專利名稱：非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法以及非易失性存儲(chǔ)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在非易失性存儲(chǔ)裝置中設(shè)置操作信息的技術(shù)，尤其涉及非易失性存儲(chǔ)裝置在上電或復(fù)位時(shí)的初始化操作。
背景技術(shù)：
專利文獻(xiàn)1所揭示的非易失性存儲(chǔ)裝置在上電時(shí)，初始設(shè)置數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)單元陣列的初始設(shè)置數(shù)據(jù)區(qū)域鎖存入數(shù)據(jù)鎖存電路。特別是，如圖11所示，在上電檢測(cè)后，進(jìn)行上電復(fù)位(S110)，并在預(yù)定的等待時(shí)間(S120)之后將R/B(就緒/忙碌)信號(hào)設(shè)為忙碌狀態(tài)(S130)。然后，讀取并設(shè)置缺陷地址數(shù)據(jù)、控制電壓值數(shù)據(jù)以及其他初始設(shè)置數(shù)據(jù)(S140至S160)。在完成讀取全部初始設(shè)置數(shù)據(jù)后，將R/B(就緒/忙碌)信號(hào)設(shè)為就緒狀態(tài)(standby狀態(tài))(S170)。外部設(shè)備可通過R/B信號(hào)的忙碌狀態(tài)獲知該非易失性存儲(chǔ)裝置禁止訪問。
對(duì)包括從上電檢測(cè)到將初始設(shè)置數(shù)據(jù)鎖存入數(shù)據(jù)鎖存電路的初始設(shè)置操作是在控制電路中進(jìn)行編程的，該控制電路預(yù)先控制寫操作以及擦除操作，以便響應(yīng)上電而自動(dòng)控制初始設(shè)置操作。控制電路啟動(dòng)后，以與讀取常規(guī)數(shù)據(jù)相同的方式從解碼電路和傳感放大電路中讀取初始設(shè)置數(shù)據(jù)。
此外，專利文獻(xiàn)2也揭示了類似專利文獻(xiàn)1的方法。在專利文獻(xiàn)1之外，專利文獻(xiàn)2還假定初始設(shè)置數(shù)據(jù)的讀取基于一個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘，該內(nèi)部時(shí)鐘產(chǎn)生于芯片內(nèi)部。如果沒有通過修整數(shù)據(jù)來校準(zhǔn)內(nèi)部時(shí)鐘以取消過程變量，那么變量在整個(gè)周期中會(huì)變大。如果周期朝著長(zhǎng)周期的方向變化，等待時(shí)間就會(huì)延長(zhǎng)。針對(duì)此問題，在上電后首先從初始設(shè)置數(shù)據(jù)中讀取時(shí)鐘周期校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，接著利用該時(shí)鐘周期校準(zhǔn)數(shù)據(jù)校準(zhǔn)時(shí)鐘產(chǎn)生電路所產(chǎn)生的時(shí)鐘周期。完成上述校準(zhǔn)之后，再讀取剩余的初始設(shè)置數(shù)據(jù)。也就是說，在專利文獻(xiàn)2中，剩余的初始設(shè)置數(shù)據(jù)是以操作時(shí)鐘為基礎(chǔ)讀取的，而該操作時(shí)鐘的校準(zhǔn)是以時(shí)鐘周期校準(zhǔn)數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)的。在專利文獻(xiàn)1以及專利文獻(xiàn)2中，在讀取并設(shè)置缺陷地址數(shù)據(jù)S6、控制電壓值數(shù)據(jù)S7以及其他初始設(shè)置數(shù)據(jù)S8之前，外部設(shè)備通過R/B信號(hào)的忙碌狀態(tài)獲知該非易失性存儲(chǔ)裝置禁止訪問。
相關(guān)的背景技術(shù)還有專利文獻(xiàn)3。
專利文獻(xiàn)1日本特開2001-176290(第 、 節(jié))專利文獻(xiàn)2日本特開2003-178589(第 、 節(jié))專利文獻(xiàn)3日本特開昭S60-205428發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問題在專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2中，電源開啟后即輸出禁止外部訪問的忙碌狀態(tài)的R/B信號(hào)直到所有的初始設(shè)置數(shù)據(jù)鎖存入數(shù)據(jù)鎖存電路，以防止在完成初始設(shè)置前進(jìn)行錯(cuò)誤的外部訪問。
但是，非易失性存儲(chǔ)裝置的初始設(shè)置數(shù)據(jù)包括例如各種操作中的電路常數(shù)設(shè)置信息、替換缺陷存儲(chǔ)單元的冗余地址的設(shè)置信息、以及寫保護(hù)功能的設(shè)置信息，例如關(guān)于是否允許對(duì)以扇區(qū)表示的給定存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行寫操作信息。這些信息量隨著非易失性存儲(chǔ)裝置的容量的增大而增大。這意味著增加了上電時(shí)從初始設(shè)置數(shù)據(jù)區(qū)域讀取初始設(shè)置數(shù)據(jù)并鎖存入數(shù)據(jù)鎖存電路所需的時(shí)間。此外，在存儲(chǔ)不斷增加的初始設(shè)置數(shù)據(jù)時(shí)，可將存儲(chǔ)常規(guī)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)區(qū)域分配為一個(gè)初始設(shè)置數(shù)據(jù)區(qū)。
在從存儲(chǔ)單元陣列的初始設(shè)置數(shù)據(jù)區(qū)域讀取初始設(shè)置數(shù)據(jù)的時(shí)候不能進(jìn)行常規(guī)的訪問操作，而且這種忙碌狀態(tài)會(huì)隨著初始設(shè)置數(shù)據(jù)的增加而保持一段較長(zhǎng)時(shí)間，從而導(dǎo)致上電時(shí)初始設(shè)置可能需要較長(zhǎng)時(shí)間。
特別是如果一個(gè)系統(tǒng)中包含有該非易失性存儲(chǔ)裝置并在該非易失性存儲(chǔ)裝置存儲(chǔ)有啟動(dòng)系統(tǒng)的引導(dǎo)程序或應(yīng)用程序時(shí)，可能導(dǎo)致從上電到引導(dǎo)程序或應(yīng)用程序啟動(dòng)需要很長(zhǎng)的時(shí)間。
解決問題的手段本發(fā)明用于解決上述背景技術(shù)中的至少一個(gè)問題，因此，本發(fā)明的目的之一是通過適當(dāng)控制初始化操作和外部訪問操作，并通過有效讀取該非易失性存儲(chǔ)裝置在上電或復(fù)位時(shí)所進(jìn)行的初始化操作的操作信息，而能夠在初始化操作開始后的短時(shí)間內(nèi)對(duì)該非易失性存儲(chǔ)裝置進(jìn)行讀訪問操作。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法的特征在于如果在初始化操作期間從存儲(chǔ)單元陣列讀出操作信息來設(shè)定時(shí)，將操作信息中的讀操作優(yōu)先設(shè)定。
在本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法中，有關(guān)該非易失性存儲(chǔ)裝置的各種操作條件的操作信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)單元陣列中，并在初始化操作期間自該存儲(chǔ)單元陣列讀取這些操作條件。因此，將各種操作信息中的讀操作信息設(shè)定成優(yōu)先讀取。
由于設(shè)定成優(yōu)先讀取讀操作信息，因此在該非易失性存儲(chǔ)裝置中優(yōu)先設(shè)置讀取條件，并設(shè)置使讀訪問操作可以在初始化操作的初始階段執(zhí)行的操作條件。這樣，即使操作信息量隨著非易失性存儲(chǔ)裝置的容量的增加而增加，甚至當(dāng)操作信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)常規(guī)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)區(qū)域時(shí)，在初始化操作的初始階段仍可對(duì)該非易失性存儲(chǔ)裝置進(jìn)行讀訪問操作，而不必等到讀完所有的操作信息。在能夠進(jìn)行讀訪問操作后，可與讀取操作信息的步驟并行執(zhí)行包括引導(dǎo)程序和應(yīng)用程序在內(nèi)的常規(guī)的數(shù)據(jù)讀取操作。此外，還可從外部啟動(dòng)讀訪問操作，包括初始化操作的初始階段中各程序的啟動(dòng)操作。
此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，非易失性存儲(chǔ)裝置，其中初始化操作期間要設(shè)置的操作信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)單元陣列，該非易失性存儲(chǔ)裝置包括有；存儲(chǔ)有操作信息的第一存儲(chǔ)區(qū)域，以及與第一存儲(chǔ)區(qū)域獨(dú)立進(jìn)行訪問控制的第二存儲(chǔ)區(qū)域。
在本實(shí)施例中，用于設(shè)置該非易失性存儲(chǔ)裝置的各種操作條件的操作信息存儲(chǔ)于所述存儲(chǔ)單元陣列中，操作信息存儲(chǔ)于所述第一存儲(chǔ)區(qū)域，并與第二存儲(chǔ)區(qū)域獨(dú)立進(jìn)行讀訪問控制。
由于第一存儲(chǔ)區(qū)域和第二存儲(chǔ)區(qū)域的訪問控制彼此獨(dú)立進(jìn)行，常規(guī)的讀訪問操作可在第二存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行而操作信息自第一存儲(chǔ)區(qū)域讀取。這樣，即使操作信息量隨著非易失性存儲(chǔ)裝置的容量的增加而增加，甚至當(dāng)操作信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)常規(guī)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)區(qū)域時(shí)，仍可并行執(zhí)行讀訪問該非易失性存儲(chǔ)裝置和讀取初始化操作中的操作信息，而不必等到讀完所有的操作信息?？蓮脑摰诙鎯?chǔ)區(qū)域執(zhí)行包括引導(dǎo)程序和應(yīng)用程序在內(nèi)的常規(guī)的數(shù)據(jù)讀取操作，而從第一存儲(chǔ)區(qū)域執(zhí)行操作信息的讀取操作。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，非易失性存儲(chǔ)裝置包含一個(gè)或多個(gè)讀放大器，用于在讀訪問操作期間自存儲(chǔ)單元陣列讀取信息，其中，在初始化操作期間自操作信息中優(yōu)先讀取的讀操作信息由讀放大器讀取，之后，其他操作信息由驗(yàn)證放大器讀取。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，在初始化操作期間采用用來在常規(guī)重寫訪問操作后驗(yàn)證重寫狀態(tài)的驗(yàn)證放大器讀取操作信息。
由于在初始化操作期間讀取操作信息所使用的驗(yàn)證放大器不同于常規(guī)讀訪問操作中使用的放大器，因此讀訪問操作可與驗(yàn)證放大器讀取操作信息的操作并行進(jìn)行。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例，非易失性存儲(chǔ)裝置，其中在初始化操作期間要設(shè)置的操作信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)單元陣列，該非易失性存儲(chǔ)裝置包含用于控制寫訪問操作的自動(dòng)重寫控制電路；以及讀放大器，用于在讀訪問操作期間從所述存儲(chǔ)單元陣列中讀取信息，其中，該自動(dòng)重寫控制電路同時(shí)執(zhí)行初始化操作期間操作信息的讀控制和讀放大器的激活。
根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例，控制重寫訪問操作的自動(dòng)重寫控制電路在初始化操作期間執(zhí)行操作信息的讀控制，并激活讀放大器。讀放大器自存儲(chǔ)單元陣列中讀取操作信息。
因此，如果在初始化操作中使用自動(dòng)重寫控制電路，那么為連續(xù)的讀訪問操作而設(shè)置的大量讀放大器就可以用來讀取操作信息，而不必局限于僅僅使用執(zhí)行重寫狀態(tài)驗(yàn)證的放大器(驗(yàn)證放大器)，而且大量的操作信息可以一次讀取。
發(fā)明效果由于在上電或復(fù)位的初始化操作期間，在讀取操作信息時(shí)，本發(fā)明優(yōu)先讀取讀操作信息，并且分別使用放大器進(jìn)行操作信息的讀取操作和讀訪問操作，因此可恰當(dāng)?shù)乜刂瞥跏蓟僮骱屯獠吭L問操作。此外，本發(fā)明還可有效地執(zhí)行操作信息的讀取操作，并可提早讀訪問該非易失性存儲(chǔ)裝置。


圖1為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)裝置的電路方塊圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例進(jìn)行初始化操作的流程圖；圖3為例示在本發(fā)明第一實(shí)施例的初始化操作時(shí)狀態(tài)信號(hào)的波形圖；圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例中對(duì)讀取信息的傳感放大器進(jìn)行控制的電路方塊圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例進(jìn)行包括初始化操作在內(nèi)的重寫控制操作的流程圖；圖6為圖5中所示的預(yù)編程處理的流程圖；圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例中對(duì)讀取信息的傳感放大器進(jìn)行控制的電路方塊圖；圖8為實(shí)現(xiàn)突發(fā)讀操作的包括位線和讀傳感放大器的電路結(jié)構(gòu)的電路方塊圖；圖9A為圖8所示的電路結(jié)構(gòu)執(zhí)行突發(fā)讀操作時(shí)的操作波形圖；圖9B為圖8所示的電路結(jié)構(gòu)執(zhí)行初始化操作時(shí)的操作波形圖；圖10為與一個(gè)驗(yàn)證放大器連接的參考單元部分的電路結(jié)構(gòu)例示圖；以及圖11為專利文獻(xiàn)1的初始化操作流程圖。
主要組件符號(hào)說明1、2 非冗余存儲(chǔ)區(qū)域3 讀傳感放大器4 驗(yàn)證傳感放大器5A、5B存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域6 操作信息鎖存部7 控制電路8 狀態(tài)輸出部11上電復(fù)位電路12地址寄存器13一致檢測(cè)部
14電壓產(chǎn)生電路15地址緩沖器16命令解碼器17輸出緩沖器18A、18B 行解碼器19A、19B、19R、19W列解碼器21A、21B 存儲(chǔ)塊31定時(shí)電路33參考單元部32O到32E 選擇電路MCP 編程驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元MCER 擦除驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元ERV-WL擦除字線PGMV-WL 編程字線TER、TP 選擇晶體管RefDB 參考數(shù)據(jù)線ERV 擦除驗(yàn)證信號(hào)PGMV 編程驗(yàn)證信號(hào)READ-WL 讀字線RDB 讀數(shù)據(jù)線INI 初始化信號(hào)ST1 狀態(tài)信號(hào)ENO、EVE、EVO 解碼信號(hào)RDBO0到RDBO15、RDBE0到RDBE15 數(shù)據(jù)線DO輸出終端ADD 地址終端ST狀態(tài)終端DQx 數(shù)據(jù)終端CMD 命令終端
具體實(shí)施例方式
下面參照?qǐng)D1至圖10詳細(xì)描述本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法以及非易失性存儲(chǔ)裝置的優(yōu)選實(shí)施方式。
圖1為根據(jù)第一和第二實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的非易失性存儲(chǔ)裝置的電路方塊圖，該第一和第二實(shí)施例將在后面作詳細(xì)描述。如圖1所示的非易失性存儲(chǔ)裝置中，存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A和5B中分別獨(dú)立設(shè)有可訪問(非獨(dú)占)的復(fù)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊(Bank)21A、21B。存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A和5B都由小塊的存儲(chǔ)陣列組成，這些小塊的存儲(chǔ)陣列叫作“大扇區(qū)”或“小扇區(qū)”，其由任意的非易失性存儲(chǔ)單元數(shù)構(gòu)成，是進(jìn)行檫除的最小單位。本例中，大扇區(qū)和小扇區(qū)的區(qū)別之處在于扇區(qū)內(nèi)的存儲(chǔ)元件容量，而且大扇區(qū)中非易失性存儲(chǔ)單元的數(shù)目大于小扇區(qū)中非易失性存儲(chǔ)單元的數(shù)目。此外，還有用于替換缺陷大扇區(qū)或小扇區(qū)的冗余扇區(qū)(未圖示)。另外在各大扇區(qū)、小扇區(qū)和冗余扇區(qū)中分別設(shè)置一列冗余存儲(chǔ)單元，用于執(zhí)行位線單元的冗余替換。另外，存儲(chǔ)塊21A和21B分別設(shè)有非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1和2，且該非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1和2不具有冗余替換結(jié)構(gòu)。該非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1和2分別具有引導(dǎo)扇區(qū)，其可由任意的非易失性存儲(chǔ)單元數(shù)構(gòu)成。一般來說，用于系統(tǒng)啟動(dòng)的引導(dǎo)程序存儲(chǔ)于引導(dǎo)扇區(qū)中；應(yīng)用程序存儲(chǔ)于小扇區(qū)中；而諸如運(yùn)動(dòng)圖像、聲音信息等普通數(shù)據(jù)則存儲(chǔ)于大扇區(qū)中。
要訪問上述存儲(chǔ)區(qū)域，首先要在命令解碼器16中對(duì)經(jīng)由命令終端CMD輸入的命令信號(hào)進(jìn)行解碼，然后將經(jīng)過解碼器16解碼后的命令信號(hào)傳送到控制電路7?？刂齐娐?控制地址寄存器12、電壓產(chǎn)生電路14、讀傳感放大器3、驗(yàn)證傳感放大器4以及操作信息鎖存部6，其中，操作信息鎖存部6是一個(gè)易失性存儲(chǔ)部，可響應(yīng)命令信號(hào)而存儲(chǔ)操作信息。操作信息鎖存部6的電路類型可以是一般的寄存器類型，也可以是反向鎖存類型。本例中，通過電壓產(chǎn)生電路14向行解碼器18A、18B，列解碼器19A、19B以及存儲(chǔ)區(qū)域提供讀/重寫訪問操作所需的偏置電壓。所述讀傳感放大器3連接輸出緩沖器17，以將非易失性存儲(chǔ)區(qū)域的數(shù)據(jù)輸出到輸出終端DO，其中DO是一外部輸入/輸出終端。所述驗(yàn)證傳感放大器4是一個(gè)用于驗(yàn)證的傳感放大器，在重寫非易失性存儲(chǔ)區(qū)域(編程或檫除)時(shí)使用，后面會(huì)作描述，并且該驗(yàn)證傳感放大器4不與外部輸入/輸出終端連接。
另外，地址終端ADD發(fā)出的地址信號(hào)經(jīng)過地址緩沖器15后輸入地址寄存器12，如果必要的話，還要在一致檢測(cè)部13對(duì)此地址信號(hào)作冗余替換判斷。然后，通過行解碼器18A、18B和列解碼器19A、19B選擇存儲(chǔ)區(qū)域中的地址。至于標(biāo)示讀訪問操作的命令信號(hào)，從列解碼器讀取的信息經(jīng)由讀傳感放大器3根據(jù)輸入的地址信號(hào)放大后，通過讀數(shù)據(jù)線RDB經(jīng)由輸出緩沖器17輸出至輸出終端DO。
在非易失性存儲(chǔ)裝置中，執(zhí)行讀訪問操作所需的例如各種電路的操作定時(shí)信息或偏置電壓值的設(shè)置信息等讀操作信息、執(zhí)行冗余替換所需的例如行地址或列地址等冗余信息、以及執(zhí)行重寫訪問操作所需的例如偏置電壓值的設(shè)置信息或?qū)懕Ｗo(hù)信息等重寫操作信息等都預(yù)先存儲(chǔ)于例如存儲(chǔ)區(qū)域的非冗余存儲(chǔ)區(qū)域中。在執(zhí)行上電或復(fù)位的初始化操作時(shí)，需要讀出上述信息并設(shè)置于操作信息鎖存部6中，以便執(zhí)行讀/重寫訪問操作或冗余替換。因此，如果每次都要從存儲(chǔ)區(qū)域讀取所存儲(chǔ)的信息，就有可能在讀操作和常規(guī)訪問操作之間產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)而導(dǎo)致訪問操作延遲或操作異常。
另外，要預(yù)先設(shè)置的操作信息數(shù)目隨著非易失性存儲(chǔ)裝置的容量的增加而增加，除常規(guī)存儲(chǔ)區(qū)域外，如還設(shè)置有專用存儲(chǔ)區(qū)域，則所占用的面積會(huì)進(jìn)一步增加。為解決所述問題，通常會(huì)設(shè)置一控制結(jié)構(gòu)，其中分配常規(guī)存儲(chǔ)區(qū)域的一個(gè)區(qū)域，并在該區(qū)域中預(yù)先存儲(chǔ)操作信息，然后根據(jù)初始化操作將所存儲(chǔ)的操作信息讀出到操作信息鎖存部6。
檢測(cè)上電的上電復(fù)位電路11所發(fā)出的控制信號(hào)和復(fù)位信號(hào)(未圖示)輸入到控制電路7?？刂齐娐?控制讀傳感放大器3和驗(yàn)證傳感放大器4，并讀出存儲(chǔ)于非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1和/或非冗余存儲(chǔ)區(qū)域2的操作信息。另外，控制電路7控制操作信息鎖存部6，操作信息鎖存部6鎖存自傳感放大器3和4讀出的操作信息。另外，控制電路7會(huì)定時(shí)從操作信息鎖存部6讀出各種操作信息(后面會(huì)作描述)，并控制電壓產(chǎn)生電路14和一致檢測(cè)部13。
外部輸入讀/重寫訪問預(yù)定地址的操作命令時(shí)，響應(yīng)該命令信號(hào)的命令解碼器16的命令信號(hào)和地址緩沖器15的地址信號(hào)會(huì)輸入到控制電路7。如果正在執(zhí)行初始化操作，控制電路7會(huì)根據(jù)輸入的命令信號(hào)和地址信號(hào)的類型輸出一個(gè)狀態(tài)信號(hào)，標(biāo)示是否可以執(zhí)行訪問操作。此狀態(tài)信號(hào)經(jīng)由狀態(tài)輸出部8輸出到狀態(tài)終端ST。
本例中，可為狀態(tài)終端ST提供一個(gè)專用終端，或者提供一個(gè)數(shù)據(jù)終端DQx(X可例如為0到2)，后面會(huì)作描述。本例中，數(shù)據(jù)終端DQx可引導(dǎo)至一個(gè)數(shù)據(jù)輸出終端，或者是一個(gè)由外部輸入/輸出終端構(gòu)成的數(shù)據(jù)輸入/輸出終端。圖1中，數(shù)據(jù)終端DQx是輸出終端DO。
操作信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)區(qū)域的一個(gè)區(qū)域內(nèi)，在初始化操作中讀出。此存儲(chǔ)區(qū)域最好位于不執(zhí)行冗余替換的非易失性存儲(chǔ)區(qū)域1和/或2中。操作信息中包括有關(guān)冗余替換的地址信息等冗余信息，并且只有在該冗余信息已經(jīng)鎖存在操作信息鎖存部6之后才能確定要在一致檢測(cè)部13中進(jìn)行冗余替換的存儲(chǔ)單元。因此，在讀操作信息的狀態(tài)下，只有在鎖存冗余信息之后才能訪問允許冗余替換的存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A、5B。
如后面所要描述的，讀取操作信息時(shí)，最好優(yōu)先讀出讀操作信息，以設(shè)置執(zhí)行讀訪問操作的操作條件，從而可以對(duì)非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1和/或2進(jìn)行讀訪問操作，即使此時(shí)讀取其他操作信息的初始化操作仍在執(zhí)行。當(dāng)用于啟動(dòng)系統(tǒng)的引導(dǎo)程序存儲(chǔ)于非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1和/或2時(shí)，對(duì)該存儲(chǔ)區(qū)域的讀訪問操作可與初始化操作并行執(zhí)行，以便讀出該引導(dǎo)程序，這樣就可以啟動(dòng)系統(tǒng)，并且可縮短系統(tǒng)在上電或復(fù)位后的啟動(dòng)時(shí)間。
這種情況下，操作信息和引導(dǎo)程序分別存儲(chǔ)于存儲(chǔ)塊21A、21B的非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1、2中，通過執(zhí)行控制而使操作信息通過驗(yàn)證傳感放大器4讀出，引導(dǎo)程序通過讀傳感放大器3讀出，從而可以并行地執(zhí)行初始化操作和引導(dǎo)程序的讀訪問操作。在圖1的結(jié)構(gòu)中，各存儲(chǔ)塊共用讀傳感放大器3和驗(yàn)證放大器4。但是，本發(fā)明并不僅限于此結(jié)構(gòu)，各存儲(chǔ)塊也可分別具有各自的讀傳感放大器3和驗(yàn)證傳感放大器4。
圖2是第一實(shí)施例的流程圖。下面配合參照?qǐng)D1所示的電路方塊圖說明第一實(shí)施例。在輸入上電或復(fù)位命令后，非易失性存儲(chǔ)裝置開始初始化操作。首先，響應(yīng)命令終端CMD所發(fā)出的命令信號(hào)的訪問請(qǐng)求，控制電路7設(shè)置標(biāo)示忙碌狀態(tài)的狀態(tài)期標(biāo)，禁止訪問操作(S11)，并且，由于初始化操作開始時(shí)尚未完成操作信息的鎖存，因此控制電路7根據(jù)外部的訪問請(qǐng)求經(jīng)由狀態(tài)輸出部8輸出忙碌信號(hào)。
控制電路7啟動(dòng)初始化操作的鎖存控制。在這種情況下，優(yōu)先讀出用于設(shè)置讀條件的讀操作信息(S12)。更具體而言，控制電路7操作地址寄存器12，自該地址寄存器12輸出地址信號(hào)，該地址信號(hào)標(biāo)示存儲(chǔ)有讀操作信息的地址空間的位置。另外，控制電路7激活讀傳感放大器3和/或驗(yàn)證傳感放大器4以讀出信息。
驗(yàn)證傳感放大器4可用來讀出讀操作信息。此外，由于禁止外部的訪問請(qǐng)求，也可使用讀傳感放大器3。一般來說，與用于重寫操作的驗(yàn)證傳感放大器4相比，用于讀訪問操作的讀傳感放大器3可高速執(zhí)行讀操作，并且針對(duì)突發(fā)操作設(shè)置有大量的讀傳感放大器3。因此，在初始化操作中讀出讀操作信息的階段，可以只激活讀傳感放大器3，也可同時(shí)激活讀傳感放大器3和驗(yàn)證傳感放大器4，以便高速讀出操作信息，讀取的速度隨著同時(shí)讀信息的傳感放大器的數(shù)量的增加而提高。
將讀操作信息鎖存入操作信息鎖存部6后(S13:Y)，控制電路7判斷與讀操作相關(guān)的操作條件是否已經(jīng)鎖存入操作信息鎖存部6。然后，控制電路7設(shè)定標(biāo)示就緒狀態(tài)的狀態(tài)期標(biāo)，表示允許對(duì)非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1和2進(jìn)行讀訪問操作(S14)。此后，控制電路7響應(yīng)外部對(duì)非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1和2的讀訪問請(qǐng)求而經(jīng)由狀態(tài)輸出部8輸出就緒信號(hào)。同時(shí)，鎖存的讀操作信息作用于電壓產(chǎn)生電路14而使其為行解碼器18A、18B，列解碼器19A、19B以及存儲(chǔ)塊21A、21B的存儲(chǔ)區(qū)域提供讀操作中的偏置電壓。鎖存的讀操作信息還作用于讀傳感放大器3和驗(yàn)證傳感放大器4，以控制傳感放大器執(zhí)行讀訪問操作和初始化操作中操作信息的讀取。由于尚未完成冗余信息的鎖存，因此響應(yīng)讀訪問存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A、5B的請(qǐng)求而輸出忙碌信號(hào)。同樣，由于尚未完成重寫操作信息的鎖存，響應(yīng)重寫訪問全部存儲(chǔ)區(qū)域的請(qǐng)求而輸出忙碌信號(hào)。
針對(duì)讀訪問請(qǐng)求而輸出就緒信號(hào)后，可對(duì)非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1和2進(jìn)行讀訪問操作。由于可以并行地操作不同的存儲(chǔ)塊，引導(dǎo)程序的讀取可以與操作信息的讀取并行進(jìn)行。把從初始化操作開始直到可以讀訪問非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1和2的初始化操作歸類為步驟I。
鎖存讀操作信息后，接著讀出與冗余替換相關(guān)的冗余信息(S15)。更具體而言，控制電路7操作地址寄存器12，并自此地址寄存器12輸出地址信號(hào)，該地址信號(hào)標(biāo)示儲(chǔ)存有冗余信息的地址空間的位置。此外，控制電路7激活驗(yàn)證傳感放大器4以讀出信息。
驗(yàn)證傳感放大器4可用于讀出冗余信息，這是由于引導(dǎo)程序的讀訪問操作是以前一步驟中鎖存的讀操作信息為基礎(chǔ)而執(zhí)行的，讀傳感放大器3可能正處于忙碌狀態(tài)。引導(dǎo)程序由讀傳感放大器3讀出后通過讀數(shù)據(jù)線RDB和輸出緩沖器17輸出到輸出終端DO，而冗余信息由驗(yàn)證傳感放大器4讀出后鎖存在操作信息鎖存部6。非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化操作和自非易失性存儲(chǔ)裝置讀取引導(dǎo)程序而進(jìn)行的啟動(dòng)操作可并行進(jìn)行。此外，在各個(gè)存儲(chǔ)塊都分別具有讀傳感放大器3和驗(yàn)證傳感放大器4的情況下，如果執(zhí)行引導(dǎo)程序的讀訪問操作的存儲(chǔ)塊不同于執(zhí)行冗余信息的讀取操作的另一存儲(chǔ)塊，那么在使用讀傳感放大器3讀出引導(dǎo)程序的同時(shí)，可以使用讀傳感放大器3、驗(yàn)證傳感放大器4或者兩者來讀出冗余信息。
在將冗余信息鎖存入操作信息鎖存部6后(S16:Y)，控制電路7判斷要進(jìn)行冗余替換的存儲(chǔ)單元的地址信息是否已經(jīng)鎖存入此操作信息鎖存部6。一致檢測(cè)部13參照操作信息鎖存部6輸出的冗余信息來確定地址寄存器12輸出的地址信號(hào)是否是需要冗余替換的地址，冗余替換是在存儲(chǔ)塊的21A、21B的存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A和5B中執(zhí)行的?？刂齐娐?設(shè)置標(biāo)示就緒狀態(tài)的狀態(tài)期標(biāo)(S17)，表示除非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1、2外，可以對(duì)存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A、5B進(jìn)行讀訪問操作，然后根據(jù)外部對(duì)存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A、5B的讀訪問請(qǐng)求通過狀態(tài)輸出部8輸出就緒信號(hào)。由于尚未完成有關(guān)重寫訪問請(qǐng)求的重寫操作信息的鎖存，針對(duì)全部存儲(chǔ)區(qū)域的重寫訪問請(qǐng)求輸出忙碌信號(hào)。
在步驟I中許可了對(duì)非易失性存儲(chǔ)區(qū)域1、2的讀訪問操作后，這兒又許可了對(duì)存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A、5B的讀訪問操作。由于可對(duì)與存儲(chǔ)有操作信息的存儲(chǔ)塊不同的存儲(chǔ)塊作并行操作，延續(xù)自步驟I的引導(dǎo)程序的讀取可與操作信息的讀取并行進(jìn)行。此外，在讀出引導(dǎo)程序后，可接著讀出應(yīng)用程序，也可以不是讀出引導(dǎo)程序而是讀出應(yīng)用程序。把從讀出冗余信息開始直到允許讀訪問存儲(chǔ)單元陣列5A、5B的初始化操作歸類為步驟II。
在鎖存冗余信息后，接著讀出用于設(shè)置重寫條件的重寫操作信息(S18)。更具體而言，控制電路7操作地址寄存器12，并從地址寄存器12輸出地址信號(hào)，該地址信號(hào)標(biāo)示存儲(chǔ)有重寫操作信息的地址空間的位置。此外，控制電路7激活驗(yàn)證傳感放大器4并讀出重寫操作信息。
在讀重寫操作信息過程中可以使用驗(yàn)證傳感放大器4，這是因?yàn)獒槍?duì)非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1、2和存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A、5B進(jìn)行引導(dǎo)程序或應(yīng)用程序的讀訪問操作是以前一步驟中鎖存的讀操作信息和冗余信息為基礎(chǔ)執(zhí)行的，讀傳感放大器3可能正處于忙碌狀態(tài)。引導(dǎo)程序或應(yīng)用程序由讀傳感放大器3讀出后經(jīng)過讀數(shù)據(jù)線RDB和輸出緩沖器17輸出到輸出終端DO，而重寫操作信息由驗(yàn)證傳感放大器4讀出后鎖存在操作信息鎖存部6中。非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化操作和自該非易失性存儲(chǔ)裝置讀取程序而進(jìn)行的系統(tǒng)啟動(dòng)操作或應(yīng)用啟動(dòng)操作可并行進(jìn)行。此外，在各個(gè)存儲(chǔ)塊都分別具有讀傳感放大器3和驗(yàn)證傳感放大器4的情況下，如果執(zhí)行引導(dǎo)程序的讀訪問操作的存儲(chǔ)塊不同于執(zhí)行重寫操作信息的讀取操作的另一存儲(chǔ)塊，那么在使用讀傳感放大器3讀出引導(dǎo)程序的同時(shí)，可以使用讀傳感放大器3、驗(yàn)證傳感放大器4或者兩者來讀出重寫操作信息。
在將重寫操作信息鎖存入操作信息鎖存部6后(S19:Y)，控制電路7判斷有關(guān)重寫操作的操作條件是否已經(jīng)鎖存入此操作信息鎖存部6。重寫操作信息從操作信息鎖存部6輸出后進(jìn)入電壓產(chǎn)生電路14，并對(duì)行解碼器18A、18B，列解碼器19A、19B和存儲(chǔ)塊21A、21B的存儲(chǔ)區(qū)域施加一個(gè)重寫操作需要的偏置電壓?？刂齐娐?設(shè)置標(biāo)示就緒狀態(tài)的狀態(tài)期標(biāo)(S20)，表示除非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1、2外，可以對(duì)存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A、5B進(jìn)行重寫訪問操作，然后根據(jù)外部的重寫訪問請(qǐng)求通過狀態(tài)輸出部8輸出就緒信號(hào)。
讀訪問操作已經(jīng)在步驟II中得到許可，這兒又許可了重寫操作，這樣就完成了初始化操作。把從讀出重寫操作信息開始直到許可重寫訪問操作的初始化操作歸類為步驟III。
在圖2所示的流程中，如同時(shí)存在執(zhí)行冗余替換的存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域5A、5B和不執(zhí)行冗余替換的非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1、2，則在初始化操作中優(yōu)先鎖存讀操作信息和讀訪問非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1、2。非易失性存儲(chǔ)裝置也可能沒有非冗余存儲(chǔ)區(qū)域1、2，在這樣的結(jié)構(gòu)中，引導(dǎo)扇區(qū)和大扇區(qū)一樣是冗余的。在這種情況下，最好優(yōu)先鎖存冗余信息和讀操作信息。在鎖存完上述操作信息后，可對(duì)所有存儲(chǔ)區(qū)域執(zhí)行讀訪問操作。
圖3是針對(duì)外部訪問請(qǐng)求輸出狀態(tài)信號(hào)的示例。當(dāng)/WE信號(hào)、/CE信號(hào)和/OE信號(hào)中至少一個(gè)變?yōu)榈碗娖讲⒓せ顣r(shí)，由專門的狀態(tài)終端輸出就緒信號(hào)RDY，另外，當(dāng)有外部訪問請(qǐng)求時(shí)還輸入地址信號(hào)。如果根據(jù)第2圖的步驟I到III的初始化步驟已經(jīng)允許訪問操作，就緒信號(hào)RDY會(huì)轉(zhuǎn)為高電平，表示就緒狀態(tài)。相反，如果不允許進(jìn)行訪問操作，就緒信號(hào)RDY則轉(zhuǎn)為低電平，表示忙碌狀態(tài)。
圖3所示的結(jié)構(gòu)中，除就緒信號(hào)RDY，還通過使用數(shù)據(jù)終端DQx(x＝0到2)表示輸入的訪問請(qǐng)求是否被允許，其中數(shù)據(jù)終端DQx(x＝0到2)分別對(duì)應(yīng)步驟I至III的初始化操作階段。如果伴隨重復(fù)操作的/WE信號(hào)、/CE信號(hào)和/OE信號(hào)輸出翻轉(zhuǎn)信號(hào)作為數(shù)據(jù)信號(hào)DQx時(shí)，則表示忙碌狀態(tài)。也就是說，如初始化操作狀態(tài)處于步驟I，輸出翻轉(zhuǎn)信號(hào)(4個(gè)周期)作為數(shù)據(jù)信號(hào)DQ0。同樣，如初始化狀態(tài)處于步驟II，輸出翻轉(zhuǎn)信號(hào)(4個(gè)周期)作為數(shù)據(jù)信號(hào)DQ1，如初始化狀態(tài)處于步驟III，輸出翻轉(zhuǎn)信號(hào)(4個(gè)周期)作為數(shù)據(jù)信號(hào)DQ2。此外，如上述各步驟中的操作信息已完成鎖存，例如步驟I的鎖存操作完成時(shí)，則輸出有效數(shù)據(jù)信號(hào)DQ0。同樣當(dāng)步驟II的鎖存操作完成時(shí)，則輸出有效數(shù)據(jù)信號(hào)DQ1，當(dāng)步驟III的鎖存操作完成時(shí)，輸出有效數(shù)據(jù)信號(hào)DQ2。另外，還可通過數(shù)據(jù)信號(hào)DQ0到DQ2(4個(gè)周期)而不是翻轉(zhuǎn)信號(hào)的組合來識(shí)別初始化操作所處的階段。
如外部發(fā)出訪問請(qǐng)求，則把依據(jù)所輸入的地址信號(hào)標(biāo)示是否允許該訪問操作的狀態(tài)信號(hào)作為就緒信號(hào)RDY。因此，確認(rèn)就緒信號(hào)RDY的邏輯電平后即可判斷是否允許各訪問請(qǐng)求。此外，除就緒信號(hào)RDY外，還可將數(shù)據(jù)信號(hào)DQ0到DQ2作為狀態(tài)信號(hào)，標(biāo)示初始化操作的各階段。當(dāng)外部有訪問請(qǐng)求時(shí)，通過上述結(jié)構(gòu)可識(shí)別初始化操作所處的階段，允許訪問請(qǐng)求的訪問類型和地址可根據(jù)識(shí)別出的階段而確定。
圖4是對(duì)讀取信息的傳感放大器進(jìn)行控制的電路結(jié)構(gòu)，在圖2的初始化操作中，從存儲(chǔ)區(qū)域讀取操作信息時(shí)，根據(jù)初始化操作的階段選擇適合的傳感放大器，有效率地讀取初使化操作所需的操作信息和引導(dǎo)程序或應(yīng)用程序。圖4中提供32位寬的位線BL，信息由32位的讀數(shù)據(jù)線RDB讀取，并執(zhí)行16位寬的重寫操作。本例中，讀操作中的讀位線RDB是32位寬，是16位寬的重寫操作的兩倍，這是因?yàn)檫B續(xù)的讀操作是高速執(zhí)行的，也就是采用了交替讀出16位寬的位線BL的突發(fā)操作。
各位線BL通過讀列解碼器19R連接讀傳感放大器3，并且選擇兩位線BL中的任意一個(gè)，使其通過驗(yàn)證列解碼器19W連接到驗(yàn)證傳感放大器4。讀傳感放大器3通過讀數(shù)據(jù)線RDB連接輸出緩沖器17和操作信息鎖存部6。驗(yàn)證傳感放大器4連接操作信息鎖存部6。
在各讀列解碼器19R中，將存儲(chǔ)塊地址ADD_BNK以及一個(gè)奇數(shù)低級(jí)數(shù)地址ADDO或者一個(gè)偶數(shù)低級(jí)數(shù)地址ADDE輸出到與非門，并由反向門反向。接著，將存儲(chǔ)塊地址ADD_BNK與奇數(shù)低級(jí)數(shù)地址ADD0或偶數(shù)低級(jí)數(shù)地址ADDE的邏輯“與”操作的結(jié)果和標(biāo)示初始化操作處于步驟I的步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1進(jìn)行邏輯“或”操作，該“或”操作通過或非門和反向門實(shí)現(xiàn)，從而輸出解碼信號(hào)ENO、ENE。根據(jù)奇數(shù)低級(jí)數(shù)地址ADD0的解碼信號(hào)ENO輸入到半個(gè)讀列解碼器19R。根據(jù)偶數(shù)低級(jí)數(shù)地址ADDE的解碼信號(hào)ENE輸入到另外半個(gè)讀列解碼器19R。
在允許常規(guī)訪問操作或處于初始化狀態(tài)步驟II后的狀態(tài)時(shí)，步驟I的狀態(tài)信號(hào)ST1為低電平，此時(shí)通過存儲(chǔ)塊地址ADD_BNK和低級(jí)數(shù)地址ADDO或ADDE的“與”操作結(jié)果執(zhí)行解碼。也就是說，當(dāng)奇數(shù)的低級(jí)數(shù)地址ADDO輸入到所選的存儲(chǔ)塊時(shí)，解碼信號(hào)ENO變?yōu)楦唠娖?，相?yīng)選擇半個(gè)讀列解碼器19R。當(dāng)偶數(shù)的低級(jí)數(shù)地址ADDE輸入到所選的存儲(chǔ)塊時(shí)，解碼信號(hào)ENE變?yōu)楦唠娖?，相?yīng)選擇另外半個(gè)讀列解碼器19R。在初始化操作的步驟I中，步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1為高電平，此時(shí)，不論奇數(shù)或偶數(shù)的低級(jí)數(shù)地址，解碼信號(hào)ENO和ENE都為高電平。該讀列解碼器19R輸出的32位位線BL連接讀傳感放大器3。
在讀傳感放大器3中，如果指示重寫時(shí)重寫狀態(tài)驗(yàn)證的驗(yàn)證信號(hào)ENV和步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1都為高電平，或者地址轉(zhuǎn)換信號(hào)ATD為高電平，則開啟定時(shí)電路31。定時(shí)電路31在給定的時(shí)間激活讀傳感放大器3。根據(jù)處于允許常規(guī)訪問操作狀態(tài)的步驟II后的狀態(tài)或者初始化操作的狀態(tài)中的地址轉(zhuǎn)換信號(hào)ATD的輸出執(zhí)行定時(shí)激活。地址轉(zhuǎn)換信號(hào)ATD根據(jù)輸入的地址產(chǎn)生，且讀傳感放大器3根據(jù)地址的輸入而激活以讀出信息。
本例中，用來控制初始化操作中操作信息的讀操作的控制電路7包括一個(gè)自動(dòng)重寫控制電路，用來控制重寫操作程序，后面會(huì)作描述。操作信息的讀取是通過使用自動(dòng)寫控制電路中驗(yàn)證重寫狀態(tài)的程序而執(zhí)行的。驗(yàn)證信號(hào)ENV從自動(dòng)重寫控制電路輸出。如果初始化操作時(shí)輸出驗(yàn)證信號(hào)ENV并讀出操作信息，步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1變?yōu)楦唠娖剑⑶胰绻翘幱诓襟EI的狀態(tài)，讀傳感放大器3被激活，從讀傳感放大器3中讀出操作信息。
在驗(yàn)證列解碼器19W中，將步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1和由反向門對(duì)任一奇數(shù)低級(jí)數(shù)地址信號(hào)ADDO或偶數(shù)低級(jí)數(shù)地址信號(hào)ADDE反向后得到的反向信號(hào)輸入到或非門，并進(jìn)行解碼。
在允許常規(guī)訪問操作時(shí)，或者處于初始化操作狀態(tài)中步驟II后的狀態(tài)時(shí)，步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1處于低電平。當(dāng)任意一個(gè)奇數(shù)低級(jí)數(shù)地址信號(hào)ADDO或偶數(shù)低級(jí)數(shù)地址信號(hào)ADDE被選擇并變?yōu)楦唠娖胶?，?gòu)成驗(yàn)證列解碼器19W的兩個(gè)晶體管之一即被選擇，并且32位寬的位線BL中的一半連接到驗(yàn)證傳感放大器4。在初始化操作的步驟I狀態(tài)下，步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1為高電平。在此狀態(tài)中，不論奇數(shù)或偶數(shù)的低級(jí)數(shù)地址，構(gòu)成驗(yàn)證列解碼器19W的兩個(gè)晶體管都不被選擇。
步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1，以及重寫狀態(tài)操作中表示重寫狀態(tài)識(shí)別(驗(yàn)證)的驗(yàn)證信號(hào)ENV透過輸入到與非門的反向門反向后的反向信號(hào)來控制，并且驗(yàn)證傳感放大器4由經(jīng)過反向門反向后的反向信號(hào)控制。驗(yàn)證傳感放大器4根據(jù)步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1和驗(yàn)證信號(hào)ENV的邏輯“與”操作結(jié)果而進(jìn)行激活控制。在初始化操作的步驟I的狀態(tài)中，步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1處于高電平。
在步驟II后允許常規(guī)訪問操作的狀態(tài)或初始狀態(tài)中，步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1處于低電平，在這種情況下，驗(yàn)證傳感放大器4通過高電平的驗(yàn)證信號(hào)ENV而得到激活。除根據(jù)重寫訪問操作驗(yàn)證重寫狀態(tài)的情況之外，在初始化操作的步驟II后由讀傳感放大器3讀出引導(dǎo)程序或應(yīng)用程序的情況下，操作信息可由驗(yàn)證傳感放大器4讀出。在初始化操作中的步驟I狀態(tài)中，步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1處于高電平。在這種情況下，不論驗(yàn)證信號(hào)ENV如何，驗(yàn)證傳感放大器4都處于非激活狀態(tài)。
在初始化操作的步驟I中，在讀取用于設(shè)置讀條件的讀操作信息時(shí)，由于諸如引導(dǎo)程序等各種程序或數(shù)據(jù)尚未讀出，因此可通過高速操作的讀傳感放大器3讀取讀操作信息，以便增加同時(shí)讀取程序或數(shù)據(jù)的傳感放大器的數(shù)目進(jìn)而高速讀取讀操作信息。在設(shè)定讀條件之后的初始化操作步驟II中，操作信息由驗(yàn)證傳感放大器4讀取，這樣就可由讀傳感放大器3讀取引導(dǎo)程序，并并行執(zhí)行初始化操作和引導(dǎo)程序等的讀操作。除并行讀取操作信息和引導(dǎo)程序之外，還可高速讀出讀操作信息，而且還可進(jìn)一步縮短讀訪問引導(dǎo)程序等外部訪問操作開始前的時(shí)間。
此外，在各個(gè)存儲(chǔ)塊都分別設(shè)置有讀傳感放大器3和驗(yàn)證傳感放大器4的情況下，如果進(jìn)行引導(dǎo)程序的讀訪問操作的存儲(chǔ)塊不同于進(jìn)行冗余信息的讀取操作的另一存儲(chǔ)塊，那么即使在已設(shè)定讀條件之后的初始化操作步驟II后，在同步驟I一樣使用讀傳感放大器3進(jìn)行引導(dǎo)程序的讀訪問操作的同時(shí)，讀傳感放大器3和驗(yàn)證傳感放大器4中的任意一個(gè)都可用來讀出操作信息。在這種情況下，操作信息在控制電路7的自動(dòng)重寫控制電路控制下讀出。根據(jù)自動(dòng)重寫控制電路的控制，可選擇由讀傳感放大器3讀出操作信息，或者由驗(yàn)證放大器4讀出操作信息，或者由這兩者一起讀出操作信息。
圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例的流程圖，此流程由控制電路7(圖1)的自動(dòng)重寫控制電路(未圖示)控制。圖5顯示了重寫操作中的檫除操作的處理流程。當(dāng)自動(dòng)重寫控制電路啟動(dòng)時(shí)，即判斷啟動(dòng)是否基于初始化操作(S21)，如啟動(dòng)不是基于初始化操作而是基于常規(guī)重寫操作(S21:F)，則執(zhí)行檫除超時(shí)步驟(S22)。在檫除超時(shí)步驟過程中，輸入例如要檫除的扇區(qū)的地址信號(hào)。在初始化操作的情況下，由于不必要執(zhí)行檫除超時(shí)步驟，因此省略步驟S22(S21:T)。
接著，判斷是否有必要進(jìn)行預(yù)編程(S23)，如果判斷預(yù)編程處理(S24)為不必要(S23:T)，則進(jìn)一步判斷該過程是否是初始化操作(S26)，如果此過程是初始化操作(S26:T)，則結(jié)束自動(dòng)重寫控制電路處理，相反，如果此過程不是初始化操作，則執(zhí)行常規(guī)的檫除操作。執(zhí)行檫除驗(yàn)證(S27)，如有必要(S27:F)，重復(fù)執(zhí)行檫除操作(S28)，APDE(自動(dòng)編程干擾擦除)驗(yàn)證操作(S29)和APDE操作(S30)。接著，執(zhí)行軟程序驗(yàn)證(S31)和軟程序操作(S32)以完成擦除操作。預(yù)編程用于擦除前對(duì)進(jìn)入擦除狀態(tài)的非易失性存儲(chǔ)單元編程，以避免非易失性存儲(chǔ)單元的過擦除。此外，APDE和軟程序用于在擦除后改善非易失性存儲(chǔ)單元的閾值特性的分布寬度。
如果擦除訪問操作中有擦除狀態(tài)的存儲(chǔ)單元，或者此過程是初始化操作(S23:F)，流程由預(yù)編程驗(yàn)證(S23)轉(zhuǎn)到預(yù)編程處理(S24)。
圖6顯示預(yù)編程(S24)的流程步驟。流程中，首先判斷過程是否是初始化操作(S41)。當(dāng)過程是初始化操作(S41:T)時(shí)，設(shè)定存儲(chǔ)操作信息的區(qū)域的初始地址(S42)，若不是(S41:F)，設(shè)定要擦除的初始地址(S43)。接著，執(zhí)行讀操作(S44)。然后，當(dāng)過程為初始化操作(45:T)時(shí)，將讀出的操作信息轉(zhuǎn)移到操作信息鎖存部6(S46)。接著，判斷所讀信息是否是最后地址的信息(S49)，如果不是(S49:F)，更新地址(S50)，過程轉(zhuǎn)回步驟S44。從讀操作(S44)開始重復(fù)轉(zhuǎn)移操作(S46)后，當(dāng)讀地址完成時(shí)結(jié)束預(yù)編程程序(S49:T)。
當(dāng)在S45中判斷操作不是初始化操作時(shí)(S45:F)，執(zhí)行驗(yàn)證操作(S47)。當(dāng)通過驗(yàn)證操作判斷出所讀信息不在編程狀態(tài)(S47:F)時(shí)，執(zhí)行預(yù)編程操作(S48)，流程返回S44。然后，從讀操作(S44)開始再次執(zhí)行驗(yàn)證操作(S47)。當(dāng)通過驗(yàn)證操作判斷出讀操作在編程狀態(tài)中時(shí)(S47:F)，進(jìn)一步判斷所讀信息是否是最后地址的信息(S49)。當(dāng)讀信息不在最后地址時(shí)(S49:F)，更新地址(S50)，流程返回步驟S44。然后，從讀操作(S44)開始執(zhí)行驗(yàn)證操作(S47)，當(dāng)讀地址完成時(shí)預(yù)編程程序結(jié)束(S49:T)。
因此，在控制電路7的自動(dòng)重寫控制電路的預(yù)編程操作(S24)中，可使用用于驗(yàn)證預(yù)編程狀態(tài)的讀操作(S44)來讀出初始化操作時(shí)的操作信息。
在這種情況下，當(dāng)讀操作(S44)是常規(guī)驗(yàn)證操作時(shí)，使用驗(yàn)證傳感放大器4。但是也可通過圖7顯示的采用讀傳感放大器3而不是驗(yàn)證傳感放大器4的電路結(jié)構(gòu)，從而同時(shí)讀出大量信息。
圖7所示的電路結(jié)構(gòu)中輸入標(biāo)示初始化操作的初始化信號(hào)INI，而不是圖4中所示的步驟I狀態(tài)信號(hào)ST1。在本例中，初始化信號(hào)INI是上電復(fù)位電路11根據(jù)上電狀態(tài)而輸出的信號(hào)，或者是根據(jù)該信號(hào)而產(chǎn)生的信號(hào)，或者是根據(jù)未圖示的復(fù)位信號(hào)產(chǎn)生的信號(hào)。在初始化操作時(shí)信號(hào)為高電平，此時(shí)讀列解碼器19R被選擇，從而激活讀傳感放大器3，而驗(yàn)證列解碼器19W不被選擇，驗(yàn)證傳感放大器4也不被激活，。
因此，可通過讀傳感放大器3執(zhí)行預(yù)編程驗(yàn)證(S24)時(shí)的讀操作(S44)。在包括擦除訪問操作的重寫訪問操作中，由于與讀訪問操作相比需要大的電流，因此與讀訪問操作相比重寫訪問操作中的位寬進(jìn)一步減少，如圖7所示。如果讀訪問操作允許突發(fā)操作從而進(jìn)行高速連續(xù)性的操作，則可以在讀訪問時(shí)由數(shù)據(jù)寬度同時(shí)激活大量的讀傳感放大器3。此外，在自動(dòng)重寫控制電路中使用部分操作序列的同時(shí)可以讀出比重寫訪問操作更大量的操作信息，并可縮短初始化操作開始后直到外部訪問操作例如讀訪問引導(dǎo)程序開始的時(shí)間，以減少初始化操作時(shí)間。
在圖7所示的電路方塊圖中，在控制電路7的自動(dòng)重寫控制電路驗(yàn)證時(shí)，根據(jù)初始化信號(hào)INI在讀操作(S44)步驟中通過讀傳感放大器3而不是驗(yàn)證傳感放大器4來讀取初始化操作中的操作信息。但是，第二實(shí)施例并不限于上述方法，例如可固定地將低電平信號(hào)而不是初始化信號(hào)INI輸入到控制驗(yàn)證列解碼器19W和驗(yàn)證傳感放大器4的邏輯電路。因此，除讀傳感放大器3外，驗(yàn)證傳感放大器4也可在重寫狀態(tài)驗(yàn)證時(shí)的讀操作(S44)步驟中讀出操作信息，從而進(jìn)一步加寬可同時(shí)讀出的位寬。
第二實(shí)施例中采用了預(yù)編程驗(yàn)證。但是，本發(fā)明不限于本實(shí)施例，例如，還可以使用擦除驗(yàn)證，APDE程序驗(yàn)證，或者軟程序驗(yàn)證。在這種情況下，由于理想的閾值電壓在各個(gè)驗(yàn)證中是不同的，用于只讀出初始化操作時(shí)的操作信息的參考單元可用來作為驗(yàn)證傳感放大器4的參考閾值。
下面參照將其參照電路方塊8和操作波形示意9描述采用突發(fā)讀操作進(jìn)行讀訪問操作的電路結(jié)構(gòu)，其擴(kuò)大了在初始化操作時(shí)同時(shí)讀出的操作信息的位寬。
在圖8中，存儲(chǔ)單元陣列區(qū)域中的位線BLO0到BLO15以及位線BLE0到BLE15分別具有讀列解碼器19R和讀傳感放大器3。讀列解碼器19R根據(jù)奇數(shù)和偶數(shù)位置的解碼信號(hào)ENO和ENE選擇，并且連接各讀傳感放大器3。各讀傳感放大器3通過奇數(shù)偶數(shù)位置的數(shù)據(jù)線RDBO0到RDBO15以及RDBE0到RDBE15分別連接選擇電路32O到32E。根據(jù)初始化信號(hào)INI的反向信號(hào)和解碼信號(hào)ENE的邏輯“與”操作結(jié)果，以及初始化信號(hào)INI的反向信號(hào)和解碼信號(hào)ENO的邏輯“與”操作結(jié)果，來選擇電路32O和32E，以將數(shù)據(jù)線RDBO0至RDBO15，或者數(shù)據(jù)線RDBE0到RDBE15連接到讀數(shù)據(jù)線RDB。此外，各數(shù)據(jù)線RDBO0到RDB015和RDBE0到RDBE15連接操作信息鎖存部6。
圖1中，操作信息鎖存部6和輸出緩沖器17由讀傳感放大器3通過讀數(shù)據(jù)線RDB彼此連接。而在圖8中，為實(shí)現(xiàn)突發(fā)操作，操作信息鎖存部6由讀傳感放大器3通過選擇電路32O和32E連接輸出緩沖器17。
如圖9A所示，在讀訪問操作中，通過順序增加地址信號(hào)ADD而在奇數(shù)和偶數(shù)地址之間交替切換，從而交替激活解碼信號(hào)ENO和ENE。根據(jù)解碼信號(hào)EN0在奇數(shù)位置的讀列解碼器19R被選擇，并更新由奇數(shù)位置的讀傳感放大器3讀出并輸出到數(shù)據(jù)線RDBOx(X＝0到15)的信息。根據(jù)解碼信號(hào)ENE在偶數(shù)位置的讀列解碼器19R被選擇，并更新由由偶數(shù)位置的讀傳感放大器3讀出并輸出到數(shù)據(jù)線RDBEx(X＝0到15)的信息。也就是說，解碼信號(hào)ENO、ENE是選擇地激活讀傳感放大器3的控制信號(hào)。
在這種情況下，由于初始化信號(hào)INI處于低電平，因此通過解碼信號(hào)EVE和EVO控制選擇電路32O和32E，并使未更新的數(shù)據(jù)線連接數(shù)據(jù)線RDB。也就是說，如果正在更新數(shù)據(jù)線RDBOx(x＝0到15)，根據(jù)解碼信號(hào)ENO，選擇電路32E被選擇，因而數(shù)據(jù)線RDBEx(x＝0到15)被連接到數(shù)據(jù)線RDB。相反，如果正在更新數(shù)據(jù)線RDBEx(x＝0到15)，根據(jù)解碼信號(hào)ENE，選擇電路32O被選擇，因而數(shù)據(jù)線RDBOx(x＝0到15)被連接到數(shù)據(jù)線RDB。因此，奇數(shù)地址的位線和偶數(shù)地址的位線在32位寬的位線BLO0到BLO15和BLE0到BLE15之間交替切換，并通過16位寬的讀數(shù)據(jù)線RDB執(zhí)行突發(fā)操作。
另一方面，在初始化操作中，如圖9B所示，不論地址信號(hào)的奇偶，通過順序增加地址信號(hào)ADD來激活解碼信號(hào)ENO和ENE(全選)。不論奇偶，全部讀列解碼器19R被選擇，并通過全部讀傳感放大器3執(zhí)行讀操作，每個(gè)地址周期都更新輸出到數(shù)據(jù)線RDBOx和RDBEx(x＝0到15)的信息。在本例中，因?yàn)槌跏蓟盘?hào)INI被激活到高電平，選擇電路32O和32E維持在不選狀態(tài)。初始化信號(hào)INI鎖存在操作信息鎖存部6作為未經(jīng)由輸出緩沖器輸出到外部的操作信息。因此就讀出32位寬的操作信息。也就是說，在初始化操作時(shí)，通過讀傳感放大器3的控制信號(hào)的譯碼信號(hào)EN0、ENE，與讀訪問操作中激活的讀傳感放大器3的數(shù)目相比，更數(shù)目的讀傳感放大器被用于執(zhí)行操作信息的讀取控制。
在這種情況下，由于讀傳感放大器3未連接讀數(shù)據(jù)線RDB，從而減少了負(fù)載容量并縮短了地址增加的周期。
如果在自動(dòng)重寫控制電路的控制下讀出操作信息，則對(duì)內(nèi)部產(chǎn)生的內(nèi)部供應(yīng)電壓的控制作如下變化。一般而言，在非易失性存儲(chǔ)裝置中會(huì)同時(shí)產(chǎn)生復(fù)數(shù)種主要用于編程、擦除和驗(yàn)證的內(nèi)部電壓。這是一個(gè)正向遞增的高電壓或負(fù)向遞減的高電壓。例如，對(duì)于前者，在編程時(shí)相對(duì)外部電壓1.8V產(chǎn)生遞增電壓8V。此外，在讀出時(shí)相對(duì)外部電壓1.8V產(chǎn)生遞增電壓4V。此外，對(duì)于后者，相對(duì)外部電壓1.8V產(chǎn)生負(fù)向遞增電壓-8V。為產(chǎn)生各自的內(nèi)部電壓，設(shè)置了專門的電壓遞增電路。這些電壓遞增電路具有由多階電容構(gòu)成的充電泵。由于需要將各自的電壓調(diào)節(jié)到一預(yù)定的電壓值后產(chǎn)生，因此需要一段時(shí)間來把各個(gè)電壓調(diào)節(jié)到預(yù)定電壓。外部電壓和所需的內(nèi)部電壓之間的電壓差越大，產(chǎn)生預(yù)定電壓所需的時(shí)間越長(zhǎng)。在自動(dòng)重寫控制電路中，所有種類的內(nèi)部電壓都設(shè)置為具有充足的電壓值，并且為充分保證最大電壓而設(shè)置一個(gè)時(shí)間段。更詳細(xì)地，相對(duì)于10ns的讀時(shí)間，時(shí)間段為1ms或更長(zhǎng)，并且每次重復(fù)圖5和圖6所示的程序步驟時(shí)，會(huì)增大此時(shí)間段。
在初始化操作中讀出操作信息時(shí)，由于僅僅產(chǎn)生一種讀操作所需的內(nèi)部電壓，因而有可能縮短自動(dòng)重寫控制電路所設(shè)定的時(shí)間段。更具體而言，在讀出時(shí)，施加于字線的內(nèi)部電壓約為4V，充電泵的電容階數(shù)為2到3階，或者使用具有更少階數(shù)的專門的遞增電路，以便縮短讀出引導(dǎo)程序前的時(shí)間段。
因此，在初始化操作中讀取操作信息時(shí)，通過控制讀啟動(dòng)定時(shí)或讀周期小于常規(guī)設(shè)定時(shí)間，可以加速在操作信息鎖存前的時(shí)間段，并縮短讀取引導(dǎo)程序前的時(shí)間段。
在第一和第二實(shí)施例中，在確認(rèn)由驗(yàn)證傳感放大器4讀出的信息的電平后，需要讀取參考單元。圖10例示了一個(gè)參考單元部的結(jié)構(gòu)。
參考單元部33具有用于擦除驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元MCER和用于編程驗(yàn)證的存儲(chǔ)單元MCP。各柵極連接擦除字線ERV-WL和編程字線PGMV-WL，各漏極分別通過選擇晶體管TER和TP連接參考數(shù)據(jù)線RefDB，其中，該選擇晶體管TER和TP分別由擦除驗(yàn)證信號(hào)ERV和編程驗(yàn)證信號(hào)PGMV控制。各源極接地。參考數(shù)據(jù)線RefDB連接驗(yàn)證傳感放大器4以供讀取信息。
在參考部33中，除上述元件外，讀存儲(chǔ)單元MCR的柵極連接讀字線READ-WL，源極接地，漏極通過由讀控制信號(hào)控制的選擇晶體管TR連接參考數(shù)據(jù)線RefDB。在本例中，讀控制信號(hào)是在初始化操作時(shí)讀出操作信息的控制信號(hào)。
通過上述結(jié)構(gòu)，驗(yàn)證傳感放大器4可以連接參考數(shù)據(jù)線RefDB的對(duì)應(yīng)參考單元為基礎(chǔ)，依據(jù)除擦除操作、編程操作以外的讀取操作的各種情況中的擦除字線ERV-WL，編程字線PGMV-WL和讀字線READ-WL以及擦除驗(yàn)證信號(hào)ERV，編程驗(yàn)證信號(hào)RGMV和讀控制信號(hào)的選擇而進(jìn)行讀取操作。
在這種情況下，可將讀存儲(chǔ)單元MCR的電路驅(qū)動(dòng)性能設(shè)置為小于常規(guī)讀訪問操作中的參考單元的電流驅(qū)動(dòng)性能。可依據(jù)要存儲(chǔ)的操作信息的數(shù)目限制存儲(chǔ)單元的數(shù)目。每個(gè)位線所連接的存儲(chǔ)單元的數(shù)目可小于常規(guī)位線所連接的數(shù)目。這樣就減少了由存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)單元引起的各位線的列漏電流，從而通過參考單元限制了允許流過的電流量。
不同于讀存儲(chǔ)單元MCR，讀出操作信息的讀傳感放大器3或驗(yàn)證傳感放大器4的晶體管中的電流驅(qū)動(dòng)性能是可以變化的。也就是說，在讀出操作信息時(shí)，使用編程驗(yàn)證存儲(chǔ)單元MCP時(shí)，連接參考單元的晶體管的電流驅(qū)動(dòng)性能增加，或者是使用擦除驗(yàn)證存儲(chǔ)單元MCER時(shí)，連接參考單元的晶體管的電流驅(qū)動(dòng)性能減少，從而使得傳感放大器執(zhí)行讀操作具有所需的特性。
當(dāng)每個(gè)存儲(chǔ)操作信息的存儲(chǔ)單元都有位線時(shí)，就不存在未被選擇的存儲(chǔ)單元，并可以克服操作信息的讀取操作中的列漏電流問題。
此外，在連接相同位線的存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)相同的操作信息，以此盡可能克服操作信息的讀取操作中的列漏電流的問題。
從上述描述可以看出，本發(fā)明可以在初始化操作的初始階段優(yōu)先讀出并設(shè)置讀操作信息，以便執(zhí)行讀訪問操作。在允許讀訪問操作后，可以與操作信息的讀取設(shè)置并行地執(zhí)行引導(dǎo)程序或應(yīng)用程序的常規(guī)數(shù)據(jù)讀操作。
此外，本實(shí)施例參照高速讀取引導(dǎo)扇區(qū)的例子進(jìn)行說明。同樣，本發(fā)明可應(yīng)用于小扇區(qū)的高速讀取。也就是說，當(dāng)冗余地址的設(shè)置信息沒有應(yīng)用于小扇區(qū)時(shí)，小扇區(qū)也可包括在圖2的步驟I中，可以象讀取引導(dǎo)程序一樣高速讀取應(yīng)用程序，從而提升系統(tǒng)性能。
此外，在復(fù)數(shù)個(gè)存儲(chǔ)塊21A和21B允許獨(dú)立訪問操作的情況下，當(dāng)操作信息存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)塊而引導(dǎo)程序或應(yīng)用程序存儲(chǔ)在另一個(gè)存儲(chǔ)塊時(shí)，在設(shè)置讀操作信息之后可并行執(zhí)行操作信息的讀取和程序的讀取操作。
此外，圖1中的各操作信息可位于獨(dú)立于各存儲(chǔ)塊的區(qū)域中，例如位于周邊電路中，其中具有驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)單元陣列的邏輯電路。
此外，不同于在常規(guī)讀訪問操作中使用的讀傳感放大器3，驗(yàn)證傳感放大器4可在初始化操作時(shí)用來讀取操作信息，并可執(zhí)行并行的讀取。在這種情況下，在讀出讀操作信息的階段中，由于不執(zhí)行常規(guī)讀訪問操作，因而可通過讀傳感放大器3讀出操作信息。一般而言，由于與驗(yàn)證傳感放大器4相比，讀傳感放大器3可執(zhí)行高速讀操作，因此讀傳感放大器3可高速讀取操作信息。
當(dāng)在初始化操作時(shí)讀出操作信息時(shí)，在自動(dòng)重寫控制電路的控制下，在使用驗(yàn)證的讀操作步驟的同時(shí)，通過讀傳感放大器3而不是驗(yàn)證傳感放大器4讀出操作信息。通過使用比驗(yàn)證傳感放大器4的數(shù)量多的讀傳感放大器3實(shí)現(xiàn)高速讀取。
從初始化操作開始直到讀取引導(dǎo)程序或應(yīng)用程序的時(shí)間段得以縮短，從而縮短了包含非易失性存儲(chǔ)裝置的系統(tǒng)啟動(dòng)前的時(shí)間。
本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，可在本發(fā)明主旨范圍內(nèi)進(jìn)行各種改進(jìn)或改變。
例如上述實(shí)施例中曾描述通過使用自動(dòng)重寫控制電路中擦除訪問操作的驗(yàn)證功能而讀出操作信息。但是，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，例如還可使用編程功能等其他讀操作。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其特征在于如果在初始化操作期間，從存儲(chǔ)單元陣列讀出操作信息來設(shè)定時(shí)，將所述操作信息中的讀操作信息優(yōu)先設(shè)定。
2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，在設(shè)定所述讀操作信息之后，并行地執(zhí)行設(shè)定所述讀操作信息之外的其他操作信息的步驟和允許讀訪問不具有冗余結(jié)構(gòu)的非冗余存儲(chǔ)區(qū)域的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，所述非冗余存儲(chǔ)區(qū)域包括引導(dǎo)扇區(qū)，讀取并設(shè)定所述讀操作信息之外的其他操作信息和所述引導(dǎo)扇區(qū)中的讀訪問操作是并行執(zhí)行的。
4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，進(jìn)一步具有在所述讀操作信息設(shè)定后，或在所述讀操作信息設(shè)定的同時(shí)，設(shè)定所述操作信息中的冗余信息的步驟，并且，于所述冗余信息的設(shè)定之后，并行地執(zhí)行讀取并設(shè)定所述讀操作信息和所述冗余信息之外的所述其他操作信息的步驟和允許讀訪問所述存儲(chǔ)單元陣列的步驟。
5.如權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，所述存儲(chǔ)單元陣列包括引導(dǎo)扇區(qū)和/或小扇區(qū)，讀取并設(shè)定所述讀操作信息和所述冗余信息之外的所述其他操作信息，且并行執(zhí)行所述引導(dǎo)扇區(qū)和/或所述小扇區(qū)中的讀訪問操作。
6.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，進(jìn)一步具有在所述讀操作信息設(shè)定后，設(shè)定所述操作信息中的冗余信息的步驟，并且，于所述冗余信息的設(shè)定后，并行地執(zhí)行讀取并設(shè)定所述讀操作信息和冗余信息之外的其他操作信息的步驟和允許讀訪問所述存儲(chǔ)單元陣列的步驟。
7.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，所述存儲(chǔ)單元陣列包括小扇區(qū)，讀取并設(shè)定所述讀操作信息和所述冗余信息之外的所述其他操作信息，且并行執(zhí)行所述小扇區(qū)中的讀訪問操作。
8.如權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，與允許讀訪問所述存儲(chǔ)單元陣列并行執(zhí)行而讀取的所述操作信息是重寫操作信息，并進(jìn)一步包含在設(shè)定所述重寫操作信息之后，允許重寫訪問所述存儲(chǔ)單元陣列的步驟。
9.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，與允許讀訪問所述存儲(chǔ)單元陣列并行執(zhí)行而讀取的所述操作信息是重寫操作信息，并進(jìn)一步包含在設(shè)定所述重寫操作信息之后，允許重寫訪問所述存儲(chǔ)單元陣列的步驟。
10.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，允許所述讀訪問操作的步驟包含判斷隨外部訪問請(qǐng)求同時(shí)輸入的地址是否在可訪問的存儲(chǔ)區(qū)域中的步驟；以及依照所述判斷結(jié)果告知所述讀訪問操作是否允許的步驟。
11.如權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，允許所述讀訪問操作的步驟包含判斷隨外部訪問請(qǐng)求同時(shí)輸入的地址是否在可訪問的存儲(chǔ)區(qū)域中的步驟；以及依照所述判斷結(jié)果告知所述讀訪問操作是否允許的步驟。
12.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，允許所述讀訪問操作的步驟包含判斷隨外部訪問請(qǐng)求同時(shí)輸入的地址是否在可訪問的存儲(chǔ)區(qū)域中的步驟；以及依照所述判斷結(jié)果告知所述讀訪問操作是否允許的步驟。
13.如權(quán)利要求8所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，允許所述讀訪問操作或所述重寫訪問操作的步驟包含判斷隨外部訪問請(qǐng)求同時(shí)輸入的地址是否在可訪問的存儲(chǔ)區(qū)域中的步驟；以及依照所述判斷結(jié)果告知所述讀訪問操作或所述重寫訪問操作是否允許的步驟。
14.如權(quán)利要求9所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，允許所述讀訪問操作或所述重寫訪問操作的步驟包含判斷隨外部訪問請(qǐng)求同時(shí)輸入的地址是否在可訪問的存儲(chǔ)區(qū)域中的步驟；以及依照所述判斷結(jié)果告知所述讀訪問操作或所述重寫訪問操作是否允許的步驟。
15.如權(quán)利要求6所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，所述訪問操作是否允許的告知是依照允許的訪問操作的類別以及成為訪問操作對(duì)象的存儲(chǔ)區(qū)域的類別來識(shí)別并進(jìn)行輸出。
16.如權(quán)利要求8所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，所述訪問操作是否允許的告知是依照允許的訪問操作的類別以及成為訪問操作對(duì)象的存儲(chǔ)區(qū)域的類別來識(shí)別并進(jìn)行輸出。
17.如權(quán)利要求9所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，所述訪問操作是否允許的告知是依照允許的訪問操作的類別以及成為訪問操作對(duì)象的存儲(chǔ)區(qū)域的類別來識(shí)別并進(jìn)行輸出。
18.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，所述操作信息是通過在重寫訪問操作時(shí)進(jìn)行重寫狀態(tài)確認(rèn)的驗(yàn)證放大器來讀取。
19.如權(quán)利要求18所述的非易失性存儲(chǔ)裝置的初始化控制方法，其中，具備有在讀訪問操作時(shí)從所述存儲(chǔ)單元陣列讀取信息的讀放大器，并且，具備有通過所述讀放大器來讀取所述讀操作信息的步驟；以及在所述讀放大器的讀取之后，通過所述驗(yàn)證放大器來讀取所述操作信息中除了所述讀操作信息之外的信息的步驟。
20.一種非易失性存儲(chǔ)裝置，其中初始化操作期間要設(shè)置的操作信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)單元陣列，所述非易失性存儲(chǔ)裝置包含存儲(chǔ)有所述操作信息的第一存儲(chǔ)區(qū)域；與所述第一存儲(chǔ)區(qū)域獨(dú)立而進(jìn)行訪問控制的第二存儲(chǔ)區(qū)域。
21.如權(quán)利要求20所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一存儲(chǔ)區(qū)域至少存儲(chǔ)有冗余信息，所述第二存儲(chǔ)區(qū)域至少包含有未包含冗余結(jié)構(gòu)的非冗余存儲(chǔ)區(qū)域。
22.如權(quán)利要求20所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，對(duì)所述第二存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行訪問操作的處理是與從所述第一存儲(chǔ)區(qū)域讀取所述操作信息的處理并行。
23.如權(quán)利要求20所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一存儲(chǔ)區(qū)域及第二存儲(chǔ)區(qū)域分別具備有在讀訪問操作時(shí)，從所述存儲(chǔ)單元陣列讀取信息的讀放大器；以及在重寫訪問操作時(shí)，進(jìn)行重寫狀態(tài)確認(rèn)的驗(yàn)證放大器。
24.一種非易失性存儲(chǔ)裝置，其中初始化操作期間要設(shè)置的操作信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)單元陣列，所述非易失性存儲(chǔ)裝置包含在重寫訪問操作時(shí)，進(jìn)行重寫狀態(tài)確認(rèn)的驗(yàn)證放大器，所述操作信息是通過所述驗(yàn)證放大器來讀取。
25.如權(quán)利要求24所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，進(jìn)一步具備有在讀訪問操作時(shí)，從所述存儲(chǔ)單元陣列讀取信息的讀放大器，所述操作信息中在初始化操作時(shí)優(yōu)先讀取的讀操作信息是通過所述讀放大器來讀取，在所述讀操作信息后所讀取的所述操作信息是通過所述驗(yàn)證放大器來讀取。
26.一種非易失性存儲(chǔ)裝置，其中初始化操作期間要設(shè)置的操作信息存儲(chǔ)于存儲(chǔ)單元陣列，所述非易失性存儲(chǔ)裝置包含控制重寫訪問操作的自動(dòng)重寫控制電路；以及讀放大器，用于在讀訪問操作期間從所述存儲(chǔ)單元陣列中讀取信息，所述自動(dòng)重寫控制電路在初始化操作期間進(jìn)行所述操作信息的讀控制，并且，進(jìn)行所述讀放大器的激活。
27.如權(quán)利要求26所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述操作信息的讀控制是讀啟動(dòng)定時(shí)或讀周期小于重寫訪問操作時(shí)的驗(yàn)證激活定時(shí)或驗(yàn)證周期的短周期。
28.如權(quán)利要求27所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述短周期化是通過控制所述自動(dòng)重寫控制電路中的內(nèi)部電壓的產(chǎn)生時(shí)間來進(jìn)行。
29.如權(quán)利要求26所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述自動(dòng)重寫控制電路同時(shí)激活的所述讀放大器的數(shù)目大于所述讀訪問操作時(shí)同時(shí)激活的所述讀放大器的數(shù)目。
30.如權(quán)利要求26所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，進(jìn)一步具備有在重寫訪問操作時(shí)進(jìn)行重寫狀態(tài)確認(rèn)的驗(yàn)證放大器，所述自動(dòng)重寫控制電路在初始化操作期間，代替所述讀放大器來進(jìn)行所述驗(yàn)證放大器的激活。
31.如權(quán)利要求24所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述驗(yàn)證放大器具備有在讀取所述操作信息時(shí)，用以提供讀取用的參考電平的參考單元。
32.如權(quán)利要求30所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述驗(yàn)證放大器具備有在讀取所述操作信息時(shí)，用以提供讀取用的參考電平的參考單元。
33.如權(quán)利要求24所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，存儲(chǔ)有所述操作信息的存儲(chǔ)單元通過各存儲(chǔ)單元的各自位線連接到所述驗(yàn)證放大器。
34.如權(quán)利要求26所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，存儲(chǔ)有所述操作信息的存儲(chǔ)單元通過各存儲(chǔ)單元的各自位線連接到所述讀放大器。
35.如權(quán)利要求24所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述操作信息存儲(chǔ)在連接同一位線的各個(gè)存儲(chǔ)單元中。
36.如權(quán)利要求26所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述操作信息存儲(chǔ)在連接同一位線的各個(gè)存儲(chǔ)單元中。
37.如權(quán)利要求24所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述驗(yàn)證放大器響應(yīng)用于在初始化操作期間執(zhí)行編程驗(yàn)證的參考單元的參考電平而增加晶體管的電流驅(qū)動(dòng)力。
38.如權(quán)利要求24所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述驗(yàn)證放大器響應(yīng)用于在初始化操作期間執(zhí)行擦除驗(yàn)證的參考單元的參考電平而降低晶體管的電流驅(qū)動(dòng)力。
全文摘要
初始化操作開始時(shí)，設(shè)置忙碌狀態(tài)標(biāo)示禁止訪問操作(S11)，通過驗(yàn)證傳感放大器4或高速讀傳感放大器3優(yōu)先讀出讀操作信息(S12)。完成讀操作信息的鎖存后(S13Y)，設(shè)置標(biāo)示允許對(duì)非冗余存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行讀訪問操作的就緒狀態(tài)(S14)，并根據(jù)外部對(duì)非冗余存儲(chǔ)區(qū)域的讀訪問請(qǐng)求輸出就緒信號(hào)。在非冗余存儲(chǔ)區(qū)域中的引導(dǎo)程序等的讀取可與操作信息的讀取平行進(jìn)行。接著，讀出冗余信息(S15)，在完成冗余信息的讀取后設(shè)置標(biāo)示允許對(duì)全部存儲(chǔ)區(qū)域進(jìn)行讀訪問操作的就緒狀態(tài)(S17)。隨后，讀取重寫操作信息(S18)。通過本發(fā)明可縮短從初始化操作開始直到讀訪問操作開始前的時(shí)間段。
文檔編號(hào)G11C16/20GK101027729SQ20048004410
公開日2007年8月29日 申請(qǐng)日期2004年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月29日
發(fā)明者河端正蔵, 古山孝昭, 加藤健太 申請(qǐng)人:斯班遜有限公司, 斯班遜日本有限公司