專利名稱：組合存儲(chǔ)器的制作方法
背景技術(shù)：
本揭示內(nèi)容涉及組合交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和其他存儲(chǔ)器。
現(xiàn)代數(shù)字設(shè)備經(jīng)常存儲(chǔ)大量能被稱為“順序”數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)。順序數(shù)據(jù)實(shí)際上是連續(xù)的，能以相對(duì)有序的方式排列。例如，數(shù)碼相機(jī)存儲(chǔ)按序的圖像像素?cái)?shù)據(jù)，而數(shù)字音樂播放器存儲(chǔ)按序的音樂數(shù)據(jù)。對(duì)于順序數(shù)據(jù)，相對(duì)大序列的鄰近數(shù)據(jù)點(diǎn)(如表示相鄰的時(shí)間或位置的數(shù)據(jù)點(diǎn))能夠被按序地寫入鄰近的存儲(chǔ)位置和從中讀出。
除了存儲(chǔ)順序數(shù)據(jù)之外，大部分?jǐn)?shù)字設(shè)備也需要存儲(chǔ)其他類型數(shù)據(jù)儲(chǔ)。例如，相對(duì)長(zhǎng)時(shí)間存在的隨機(jī)存取代碼執(zhí)行數(shù)據(jù)和相對(duì)短時(shí)間存在的臨時(shí)數(shù)據(jù)(例如做乘法時(shí)產(chǎn)生的部分乘積)都由數(shù)字設(shè)備所存儲(chǔ)。為了提供不同種類的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，許多設(shè)計(jì)者通常在單個(gè)的數(shù)字設(shè)備中包括多個(gè)存儲(chǔ)裝置。
附圖簡(jiǎn)述

圖1是包括集成交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器組件的側(cè)視方框圖；圖2是包括交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器的集成存儲(chǔ)器的頂視圖；圖3是沿著圖2的3-3部分給出的圖2集成存儲(chǔ)器的剖面圖；圖4是沿著圖2的4-4部分給出的圖2集成存儲(chǔ)器的剖面圖；圖5是生產(chǎn)圖2集成存儲(chǔ)器的工序流程；圖6是包括交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器的另一個(gè)集成存儲(chǔ)器的頂視圖；圖7是沿著圖6的6-6部分給出的圖6集成存儲(chǔ)器的剖面圖；圖8是沿著圖6的7-7部分給出的圖6集成存儲(chǔ)器的剖面圖；圖9是包括疊層的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器組件的側(cè)視圖；圖10是包括交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器的疊層小硅片存儲(chǔ)器(stacked die memory)的頂視圖；圖11是另一個(gè)集成存儲(chǔ)器的剖面圖；
圖12是包括組合交叉點(diǎn)/閃存存儲(chǔ)器的個(gè)人數(shù)字助理的方框圖；圖13是包括組合交叉點(diǎn)/閃存存儲(chǔ)器的網(wǎng)絡(luò)終端的方框圖；圖14是包括組合交叉點(diǎn)/閃存存儲(chǔ)器的蜂窩電話的方框圖在各圖中相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。為了幫助理解，各種圖不按比例畫出。
詳細(xì)說明參考圖1-4，組合的集成存儲(chǔ)器100包括在單個(gè)硅小片115上和閃存110集成在一起的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105。聯(lián)合存儲(chǔ)器控制電路120也在小硅片115上形成，并控制交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105和閃存110。通過一組共享的I/O連接125為存儲(chǔ)器105和存儲(chǔ)器110提供數(shù)據(jù)和尋址信息。通過組合交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105和閃存110，用一個(gè)數(shù)字設(shè)備中在全部存儲(chǔ)復(fù)蓋區(qū)域以及線路的長(zhǎng)度和/或數(shù)量上很少的增加，如果有的話，就可以存儲(chǔ)增加的數(shù)據(jù)數(shù)量，包括連續(xù)的數(shù)據(jù)。
特別參考圖2-4，閃存110包括閃存元件205，且形成在硅小片115上。硅小片115也包括控制對(duì)交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105和閃存110的讀取和寫入操作的聯(lián)合存儲(chǔ)器控制電路120。通過使用單個(gè)存儲(chǔ)器控制電路120來對(duì)交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105和閃存110進(jìn)行讀取和寫入，降低了和集成存儲(chǔ)器100的存儲(chǔ)容量有關(guān)的費(fèi)用。
集成存儲(chǔ)器100被用來限定孔212來露出焊接區(qū)215的氮化硅鈍化層210所覆蓋。焊接區(qū)215提供I/O連接125，且每個(gè)焊接區(qū)通過由鋁通孔221、222、223、224、225組成的電傳導(dǎo)孔220電氣地連接到聯(lián)合存儲(chǔ)器控制電路120。通孔221-225在處理過程期間不同的時(shí)間產(chǎn)生。通孔220穿過絕緣層間介質(zhì)(ILD)230、第一聚合體存儲(chǔ)器層235、第二聚合體存儲(chǔ)器層240和另外一個(gè)層間介質(zhì)(ILD)245。層間介質(zhì)230和層間介質(zhì)245可以由例如基于硅的或聚合物層間介質(zhì)材料來組成。
在存儲(chǔ)器控制電路120和閃存元件205上面形成夾層245。通孔250、305和310三個(gè)一組的穿過夾層245來進(jìn)行交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105和存儲(chǔ)器控制電路120之間的電氣地連接。因此存儲(chǔ)器控制電路120能夠響應(yīng)通過焊接區(qū)215提供給集成存儲(chǔ)器100的指令，從交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105和閃存110中的各個(gè)存儲(chǔ)器元件讀取和寫入。
交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105包括被二個(gè)斷續(xù)鄰近的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器聚合物層235和240分離開的平行線255、260和265的三個(gè)連續(xù)正交陣列。交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器聚合物層235和240延伸到集成存儲(chǔ)器100的邊緣E，且可以在單個(gè)旋轉(zhuǎn)涂層步驟中沉積。交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器聚合物層235和240可以由例如聚偏二氟乙烯聚合體構(gòu)成。聚合物層235在正交線260和265之間形成交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器元件270的陣列，聚合物層240在正交線255和260之間形成交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器元件275的陣列。響應(yīng)寫入期間存儲(chǔ)器控制電路120在正交線260、265和255、260的相應(yīng)對(duì)之間施加的電壓差，主要通過重新定向來極化存儲(chǔ)器單元270和275。例如，為響應(yīng)20到70V/μm的電場(chǎng)，聚偏二氟乙烯聚合體可以重新定向，盡管本發(fā)明沒有限制。然后電壓差消除后，存儲(chǔ)器元件270、275至少維持部分的感應(yīng)再定向極化，來提供寫入事件的歷史記錄或“記憶”。
使用中，存儲(chǔ)控制器或處理器通過焊接區(qū)215把總線命令提供給存儲(chǔ)器控制電路120來寫入組合存儲(chǔ)器100中的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105?？偩€命令可包括識(shí)別用于讀/寫操作的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105和閃存110其中之一的數(shù)據(jù)位。因?yàn)槿绨ㄓ糜诳刂平徊纥c(diǎn)存儲(chǔ)器105和閃存110的寫入電壓等操作要求是相似的，所以存儲(chǔ)器控制電路120可被交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105和閃存110所共享。
在交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105被識(shí)別的情況下，存儲(chǔ)器控制電路120接著選擇并用足夠的電壓和足夠的時(shí)間加偏壓到一對(duì)正交線260、265或255、260，來極化對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器元件270或275。至少此極化的一部分被保留，無需在存儲(chǔ)器控制電路120去除偏壓后由所選的存儲(chǔ)器元件270或275刷新。
在讀存儲(chǔ)器元件270或275時(shí)，存儲(chǔ)器控制電路120接收總線命令，請(qǐng)求其判斷極化的部分是否被所選的存儲(chǔ)器元件270或275保留。作為響應(yīng)，存儲(chǔ)器控制電路120確定所選的存儲(chǔ)器元件270或275中任何剩余極化存在，并隨同指示數(shù)據(jù)源的總線命令把此信息傳播到控制器或處理器。這樣，可以在組合存儲(chǔ)器100的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105中存儲(chǔ)任何類型的數(shù)據(jù)，包括順序數(shù)據(jù)。
同樣參考圖5，用于形成集成存儲(chǔ)器100的工序400從在硅小片210上層間介質(zhì)245的蝕刻和平面化開始(405)。然后，通過例如濺射、汽化或電化沉積，把金屬層沉積在層間介質(zhì)245上，然后掩模，蝕刻以形成正交線255(415)。粘合的金屬層可被加到這個(gè)和所有金屬層的下方，以把金屬層固定基底上。
然后在有圖案的金屬層上旋涂交叉點(diǎn)存儲(chǔ)聚合體溶液并退火，形成聚合物層240(420)。接下來，沉積另一個(gè)金屬層(425)。此金屬層接著被掩模和蝕刻以形成正交線260(430)。然后在有圖案的金屬層上旋涂另一個(gè)交叉點(diǎn)存儲(chǔ)聚合體溶液并退火，形成聚合物層235(435)。然后沉積第三金屬層(440)，并加以掩模和蝕刻以形成正交線260(445)。
然后，通過例如旋涂、蒸氣沉積或另一個(gè)工序(450)，在交叉點(diǎn)存儲(chǔ)聚合物層260上沉積層間介質(zhì)230。接著掩模和蝕刻形成通孔(455)。在層間介質(zhì)230上沉積第四金屬層(460)，并加以掩模和蝕刻以形成焊接區(qū)115和任何其他的表面特性(465)。然后沉積鈍化層105(470)，并加以掩模和蝕刻形成通孔110(475)。
參考圖6、7和8，組合的集成存儲(chǔ)器500的另一個(gè)實(shí)施法包括集成了第一交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105和閃存110的第二交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器600。聯(lián)合存儲(chǔ)控制電路605控制對(duì)第一交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105、第二交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器600和閃存110的元件205的讀和寫操作。通過把交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器105、600和閃存110組合到一個(gè)單獨(dú)的集成體中，用一個(gè)數(shù)字設(shè)備中在總存儲(chǔ)復(fù)蓋區(qū)域以及線路的長(zhǎng)度和/或數(shù)量上很少的增加，如果有的話，就可以存儲(chǔ)增加的數(shù)據(jù)數(shù)量。
在組合存儲(chǔ)器500中，層間介質(zhì)245通過附加的三一組的通孔608、610和615來電氣地連接第二交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器600和存儲(chǔ)控制電路605，使得存儲(chǔ)控制電路605能夠?qū)懭氲诙徊纥c(diǎn)存儲(chǔ)器600并從中讀出。交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器600包括被兩個(gè)斷續(xù)鄰近的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器聚合物層640和645分離開的平行線620、625和630的三個(gè)連續(xù)正交陣列。聚合物層640在正交線620和625之間形成交叉點(diǎn)存儲(chǔ)單元650陣列，聚合物層645在正交線625和630之間形成交叉點(diǎn)存儲(chǔ)單元655陣列。在第二交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器600上形成層間介質(zhì)層660。
參考圖9和10，通過把第一小硅片910上形成的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器905疊層在第二小硅片920上形成的閃存915的頂部來形成組合疊層存儲(chǔ)器900。第二小硅片920包括聯(lián)合存儲(chǔ)控制線路925(在圖10中以虛線示出以表示控制線路925是在第二小硅片920上)。交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器905和閃存925相互緊固，并固定在基本平面安裝的元件930上，該元件包括許多焊接區(qū)935，以在交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器905和閃存915之間形成電氣地連接。尤其是，每個(gè)焊接區(qū)935電氣地連接到一個(gè)交叉點(diǎn)導(dǎo)線940和一個(gè)閃存導(dǎo)線945。交叉點(diǎn)導(dǎo)線940和一個(gè)閃存導(dǎo)線945可以是非絕緣的，并可在不同的平面上相互交叉。交叉點(diǎn)導(dǎo)線940延伸到交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器905上的焊接區(qū)950，而閃存導(dǎo)線945延伸到閃存915上的焊接區(qū)955。因此交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器905由外部的導(dǎo)線940和945連接到閃存915和用于讀寫操作存儲(chǔ)控制線路925。使用單一存儲(chǔ)器控制線路925提供的成本優(yōu)點(diǎn)被保留，且提供的額外的工序靈活性表現(xiàn)為制造商即使在制造過程中相對(duì)后面的階段也可以替換或省略所需的部件。
參考圖11，組合的集成存儲(chǔ)器1100包括集成閃存1110的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器1105。交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器1105包括被交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器聚合物層1125分離開的平行線1115和1120的兩個(gè)基本正交陣列。聚合物層1125形成線1115和1120之間的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)元件1130的陣列。
集成存儲(chǔ)器1110還包括一對(duì)粘合聚合物層1125的外緣的層間介質(zhì)層1135和1140，使得聚合物層1125不延伸到集成存儲(chǔ)器100的邊緣E。聚合物層1125因此密封在集成存儲(chǔ)器1100內(nèi)，而且進(jìn)一步與環(huán)境狀況相隔離。同樣，通孔220和250被包圍在相對(duì)非極化層間介質(zhì)材料里面以簡(jiǎn)化集成存儲(chǔ)器1100的電性能。
參考圖12，個(gè)人數(shù)字系統(tǒng)1200包括個(gè)人數(shù)字助理1205和可拆卸存儲(chǔ)器盒(memory cartridge)1210?？刹鹦洞鎯?chǔ)器盒1210包括用于高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的組合交叉點(diǎn)/閃存存儲(chǔ)器1215。個(gè)人數(shù)字助理1205包括用于從存儲(chǔ)器盒1210讀出和寫入的處理系統(tǒng)1220。個(gè)人數(shù)字助理1205還包括用于接收用戶輸入的輸入設(shè)備1225，顯示輸出1230和用于輸出視覺和聲音信號(hào)給用戶的聲音輸出1235，以及用于與另一個(gè)設(shè)備如個(gè)人電腦(沒有示出)連接的PDA接口1240。個(gè)人數(shù)字助理1205由電源1245供電。
參考圖13，用于和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)交換信息的網(wǎng)絡(luò)終端1300包括組合交叉點(diǎn)/閃存存儲(chǔ)器1305，用來減少網(wǎng)絡(luò)終端1300中總存儲(chǔ)復(fù)蓋區(qū)域。例如，網(wǎng)絡(luò)終端1300可限定為個(gè)人計(jì)算機(jī)，網(wǎng)絡(luò)路由器或集線器。網(wǎng)絡(luò)終端1300還包括用于控制包括從組合存儲(chǔ)器1305讀出和寫入的網(wǎng)絡(luò)終端1300的操作的處理器1310，用于接收來自網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的信息的數(shù)據(jù)接收器1315，和用于向網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)發(fā)送信息的數(shù)據(jù)發(fā)送器1320。
參考圖14，蜂窩電話1400包括用來減少蜂窩電話1400中總存儲(chǔ)復(fù)蓋區(qū)域和蜂窩電話1400尺寸的組合交叉點(diǎn)/閃存存儲(chǔ)器1405。蜂窩電話1400還包括用于控制包括從組合存儲(chǔ)器1405讀出和寫入的蜂窩電話1400的操作的控制線路1410、用于撥號(hào)的輸入鍵盤1415、用于提醒用戶來電的振鈴器和震動(dòng)器1420、天線1425和用于廣播和接收把例如一段對(duì)話編碼電磁信號(hào)的和發(fā)送/接收器1430、用于傳播例如對(duì)話的輸入部分給用戶的揚(yáng)聲器1435、用于轉(zhuǎn)換例如對(duì)話中用戶反應(yīng)的話筒1440。
可以進(jìn)行其他的修改。例如，能由其他導(dǎo)體包括金屬鎢和銅做成通孔。通孔和夾層的組成材料可混合在單個(gè)的組合存儲(chǔ)器中。組合存儲(chǔ)器里面的電氣連接和與其電氣連接可由眾多不同技術(shù)中的任何技術(shù)完成，包括例如球柵陣列和卷帶式自動(dòng)接合。交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器可以由眾多不同存儲(chǔ)器裝置的任何裝置組合，包括一個(gè)或多個(gè)交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器、SRAM和DRAM。多個(gè)交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器層可與集成的或疊層的小硅片裝置中的其他存儲(chǔ)器組合。另一個(gè)閃存，另一個(gè)不可擦寫存儲(chǔ)器，或者可擦寫存儲(chǔ)器可與集成的或分離的小硅片裝置中的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器疊層。疊層的順序可以交換。各種材料和方法可以被用于形成在此描述的結(jié)構(gòu)。例如，聚偏二氟乙烯和其他聚合體(例如三氟乙烯)的共聚物可用于形成交叉點(diǎn)聚合體存儲(chǔ)層?？墒褂闷渌徊纥c(diǎn)存儲(chǔ)材料，包括陶瓷。交叉點(diǎn)存儲(chǔ)材料可以使用不同的物理機(jī)制包括磁極化來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
因此，其他實(shí)施方法都在下面權(quán)利要求書的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器包括一個(gè)交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器包括第一導(dǎo)體，與第一導(dǎo)體斜交的第二導(dǎo)體，第二導(dǎo)體在交叉點(diǎn)最接近第一導(dǎo)體，和在第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體之間的交叉點(diǎn)設(shè)置的存儲(chǔ)器元件，存儲(chǔ)器元件以多種狀態(tài)中；和包括以多種狀態(tài)存在的第二存儲(chǔ)器元件的第二存儲(chǔ)器，其特征在于，交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和第二存儲(chǔ)器以疊層取向排列，并共享數(shù)據(jù)輸入和輸出。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器包含基本平行的第一導(dǎo)體的基本共面陣列；和基本平行的第二導(dǎo)體的基本共面陣列，排列成在第一導(dǎo)體上的第二導(dǎo)體的投影與第一導(dǎo)體基本正交。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器元件包含配置成以多種極化狀態(tài)存在的可極化元件。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述可極化元件包含可極化聚合物。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述可極化聚合物包含聚二氟乙烯。
6.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述可極化聚合物包含三氟乙烯。
7.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述可極化元件延伸到交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器的邊緣。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器元件被配置成以二種可確定的狀態(tài)中存在，并響應(yīng)第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體之間的電場(chǎng)，在可確定狀態(tài)之間切換。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第二存儲(chǔ)器包含非易失性存儲(chǔ)器。
10.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器在第一層小硅片上，第二存儲(chǔ)器在第二層小硅片上。
11.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和第二存儲(chǔ)器集成在單個(gè)小硅片上。
12.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器進(jìn)一步包括配置成能有選擇地在主系統(tǒng)和交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器與第二存儲(chǔ)器中的一個(gè)之間交換電子信號(hào)的存儲(chǔ)器控制電路。
13.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器在第二存儲(chǔ)器的上面。
14.一種形成存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，所述方法包括在疊層取向配置交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和第二存儲(chǔ)器；和與交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和第二存儲(chǔ)器共享數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出。
15.如權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，把交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器與在第二存儲(chǔ)器疊層包括把交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器集成在具有第二存儲(chǔ)器的單個(gè)小硅片上。
16.如權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，把交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器與第二存儲(chǔ)器疊層進(jìn)一步包括把存儲(chǔ)器控制電路電氣連地接到交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和第二存儲(chǔ)器。
17.如權(quán)利要求16所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，電氣地連接存儲(chǔ)器控制電路進(jìn)一步包括在具有交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和第二存儲(chǔ)器的單個(gè)小硅片上形成存儲(chǔ)器控制電路。
18.如權(quán)利要求14所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器在第一小硅片上；第二存儲(chǔ)器在第二小硅片上；和把交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器與第二存儲(chǔ)器疊層包括把第一小硅片和第二小硅片疊層。
19.一種系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括疊層存儲(chǔ)器包括交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器包括第一導(dǎo)體，與第一導(dǎo)體斜交的第二導(dǎo)體，第二導(dǎo)體在交叉點(diǎn)最接近第一導(dǎo)體，和在第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體之間的交叉點(diǎn)設(shè)置的存儲(chǔ)器元件，存儲(chǔ)器元件配置成以多種可確定狀態(tài)存在；和第二存儲(chǔ)器，它包含配置成以多種可確定狀態(tài)存在的第二存儲(chǔ)器元件；和用于從疊層存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)和寫入數(shù)據(jù)到疊層存儲(chǔ)器的處理器。
20.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)進(jìn)一步包括配置成接收信息的數(shù)據(jù)接收器；和配置成發(fā)送信息的數(shù)據(jù)發(fā)送器。
21.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括個(gè)人計(jì)算機(jī)。
22.一種設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括具有設(shè)置在第一和第二導(dǎo)體之間交叉點(diǎn)并可編程成多種狀態(tài)的的存儲(chǔ)器元件的第一交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器；和與第一交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器以疊層取向排列，并共享數(shù)據(jù)終端的閃存。
23.如權(quán)利要求22所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備進(jìn)一步包含用于控制對(duì)第一交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和閃存的讀取和寫入操作的存儲(chǔ)器控制電路。
24.如權(quán)利要求23所述的設(shè)備，進(jìn)一步包含與第一交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和閃存集成的第二交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器，其特征在于，第一交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器、第二交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和閃存由存儲(chǔ)器控制電路控制。
25.如權(quán)利要求23所述的設(shè)備，其特征在于，存儲(chǔ)器控制電路提供一個(gè)編程設(shè)計(jì)偏壓來極化存儲(chǔ)器元件。
26.一種形成存儲(chǔ)器裝置的方法，其特征在于，所述方法包括極化在硅基底上的第一絕緣層；在第一絕緣層上沉積第一金屬層；在第一金屬層上形成第一聚合物層；在第一聚合物層上沉積第二金屬層；在第二金屬層上形成第二聚合物層；在第二聚合物層上沉積第三金屬層；在第三金屬層上沉積第二絕緣層；在第二絕緣層上沉積第四金屬層。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述方法進(jìn)一步包括增加一鈍化層來保護(hù)存儲(chǔ)器裝置。
28.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述方法進(jìn)一步包括把第四金屬層加圖案，以形成焊接區(qū)。
29.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述方法進(jìn)一步包括在由第一和第二金屬層構(gòu)成的正交線之間的第一聚合物層中形成交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器元件。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，所述方法進(jìn)一步包括通過在第一和第二金屬層上提供偏置電壓來編程設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器元件。
31.一種設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包含具有設(shè)置在第一和第二導(dǎo)體之間交叉點(diǎn)并可編程成多種狀態(tài)的存儲(chǔ)器元件的交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器；和連接到交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器且共享數(shù)據(jù)終端的非易失性存儲(chǔ)器。
32.如權(quán)利要求31所述的設(shè)備，其特征在于，所述交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器在疊層取向上連接到非易失性存儲(chǔ)器。
33.如權(quán)利要求31所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備進(jìn)一步包括用于控制對(duì)交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器的讀取和寫入操作的存儲(chǔ)器控制電路。
34.如權(quán)利要求33所述的設(shè)備，其特征在于，所述交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器由存儲(chǔ)器控制電路控制。
全文摘要
一種存儲(chǔ)器包含第一交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器和第二存儲(chǔ)器。該交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器包括設(shè)置于第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體之間交叉點(diǎn)上的存儲(chǔ)器元件。在第一和第二存儲(chǔ)器里的存儲(chǔ)器元件能存在多個(gè)狀態(tài)。第一和第二存儲(chǔ)器以疊層取向排列，并共享數(shù)據(jù)輸入和輸出。
文檔編號(hào)G11C13/02GK1679112SQ03817527
公開日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2003年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月22日
發(fā)明者M·D·文斯頓, H·炮恩 申請(qǐng)人:英特爾公司