
14.如權(quán)利要求9的輸入電路，其中該接收器電路包括差分放大器，其具有接到該驅(qū)動(dòng)側(cè)的第一輸入端和接到該被驅(qū)動(dòng)側(cè)的第二輸入端，并且響應(yīng)于第一和第二輸出信號(hào)，該差分放大器產(chǎn)生該產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)。
15.如權(quán)利要求9的輸入電路，其中該調(diào)整電路包括接到該被驅(qū)動(dòng)側(cè)并接收該第一電壓的第一晶體管，和接到該驅(qū)動(dòng)側(cè)并接收該第二電壓的第二晶體管。
16.如權(quán)利要求1的輸入電路，其中該接收器電路包括第一電流反射鏡，其具有驅(qū)動(dòng)側(cè)和被驅(qū)動(dòng)側(cè)，該驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)，而該被驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)；及該調(diào)整電路包括控制電路，其具有第二電流反射鏡，并基于檢測(cè)到的偏移電壓，選擇性地從該驅(qū)動(dòng)側(cè)和該被驅(qū)動(dòng)側(cè)之一吸收更多的電流。
17.如權(quán)利要求16的輸入電路，其中該接收器電路包括差分放大器，其具有接到該驅(qū)動(dòng)側(cè)的第一輸入端和接到該被驅(qū)動(dòng)側(cè)的第二輸入端，并且響應(yīng)于第一和第二輸出信號(hào)，該差分放大器產(chǎn)生該產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)。
18.如權(quán)利要求1的輸入電路，其中基于從該調(diào)整電路的輸出，該檢測(cè)電路檢測(cè)該偏移電壓。
19.如權(quán)利要求18的輸入電路，其中該調(diào)整電路產(chǎn)生第一和第二控制信號(hào)以調(diào)整該接收電路的操作；及該檢測(cè)電路比較該第一和第二空制信號(hào)以檢測(cè)該偏移電壓。
20.如權(quán)利要求19的輸入電路，其中該檢測(cè)電路對(duì)該第一和第二控制信號(hào)的高頻分量進(jìn)行濾波，并比較濾波后的第一和第二控制信號(hào)，以檢測(cè)該偏移電壓。
21.如權(quán)利要求20的輸入電路，其中該檢測(cè)電路基于該比較而產(chǎn)生代表檢測(cè)到的偏移電壓的第一和第二電壓。
22.如權(quán)利要求21的輸入電路，其中該接收器電路包括電流反射鏡，其具有驅(qū)動(dòng)側(cè)和被驅(qū)動(dòng)側(cè)，該驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)，該被驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)；及該調(diào)整電路基于該第一和第二電壓，選擇性地從該驅(qū)動(dòng)側(cè)和該被驅(qū)動(dòng)側(cè)之一吸收更多的電流。
23.如權(quán)利要求22的輸入電路，其中當(dāng)檢測(cè)到的偏移為正時(shí)，該檢測(cè)電路產(chǎn)生的該第一電壓大于該第二電壓；當(dāng)該第一電壓大于該第二電壓時(shí)，該調(diào)整電路產(chǎn)生該第一和第二控制信號(hào)，來(lái)從該被驅(qū)動(dòng)側(cè)吸收更多的電流。
24.如權(quán)利要求22的輸入電路，其中當(dāng)檢測(cè)到的偏移為負(fù)時(shí)，該檢測(cè)電路產(chǎn)生的該第二電壓大于該第一電壓；當(dāng)該第二電壓大于該第一電壓時(shí)，該調(diào)整電路產(chǎn)生該第一和第二控制信號(hào)，來(lái)從該驅(qū)動(dòng)側(cè)吸收更多的電流。
25.一種輸入電路，包括接收器電路，基于差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)；檢測(cè)電路，檢測(cè)在該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓；及調(diào)整電路，基于檢測(cè)到的偏移電壓，調(diào)整該接收器的操作，以使該數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比向50％靠近。
26.一種減小在輸入電路中的偏移的影響的方法，包括基于差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)；檢測(cè)在該偏移數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓；及基于檢測(cè)到的偏移電壓，調(diào)整該產(chǎn)生步驟，以減小檢測(cè)到的偏移電壓。
27.如權(quán)利要求26的方法，其中該檢測(cè)步驟基于產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)檢測(cè)該偏移電壓。
28.如權(quán)利要求26的方法，其中該檢測(cè)步驟產(chǎn)生代表檢測(cè)到的偏移電壓的第一和第二電壓；及該調(diào)整步驟基于該第一和第二電壓來(lái)調(diào)整該產(chǎn)生步驟。
29.一種輸入電路，包括調(diào)整電路，接收差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)，并調(diào)整該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)，產(chǎn)生調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)，以使在該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓的幅度被減小；及接收器電路，基于該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)，產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。
30.如權(quán)利要求29的輸入電路，其中該調(diào)整電路調(diào)整該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)以產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)，以使該數(shù)據(jù)信號(hào)的占空比向50％的占空比靠近。
31.如權(quán)利要求29的輸入電路，其中該調(diào)整電路包括檢測(cè)電路，其基于產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)檢測(cè)該偏移電壓。
32.如權(quán)利要求31的輸入電路，其中該檢測(cè)電路將該產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)與參考電壓相比較來(lái)檢測(cè)該偏移電壓。
33.如權(quán)利要求32的輸入電路，其中該檢測(cè)電路基于該比較來(lái)這樣產(chǎn)生代表檢測(cè)到的偏移電壓的第一和第二電壓當(dāng)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)超過(guò)該參考電壓時(shí)，該第一電壓相對(duì)于該參考電壓增大，當(dāng)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)超過(guò)該參考電壓時(shí)，該第二電壓相對(duì)于該參考電壓減小。
34.如權(quán)利要求29的輸入電路，其中該檢測(cè)電路對(duì)該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)的高頻分量進(jìn)行濾波，并比較濾波后的該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)，以檢測(cè)該偏移電壓。
35.如權(quán)利要求29的輸入電路，其中該調(diào)整電路包括檢測(cè)電路，產(chǎn)生代表檢測(cè)到的該差分?jǐn)?shù)據(jù)言號(hào)對(duì)之間的偏移電壓的第一和第二電壓；及偏移調(diào)整電路，基于該第一和第二電壓，調(diào)整該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)，以產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)。
36.如權(quán)利要求35的輸入電路，其中該偏移調(diào)整電路基于該第二電壓與該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)的比較，來(lái)產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)，及基于該第一電壓與該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)的比較，來(lái)產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)。
37.如權(quán)利要求36的輸入電路，其中該檢測(cè)電路這樣來(lái)產(chǎn)生第一和第二電壓使在該第一和第二電壓之間的差的幅度隨著檢測(cè)到的偏移的減小而減小。
38.如權(quán)利要求29的輸入電路，其中接收器電路包括電流反射鏡，其具有驅(qū)動(dòng)側(cè)和被驅(qū)動(dòng)側(cè)，該驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)，該被驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)。
39.如權(quán)利要求29的輸入電路，其中該調(diào)整電路包括第一低通濾波器，對(duì)該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)進(jìn)行濾波；第二低通濾波器，對(duì)該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)進(jìn)行濾波；第一發(fā)生器，基于對(duì)濾波后的第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)與第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的比較，來(lái)產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)；及第二發(fā)生器，基于對(duì)濾波后的第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)與第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的比較，來(lái)產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)。
40.如權(quán)利要求39的輸入電路，其中該接收器電路包括電流反射鏡，其具有驅(qū)動(dòng)側(cè)和被驅(qū)動(dòng)側(cè)，該驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收第一調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)，該被驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收第二調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)。
41.如權(quán)利要求29的輸入電路，其中該調(diào)整電路確定該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)的第一DC電壓，并確定該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)的第二DC電壓，并且該調(diào)整電路包括第一發(fā)生器，基于對(duì)該第二DC電壓與第二差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的比較，來(lái)產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)；及第二發(fā)生器，基于對(duì)該第一DC電壓與第一差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的比較，來(lái)產(chǎn)生該調(diào)整后的差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)。
42.一種輸入電路，包括檢測(cè)器，檢測(cè)在差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓；及數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)生器，基于該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)和檢測(cè)到的偏移電壓而產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)，以使檢測(cè)到的偏移電壓的幅度被減小。
43.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括存儲(chǔ)空制器，至少輸出差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)；及存儲(chǔ)模塊，包括至少一個(gè)具有輸入電路的存儲(chǔ)裝置，該輸入電路包括接收器電路，基于該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)；檢測(cè)電路，檢測(cè)在該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓；及調(diào)整電路，基于檢測(cè)到的偏移電壓，調(diào)整該接收器的操作，以減小該檢測(cè)到的偏移電壓的幅度。
44.一種存儲(chǔ)裝置，包括輸入電路，該輸入電路包括接收器電路，基于差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)而產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)；檢測(cè)電路，檢測(cè)在該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓；及調(diào)整電路，基于檢測(cè)到的偏移電壓，調(diào)整該接收器的操作，以減小該檢測(cè)到的偏移電壓的幅度；和存儲(chǔ)區(qū)域，存儲(chǔ)該數(shù)據(jù)信號(hào)。
45.如權(quán)利要求44的存儲(chǔ)裝置，其中該檢測(cè)電路產(chǎn)生代表該檢測(cè)到的偏移電壓的第一和第二電壓。
46.如權(quán)利要求44的存儲(chǔ)裝置，其中該接收器電路包括電流反射鏡，其具有驅(qū)動(dòng)側(cè)和被驅(qū)動(dòng)側(cè)，該驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第一個(gè)，該被驅(qū)動(dòng)側(cè)具有輸入端，其接收該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)中的第二個(gè)；及該調(diào)整電路基于該檢測(cè)到的偏移電壓，選擇性地從該驅(qū)動(dòng)側(cè)和該被驅(qū)動(dòng)側(cè)之一吸收更多的電流。
全文摘要
在一個(gè)實(shí)施例中，輸入電路包括接收器電路，其基于差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)而產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)。檢測(cè)電路檢測(cè)在該差分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)對(duì)之間的偏移電壓，并且調(diào)整電路基于檢測(cè)到的偏移電壓，調(diào)整該接收器的操作，以減小該檢測(cè)到的偏移電壓的幅度。
文檔編號(hào)G11C7/10GK1983440SQ20061017191
公開日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2006年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月9日
發(fā)明者樸文淑, 金圭現(xiàn) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社